KR920022534A - 스태틱(static)형 반도체 기억 장치, 전계 효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법 - Google Patents

스태틱(static)형 반도체 기억 장치, 전계 효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

스태택(static)형 반도체 기억 장치, 전계 효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명의 1실시예에 의한 전계 효과 트랜지스터로서 박막 트랜지스터의 단면구조를 표시하는 단면도.
제2도는 이 발명의 1실시예에 의한 전계 효과 트랜지스터로서 박막 트랜지스터의 제조방법의 각 공정(A)∼(C)에 있어 단면 구조를 순서로 표시하는 단면도.
제3도는 이 발명의 1실시예에 의한 p채널 박막 트랜지스터의 게이트전압과 드레인 전류와의 관계를 표시하는 그래프.
제4도는 이 발명의 제1의 비교예로서 p채널 박막 트랜지스터의 게이트 전압과 드레인 전류와의 관계를 표시하는 그래프.

Claims (3)

  1. 주 표면을 가지는 절연성의 기판과, 상기 기판의 주 표면상에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극상에 형성된 절연막과, 상기 게이트 전극상에 상기 절연막을 개재되게하여 형성된 반도체막과, 상기 게이트 전극에 의해 떨어져있는 상기 반도체 막의 한쪽과 다른쪽의 영역에 형성된 불순물 영역을 구비하고, 상기 불순물 영역의 적어도 한쪽은, 상기 게이트 전극에 근접하는 위치에 형성된 제1의 농도로 불순물을 함유하는 제1의 불순물 영역과, 상기 제1의 불순물 영역에 인접되도록 형성되고, 상기 제1의 농도보다 높은 제2의 농도로 불순물을 함유하는 제2의 불순물 영역을 포함하는 전계 효과 트랜지스터.
  2. 상보형 전계 효과 트랜지스터를 가지는 메모리셀을 구비한 스택틱형 반도체 기억 장치에 있어서, 주 표면가지는 제1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 주표면상에 형성된 제2도전형의 전계 효과 트랜지스터와, 상기 제2도전형의 전계 효과 트랜지스터에 전기적으로 접속된 제1도전형의 전계 효과 트랜지스터를 구비하고, 상기 제1도전형의 전계 효과 트랜지스터는, 상기 제2도전형의 전계 효과 트랜지스터의 상반에 형성된 전극과, 상기 게이트 전극상에 형성된 절연막과, 상기 게이트 전극상에 상기 절연막을 개재되게 하여 형성된 반도체막과, 상기 게이트 전극에 의해 떨어진 상기 반도체막의 한쪽과 다른쪽 영역에 형성된 제1도전형의 불순물 영역을 구비하고, 상기 불순물 영역의 적어도 한쪽은, 상기 게이트 전극에 근접하는 위치에 형성하고, 제1의 농도로 제1도전형의 불순물을 함유하는 제1의 불순물 영역과, 상기 제1의 불순물 영역에 인접하도록 형성되고, 상기 제1의 농도보다 높은 제2의 농도로 제1도전형의 불순물을 함유하는 제2의 불순물 영역을 포함하는 스태틱형 반도체 기억 장치.
  3. 절연성의 기판의 주 표면상에 게이트 전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극상에 제1의 절연막을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극상에 상기 제1의 절연막을 개재되게하여 반도체 막을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극상에 상기 제1의 절연막을 개재되게 하여 반도체 막을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극의 영역에서는 제1의 두께를 가지고, 상기 게이트 전극이외의 영역에서는 상기 제1의 두께보다 작은 제2의 두께를 가지는 제2의 절연막을 상기 반도체막의 위에 형성하는 공정과, 상기 제2의 절연막을 통하여 불순물을 이온 주입하는 것에 의해, 상기 게이트 전극이외의 영역에 제1의 농도로 불순물을 함유하는 제1의 불순물 영역을 상기 반도체막내에 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극에 근접하는 상기 제1의 불순물 영역의 일부에 있어 절연막이 적어도 상기 제1의 두께를 가지도록 상기 제2의 절연막상에 더욱 제3의 절연막을 선택적으로 형성하는 공정과, 상기 제2의 절연막과 상기 제3의 절연막을 통하여 불순물을 이온 주입하는 것에 의해, 상기 일부이외의 상기 제1의 불순물 영역에 상기 제1의 농도보다 높은 제2의 농도로 불순물을 함유하는 제2의 불순물 영역을 상기 반도체막내에 형성하는 공정을 구비한 전계 효과 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920007645A 1991-05-09 1992-05-06 스태틱형 반도체 기억장치, 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조방법 KR960016249B1 (ko)

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5348897A (en) * 1992-12-01 1994-09-20 Paradigm Technology, Inc. Transistor fabrication methods using overlapping masks
JP2518133B2 (ja) * 1993-02-12 1996-07-24 日本電気株式会社 スタティック型半導体記憶装置
JP3257887B2 (ja) * 1993-12-16 2002-02-18 三菱電機株式会社 半導体装置
JP3126573B2 (ja) * 1993-12-24 2001-01-22 シャープ株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2647045B2 (ja) * 1995-02-28 1997-08-27 日本電気株式会社 半導体記憶装置及びその製造方法
JPH08288406A (ja) * 1995-04-14 1996-11-01 Sharp Corp 半導体装置及びその製造方法
US5739577A (en) * 1995-04-21 1998-04-14 Micron Technology, Inc. Resistive structure for integrated circuits and method of forming same
JP3428240B2 (ja) * 1995-07-31 2003-07-22 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
JPH09153624A (ja) * 1995-11-30 1997-06-10 Sony Corp 半導体装置
TW340975B (en) * 1996-08-30 1998-09-21 Toshiba Co Ltd Semiconductor memory
JPH10150198A (ja) 1996-11-18 1998-06-02 Mitsubishi Electric Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4493741B2 (ja) 1998-09-04 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2000269504A (ja) * 1999-03-16 2000-09-29 Hitachi Ltd 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置
US8716081B2 (en) * 2007-03-15 2014-05-06 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Capacitor top plate over source/drain to form a 1T memory device
US8587068B2 (en) * 2012-01-26 2013-11-19 International Business Machines Corporation SRAM with hybrid FinFET and planar transistors

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4555721A (en) * 1981-05-19 1985-11-26 International Business Machines Corporation Structure of stacked, complementary MOS field effect transistor circuits
JPS63260162A (ja) * 1987-04-17 1988-10-27 Nec Corp 積層型ｃｍｏｓ半導体装置
JPH0714009B2 (ja) * 1987-10-15 1995-02-15 日本電気株式会社 Ｍｏｓ型半導体記憶回路装置
JP2653811B2 (ja) * 1988-02-09 1997-09-17 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
US5194749A (en) * 1987-11-30 1993-03-16 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device
JPH03218667A (ja) * 1989-11-01 1991-09-26 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JPH0831534B2 (ja) * 1989-11-24 1996-03-27 シャープ株式会社 半導体記憶装置及びその製造方法
JP2502787B2 (ja) * 1990-04-27 1996-05-29 シャープ株式会社 Ｍｏｓ型薄膜トランジスタの製造方法
JPH0415951A (ja) * 1990-05-09 1992-01-21 Sony Corp 半導体メモリ
JPH0442579A (ja) * 1990-06-08 1992-02-13 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ及び製造方法
US5214295A (en) * 1992-01-28 1993-05-25 Micron Technology, Inc. Thin film field effect transistor, CMOS inverter, and methods of forming thin film field effect transistors and CMOS inverters

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JPH04334054A (ja) 1992-11-20
DE69215429T2 (de) 1997-05-15
US5382807A (en) 1995-01-17
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