KR970067928A - 단락 애노우드 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 - Google Patents

단락 애노우드 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 Download PDF

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Abstract

본 발명은 단락 에노우드 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터에 관한 것으로, 특히 제1전도형의 반도체층; 제1전류전극; 제2전류전극; 제1절연막; 제1게이트전극; 제2전류전극 근방의 상기 제1절연막내에 형성된 제2게이트전극; 제2전도형의 제1고농도 불순물영역; 제2전도형의 저농도 불순물영역; 제1전도형의 제1고농도 불순물영역; 제2게이트전극 하방과 제2게이트전극과 제2전류전극 사이의 제2절연막 하방과 제2전류전극 하방에 걸친 반도체층의 표면근방에 형성된 제1전도형의 중농도 불순물영역; 제1전도형의 중농도 불순물영역에; 인접한 반도체층의 표면근방에 형성된 제2전도형의 제2고농도 불순물영역; 제2게이트전극으로부터 제2전류전극의 일부에 걸친 반도체층의 표면근방에 형성된 제2전도형의 제3고농도 불순물영역; 및 제2전류전극의 하방에 제2전도의 제3고농도 불순물영역에 인접하여 제3깊이로 형성된 제1전도형의 제2고농도 불순물영역을 구비한다. 따라서 본 발명에서는 스냅백을 효과적으로 억제할 수 있다.

Description

단락 애노우드 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 SOI기판상에 집적된 본 발명의 일실시예에 따른 SA-LIGBT의 구조를 나타낸 단면도

Claims (9)

  1. 제1전도형의 반도체층; 상기 반도체층의 표면에 형성된 제1전류전극; 상기 제1전류전극과 소정 거리 떨어진 상기 반도체층의 표면에 형성된 제2전류전극; 상기 제1전류전극과 제2전류전극 사이의 상기 반도체층의 표면에 형성된 제1절연막; 상기 제1전류전극 근방의 상기 제1절연막내에 형성된 제1게이트전극; 상기 제2전류전극 근방의 상기 제1절연막내에 형성된 제2게이트전극; 상기 제1전류전극 하방의 상기 반도체층의 표면근방에 제1깊이로 형성된 제2전도형의 제1고농도 불순물영역; 상기 제1게이트전극과 제1전류전극 사이의 상기 제1절연막 하방과 상기 제1게이트전극의 하방에 걸친 상기 반도체층의 표면근방에 상기 제1깊이 보다 낮은 제2깊이로 상기 제2전도형의 제1고농도 불순물영역에 인접하여 형성된 제2전도형의 저농도 불순물 영역; 상기 제1게이트전극으로부터 제1전류전극의 일부까지에 걸친 상기 반도체층의 표면근방에 상기 제2깊이보다 낮은 제3깊이로 형성된 제1전도형의 제1고농도 불순물영역; 상기 제2게이트전극 하방과 제2게이트전극과 제2전류전극 사이의 상기 제1절연막 하방과 상기 제2전류전극 하방에 걸친 상기 반도체층의 표면근방에 제4깊이로 형성된 제1전도형의 중농도 불순물영역; 상기 제1전도형 의 중농도 불순물영역에 인접한 상기 반도체층의 표면근방에 제5깊이로 형성된 제2전도형의 제2고농도 불순물영역; 상기 제2게이트전극으로부터 제2전류전극으로부터 제2전류전극의 일부에 걸친 상기 반도체층의 표면근방에 상기 제5깊이로 형성된 제2전도형의 제3고농도 불순물 영역; 및 상기 제2전류전극의 하방에 상기 제2전도형의 제3고농도 불순물영역에 인접하여 상기 제3깊이로 형성된 제1전도형의 제2고농도 불순물영역을 구비한 것을 특징으로 하는 단락 애노우드 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서 상기 반도체층은 제2전도형의 반도체 기판상의 제2절연막상에 에피택셜 성장된 실리콘반도체층인 것을 특징으로 하는 단락 애노우드 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터.
  3. 제1항에 있어서 상기 제1전도형은 엔형이고, 제2전도형은 피형인 것을 특징으로 하는 단락 애노우드 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터.
  4. 제1항에 있어서 상기 반도체층의 불순물 농도에 비례하여 상기 제2게이트전극에 인가되는 전압의 레벨이 증가되는 것을 특징으로 하는 단락 애노우드 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터.
  5. 제1전도형의 반도체층; 상기 반도체층의 표면에 형성된 제1전류전극; 상기 제1전류전극과 소정 거리 떨어진 상기 반도체층에 형성된 트렌치내에 형성된 제2전류전극; 상기 제1전류전극과 제2전류전극 사이의 상기 반도체층의 표면에 형성된 제1절연막; 상기 제1전류전극 근방의 상기 제1절연막내에 형성된 제1게이트전극; 상기 제2전류전극 근방의 상기 절연막내에 형성된 제2게이트전극; 상기 제1전류전극 하방의 상기 반도체층의 표면근방에 제1깊이로 형성된 제2전도형의 제1고농도 불순물영역; 상기 제1게이트전극과 제1전류전극 사이의 상기 제1절연막 하방과 상기 제1게이트전극의 하방의 상기 반도체층의 표면근방에 상기 제1깊이 보다 낮은 제2깊이로 상기 제2전도형의 제1고농도 불순물영역에 인접하여 형성된 제2전도형의 저농도 불순물 영역; 상기 제1게이트전극으로부터 제1전류전극의 일부까지에 걸친 상기 반도체층의 표면근방에 상기 제2깊이보다 낮은 제3깊이로 형성된 제1전도형의 제1고농도 불순물영역; 상기 제2게이트전극 하방과 제2게이트전극과 제2전류전극 사이의 상기 제1절연막 하방과 상기 제2전류전극 하방에 걸친 상기 반도체층의 표면근방에 제4깊이로 형성된 제1전도형의 중농도 불순물영역; 상기 제1전도형의 중농도 불순물영역에 인접한 상기 반도체층의 표면근방에 제5깊이로 형성된 제2전도형의 제2고농도 불순물영역; 상기 제2게이트전극하방과 제2게이트전극과 제2전류전극의 사이의 제2절연막 하방의 상기 반도체층의 표면근방에 상기 제5깊이로 형성되고 상기 제2전류전극과 일측방이 인접된 제2전도형의 제3불순물영역을 구비한 것을 특징으로 하는 단락 애노우드 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터.
  6. 제5항에 있어서 상기 반도체층은 제2전도형의 반도체 기판상의 절연막상에 에피택셜 성장된 실리콘반도체층인 것을 특징으로 하는 단락 애노우드 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터.
  7. 제5항에 있어서 상기 제1전도형은 엔형이고, 제2전도형은 피형인 것을 특징으로 하는 단락 애노우드 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터.
  8. 제1전도형의 반도체층; 상기 반도체층의 표면에 형성된 제1전류전극; 상기 제1전류전극과 소정 거리 떨어진 상기 반도체층의 표면에 형성된 제2전류전극; 상기 제1전류전극과 제2전류전극 사이의 상기 반도체층의 표면에 형성된 제1절연막; 상기 제1전류전극 근방의 상기 제1절연막내에 형성된 제1게이트전극; 상기 제2전류전극 근방의 상기 제1절연막내에 형성된 제2게이트전극; 상기 제1전류전극 하방의 상기 반도체층의 표면근방에 제1깊이로 형성된 제2전도형의 제1고농도 불순물영역; 상기 제1게이트전극과 제1전류전극 사이의 상기 제1절연막 하방과 상기 제1게이트전극의 하방에 걸친 상기 반도체층의 표면근방에 상기 제1깊이 보다 낮은 제2깊이로 상기 제2전도형의 제1고농도 불순물영역에 인접하여 형성된 제2전도형의 저농도 불순물 영역; 상기 제1게이트전극으로부터 제1전류전극의 일부까지에 걸친 상기 반도체층의 표면근방에 상기 제2깊이보다 낮은 제3깊이로 형성된 제1전도형의 제1고농도 불순물영역; 상기 제2게이트전극 하방과 제2게이트전극과 제2전류전극 사이의 상기 제1절연막 하방과 상기 제2전류전극 하방에 걸친 상기 반도체층의 표면근방에 제4깊이로 형성된 제1전도형의 중농도 불순물영역; 상기 제2게이트전극으로부터 제2전류전극으로부터 제2전류전극의 일부에 걸친 상기 반도체층의 표면근방에 상기 제5깊이로 형성된 제2전도형의 제3고농도 불순물 영역; 및 상기 제2전류전극의 하방에 상기 제2전도형의 제3고농도 불순물영역에 인접하여 상기 제3깊이로 형성된 제1전도형의 제2고농도 불순물영역을 구비한 것을 특징으로 하는 단락 애노우드 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터.
  9. 제1전도형의 반도체층; 상기 반도체층의 표면에 형성된 제1전류전극; 상기 제1전류전극과 소정 거리 떨어진 상기 반도체층에 형성된 트렌치내에 형성된 제2전류전극; 상기 제1전류전극과 제2전류전극 사이의 상기 반도체층의 표면에 형성된 제1절연막; 상기 제1전류전극 근방의 상기 제1절연막내에 형성된 제1게이트전극; 상기 제2전류전극 근방의 상기 절연막내에 형성된 제2게이트전극; 상기 제1전류전극 하방의 상기 반도체층의 표면근방에 제1깊이로 형성된 제2전도형의 제1고농도 불순물영역; 상기 제1게이트전극과 제1전류전극 사이의 상기 제1절연막 하방과 상기 제1게이트전극의 하방의 상기 반도체층의 표면근방에 상기 제1깊이 보다 낮은 제2깊이로 상기 제2전도형의 제1고농도 불순물영역에 인접하여 형성된 제2전도형의 저농도 불순물 영역; 상기 제1게이트전극으로부터 제1전류전극의 일부까지에 걸친 상기 반도체층의 표면근방에 상기 제2깊이보다 낮은 제3깊이보다 낮은 제3 깊이로 형성된 제1전도형의 제1고농도 불순물영역; 상기 제2게이트전극 하방과 제2게이트전극과 제2전류전극 사이의 상기 제1절연막 하방과 상기 제2전류전극 하방에 걸친 상기 반도체층의 표면근방에 제4깊이로 형성된 제1전도형의 중농도 불순물영역 및상기 제2게이트전극하방과 제2게이트전극과 제2전류전극의 사이의 상기 제2절연막 하방의 상기 반도체층의 표면근방에 상기 제5깊이로 형성되고 상기 제2전류전극과 일측방이 인접된 제2전도형의 제3불순물영역을 구비한 것을 특징으로 하는 단락 애노우드 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터.
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