KR890017766A - 커패시터를 구비한 반도체 장치 - Google Patents

커패시터를 구비한 반도체 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR890017766A
KR890017766A KR1019890006174A KR890006174A KR890017766A KR 890017766 A KR890017766 A KR 890017766A KR 1019890006174 A KR1019890006174 A KR 1019890006174A KR 890006174 A KR890006174 A KR 890006174A KR 890017766 A KR890017766 A KR 890017766A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
capacitor
electrode
semiconductor device
insulating film
electrodes
Prior art date
Application number
KR1019890006174A
Other languages
English (en)
Inventor
아쯔시 히라이와
신뻬이 이지마
지로 유가미
Original Assignee
미다 가쓰시게
가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미다 가쓰시게, 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 filed Critical 미다 가쓰시게
Publication of KR890017766A publication Critical patent/KR890017766A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H01L28/60—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/92—Capacitors with potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L29/94—Metal-insulator-semiconductors, e.g. MOS
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/31—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor

Abstract

내용 없음

Description

커패시터를 구비한 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명으로 되는 커패시터의 전류전압 특성을 도시한 도면, 제 4 도는 및 제 10 도는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 단면도.

Claims (14)

  1. 제 1 의 전극, 상기 제 1 의 전극위에 형성된 절연막 및 상기 절연막 위에 형성된 제 2 의 전극을 포함하며, 상기 제1 및 제2 의 전극의 적어도 상기 절연막 측의 표면영역에는 각각 도전형이 서로 다른 제1 및 제2의 반도체로 되는 커패시터.
  2. 특허청구의 범위 제 1 항에 있어서, 상기 반도체는 다결정 실리콘인 커패시터.
  3. 특허청구의 범위 제 2 항에 있어서, 상기 다결정 실리콘의 적어도 상기 절연막 측의 불순물 농도는 1×1019cm-32×1021cm-3인 커패시터.
  4. 특허청구의 범위 제 1 항에 있어서, 상기 절연막의 열산화 실리콘 환산막 의 두께는 2nm~6nm인 커패시터.
  5. 특허청구의 범위 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 의 전극은 하부전극으로서 실리콘 기판의 표면에 형성된 불순물 도우프 영역인 캐패시터.
  6. 특허청구의 범위 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 의 전극은 하부전극으로서 다결성 실리콘 막으로 되는 커패시터.
  7. 특허청구의 범위 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 의 전극은 상기 반도체 기판의 표면영역내에 형성된 제 1 도전형을 갖는 불순물 도우프 영역에 전기적으로 접속되어 있는 커패시터.
  8. 반도체 기판위에 형성된 정보를 축적하기 위한 커패시터와 상기 커패시터를 구동하기 위한 MOS 트랜지스터를 구비하고, 상기 커패시터를 도전형이 서로 다른 제1 및 제2 도전형을 갖는 제1 및 제2의 전극과 상기 제1 및 제 2 의 전극사이에 개재하는 절연막을 구비하고 있는 반도체 장치.
  9. 특허청구의 범위 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제 2 의 전극은 각각 제1 및 제 2 도전형을 갖는 실리콘인 반도체 장치.
  10. 특허청구의 범위 제 9 항에 있어서, 상기 제1 의 전극은 하부전극으로서 상기 반도체 기판의 표면영역내에 형성된 제 1 도전형의 불순물 도우프 영역인 반도체 장치.
  11. 특허청구의 범위 제 9 항에 있어서, 상기 제1 및 제 2 의 전극은 다결정 실리콘 막으로 되는 반도체 장치.
  12. 특허청구의 범위 제 11 항에 있어서, 상기 제1 및 제 2 의 전극의 적어도 상기 절연막 측의 불순물 농도는 1×1019cm-3~2×1021cm-3인 반도체 장치.
  13. 특허청구의 범위 제 12 항에 있어서, 상기 절연막의 열산화 실리콘 환산막의 두께는 2nm~6nm인 반도체장치.
  14. 특허청구의 범위 제 11 항에 있어서, 상기 커패시터는 상기 MOS트랜지스터의 적어도 게이트 상부에 배치되고, 상기 제 1 의 전극은 상기 MOS트랜지스터의 소스와 접속되어 있는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890006174A 1988-05-16 1989-05-09 커패시터를 구비한 반도체 장치 KR890017766A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63117140A JP2654393B2 (ja) 1988-05-16 1988-05-16 半導体装置
JP63-117140 1988-05-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR890017766A true KR890017766A (ko) 1989-12-18

Family

ID=14704448

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890006174A KR890017766A (ko) 1988-05-16 1989-05-09 커패시터를 구비한 반도체 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4989056A (ko)
JP (1) JP2654393B2 (ko)
KR (1) KR890017766A (ko)
DE (1) DE3915594C2 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010008288A1 (en) * 1988-01-08 2001-07-19 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device having memory cells
US5623243A (en) * 1990-03-20 1997-04-22 Nec Corporation Semiconductor device having polycrystalline silicon layer with uneven surface defined by hemispherical or mushroom like shape silicon grain
US5366917A (en) * 1990-03-20 1994-11-22 Nec Corporation Method for fabricating polycrystalline silicon having micro roughness on the surface
JPH04335567A (ja) * 1991-05-10 1992-11-24 Sony Corp Ｄｒａｍセルキャパシタ
JPH0677402A (ja) * 1992-07-02 1994-03-18 Natl Semiconductor Corp <Ns> 半導体デバイス用誘電体構造及びその製造方法
JPH1065118A (ja) * 1996-08-19 1998-03-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
US6507063B2 (en) 2000-04-17 2003-01-14 International Business Machines Corporation Poly-poly/MOS capacitor having a gate encapsulating first electrode layer
DE10310128B4 (de) * 2003-03-07 2006-08-31 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erzeugen von Halbleiterzonen mit n-Leitfähigkeit in einem Halbleiterkörper
EP2748111B1 (de) 2011-11-17 2015-01-07 Alexander Schluttig Vorrichtung und verfahren zur herstellung keimfreien wassers mittels eines querstrom-flüssigkeitssterilfiltes
DE102015006278B4 (de) 2015-05-15 2021-09-09 Alexander Schluttig Selbstdesinfizierender Geruchsverschluss

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1428581A (fr) * 1965-01-05 1966-02-18 Radiotechnique Condensateur incorporé dans un circuit monolithique et son procédé de fabrication
DE2622623A1 (de) * 1976-05-20 1977-12-01 Siemens Ag Mos-varaktor
JPS5847862B2 (ja) * 1979-08-30 1983-10-25 富士通株式会社 半導体記憶装置及びその製造方法
US4649406A (en) * 1982-12-20 1987-03-10 Fujitsu Limited Semiconductor memory device having stacked capacitor-type memory cells
EP0171445A1 (de) * 1984-08-11 1986-02-19 Deutsche ITT Industries GmbH Monolithisch integrierte Schaltung mit einem integrierten MIS-Kondensator

Also Published As

Publication number Publication date
DE3915594A1 (de) 1989-11-30
US4989056A (en) 1991-01-29
JPH01289153A (ja) 1989-11-21
JP2654393B2 (ja) 1997-09-17
DE3915594C2 (de) 1994-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940004830A (ko) 반도체 집적회로장치
KR920008834A (ko) 박막 반도체 장치
KR910019174A (ko) 시간종속 유전체 결함을 감소시킨 반도체 장치및 그 제조방법
KR910017676A (ko) 박막트랜지스터
KR930020666A (ko) 수직형 집적 반도체 구조체
KR880002269A (ko) 다층 도전층을 갖는 스테이틱 랜덤 엑세스 메모리
KR970018562A (ko) 감결합 커패시터를 포함하는 반도체 장치 및 그 제조방법
KR940020576A (ko) 반도체트랜지스터구조(Metal oxide semiconductor transistors having a polysilicon gate electrode with nonuniform doping in source-drain direction)
KR910019235A (ko) 반도체기억장치
KR970053619A (ko) 온도센서를 가진 전계효과 제어가능 전력 반도체 장치
KR900013652A (ko) 감소된 온 저항을 가진 soi구조의 고전압 반도체 장치
KR890017766A (ko) 커패시터를 구비한 반도체 장치
JP2002026312A (ja) 半導体装置
KR920022534A (ko) 스태틱(static)형 반도체 기억 장치, 전계 효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법
KR930009078A (ko) 불휘발성 반도체 메모리 및 그 제조 방법
KR920005280A (ko) Mos형 반도체장치
KR970072204A (ko) 적어도 하나의 mos 트랜지스터를 가지는 회로 장치 및 그것의 제조방법
KR940022840A (ko) 반도체 장치의 메모리셀 제조방법 및 구조
KR910013273A (ko) 초고집적 디램셀 및 그 제조방법
KR860008625A (ko) 절연게이트 반도체 장치
KR910017656A (ko) 반도체장치
KR970053932A (ko) 트랜지스터의 래치 전압을 이용한 정전 내력 향상 모스 축전기
KR930015014A (ko) 반도체메모리장치 및 그 제법
KR920005814A (ko) 전계효과트랜지스터, 메모리셀, 반도체기억장치 및 전계효과트랜지스터의 제조방법
KR890007402A (ko) 반도체장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application