CN105009283B - 电子高频装置以及制造方法 - Google Patents

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Abstract

电子装置(10)包括：具有一个或多个层(14、16、18、20、22、24、26、28、30)的布线板(12)；布置在所述布线板(12)上的集成电路(36)；天线(38)以及信号路径(39)。集成电路(36)生成高频信号并且将它馈送到信号路径。信号路径将高频信号传输到所述天线(38)。天线(38)将高频信号发射到所述电子装置(10)的环境(8)。替代地或者额外地，天线(38)从环境(8)接收高频信号并且将它馈送到信号路径(39)。信号路径(39)将高频信号传输到集成电路(36)。集成电路处理高频信号。信号路径(39)包括穿过所述布线板(12)的一个或多个层(14、16、18、20、22、24、26、28、30)的波导(40)。还描述了制造电子装置(10)的方法。

Description

电子高频装置以及制造方法
技术领域
本发明涉及电子高频装置以及制造方法。
背景技术
高频(HF)电磁波发射和接收装置可以被提供成一个或多个集成电路的形式。集成电路可以被布置在布线板上，例如印刷电路板(PCB)上。适当地耦合于集成电路的发射或接收天线可以被布置在布线板上或集成在其内。布线板可能包括以交替方式布置在彼此顶部的一个或多个传导层以及一个或多个绝缘层，以便在每对邻近的传导层之间具有绝缘层。各种电子元件例如导体、电容器、电感器或微带线可以集成在传导层上。
绝缘层可能包括或由适当的电介质绝缘材料构成。在高频应用的情况下具有相对低的介电常数的绝缘材料可以是优选的。例如，靠近包括了高频信号线的传导层布置的绝缘层可以由具有近似为3的介电常数的绝缘材料构成，然而不与任何高频信号线邻近的绝缘层可以由具有例如4.4的介电常数的绝缘材料构成。具有适当的低介电常数的绝缘材料的例子包括由Rogers Corporation(美国)生产的材料RT5880和RO3003。这些材料由于适合于包括高达40千兆赫或甚至更高频率的高频应用而被熟知。然而，各种各样的其它绝缘材料，尤其是一些基于聚四氟乙烯的材料可以也适合。
在这个应用中，“特殊绝缘材料”和“普通绝缘材料”的表达被用来区分两种不同的绝缘材料，其中特殊绝缘材料具有比普通绝缘材料更低的介电常数。此外，特殊绝缘材料在高频下可能具有低的多的损耗正切，其对于更高频率(例如，1GHz以上)的操作是有利的。特殊和普通绝缘材料例如可能分别具有大约3和大约4.4的介电常数。现今的特殊绝缘材料趋向于比普通绝缘材料更贵。
发明内容
正如附属权利要求中所描述的，本发明提供了一种电子高频装置以及一种制造方法。
本发明的具体实施例在附属权利要求中被陈述。
根据下文中描述的实施例，本发明的这些或其它方面将会很明显并且被阐述。
附图说明
根据附图，仅仅通过举例的方式，本发明的进一步细节、方面和实施例将被描述。在附图中，类似的符号被用于表示相同的或功能相似的元件。为了简便以及清晰，附图中的元件不一定按比例绘制。
图1示意性地显示了HF装置的实施例的一个例子。
图2示意性地显示了图1的雷达装置的实施例的一个例子。
图3示意性地显示了波导的实施例的一个例子。
图4显示了制造高频发射或接收装置的方法的一个例子的流程图。
具体实施方式
由于本发明说明的实施例可能大部分是通过使用本领域所属技术人员所熟知的电子元件和电路被实施，因此细节不会在比上述所说明的认为具有必要的程度大的任何程度上进行解释。对本发明基本概念的理解以及认识是为了不混淆或偏离本发明所教之内容。
图1示意性地显示了处于环境8中的电子装置10的例子。电子装置10尤其可能包括布线板12、集成电路36、天线38和信号路径39，所述信号路径39用于将高频信号从集成电路36传输到天线38或反之亦然。布线板12可能包括一个或多个层。在所示例子中，布线板12例如可能包括传导层14、18、22、26和30以及绝缘层16、20、24和28。传导层和绝缘层可以按照交替方式堆叠在彼此顶部。每个传导层(例如层30)，可能因此由布置在中间的绝缘层(例如层28)与邻近的传导层(例如层26)分离。分离的传导层(例如层22、26和30)可以通过传导导线(例如导线32和34)而互连。
集成电路36可以被布置在布线板12上。集成电路36可以借助于例如接合导线或焊料球尤其附接于顶部或底部传导层。在所示例子中，集成电路36通过借助于例如两个、三个或更多的若干焊料球50被附接并且以传导方式连接到传导层30，其在这个例子中可以是顶层。天线38可以位于可能包括特殊绝缘材料或由特殊绝缘材料构成的层上。其它层可以包括普通绝缘材料或由普通绝缘材料构成。
集成电路36可以被布置成生成高频(HF)信号并且将它馈送到信号路径39。信号路径39可能将HF信号传输到天线38。天线38还可能将HF信号发射到环境8中。
替代地或者额外地，天线38可以被布置成从环境8接收HF信号并且将它馈送到信号路径39。信号路径39可能将HF信号传输到集成电路36。集成电路36还可能处理HF信号。
信号路径39可能包括波导40。波导40可以是空的。波导例如可能包括由內表面42定界的空的或填充空气的內空间41。波导40可能穿过布线板12的一个或多个层。在所示例子中，波导40穿过层16、18、20、22、24、26、28和30。波导40可以被布置成以电磁波的形式传输HF信号并且可以在不使用任何特殊绝缘材料的情况下被有效地实施。例如，被波导40穿过的绝缘层，例如层16、20、24和28，可以由普通绝缘材料构成，例如具有相对高介电常数(例如大于4的介电常数)的绝缘材料。波导40因此以成本有效的方式提供了将HF信号从集成电路36传输到天线38的方式或者反之亦然的手段。波导40尤其可能穿过具有相对高介电常数(例如大于4的介电常数)并且因此可以相对便宜的绝缘层。在所示例子中，绝缘层28、24和20可以由普通绝缘材料构成，然而邻接高频天线38的绝缘层16可以由特殊绝缘材料(例如具有比普通绝缘材料的介电常数低的材料)构成。天线38可以是布线板12的一部分或附接于它。在所示例子中，天线38在顶部或底部传导层14中形成。天线38可能具有适合被发射或接收的HF信号的波长的几何形状与尺寸。
波导40可能具有布置在靠近集成电路36的第一端44，以便HF信号可以通过非传导性电磁耦合在第一端44和集成电路36之间传输。例如，集成电路38可能包括辐射耦合元件48，例如微带天线(micro antenna)，用于在第一端44将HF信号馈送到波导40中或用于在第一端44从波导接收HF信号。辐射耦合元件48的尺寸在第一端44处可能大致对应于波导40的横截面。辐射耦合元件48尤其可能比天线38小。
波导40还可能具有位于靠近天线38的第二端46，以便HF信号可以通过非传导性电磁耦合在第二端46和天线38之间传输。例如，第二端46可以位于邻近天线38的端部部分。
波导40可以是直的并且垂直穿过布线板12的相应层。在这种情况下，集成电路36和天线38可以相对于布线板12彼此相对。波导40的长度和相关制造成本因此可以被降低。例如，可以通过向布线板12中钻垂直孔来制造波导40。该孔可能从布线板12(在所示例子中，层30的侧面)的一侧延伸到靠近或者也邻接天线38的位置。在天线38被实施在布线衬底12的顶层或底层的设计中，该孔可能穿过除这个顶层或底层(在图1中的层14)之外的所有位置。在天线38不是布线板12的一部分而是附接于它的设计中，该孔可能穿过整个布线板12。
该孔的内表面可以被制成对于HF信号的高频电磁波是反射的。例如，内表面可以被涂敷适当的金属。为此，金属蒸汽可以被引入到该孔。金属蒸汽或一部分金属蒸汽可能停留在内表面，并且因此使内表面成为反射的。替代地或者额外地，一个或多个反射元件可以附接于该孔的内表面。例如，反射元件可以是细小的金属线或金属线的细网格。
集成电路36和布线板12之间的焊料球50或这些焊料球中的至少一些，例如它们中的两个或更多个，可能形成空波导40的一部分，在这种意义上，它们可能减少集成电路36和布线板12之间的HF电磁波的泄漏。将两个、三个、四个或更多焊料球布置到围绕集成电路36附近的波导40的端部44的周线上可以尤其有利。
波导40可能具有圆柱形內空间41。该圆柱形內空间尤其可能具有圆截面。波导40因此可以通过在布线板中钻孔而在未加工的布线板上方便地生产。
在一个例子中，集成电路36可能包括接收器和发射器电路二者，并且天线38可能相应地用作发射和接收。在另一个例子中，集成电路36可能包括发射器电路但不一定包括接收器电路，并且电子装置10可能包括第二集成电路36’，该第二集成电路36’包括接收器电路。电子装置10还可能包括位于布线板12上的集成电路(未显示)。第二集成电路36’可以和集成电路36(第一集成电路)一样布置在布线板12的相同层上。电子装置10还可能包括接收天线38’(第二天线，显示在图2中)和接收信号路径39’。接收天线38’可以被布置成从环境8接收高频信号作为接收信号并且将它馈送到接收信号路径39’。接收信号路径39’可能将接收信号传输到还可能处理它的第二集成电路36’。如上所描述的，接收信号路径39’可以与发射信号路径39的设计相似。它尤其可能包括波导(未显示)，例如，空波导，用于将接收的高频信号传输到第二集成电路36’。
第一集成电路36和第二集成电路36’例如可以是雷达装置、移动电话或其它类型的收发装置的一部分。雷达装置的一个例子进一步参照图2被描述。
如图2中所示，布置在例如第一集成电路36的生成器单元62可能生成高频信号6。HF信号6可能具有比例如1千兆赫更高的频率。例如，频率可以是77千兆赫，在现今的车载雷达应用中普遍使用的频率。HF信号6可以被适当地调制。HF信号6可以经由辐射元件48和波导40馈送到天线38。天线38可能发射HF信号6。HF信号6可以由电子装置10外部的对象64反射。外部对象64可以位于环境8中(见图1)。反射的HF信号6’可以经由第二波导40’和连接到下变频器66’的第二耦合元件48’被接收天线38’接收，并且被传送到位于例如第二集成电路36’中的下变频器66’。耦合元件48和48’可以在设计上相似。
集成电路36还可能包括下变频器66，所述下变频器66用于将由生成器单元62输出的HF信号6下变频到低于信号6的原始高频的操作频率(OF)，以生成OF信号7。类似地，下变频器66’可能下变频接收的高频信号6’到操作频率，从而生成OF信号7’。OF信号7和7’可以馈送到分析单元8。分析单元8可能确定第二OF信号7’相对于第一OF信号7的延迟，以生成距离信号9，该距离信号9指示对象64相对于电子装置10的距离。
分析单元68可以位于电子装置10的第一集成电路36中、第二集成电路36’中或第三集成电路(未显示)中。无论如何，第一OF信号7或第二OF信号7’或两者都可以经由集成在或布置在布线板12上的一个或多个导体被传送。
在分析单元68被集成在第二集成电路36’中的一个例子中，OF信号7可以经由例如布线板12(同样见图1)的OF信号线54，从第一集成电路36传送到第二集成电路36’。在所示例子中，OF信号线54被集成在传导层30中。
替代地，现在考虑分析单元68被集成在第一集成电路36中的一个例子，第二OF信号7’可以经由OF信号线54从第二集成电路36’传送到第一集成电路36。
可以选择足够低的操作频率，以避免在位于邻近OF信号线54的任何绝缘层中需要使用特殊绝缘材料。例如，在图1的例子中，邻近OF信号线54的绝缘层28可以由普通绝缘材料(例如具有大于4的介电常数的绝缘材料)构成。将生成的和接收的高频信号6和6’下变频到基本上比HF信号6和6’的频率低的操作频率因此可能允许进一步降低成本。例如，OF信号7和7’可能具有低于1千兆赫或甚至低于100兆赫的频率。
现在参照图3，进一步描述了波导40的一个例子。应注意波导40的内表面42上的反射涂层可以不足以阻止HF信号6从波导40的内表面41泄漏到围绕波导40的区域60。可以借助于平行于波导40例如垂直于布线板12的一个或多个层而延伸的若干传导通孔56，为围绕波导40的区域60进一步屏蔽掉从波导40泄漏的高频信号。通孔56每个可能具有比波导40的直径短得多的直径，并且因此可以也被称为微通孔56。可以通过平行于波导40钻细小的孔并且然后用适当的金属填充该孔，来制造每个微通孔56。微通孔56可以被布置在围绕波导40的周线58上。周线58可以布置在平行于布线板12的一个或多个层的平面中，例如，纵交于波导40的纵向轴(未显示)。图3给出了波导40和微通孔56的一个例子的示意性截面图。
根据图4，进一步解释了制造电子装置10的方法。该方法可能从提供未完成的(未加工的)布线板12开始。然后孔可以被生成，例如，布线板12被钻孔以生成波导40的內空间41(块S1)。微通孔56可以平行于并且围绕波导40的內空间41被钻孔(块S2)。波导40的內空间42可以被覆盖金属物质，以使它反射代表HF信号6的电磁波(S3)。此外，金属可以被引入微通孔56的孔内，因此使微通孔56对于波导内的电磁波是反射的(块S4)。可以通过处理布线板12的天线层(例如，层14)以生成天线38或通过将天线38附接到布线板上，在后续步骤(未显示)中形成天线38。
在前面的说明中，参照本发明实施例的特定例子已经对本发明进行了描述。然而，很明显各种修改和变化可以在不脱离附属权利要求中所陈述的本发明的宽范围精神及范围的情况下被做出。
在描述和权利要求中的术语“前面”、“后面”、“顶部”、“底部”、“上面”、“下面”等等，如果有的话，是用于描述性的目的并且不一定用于描述永久性的相对位置。应了解术语的这种用法在适当的情况下是可以互换的以便本发明所描述的实施例例如，能够在其它方向而不是本发明所说明的或在其它方面进行操作。
本领域所属技术人员将认识到上述描述的操作之间的界限只是说明性的。多个操作可以组合成单一的操作，单一的操作可以分布在附加操作中，并且操作可以至少在时间上一部分重叠被执行。而且，替代实施例可能包括特定操作的多个实例，并且操作的顺序在各种其它实施例中会改变。
然而，其它修改、变化和替代也是可能的。说明书和附图因此被认为是从说明性的而不是严格意义上来讲的。
在权利要求中，放置在括号之间的任何参考符号不得被解释为限定权利要求。单词“包括”不排除其它元件或然后在权力要求中列出的那些步骤的存在。此外，本发明所用的“a”或“an”被定义为一个或多个。并且，在权利要求中所用词语如“至少一个”以及“一个或多个”不应该被解释以暗示通过不定冠词“a”或“an”引入的其它权利要求元件限定任何其它特定权利要求。所述特定权利要求包括这些所介绍的对发明的权利元件，所述权利元件不仅仅包括这样的元件。即使当同一权利要求中包括介绍性短语“一个或多个”或“至少一个”以及不定冠词，例如“a”或“an”。使用定冠词也是如此。除非另有说明，使用术语如“第一”以及“第二”是用于任意区分这些术语描述的元件的。因此，这些术语不一定表示时间或这些元件的其它优先处理。某些措施在相互不同的权利要求中被列举的事实并且不表示这些措施的组合不能被用于获取优势。

Claims (12)

1.一种电子装置(10)，包括：
具有一个或多个层(14、16、18、20、22、24、26、28、30)的布线板(12)；
布置在所述布线板(12)上的集成电路(36)；
天线(38)；以及
信号路径；
其中，所述集成电路(36)被布置成生成高频信号并且将它馈送到所述信号路径，所述信号路径被布置成将所述高频信号传输到所述天线(38)，并且所述天线(38)被布置成将所述高频信号发射到所述电子装置(10)的环境(8)中；或者
其中，所述天线(38)被布置成从所述环境接收所述高频信号并且将它馈送到所述信号路径，所述信号路径被布置成将所述高频信号传输到所述集成电路，并且所述集成电路被布置成处理所述高频信号；
其中所述信号路径包括波导(40)，所述波导(40)穿过所述层(14、16、18、20、22、24、26、28、30)中的一个或多个，其中所述波导(40)具有圆柱形內空间(41)。
2.根据权利要求1所述的电子装置(10)，其中所述波导(40)具有靠近所述集成电路(36)的第一端(44)，用于通过非传导性电磁耦合在所述第一端(44)和所述集成电路(36)之间传输所述高频信号。
3.根据权利要求1或2所述的电子装置(10)，其中所述波导(40)具有靠近所述天线(38)的第二端(46)，用于通过非传导性电磁耦合在所述第二端(46)和所述天线(38)之间传输所述高频信号。
4.根据前述权利要求1或2所述的电子装置(10)，其中所述集成电路(36)借助于构成一部分所述波导(40)的两个或更多焊料凸起(50)被附接于所述布线板(12)。
5.根据前述权利要求1或2所述的电子装置(10)，其中所述波导(40)具有垂直于所述层的纵向轴。
6.根据前述权利要求1或2所述的电子装置(10)，其中所述布线板(12)包括三个或更多微通孔(56)，所述三个或更多微通孔(56)被取向为平行于所述波导(40)并且从围绕所述波导的周线延伸，用于为围绕所述微通孔(56)的区域(60)屏蔽掉所述高频信号。
7.根据前述权利要求1或2所述的电子装置(10)，其中所述电子装置(10)是雷达装置(10)，并且所述高频信号是雷达信号。
8.根据前述权利要求1或2所述的电子装置(10)，其中所述集成电路(36)是第一集成电路，所述天线(38)是发射天线(38)，所述信号路径(39)是发射信号路径，所述高频信号(6)是发射信号，并且所述电子装置(10)还包括：
布置在所述布线板(12)上的第二集成电路(36’)；
接收天线(38’)；以及
接收信号路径(39’)；
其中所述接收天线(38’)被布置成从所述环境(8)接收高频信号(6’)作为接收信号，并且将它馈送到所述接收信号路径(39’)，所述接收信号路径(39’)被布置成将所述接收信号(6’)传输到所述第二集成电路(36’)，并且所述第二集成电路(52)被布置成处理所述接收信号(6’)。
9.根据权利要求8所述的电子装置(10)，其中所述接收信号路径(39’)包括波导(40)，所述波导(40)穿过所述布线板(12)的一个或多个层。
10.根据权利要求8所述的电子装置(10)，其中所述第一集成电路(36)包括下变频器(66)，所述下变频器(66)用于通过下变频所述发射信号(6)来生成下变频发射信号(7)，并且所述第一集成电路(36)被布置成：经由所述布线板(12)，使所述下变频发射信号(7)馈送到所述第二集成电路(36’)。
11.根据权利要求8所述的电子装置(10)，其中所述第二集成电路(36’)包括下变频器(66’)，所述下变频器(66’)用于通过下变频所述接收信号(6’)来生成下变频接收信号(7’)，并且所述第二集成电路(36’)被布置成：经由所述布线板(12)，使所述下变频接收信号(7’)馈送到所述第一集成电路和所述第二集成电路(36)。
12.一种制造根据权利要求1所述的电子装置(10)的方法，其中所述方法包括：
提供处于未完成状态的所述布线板(12)；以及
提供所述波导(40)；
其中制造所述波导(40)包括：
在所述布线板(12)中钻(S1)孔；以及
用金属物质涂敷(S3)在所述孔的内表面；
其中所述波导(40)具有圆柱形內空间(41)。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3165944B1 (en) * 2015-11-04 2022-04-20 Nxp B.V. Embedded communication authentication
KR102522441B1 (ko) * 2015-11-09 2023-04-18 삼성전자주식회사 근거리 통신 안테나 장치 및 이를 구비한 전자 장치
US10130302B2 (en) 2016-06-29 2018-11-20 International Business Machines Corporation Via and trench filling using injection molded soldering
US10516207B2 (en) * 2017-05-17 2019-12-24 Nxp B.V. High frequency system, communication link
US11011816B2 (en) * 2018-10-29 2021-05-18 Aptiv Technologies Limited Radar assembly with a slot transition through a printed circuit board
DE102020102037A1 (de) 2020-01-28 2021-07-29 Krohne Messtechnik Gmbh Radaranordnung

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5728401A (en) * 1980-07-29 1982-02-16 Nec Corp Waveguide spacer and its manufacture
CN1317163A (zh) * 1998-09-10 2001-10-10 通道系统集团公司 非圆形微通道
JP2009141386A (ja) * 2007-12-03 2009-06-25 Hitachi Ltd 高周波モジュール及び送受信装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2743391B2 (ja) * 1988-08-25 1998-04-22 ソニー株式会社 半導体メモリの製造方法
US6154176A (en) * 1998-08-07 2000-11-28 Sarnoff Corporation Antennas formed using multilayer ceramic substrates
US6713685B1 (en) * 1998-09-10 2004-03-30 Viasystems Group, Inc. Non-circular micro-via
US6297551B1 (en) 1999-09-22 2001-10-02 Agere Systems Guardian Corp. Integrated circuit packages with improved EMI characteristics
US7126542B2 (en) 2002-11-19 2006-10-24 Farrokh Mohamadi Integrated antenna module with micro-waveguide
US6800946B2 (en) * 2002-12-23 2004-10-05 Motorola, Inc Selective underfill for flip chips and flip-chip assemblies
WO2007054355A1 (de) 2005-11-14 2007-05-18 Vega Grieshaber Kg Hohlleiterübergang
US8289944B2 (en) * 2007-01-31 2012-10-16 Broadcom Corporation Apparatus for configuration of wireless operation
WO2008129923A1 (ja) 2007-04-13 2008-10-30 Kyocera Corporation 高周波回路基板、高周波回路モジュールおよびレーダ装置
US7952531B2 (en) 2007-07-13 2011-05-31 International Business Machines Corporation Planar circularly polarized antennas
US8358180B2 (en) * 2007-09-27 2013-01-22 Kyocera Corporation High frequency module comprising a transition between a wiring board and a waveguide and including a choke structure formed in the wiring board
US7579997B2 (en) 2007-10-03 2009-08-25 The Boeing Company Advanced antenna integrated printed wiring board with metallic waveguide plate
US8278749B2 (en) 2009-01-30 2012-10-02 Infineon Technologies Ag Integrated antennas in wafer level package
US7977785B2 (en) * 2009-03-05 2011-07-12 Freescale Semiconductor, Inc. Electronic device including dies, a dielectric layer, and a encapsulating layer
US8760342B2 (en) 2009-03-31 2014-06-24 Kyocera Corporation Circuit board, high frequency module, and radar apparatus
US8451618B2 (en) 2010-10-28 2013-05-28 Infineon Technologies Ag Integrated antennas in wafer level package
JP5724538B2 (ja) * 2011-03-31 2015-05-27 ソニー株式会社 信号伝送装置、通信装置、電子機器、及び、信号伝送方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5728401A (en) * 1980-07-29 1982-02-16 Nec Corp Waveguide spacer and its manufacture
CN1317163A (zh) * 1998-09-10 2001-10-10 通道系统集团公司 非圆形微通道
JP2009141386A (ja) * 2007-12-03 2009-06-25 Hitachi Ltd 高周波モジュール及び送受信装置

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