KR860008625A - 절연게이트 반도체 장치 - Google Patents

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폴 챠우 태트-싱
폴 챠우 태드-싱
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제너럴 일렉트릭 캄파니
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Abstract

내용 없음

Description

절연게이트 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따라 구성된 절연게이트 트랜지스터의 횡단면도.
제2도는 제1도의 절연게이트에 대한 개략적인 전기회로도.
제3도는 본 발명에 따라 도핑된 에미터 영역의 프로필을 포함하여 제1도의 절연게이트 트랜지스터 영역의 도핑 농도 프로필을 도시하는 그래프도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 절연게이트 트랜지스터 12 : 실리콘 반도체 웨이퍼
20 : 콜렉터층 22 : 드리프트층
206 : 고유더리스터 208 : 절연게이트 전계효과 트랜지스터

Claims (12)

  1. 반도체 장치로서, 제1도전형의 반도체 드리프트 영역과, 상기 드리프트 영역에 인접하는 제2도전형의 반도체 베이스 영역과, 상기 베이스 영역에 인접하는 상기 제1도전형의 반도체 에미터 영역과, 상기 베이스 영역과는 절연식으로 공간을 두고 떨어져 있는 게이트 전극을 구비하며, 상기 에미터 영역은 상기 베이스 영역의 표면도핑 농도보다 150배 이상 높지 않은 표면 도핑 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 절연게이트 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 또한 상기 에미터 영역과 접촉하는 에미터 전극을 포함하며, 상기 에미터 영역의 상기 표면 도핑 농도는 상기 에미터 영역과 상기 에미터 전극간의 저항성 접촉을 설정하기에 충분한 것을 특징으로 하는 절연 게이트 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서, 또한 상기 드리프트 영역에 인접하는 상기 제2 도전형의 콜렉터 영역과, 상기 콜렉터 영역과 접촉하는 콜렉터 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 절연게이트 반도체 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 베이스, 에미터 및 드리프트 영역은 실리콘 반도체 물질을 구비하며, 상기 에미터 영역의 상기 표면 도핑 농도는 ㎤당 5×1019도핑 원자를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 절연게이트 반도체 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 에미터 영역의 상기 표면 도핑 농도는 ㎤당 1017내지 1019도핑 원자의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 절연게이트 반도체 장치
  6. 제5항에 있어서, 또한 상기 드리프트 영역에 인접하는 상기 제2 도전형의 실리콘 반도체 콜렉터 영역과, 상기 콜렉터 영역과 접촉하는 콜렉터 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 절연게이트 반도체 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 베이스, 에미터 및 드리프트 영역은 실리콘 반도체 물질을 구비하며, 상기 에미터 영역은 깊이가 1미크론 이하인 것을 특징으로 하는 절연게이트 반도체 장치.
  8. 제7항에 있어서, 또한 상기 에미터 영역과 접촉하는 에미터 전극을 포함하며, 상기 에미터 영역의 상기 표면 도핑 농도는 상기 에미터 영역과 상기 에미터 전극간의저항성 접촉을 설정하는데 충분한 것을 특징으로 하는 절연게이트 반도체 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 에미터 영역의 상기 표면 도핑 농도는 ㎤당 5×1019도핑 원자를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 절연게이트 반도체 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 에미터 영역의 상기 표면 도핑 농도는 ㎤당 1017내지 1019도핑원자의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 절연 게이트 반도체 장치.
  11. 제10항에 있어서, 또한 상기 드리프트 영역에 인접하는 상기 제2도전형의 실리콘 반도체 콜렉터 영역과, 상기 콜렉터 영역과 접촉하는 콜렉터 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 절연게이트 반도체 장치.
  12. 제7항에 있어서, 또한 상기 드리프트 영역에 인접하는 상기 제2도전형의 실리콘 반도체 콜렉터 영역과, 상기 콜렉터 영역과 접촉하는 콜렉터 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 절연게이트 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860003124A 1985-04-24 1986-04-23 절연게이트 반도체 장치 KR900007044B1 (ko)

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