KR930005259A - 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

반도체 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 장치 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 반도체 장치(IGBT)의 단면도,
제2도는 본 발명의 반도체 장치(IGBT)의 제조공정의 단면도,
제3도는 본 발명의 반도체 장치(IGBT)의 제조공정의 단면도.

Claims (7)

  1. 반도체 기판(1), 상기 반도체 기판에 형성된 제1도전형 드레인 영역(12), 상기 드레인 영역 내에 형성되고, 그 단부가 상기 반도체 기판의 제1주요면에 인접해 있는 제2도전형 베이스 영역(13), 상기 베이스 영역 내에 형성되고, 그 단부가 상기 베이스 영역의 단부보다 내측에 있고, 또 상기 반도체 기판의 제1주요면에 인접해 있는 제1도전형 소스영역(14), 상기 반도체 기판의 제1주요면 상에서 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역에 걸치도록 게이트 산화막(15)를 통해 형성된 게이트 전극(16), 상기 반도체 기판의 제2주요면 상에 형성된 제2도전형 저농도 애노드 영역(11)및 상기 저농도 애노드 영역 내에 형성되고, 그 단부가 상기 저농도 애노드 영역의 표면에 인접하는 복수의 제2도전형 고농도 애노드 영역(21)을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판과 상기 저농도 애노드 영역과의 사이에는 제1도전형 버퍼층(20)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 저농도 애노드 영역의 표면에는 파쇄층(25)가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 저농도 애노드 영역의 불순물 농도가 1×1016/cm3에서 1×1018/cm3의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 반도체 기판에 제1도전형 드레인 영역을 형성하는 공정, 상기 드레인 영역 내에, 그 단부가 상기 반도체 기판의 제1주요면에 인접해 있는 제2도전형 베이스 영역을 형성하는 공정, 상기 베이스 영역내에, 그 단부가 상기 베이스 영역의 단부보다 내측에 있고, 또 상기 반도체 기판의 제1주요면에 인접해 있는 저1도전형 소스 영역을 형성하는 공정, 상기 반도체 기판의 제1주요면 상에서 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역에 걸치도록 게이트 산화막을 통해 게이트 전극을 형성하는 공정, 상기 반도체 기판의 제2주요면 상에 제2도전형 저농도 애노드 영역을 기상성장으로 형성하는 공정 및 상기 저농도 애노드 영역 내에, 그 단부가 상기 저농도 애노드 영역의 표면에 인접하는 복수의 제2도전형 고농도 애노드 영역을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 반도체 기판에 제1도전형 드레인 영역을 형성하는 공정, 상기 드레인 영역 내에, 그 단부가 상기 반도체 기판의 제1주요면에 인접해 있는 제2도전형 베이스 영역을 형성하는 공정, 상기 베이스 영역내에, 그 단부가 상기 베이스 영역의 단부보다 내측에 있고, 또 상기 반도체 기판의 제1주요면에 인접해 있는 제1도전형 소스 영역을 형성하는 공정, 상기 반도체 기판의 제1주요면 상에서 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역에 걸치도록 게이트 산화막을 통해 게이트 전극을 형성하는 공정, 상기 반도체 기판의 제2주요면 상에 제2도전형 저농도 애노드 영역을 형성하는 공정 및 상기 저농도 애노드 영역 내에, 그 단부가 상기 저농도 애노드 영역의 표면에 인접하는 복수의 제2도전형 고농도 애노드 영역을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제1도전형 반도체 기판과 제2도전형 반도체 기판을 접합하여 제1도전형 드레인 영역과 이 영역에 접하는 제2도전형 저농도 애노드 영역을 형성하는 공정, 상기 드레인 영역 내에, 그 단부가 상기 드레인 영역의 표면에 접해 있는 제2도전형 베이스 영역을 형성하는 공정, 상기 베이스 영역내에, 그 단부가 상기 베이스 영역의 단부보다 내측에 있고, 또 상기 드레인 영역의 표면에 인접해 있는 제1도전형 소스 영역을 형성하는 공정, 상기 제1도전형 반도체 기판의 표면 상에서 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역에 걸치도록 게이트 산화막을 통해 게이트 전극을 형성하는 공정 및 상기 저농도 애노드 영역 내에, 그 단부가 상기 저농도 애노드 영역의 표면에 인접하는 복수의 제2도전형 고농도 영역을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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