KR890005886A - 쌍극성 트랜지스터 - Google Patents

쌍극성 트랜지스터 Download PDF

Info

Publication number
KR890005886A
KR890005886A KR1019880011027A KR880011027A KR890005886A KR 890005886 A KR890005886 A KR 890005886A KR 1019880011027 A KR1019880011027 A KR 1019880011027A KR 880011027 A KR880011027 A KR 880011027A KR 890005886 A KR890005886 A KR 890005886A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
collector
region
base
major surface
horizontal
Prior art date
Application number
KR1019880011027A
Other languages
English (en)
Inventor
페이젠슨 애나토리
Original Assignee
엘리 와이스
아메리칸 텔리폰 앤드 텔레그라프 캄파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘리 와이스, 아메리칸 텔리폰 앤드 텔레그라프 캄파니 filed Critical 엘리 와이스
Publication of KR890005886A publication Critical patent/KR890005886A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H01L29/66272—Silicon vertical transistors
    • H01L29/66287—Silicon vertical transistors with a single crystalline emitter, collector or base including extrinsic, link or graft base formed on the silicon substrate, e.g. by epitaxy, recrystallisation, after insulating device isolation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41708—Emitter or collector electrodes for bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73—Bipolar junction transistors
    • H01L29/732—Vertical transistors
    • H01L29/7325—Vertical transistors having an emitter-base junction leaving at a main surface and a base-collector junction leaving at a peripheral surface of the body, e.g. mesa planar transistor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

쌍극성 트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 3도는 본 발명과 관련되어 형성된 모범적인 서브마이크론 쌍극성 트랜지스터의 제조과정을 도시한다.

Claims (5)

  1. 쌍극성 트랜지스터에 있어서, 소정의 상부 및 하부 주표면을 가지는 제 1도통형의 반도체 기판, 반도체 기판의 상부 주표면으로 부터 소정의 깊이로 아래로 확장되는 상기 반도체 기판의 선별된 영역에서 형성된 제 2도통형의 매복된 콜렉터 영역, 상기 콜렉터 영역의 하부 주표면이 상기 기판의 상부 주표면과 접촉되도록, 상기 반도체 기판의 상부 주표면으로 부터 위로 확장되고 상기 매복된 콜렉터 영역위에 위치하며, 사이에서 확장되는 수직 측벽부를 가지는, 상부 및 하부 주표면을 포함하는 제 2전도형의 콜렉터 영역, 제 1전도형이며, 사이에 수직 측벽부를 가지는 상부 및 하부 주표면을 포함하는데, 하부 주표면은 상기 콜렉터 영역의 상부 주표면에 접촉되도록 형성되는, 베이스영역, 베이스영역의 상부 주표면으로 부터 상기 베이스영역안으로 아래로 확장되며, 상기 베이스 영역의 중앙부분에 형성된 제 2전도형의 에미터영역, 상기 반도체 기판의 상부 주표면 위의 소정의 높이에서 콜렉터 영역의 측벽부로 부터 확장되는 제 2전도형의 수평 콜렉터 전도층, 수평 콜렉터 접속층을 에워싸기 위해 베이스 영역의 상부 주표면과 상기 반도체 기판 사이에서 형성된 콜렉터 절연영역, 상기 반도체 기판의 상부 주표면위의 소정의 높이에서 상기 베이스 영역의 측벽부로 부터 확장되는 제 1전도형의 수평 베이스 전도층, 수평 베이스 접속층을 에워싸기 위해 상기 반도체 기판의 상부 주표면과, 베이스 영역의 상부 주표면 사이에 형성된 베이스 절연영역, 콜렉터 절연영역을 통해 아래로 확장되어 수평 콜렉터 전도층을 접촉시키는 콜렉터 저항 접촉수단, 수평 베이스 전도층을 접촉시키기위해 베이스 절연영역을 통해 아래로 확장되는 베이스 저항 접촉수단 및 에미터 확산영역을 접촉시키기 위한 에미터 저항 접촉수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 쌍극성 트랜지스터.
  2. 제 1항에 있어서, 수평 콜렉터 전도층은 제 2전도형을 구성하기 위해 도핑된 다결정 실리콘층을 구비하며, 수평 베이스 전도층은 제 1전도형을 구성하기 위해 도핑된 다결정 실리콘층을 구비하는 것을 특징으로 하는 쌍극성 트랜지스터.
  3. 제 2항에 있어서, 수평 콜렉터 전도층은 도핑된 다결정 실리콘층을 덮는 실리콘 화합물층을 또한 포함하며, 수평 베이스 전도층은 도핑된 다결정 실리콘층을 덮는 실리콘 화합물층을 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍극성 트랜지스터.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 트랜지스터는, 반도체의 상부 주표면과, 수평 콜렉터 전도층 사이의 콜렉터 영역의 측벽부에 인접하게 형성된 제 2전도형의 수직 접속영역을 또한 포함하는데, 상기 수직 접속영역은 매복된 콜렉터 영역을 수평 콜렉터 전도층으로 전기적으로 접속하는 것을 특징으로 하는 쌍극성 트랜지스터.
  5. 제 1전도형은 P형 전도형으로 정의되고, 제 2전도형은 n형 전도형으로 정의되는 것을 특징으로 하는 쌍극성 트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880011027A 1987-09-02 1988-08-30 쌍극성 트랜지스터 KR890005886A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US9201587A 1987-09-02 1987-09-02
US092.015 1987-09-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR890005886A true KR890005886A (ko) 1989-05-17

Family

ID=22230840

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019880011027A KR890005886A (ko) 1987-09-02 1988-08-30 쌍극성 트랜지스터

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0306213A3 (ko)
JP (1) JPS6472561A (ko)
KR (1) KR890005886A (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0812866B2 (ja) * 1989-07-07 1996-02-07 株式会社東芝 バイポーラ型半導体装置
EP0418422B1 (de) * 1989-09-22 2002-01-09 Infineon Technologies AG CMOS-kompatibler Bipolartransistor mit verringerter Kollektor/Substrat-Kapazität und Verfahren zu dessen Herstellung
KR950010283B1 (ko) * 1990-05-31 1995-09-12 캐논 가부시끼가이샤 매립전극을 가지는 반도체장치 및 그의 제조방법
EP0481202A1 (en) * 1990-10-15 1992-04-22 Hewlett-Packard Company Transistor structure with reduced collector-to-substrate capacitance
US5252143A (en) * 1990-10-15 1993-10-12 Hewlett-Packard Company Bipolar transistor structure with reduced collector-to-substrate capacitance
JP3149470B2 (ja) * 1991-09-12 2001-03-26 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US7002190B1 (en) * 2004-09-21 2006-02-21 International Business Machines Corporation Method of collector formation in BiCMOS technology

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5643754A (en) * 1979-09-17 1981-04-22 Mitsubishi Electric Corp Manufacture of semiconductor device
JPS5984469A (ja) * 1982-11-04 1984-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPS60117664A (ja) * 1983-11-30 1985-06-25 Fujitsu Ltd バイポ−ラ半導体装置
US4551906A (en) * 1983-12-12 1985-11-12 International Business Machines Corporation Method for making self-aligned lateral bipolar transistors
EP0170250B1 (en) * 1984-07-31 1990-10-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Bipolar transistor and method for producing the bipolar transistor
US4663831A (en) * 1985-10-08 1987-05-12 Motorola, Inc. Method of forming transistors with poly-sidewall contacts utilizing deposition of polycrystalline and insulating layers combined with selective etching and oxidation of said layers

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6472561A (en) 1989-03-17
EP0306213A2 (en) 1989-03-08
EP0306213A3 (en) 1990-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR840006872A (ko) 반도체 집적회로장치 및 그 제조방법
KR930005234A (ko) 쇼트키 장벽 다이오드 및 쇼트키 장벽 다이오드 클램프형 트랜지스터와 이들을 제조하는 방법
KR970072486A (ko) 절연 게이트형 반도체 장치 및 그 제조방법
KR950015836A (ko) 반도체 광 다이오드 디바이스 및 그 제조방법
KR920015588A (ko) 광 반도체장치
KR920018968A (ko) 다층 베이스 헤테로접합 장치 및 그 제조방법
KR890011106A (ko) 에미터 스위칭 형태로 집적된 고-전압 바이폴라 파워 트랜지스터 및 저-전압 mos 파워 트랜지스터 구조 및 이의 제조방법
KR970023863A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR850006775A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR890005886A (ko) 쌍극성 트랜지스터
KR930003417A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR890012359A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR910019137A (ko) 다결정 실리콘 접촉 구조
KR840008213A (ko) 반도체 장치
KR940016782A (ko) 반도체 장치
KR890013764A (ko) 샌드위치된 산화 실리콘층과 질화실리콘 층을 갖는 프로그램 가능 접속패드
KR940008130A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR880011935A (ko) 반도체 장치 및 제조 방법
KR860008625A (ko) 절연게이트 반도체 장치
KR920007171A (ko) 고신뢰성 반도체장치
US6441446B1 (en) Device with integrated bipolar and MOSFET transistors in an emitter switching configuration
JPH0620145B2 (ja) ツエナー・ダイオード
KR870008393A (ko) 반도체장치와 그 제조방법
KR880001061A (ko) 양극성 트랜지스터 구조
KR890008993A (ko) 반도체 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application