KR840008213A - 반도체 장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 1실시예로서의 가로형 트랜지스터와 세로형 트랜지스터의 단면 구주도.
제4도는 본 발명의 다른 실시예로서의 세로, 가로형 트랜지스터의 단면 구조도.
제5도는 본 발명의 또 다른 실시예로서의 세로형 트랜지스터의 단면 구조도.
Claims (8)
- 제1도전형의 반도체 기판과 해당 기판 위에 마련된 개구부를 가진 절연막과 해당 절연막 위에 마련된 상기 개구부에 있어서, 상기 반도체 기판전 기과적으로 접속된 제1의 반도체 영역과, 해당 반도체 영역 외주에 마련된 다결성 실리콘과를 가지며, 상기 제1의 반도체 영역과, 사이 다결정 실리콘과의 접촉면은, 상기 개구부에서 떨어져서, 상기 절역막 위에 존재하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 상기 반도체 기판내에, 제2도전형의 고농도 매입 영역을 가지며, 해당 농도 매입 영역은, 상기 반도체 영역과, 상기 개구부의 적어도 일부에서 접촉하여 되는 것을 특징으로 하는 특허 청구의 범위 제1항 기재의 반도체 장치.
- 상기 반도체 영역은, 적어도 그 일부가 상기 다결성 실리콘 층, 상면보다도 위에 존재하는 것을 특징으로 하는 특허 청구의 범위 제2항 기재의 반도체 장치.
- 상기 반도체 영역은 그 중앙부가 제2도전형에서, 상기 고농도 매입 영역과 접촉도어서 되는 베이스 영역을 구성하고, 그 상기 다결정 실리콘과 접촉하고 있는 양단부가 제1도전형의 에비터 및 콜렉터 영역을 구성하고 있는 것을 특징으로 하는 특허 청구의 범위 제2항 기재의 반도체 장치.
- 상기 반도체 영역은 상기 개구부의 윗측에 존재하는 표면 근방에 제2도전형의 불순물 영역을 마련하여, 에미터 또는 콜렉터로 하고, 상기 제2도전형 불순물 영역을 둘러싼 상기 다결성 실리콘과 접촉한 제1도전형의 불순물 영역을 마련하여 베이스 영역으로 하고, 상기 고농도 매입 영역과 접촉한 제2도전형의 반도체 영역의 일부를 콜렉터 또는 에미터로 한 것을 특징으로 하는 특허 청구의 범위 제2항 기재의 반도체 장치.
- 상기 반도체 영역의 상기 다결정 실리콘층 상면 보다도 위에 존재하는 부분은, 제2도전형으로 되어, 에미터 또는 콜렉터로 하고, 상기 반도체 영역의 상기 다결정 실리콘 층 상면 보다도, 아래에 존재하는 부분중, 상기 위에 존재하는 부분과 접촉하고 있는 제1도전형의 불순물 영역은, 다결정 실리콘과 접속되어서 베이스 영역으로 하여, 상기 고농도 매입 영역과 접촉하고 있는 제2도 전형의 상기 반도체 영역의 일부를 콜렉터 또는 에미터로 한 것을 특징으로 하는 특허 청구의 범위 제2항 기재의 반도체 장치.
- 상기 반도체 영역을 적어도 2개 이상을 가지며, 그 1개를 가로형 트랜지스터로 사용하여, 그 콜렉터를 상기 타결정 실리콘에 접촉하고, 또 그 베이스를 상기 고농도 매입 영역에 접촉하고, 다른 쪽의 반도체 영역을 역세로형 트랜지스터로 사용하여, 그 에미터를 상기 고농도 매입 영역을 거쳐서, 상기 가로형 트랜지스터의 베이스에 접촉하고, 또 그 베이스를 상기 다결정 실리콘을 거쳐서, 상기 세로형 트랜지스터의 콜렉터에 접촉하여, 집적 주입 논리 회로를 구성한 것을 특징으로 하는 특허 청구의 범위 제2항 기재의 반도체 장치.
- 상기 반도체 영역은 상기 개구부의 윗측에 존재하는 표면 근방에 제1도전형의 불순물 영역을 마련하여, 에미터 또는 콜렉터로 하고, 상기 제1도전형의 불순물 영역을 둘러싼 제2도전형의 고농도 불순물 영역과, 해당 고농도 불순물 영역을 둘러싼 제2도전형의 불순물 영역과, 상기 고농도 매입 영역등을 베이스로 하고, 상기 반도체 영역의 다결정 실리콘과 접촉하는 부분에, 제1도전형의 불순물 영역을 마련하여, 콜렉터 또는 에미터로 한 것을 특징으로 하는 특허 청구의 범위 제2항 기재의 반도체 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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