KR920017284A - 광 반도체 장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 광 반도체 장치를 설명하기 위한 단면도, 제2도는 제1도의 제조방법을 설명하는 제1도면, 제3도는 제1도의 제조 방법을 설명하는 제2도면.
Claims (4)
- 한도전형의 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 표면에 논 도프로 적층한 제1에피택셜층, 상기 제1에피택셜층의 표면에 형성한 역 도전형의 제2에피택셜층, 상기 제1 및 제2에피택셜층을 관통하여 상기 제1 및 제2에피택셜층을 복수의 섬 영역으로 형성하는 한 도전형의 분리 영역, 상기 분리 영역의 일부를 형성하고 상기 기판의 표면에서 상기 제1에피택셜층의 도중까지 확산한 제1분리 영역, 사이 분리 영역의 일부를 형성하고 상기 제1에피택셜층의 표면에서 상, 하 방향으로 확산한 제2분리 영역, 상기 분리 영역의 일부를 형성하고 상기 제2에피택셜층의 표면에서 상기 제2에피택셜층의 도중까지 확산한 제3분리 영역, 제1섬 영역의 표면에 형성한 역 도전형의 확산영역에 접촉하는 포토다이오드의 한쪽의 전극, 상기 분리 영역의 표면에 접촉하는 포토다이오드의 다른쪽의 전극, 제2섬 영역의 상기 제1에피택셜층의 표면에 형성한 역도전형의 매입층 및 이 상기 제2섬 영역의 표면에 형성한 한 도전형의 베이스 영역 및 역 도전형의 에미터 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 비저항이 40-60Ω·㎝인 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1에피택셜층은 비저항이 200-1500Ω·㎝인 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 포토다이오드의 역 도전형 확산 영역은 상기 에미터 영역 형성과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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