KR900013652A - 감소된 온 저항을 가진 soi구조의 고전압 반도체 장치 - Google Patents

감소된 온 저항을 가진 soi구조의 고전압 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

감소된 온 저항을 가진 SOI구조의 고전압 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래기술의 오프셋 게이트 형 MOSFET의 구조를 보인 도면.
제2도는 본 발명의 제1실시예에 따른 MOSFET의 필수 부분을 보이는 도면.
제3도는 제2도의 MOSFET의 전체 형태를 보인 도면.

Claims (12)

  1. 기판(21, 41), 기판 위에 구비되는 절연층(22,42a),상부면(top surface)에 의해 정의되며 절연층 위에 구비되는 제1도전형의 반도체 층(23,44), 반도체 층 내에 정의되는 제2도전형의 소스 영역(27,48), 반도체 층 내에 정의되는 제2도전형의 드레인 영역(28,29), 소스 영역에 인접한 반도체 층의 상부면의 일부를 피복하도록 반도체 층 위에 구비되는 게이트 절연막(24,45), 게이트 절연막 위에 구비되는 게이트 전극(25,46), 반도체 층의 게이트 절연막에 의해 피복된 부분과 드레인 전극 사이에 반도체 층 내에 정의되는 오프셋 영역(29,47), 드레인 영역에 연속하여 오프셋 영역 내에 그 위쪽부분에 저도핑 영역이 드레인 영역과 접촉하는 오프셋 영역의 제1단(端)으로부터 게이트 절연막에 의해 피복되는 반도체 층의 영역에 접촉하는 오프셋 영역의 제2단에까지 확장되며 상기 저도핑 영역은 드레인 영역보다 감소된 불순물 투입량 수준을 가지고 있으나 제2도전형으로 도핑되어 오프셋 영역의 나머지 부분에 대한 경계면에 p-n접합을 형성하도록 정의되는 저도핑영역(29a,47a)으로써 구성되는 SOI(semicondutoron-insulator)구조를 가지는 고전압 금속 산화물 반도체(MOS)트랜지스터 장치에 있어서, 기판과 절연층 사이에, 절연층과 적어도 오프셋 영역 부분의 아래에 있는 기판의 사이의 경계선을 따라 확장되는 제어 전극(27,43), 및 게이트 전극에 공급된 게이트 전압을 공급받고 제어 전극에 제어 전압을 공급하기 위해 제어 전극에 작용적으로 접속되며 제어 전압이 제어 전극에 인가될 때 제어 전극을 따라 반도체 층 내에 반전층이 형성될 정도의 크기를 가지는 게이트 전압에 응답하여 동시적으로 제어전압을 발생시키기 위한 구동수단(20)이 구비되는 것을 특징으로 하는 고전압 금속산화물 반도체 트랜지스터 장치.
  2. 제1항에 있어서 상기 구동수단(20)은 상기 게이트 전압 이상의 크기를 갖는 제어 전압을 발생하는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 구동수단(20)은 상기 게이트 전압 이상의 크기를 갖는 제어 전압을 발생하기 위한 승압 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 절연층(22,42a)은 제어 전압이 제어전극(26,43)에 인가될 때 반도체 층과 절연층 사이의 경게를 따라 반도체 층에 반전을 일으킬 정도로 충분히 감소된 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 오프셋 영역(29,47)내의 상기 저도핑영역(29a,47a)은 1내지 3×1012㎤의 불순물 투입량 수준으로 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 절연층(22,42a)은 약 2㎛이하의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 절연층(22,42a)은 1㎛내지 1.5㎛의 범위에 있는 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제어 전극(26,43)은 오프셋 영역의 길이에 대응하는 길이만큼 오프셋 영역(29,47)은 오프셋 영역(29,47) 아래에 확장되는 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제어 전극(26,43)은 반도체 층(23,44) 전체 길이만큼 오프셋 영역(29,47) 아래에 확장되는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제어 전극(26)은 매입층의 형태로서 기판(21)내에 형성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 제1항에 있어서, 장치는 더욱이 반도체 층이 제2절연층 위헤 구비되고 제1절연층과 제2절연층 사이에 제어 전극(43)이 구비되도록 제1절연층(42a)위에 구비되는 제2절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 절연층(22,42a)은 상기 게이트 절연막(24,45)의 두께보다 큰 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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