KR920015588A - 광 반도체장치 - Google Patents

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KR920015588A
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게이지 미따
쯔요시 타까하시
토시유끼 오꼬다
타다요시 타까다
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이우에 사또시
상요덴기 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

광 반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 반도체 장치를 도시한 단면도, 제2도는 제1도의 제조방법을 설명하는 제1단면도, 제3도는 제1도의 제조방법을 설명하는 제2단면도.

Claims (4)

  1. 한 도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 표면에 형성한 한 도전형의 고 비저항의 에피텍셜층과, 상기 에피텍셜층의 표면에서 상기 기판에 도달하는 한 도전형의 분리 영역과, 상기 분리 영역과 상기 에피택셜층과의 경계 및 상기 기판과 상기 에피택셜층과의 경계로 둘러싸인 다이오드 형성용의 제1고립영역 및 트랜지스터 형성용의 제2고립 영역과, 상기 제1고립 영역의 표면에 형성한 반대 도전형의 저저항 확산 영역과, 상기 제2고립 영역의 기판과 에피택셜층과의 경계부에 매립된 반대 도전형의 제1매립층과, 상기 제1매립층에 겹쳐서 매립되어 상기 제1매립층에서 상방으로 확장된 반대 도전형의 제2매립층과, 상기 제2고립 영역의 표면에 형성한 상기 제2매립층과 연결되는 반대 도전형의 콜렉터 영역과, 상기 콜렉터 영역의 표면에 형성한 한 도전형의 베이스와, 상기 베이스 영역의 표면에 형성한 반대 도전형의 에미터 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 광 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판은 비저항이 40-60Ω·cm인 것을 특징으로 하는 광 반도체장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 에피텍셜층은 비저항이 200-1500Ω·cm인 것을 특징으로 하는 광 반도체장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1고립 영역의 반대 도전형 확산 영역은 상기 제2고립 영역의 에미터 확산에 의한것인 것을 특징으로 하는 광 반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920001296A 1991-01-30 1992-01-29 광 반도체 장치 KR100208646B1 (ko)

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