KR930005238A - 반도체 소자 - Google Patents

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프레데릭 얀 스미트
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 래터럴 트랜치-게이트 바이폴라 트랜지스터(lateral trench-gate bipolar transistor)소자의 단면도,
제2도는 본 발명의 제2실시예에 따른 절연층상에 제조된 LTGBT소자의 단면도.

Claims (7)

  1. 이격되었으나 표면이 인접한 제1 및 제2소자 영역과, 상기 제2소자 영역을 적어도 부분적으로 에워싼 표면 인접 채널 영역과, 상기 제2소자 영역 및 상기 채널 영역에 인접하나 상기 영역들로부터 분리된 게이트 영역 및, 동작동안 채널 영역에서의 실제 수직 도전 채널을 야기시키는 수단을 포함하는데, 상기 수단은 상기 제2소자 영역 및 상기 채널 영역에 인접한 실제로 수직한 방향으로 확장되는 상기 게이트 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  2. 제1항에 있어서, 제1도전성 형태의 반도체 기판에는 상기 제1도전성 형태에 역인 제2도전성 형태의 반도체 표면층이 제공되며, 트랜치는 상기 표면층을 통해 확장되고 아일런드를 둘러싸며, 유전체층이 상기 트랜지의 측벽 및 플로워를 커버하며, 상기 게이트 영역이 상기 트랜치내에 놓이고 도전재료를 포함하며, 상기 표면-인접 채널 영역이 상기 제1도전성 형태이고 상기 트랜치의 내부 측벽에 인접하며, 상기 표면-인접 제2소자 영역은 상기 트랜치의 내부 측벽에 인접하며 상기 제1소자 영역내에 놓인 상기 제2도전성 형태의 적어도 강하게 도핑된 표면 인접 영역을 포함하며, 상기 표면 인접 제1소자 영역은 p-n접합을 형성하며, 상기 아일런드의 중심부에 배치되고 상기 채널 영역으로부터 떨어져 이격되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  3. 제2항에 있어서, 상기 표면-인접 제2소자 영역은 상기 제2도전성 형태의 강하게 도핑된 표면-인접 영역에 인접한 상기 제1도전성 형태의 강하게 도핑된 표면 인접 영역을 포함하며, 상기 제2도전성 형태의 표면 인접 영역에 의해 상기 트랜치의 내부 측벽으로부터 떨어져 이격되고 상기 채널 영역의 일부를 통하여 아래쪽으로 확장되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  4. 제2항에 있어서, 상기 표면 인접 채널 영역은 상기 제2소자 영역과 상기 제1소자 영역간의 거리의 약 1/2인 거리에 대하여 상기 제2소자 영역을 지나 내부로 측면으로 확장되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  5. 제2항에 있어서, 상기 표면-인접 제1소자 영역은 상기 아일런드의 중심부에 위치된 상기 제1도전성 형태의 강하게 도핑된 영역을 포함하고 상기 채널 영역으로부터 떨어져 이격되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  6. 제2항에 있어서, 상기 표면 인접 제1소자 영역이 쇼트키 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  7. 제2항에 있어서, 기판상에 상기 표면층이 제공되어지는 매립된 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920014158A 1991-08-07 1992-08-07 반도체 소자 KR100278526B1 (ko)

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