KR940020576A - 반도체트랜지스터구조(Metal oxide semiconductor transistors having a polysilicon gate electrode with nonuniform doping in source-drain direction) - Google Patents

반도체트랜지스터구조(Metal oxide semiconductor transistors having a polysilicon gate electrode with nonuniform doping in source-drain direction) Download PDF

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Abstract

박판필름의 다중규소기층(10)이나 벌크형의 단정질기층을 갖는 다중규소의 게이트 MOS트랜지스터의 게이트 전극은 한쌍의 서로 인접한 구역(32.1 ,32.3)과, 소스구역(11)의 근처의 진하게 도핑된 게이트전극구역 및, 드레인구역(13)의 근처의 연하게 도포된 게이트전극구역을 갖는다. 드레인 구역의 근처의 게이트전극구역은 매우 연하게 도핑되므로, 트랜지스터를 OFF시키기 위한 전압이 가해질 때 드레인구역의 근처에 있는 채널구역에서의 전기장을 감소시킨다(그러므로, 그러한 전기장에 의해 유도되는 누전도 감소됨). 또한, 소스구역의 근처의 게이트전극구역에는 충분한 불순물도핑이 이루어지므로, 트랜지스터 ON시키기 위한 또다른 전압이 가해질 때 트랜지스터를 ON시킬 수 있다.

Description

반도체트랜지스터구조(Metal oxide semiconductor transistors having a polysilicon gate electrode with nonuniform doping in source-drain direction)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 특정한 실시예에 따른 전기회로접점을 구비한 트랜지스터구조의 종단면도.

Claims (6)

  1. 반도체에 있는 길이가 L인 중간구역에 의해 이격된 채로 역시 반도체에 있는 소스구역 및 드레인 구역과, 절연체상에 있고 서로 인접한 제1게이트전극구역과 제2게이트전극구역으로 이루어지는 다정질의 반도체게이트 전극층을 포함하고, 상기 제1게이트전극구역은 제1의 평균불순물도핑농도를 가지며 소스구역의 엣지위에 있는 제1위치로부터 제2게이트전극구역의 엣지까지 연장하고, 상기 제2게이트전극구역의 제2의 평균불순물도핑농도를 가지며 드레인구역의 엣지위에 있는 제2위치까지 연장하고, 제2의 평균불순물도핑농도에 대한 제1의 평균불순물도핑농도의 비율은 적어도 10이상이며 제1게이트전극구역은 소스구역의 전도성 형태(conductivity type)와 서로 반대인 전도성 형태를 갖는 반도체 트랜지스터구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1게이트전극구역과 직접 접촉하는 게이트접촉층(42)을 부가적으로 포함하고, 그럼으로써, 상기 게이트접촉층에 대해 제1전압이 가해질때에는 상기 제1전극구역과 제2전극구역이 전하축적상태로되며, 상기 소스구역의 엣지로부터 상기 드레인구역의 엣지까지 연장하는 절연체와의 계면에서의 반도체에 도전채널이 형성되고, 또한, 상기 게이트접촉층에 대해 제2전압이 가해질때에는 상기 제1게이트전극구역은 도전상태로 되고 상기 제2게이트전극구역은 고갈상태로 남아 있으며, 상기 도전채널이 사라지고 상기 드레인구역의 엣지의 근처에서 상기 제2게이트전극구역의 아래에 있는 반도체에서의 전기장이 상기 제2게이트전극구역의 고갈에 의해 감소되는 것을 특징으로 하는 반도체트랜지스터 구조.
  3. 제2항에 있어서, 상기 게이트전극층이 상기 소스구역의 엣지 및 상기 드레인구역의 엣지와 일치하여 그 길이가 상기 소스구역과 드레인구역 사이의 거리 L과 거의 동일한 것을 특징으로 하는 반도체트랜지스터 구조.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제2의 평균불순물도핑농도에 대한 제1의 평균불순물도핑농도의 비율이 100이상인 것을 특징으로 하는 반도체트렌지스터구조.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1게이트전극구역이 1㎤당 약1019이상인 평균불순물도핑농도를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체트랜지스터 구조.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2게이트전극구역이 1㎤당 약 1017이하인 평균불순물도핑농도를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체트랜지스터 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
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