KR920003549A - Mis형 반도체장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

MIS형 반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본원 발명에 의한 MIS반도체 장치의 제1의 실시예의 구성도.
제7도는 본원 발명에 의한 MIS반도체 장치의 제2의 실시예(즉, 제1의 실시예의 변형예)의 구성도.

Claims (22)

  1. 기판(21)과 상기 기판에 형성된 절연층(22)과 소스영역(25), 드레인 영역 (26), 채널영역(27), 이 채널영역과 같은 도전형을 가지며, 상기 소스영역에 접하고, 상기 채널영역과 분리된 인출영역(28)을 형성하는 반도체층(23)과, 상기 채널영역상에서 게이트절연막(29)을 통하여 상기 반도체 층위에 형성된 게이트전극 (30)으로 이루어지는 반도체 장치(34).
  2. 제1항에 있어서, 상기 드레인 영역에는 드레인 전극이 형성되고, 상기 소스영역과 상기 인출영역 양측에는 소스전극이 형성되는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 소스영역과 드레인 영역은 상기 절연층이 상기 반도체층의 바닥에 이르도록 형성되는 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 인출영역의 깊이는 상기 소스영역의 깊이보다 얕은 반도체 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 소스영역과 상기 드레인 영역은 상기 절연막이 상기 반도체층의 바닥에 이르지 않도록 형성되는 반도체 장치.
  6. 기판(21)과, 상기 기판에 형성된 절연층(22)과, 소스영역(26), 드레인 영역(26), 채널영역(27), 이 채널영역과 같은 도전형을 가지며, 상기 소스영역에 접하고, 상기 채널영역과 분리된 제1의 인출영역(28A), 상기 채널영역과 같은 도전형을 가지며, 상기 드레인 영역에 접하고, 상기 채널영역과 분리된 제2의 인출영역(28B)을 형성하는 반도체층(23)과, 상기 채널영역상에 게이트절연막(29)을 통하여 상기 반도체 층위에 형성된 게이트전극(30)으로 이루어지는 반도체 장치(39).
  7. 제6항에 있어서, 상기 소스 영역은 상기 채널영역과 고농도 소스 영역(25a)사이에 저농도영역(25b)을 가지며, 상기 드레인 영역은 상기 채널영역과 고농도드레인영역(26a)사이에 저농도드레인영역(26a)을 가지는 반도체 장치.
  8. 기판(21)과, 상기 기판에 형성된 절연층(22)과, 소스영역(25), 드레인 영역 (26), 채널영역(27)을 형성하는 제1의 반도체층(23)과, 상기 채널영역과 같은 도전형을 가지며, 상기 소스영역상에 형성된 제2의 반도체층(41)과, 상기 채널영역상에서 게이트절연막(29)을 통하여 상기 반도체 층위에 형성된 게이트전극(30)으로 이루어지는 반도체장치(42).
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2의 반도체층은 단결정실리콘으로 이루어지는 반도체장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 제2의 반도체층은 다결정실리콘으로 이루어지는 반도체장치.
  11. 기판(21)과 상기 기판에 형성된 절연층(22)과, 소스영역(25), 드레인 영역 (26), 채널영역(27), 이 채널영역과 같은 도전형을 가지며, 상기 드레인 영역에 접하고, 상기 채널영역과 분리된 인출영역(47)을 형성하는 반도체층(23)과, 상기 채널영역상에서 게이트절연막(29)을 통하여 상기 반도체 층위에 형성된 게이트 전극(30)으로 이루어지는 반도체 장치(49).
  12. 기판(21)과, 상기 기판에 형성된 절연층(22)과, 고농도 소스영역(25a)과 이 고농도 소스영역아래에 형성된 저농도 소스영역(25c)으로 이루어지는 소스영역 (25), 고농도 드레인 영역(26a)과 이 고농도 드레인 영역 아래에 형성된 저농도 드레인 영역(26c)으로 이루어지는 드레인영역(26), 채널영역(27), 이 채널영역과 같은 도전형을 가지며, 상기 소스영역에 접하고, 상기 채널영역과 분리된 인출영역(28)을 형성하는 반도체층(23)과, 상기 채널영역상에서 게이트절연막(29)을 통하여 상기 반도체 층위에 형성된 게이트전극(30)으로 이루어지는 반도체 장치(51).
  13. 기판(21)과, 상기 기판에 형성된 절연층(22)과, 고농도 소스영역(25a)과 이 고농도 소스영역과 채널영역 사이에 형성된 제1의 저농도 소스영역(25b)과 상기 고농도 소스영역 아래에 형성된 제2의 저농도 소스영역(25c)으로 이루어지는 소스영역(25), 고농도 드레인영역(26a)과 고농도 드레인영역과 채널영역 사이에 형성된 제1의 저농도 드레인 영역(26b)과 상기 고농도 드레인 영역의 아래에 형성된 제2의 저농도 드레인영역(26c)으로 이루어지는 드레인 영역(26), 채널영역(27), 이채널영역과 같은 도전형을 가지며, 상기 소스영역에 접하고, 상기 채널영역과 분리된 인출영역(28)을 형성하는 반도체층(23)과, 상기 채널영역상에서 게이트절연막(29)을 통하여 상기 반도체 층위에 형성된 게이트전극(30)으로 이루어지는 바도체 장치(52).
  14. 기판(21)과, 상기 기판에 형성된 절연층(22)과, 고농도 소스영역(25a)과 이 고농도 소스영역과 채널영역 사이에 형성된 제1의 저농도 소스영역(25b)과 상기 고농도 소스영역 아래에 형성된 제2의 저농도 소스영역(25c)으로 이루어지는 소스영역(25), 고농도 드레인영역(26a)과 이 고농도 드레인영역과 채널영역 사이에 형성된 제1의 저농도 드레인 영역(26b)과 상기 고농도 드레인 영역의 아래에 형성된 제2의 저농도 드레인영역(26c)으로 이루어지는 드레인 영역(26), 채널영역(27), 이 채널영역과 같은 도전형을 가지며, 상기 소스영역에 접하고, 상기 채널영역과 같은 도전형을 가지며, 상기 소스영역에 접하고, 상기 채널영역과 분리된 제1의 인출영역(28A), 상기 채널영역과 분리된 제2의 인출영역(28B)을 형성하는 반도체층(23)과, 상기 채널영역상에서 게이트절연막(29)을 통하여 상기 반도체 층위에 형성된 게이트 전극(30)으로 이루어지는 반도체 장치(52).
  15. 제1항에 있어서, 상기 인출영역은 고융점금속으로 이루어지는 반도체장치.
  16. 제6항에 있어서, 상기 제1의 인출영역 및 제2의 인출영역은 고융점금속으로 이루어지는 반도체장치.
  17. 제1항에 있어서, 상기 인출영역은 고융점금속으로 이루어지는 반도체장치.
  18. 제12항에 있어서, 상기 인출영역은 고융점금속으로 이루어지는 반도체장치.
  19. 제13항에 있어서, 상기 인출영역은 고융점금속으로 이루어지는 반도체장치.
  20. 제14항에 있어서, 상기 제1의 인출영역 및 제2의 인출영역은 고융점금속으로 이루어지는 반도체장치.
  21. 기판(21)과, 상기 기판에 형성된 절연층(22)과, 채널영역과 고농도소스영역 (25a)사이에 저농도 소스영역(25b)을 가지는 소스영역(25), 채널영역과 고농도 드레인영역(26a)사이에 저농도 드레인 영역(26b)을 가지는 드레인영역(26), 채널영역(27), 이 채널영역과 같은 도전형을 가지며, 상기 소스영역에 접하고, 상기 체널영역과 분리된 제1의 인출영역(28A), 상기 채널영역과 같은 도전형을 가지며, 상기 드레인영역에 접하고, 상기 채널영역과 분리된 제2의 인출영역(28B)을 형성하는 반도체층(23)과, 상기 채널영역상에서 게이트절연막(29)을 통하여 상기 반도체층위에 형성된 게이트 전극(30)과, 상기 고농도 소스영역과 상기 제1의 인출영역에 걸치는 부분과, 상기 고농도 드레인 영역과 상기 제2의 인출영역에 걸치는 부분에 배리어(barrier)금속(58)으로 이루어지는 반체장치(59).
  22. 제21항에 있어서, 상기 게이트전극은 배리어 금속으로 피복되는 반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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