KR920005814A - 전계효과트랜지스터, 메모리셀, 반도체기억장치 및 전계효과트랜지스터의 제조방법 - Google Patents

전계효과트랜지스터, 메모리셀, 반도체기억장치 및 전계효과트랜지스터의 제조방법 Download PDF

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이규 야마규찌
나쓰오 아지고
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시기 모리야
미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

전계효과트랜지스터, 메모리셀, 반도체기억장치 및 전계효과트랜지스터의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명의 한 실시예를 표시하는 평면도.
제2도는 제1도의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도, 제2도는 제1도의 Ⅲ-Ⅲ선에 따른 단면도.

Claims (4)

  1. 제1도전형의 반도체기판의 한주면에 채널영역을 사이에 두고 형성된 한조의 제2도전형의 불순물확산영역, 이 불순물확산 영역의 한쪽에 접속하여 형성된 제1의 도전층, 상기 불순물확산영역의 다른쪽에 접속하여 형성된 제2의 도전층, 상기 채널영역상에 절연막을 사이에 두고 형성된 제1의 부분과, 이 제1의 부분으로부터 연장존재하여 상기 제1의 도전층의 표면상에 절연막을 사이에 두고 대향하여 형성된 제2의 부분과, 상기 제1의 부분으로부터 연장존재하여 상기 제2의 도전층의 표면상에 절연막을 사이에 두고 대향하여 제3의 부분과를 가지는 게이트전극을 구비한 전계효과트랜지스터.
  2. 제1도전형의 반도체기판의 한주면에 채널영역을 사이에 두고 형성된 한조의 제2도전형의 불순물확산영역, 상기 채널 영역상에 절연막을 사이에 두고 형성된 게이트전극, 상기불순물확영역의 어느것인가의 한쪽에 접속하여 형성된 제1의 도전층, 이 제1의 도전층과 전기적으로 접속하여 형성된 커패시터의 한쪽의 전극, 이 커패시터의 한쪽의 전극의 표면상에 유전막을 사이에 두고 대향하여 형성된 커패시터의 다른쪽의 전극, 상기 게이트전극과 전기적으로 접속하여 형성된 제1의 부분과, 이 제1의 부분으로부터 연장존재하여 상기 커패시터의 다른쪽의 전극상에 절연막을 사이에 두고 대향하여 형성된 제2의 부분과를 가지고 있는 워드선의 일부를 구성하는 제2의 도전층을 구비한 메모리 셀.
  3. 제1도전형의 반도체 기판의 한주면에 소자형성영역을 분리하여 형성된 절연막과, 상기 소자형성영역내에 채널영역을 사이에 두고 형성된 한조의 제2도전형의 불순물확산영역, 이 불순물 확산영역의 한쪽에 접속하여 형성된 제1의 부분과, 이 제1의 부분으로부터 연장존재하여 상기 불순물확산영역의 한쪽에 접하는 상기 절연막에 대향하여 형성된 제2의 부분과를 가지고 있고 비트선의 일부를 구성하는 제1의 도전층, 상기 불순물확산영역의 다른쪽에 접속하여 형성된 제1의 부분과 이 제1의 부분부터 연장존재하여 상기 불순물확산영역의 다른쪽에 접하는 상기 절연막에 대향하여 형성된 제2의 부분과를 가지고 있고 커패시터를 구성하는 전극과 전기적으로 접속하는 제2의 도전층을 구비한 반도체기억장치.
  4. 제1도전형의 반도체 기판의 한주면에 소자형성영역을 분리하여 제1의 절연막을 형성하는 공정, 상기 소자형성영역내에 일부의 영역상 및 이 영역에 접하는 상기 제1의 절연막상에 제1의 도전층을 형성하는 공정, 상기 소자형성영역내의 상기 제1의 도전층과 대향하는 일부의 영역상 및 이 영역에 접하는 상기 제1의 절연막상에 제2의 도전층을 형성하는 공정, 상기 제1의 도전층의 측면에 제2이 절연막을 형성하는 공정, 상기 제2의 도전층의 측면에 제3의 절연막을 형성하는 공정, 상기 제2절연막과 상기 제3의 절연막과의 사이의 상기 소자 형성영역상의 절연막상 및 상기 제1의 도전층상의 절연막 및 상기 제2의 도전층상의 절연막상에 게이트 전극을 형성하는 공정, 상기 게이트전극을 마스크의 일부로서 제2도전형의 불순물을 이온주입하고 제2도전형의 불순물 확산영역을 형성하는 공정을 구비한 전계효과트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910009967A 1990-06-18 1991-06-17 전계효과트랜지스터, 이를 이용한 반도체기억장치 및 전계효과트랜지스터의 제조방법 KR940007460B1 (ko)

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