KR870007564A - 얇은 막과 두꺼운 막으로 되는 저항 소자 - Google Patents
얇은 막과 두꺼운 막으로 되는 저항 소자 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3 도는 본 발명의 제 1 의 실시예를 도시한 단면도.
제 4 도는 본 발명의 제 2 의 실시예를 도시한 단면도.
제 5 도는 본 발명의 제 3 의 실시예를 도시한 단면도와 평면도.
Claims (6)
- 기판과, 그 기판 위에 마련된 제 1 의 절연막과, 그 제 1 의 절연막 위에 마련된 제 1 의 도전막과, 그 제 1 의 도전막보다 얇게 마련되고, 또한 그 제 1 의 도전막의 비저항치보다 높은 비저항치를 가진 제 2 의 도전막을, 상기 제 1 의 도전막 위의 적어도 일부에 겹치도록 마련되고, 상기 제 1 의 도전막과 제 2 의 도전막은, 상기 겹친 부분에서 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 저항 소자.
- 상기 제 1, 제 2 의 도전막은 각각 다결정 실리콘으로 되며, 상기 제 1 의 도전막인 다결정 실리콘의 불순물 농도는, 상기 제 2 의 도전막인 다결정 실리콘의 불순물 농도보다 높은 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제 1 항 기재의 저항 소자.
- 상기 제 1 의 도전막인 두꺼운 다결정 실기콘과, 상기 제 2 의 도전막인 얇은 다결정 실리콘은 고농도에 불순물이 첨가된 제 1 의 도전막인 두꺼운 다결정 실리콘에서 제 1 의 도전막인 얇은 다결정 실리콘에 열처리에 의한 불순물의 체분포에 의한 전기적인 접속이 얻어지는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제 1 항 기재의 저항 소자.
- 상기 저항 소자는 스테이틱형 MOS 메모리 셀의 부하 저항 소자이며, 상기 제 2 의 도전막은 메모리셀 내의 전원전압 등의 배선으로 사용되고 있는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제 1 항 기재의 저항 소자.
- 상기 제 1 의 도전막의 측부에는 자기 정합적으로 단차를 완화하는 사이드 스페이서가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제 1 항 기재의 저항 소자.
- 상기 제 2 의 도전막은, 얇은 Ta2O5막이나, 이온 주입을 한 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제 1 항 기재의 저항 소자.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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