KR900003896A - 반도체 메모리와 그 제조방법 - Google Patents
반도체 메모리와 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR900003896A KR900003896A KR1019890011920A KR890011920A KR900003896A KR 900003896 A KR900003896 A KR 900003896A KR 1019890011920 A KR1019890011920 A KR 1019890011920A KR 890011920 A KR890011920 A KR 890011920A KR 900003896 A KR900003896 A KR 900003896A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- semiconductor substrate
- semiconductor
- layer
- mis transistor
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/33—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells the capacitor extending under the transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
- H10B12/038—Making the capacitor or connections thereto the capacitor being in a trench in the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/37—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells the capacitor being at least partially in a trench in the substrate
- H10B12/373—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells the capacitor being at least partially in a trench in the substrate the capacitor extending under or around the transistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 반도체 메모리의 일실시예를 나타내는 단면도.
Claims (2)
- MIS트랜지스터와 용량 소자로서 메로리 셀이 구성된 반도체 메모리에 있어서, 반도체 기판상의 절연층표면에 반도체 영역이 형성되며, 상기 반도체 영역의 표면부에 상기MIS트랜지스터가 형성되고, 상기 반도제 기판의 MIS트랜지스터의 하측부분에 반도체 기판을 제1전극으로 하고, 이것과 유전체막을 거쳐 대향하는 전극층을 제2전극으로 하는 상기 용량 소자가 형성되고, 상기 용량 소자의 제2전극을 이루는 전극층과, 상기 반도체 영역에 형성된 MIS트랜지스터가 절연층에 형성된 큰텍트홀을 통하여 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
- 제1반도체 기판의 표면에 뒤에서 MIS트랜지스터가 형성되는 반도체 영역인 볼록부를 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판의 표면에 절연층을 형성하는 공정과, 상기 절연층에 상기 반도체 기판의 볼록부 표면을 노출시키는 콘텍트홀을 형성하는 공정과, 상기 절연층상에 상기 콘텍트홀을 통하여 상기 반도체 기판의 볼록부표면에 접속되는 전극층을 형성하는 공정과, 상기 전극층 표면에 유전체막을 형성하는 공정과, 상기 전극층을 상기 유전체막을 거쳐 덮는 반도체 층을 절연층상에 형성하는 공정과, 상기 반도체층의 표면을 평탄화한 것에서 그 표면에 제2반도체 기판을 접착하는 공정과, 상기 제1반도체 기판을 그 이면측에서 상기 볼록부가 반도체 영역으로서 잔존하도록 제거하는 공정과, 상기 제1반도체 기판의 잔존한 반도체 영역에 MIS트랜지스터를 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63212159A JP2743391B2 (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 半導体メモリの製造方法 |
JP212159 | 1988-08-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR900003896A true KR900003896A (ko) | 1990-03-27 |
KR0142575B1 KR0142575B1 (ko) | 1998-08-17 |
Family
ID=16617877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019890011920A KR0142575B1 (ko) | 1988-08-25 | 1989-08-22 | 반도체 메모리와 그 제조방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5102819A (ko) |
EP (1) | EP0356218B1 (ko) |
JP (1) | JP2743391B2 (ko) |
KR (1) | KR0142575B1 (ko) |
DE (1) | DE68922254T2 (ko) |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5346834A (en) * | 1988-11-21 | 1994-09-13 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor memory device |
JP3003188B2 (ja) * | 1990-09-10 | 2000-01-24 | ソニー株式会社 | 半導体メモリ及びその製造方法 |
US5244819A (en) * | 1991-10-22 | 1993-09-14 | Honeywell Inc. | Method to getter contamination in semiconductor devices |
JP3141486B2 (ja) * | 1992-01-27 | 2001-03-05 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
US5254502A (en) * | 1992-03-27 | 1993-10-19 | Principia Optics, Inc. | Method for making a laser screen for a cathode-ray tube |
JP2796012B2 (ja) * | 1992-05-06 | 1998-09-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
KR100289348B1 (ko) * | 1992-05-25 | 2001-12-28 | 이데이 노부유끼 | 절연기판실리콘반도체장치와그제조방법 |
DE69329376T2 (de) * | 1992-12-30 | 2001-01-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung einer SOI-Transistor-DRAM |
JP2791260B2 (ja) * | 1993-03-01 | 1998-08-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2796249B2 (ja) * | 1993-07-02 | 1998-09-10 | 現代電子産業株式会社 | 半導体記憶装置の製造方法 |
JP3301170B2 (ja) * | 1993-08-09 | 2002-07-15 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製法 |
JP3252578B2 (ja) * | 1993-12-27 | 2002-02-04 | ソニー株式会社 | 平面型絶縁ゲート電界効果トランジスタの製法 |
US5602052A (en) * | 1995-04-24 | 1997-02-11 | Harris Corporation | Method of forming dummy island capacitor |
US5606188A (en) * | 1995-04-26 | 1997-02-25 | International Business Machines Corporation | Fabrication process and structure for a contacted-body silicon-on-insulator dynamic random access memory |
US6831322B2 (en) * | 1995-06-05 | 2004-12-14 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory device and method for fabricating the same |
US5776789A (en) * | 1995-06-05 | 1998-07-07 | Fujitsu Limited | Method for fabricating a semiconductor memory device |
US5592412A (en) * | 1995-10-05 | 1997-01-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Enhanced deep trench storage node capacitance for DRAM |
US5796671A (en) | 1996-03-01 | 1998-08-18 | Wahlstrom; Sven E. | Dynamic random access memory |
GB2351582B (en) * | 1996-03-01 | 2001-02-21 | Sven E Wahlstrom | Dynamic random access memory |
US6093592A (en) * | 1996-06-12 | 2000-07-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor apparatus having a silicon-on-insulator structure |
US6035293A (en) * | 1997-10-20 | 2000-03-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Validating process data in manufacturing process management |
KR100260560B1 (ko) * | 1998-03-18 | 2000-07-01 | 윤종용 | 실리콘-온 인슐레이터 구조를 이용한 반도체 메모리 장치 및 그제조 방법 |
KR100268419B1 (ko) * | 1998-08-14 | 2000-10-16 | 윤종용 | 고집적 반도체 메모리 장치 및 그의 제조 방법 |
EP0984484A2 (en) * | 1998-09-04 | 2000-03-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor subtrate and method for producing the same |
KR20000045305A (ko) * | 1998-12-30 | 2000-07-15 | 김영환 | 완전 공핍형 에스·오·아이 소자 및 그 제조방법 |
US6303956B1 (en) * | 1999-02-26 | 2001-10-16 | Micron Technology, Inc. | Conductive container structures having a dielectric cap |
US6365465B1 (en) | 1999-03-19 | 2002-04-02 | International Business Machines Corporation | Self-aligned double-gate MOSFET by selective epitaxy and silicon wafer bonding techniques |
US6261876B1 (en) | 1999-11-04 | 2001-07-17 | International Business Machines Corporation | Planar mixed SOI-bulk substrate for microelectronic applications |
US6472702B1 (en) * | 2000-02-01 | 2002-10-29 | Winbond Electronics Corporation | Deep trench DRAM with SOI and STI |
US6642115B1 (en) | 2000-05-15 | 2003-11-04 | International Business Machines Corporation | Double-gate FET with planarized surfaces and self-aligned silicides |
US6982460B1 (en) | 2000-07-07 | 2006-01-03 | International Business Machines Corporation | Self-aligned gate MOSFET with separate gates |
US6465331B1 (en) * | 2000-08-31 | 2002-10-15 | Micron Technology, Inc. | DRAM fabricated on a silicon-on-insulator (SOI) substrate having bi-level digit lines |
US6468880B1 (en) * | 2001-03-15 | 2002-10-22 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method for fabricating complementary silicon on insulator devices using wafer bonding |
US7253040B2 (en) | 2003-08-05 | 2007-08-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Fabrication method of semiconductor device |
JP2005150686A (ja) | 2003-10-22 | 2005-06-09 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4610982B2 (ja) | 2003-11-11 | 2011-01-12 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN105009283B (zh) * | 2013-01-09 | 2018-05-08 | 恩智浦美国有限公司 | 电子高频装置以及制造方法 |
US10516207B2 (en) | 2017-05-17 | 2019-12-24 | Nxp B.V. | High frequency system, communication link |
US11296090B2 (en) * | 2019-12-12 | 2022-04-05 | HeFeChip Corporation Limited | Semiconductor memory device with buried capacitor and fin-like electrodes |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4193836A (en) * | 1963-12-16 | 1980-03-18 | Signetics Corporation | Method for making semiconductor structure |
KR920010461B1 (ko) * | 1983-09-28 | 1992-11-28 | 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 반도체 메모리와 그 제조 방법 |
JPS60182161A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-17 | Hitachi Ltd | Mosダイナミツクメモリ素子 |
JPS61207055A (ja) * | 1985-03-11 | 1986-09-13 | Nec Corp | 半導体記憶装置 |
JPS6235668A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Nec Corp | 半導体記憶装置 |
JPS6249649A (ja) * | 1985-08-28 | 1987-03-04 | Nec Corp | 半導体装置 |
US4649625A (en) * | 1985-10-21 | 1987-03-17 | International Business Machines Corporation | Dynamic memory device having a single-crystal transistor on a trench capacitor structure and a fabrication method therefor |
JP2671899B2 (ja) * | 1986-02-20 | 1997-11-05 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
DE3780840T2 (de) * | 1986-03-03 | 1993-03-25 | Fujitsu Ltd | Einen rillenkondensator enthaltender dynamischer speicher mit wahlfreiem zugriff. |
JPS62259769A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-12 | Nec Corp | シリコンウエハの加工方法 |
JPS62293756A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置 |
JPH0650768B2 (ja) * | 1986-07-31 | 1994-06-29 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
JPH0828470B2 (ja) * | 1986-11-07 | 1996-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体メモリ装置 |
JPS63142851A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
JPS63158869A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体メモリ装置 |
JPS63265464A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置の製造方法 |
JPH0235770A (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体メモリ装置及びその製造方法 |
JP2664310B2 (ja) * | 1992-06-29 | 1997-10-15 | 株式会社ピーエフユー | 外部装置着脱時のコンピュータ保護装置 |
JPH0619597A (ja) * | 1992-07-03 | 1994-01-28 | Hitachi Ltd | キーボード入力装置 |
-
1988
- 1988-08-25 JP JP63212159A patent/JP2743391B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-08-22 KR KR1019890011920A patent/KR0142575B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-08-23 DE DE68922254T patent/DE68922254T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-08-23 EP EP89308540A patent/EP0356218B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-01-23 US US07/644,448 patent/US5102819A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-02-21 US US08/804,747 patent/US5892256A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE68922254T2 (de) | 1995-08-24 |
US5892256A (en) | 1999-04-06 |
JP2743391B2 (ja) | 1998-04-22 |
EP0356218A3 (en) | 1991-01-30 |
JPH0260163A (ja) | 1990-02-28 |
KR0142575B1 (ko) | 1998-08-17 |
EP0356218A2 (en) | 1990-02-28 |
US5102819A (en) | 1992-04-07 |
DE68922254D1 (de) | 1995-05-24 |
EP0356218B1 (en) | 1995-04-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR900003896A (ko) | 반도체 메모리와 그 제조방법 | |
KR890011107A (ko) | 반도체 장치 | |
KR850005733A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR910019237A (ko) | 커패시터 dram 셀의 제조방법 | |
KR930003329A (ko) | 반도체집적회로장치 및 그 제조방법 | |
KR940027149A (ko) | 반도체 기억 장치 및 그 제조 방법 | |
KR910019235A (ko) | 반도체기억장치 | |
KR970071090A (ko) | 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법 | |
KR960006012A (ko) | 불휘발성 반도체 메모리 소자 및 그의 제조방법 | |
KR890015417A (ko) | 불휘발성 반도체기억장치와 그 동작방법 및 제조방법 | |
KR910003813A (ko) | 적층된 캐패시터 및 매립된 측방향 접촉부를 갖는 dram 셀 | |
KR920008929A (ko) | 반도체 기억장치와 그 제조방법 | |
KR910001985A (ko) | 반도체 메모리소자 | |
KR900005463A (ko) | 반도체 기억장치 및 그 제조방법 | |
KR970072432A (ko) | Mos 커패시터를 갖는 반도체 디바이스 및 제조 방법 | |
KR900002321A (ko) | 고저항층을 가지는 반도체장치 | |
KR920013728A (ko) | 반도체 기억장치 및 그 제조방법 | |
KR920015464A (ko) | 반도체 장치의 전극배선층 및 그 제조방법 | |
KR910017656A (ko) | 반도체장치 | |
KR920020719A (ko) | 반도체 메로리의 제조방법 | |
KR920005814A (ko) | 전계효과트랜지스터, 메모리셀, 반도체기억장치 및 전계효과트랜지스터의 제조방법 | |
KR980005912A (ko) | 반도체 장치의 금속콘택구조 및 그 제조방법 | |
KR910010718A (ko) | 반도체 기억 장치 및 그 제조방법 | |
KR850004878A (ko) | 반도체 기억장치 | |
TW346679B (en) | Semiconductor device with increased semiconductor capacitance and method of manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20050331 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |