KR960702680A - 고전압 수직 트렌치 반도체 소자(high-voltage, vertical-trench semiconductor device) - Google Patents

고전압 수직 트렌치 반도체 소자(high-voltage, vertical-trench semiconductor device)

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KR960702680A
KR960702680A KR1019950704209A KR19950704209A KR960702680A KR 960702680 A KR960702680 A KR 960702680A KR 1019950704209 A KR1019950704209 A KR 1019950704209A KR 19950704209 A KR19950704209 A KR 19950704209A KR 960702680 A KR960702680 A KR 960702680A
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Abstract

광 트리거 실리콘 제어정류기(SCR) (21)은 N 타입기판(22)에 확산된 수많은 반도체층(23,24,31)을 갖는다. 특별히 SCR은 제 P+층(23)을 기판의 상부면에 확산함으로서 형성된다. 그러면, N+층(24)는 제1P+층의 상부표면의 일부분으로 확산된다. 광 방상에 투과적인 산화층(25)은 제1P+층위에 형성된다. 그러면 전도성 음극단자(26)은 N+층에 증착된다. 그러므로, 트렌치(30) 기판의 하부면에 에칭된다. 트렌치는 깊이와 표면에 의해 결정된다. 제2P+층(31)트렌치의 표면으로 확산된다. 트렌치의 깊이는 제1 및 제2P+층 사이의 간격을 결정한다. 칩이 리드 프레임(34) 위에 형성된 받침대(33)위로 결합된다. 납땜은 양극단자(36)을 형성하기 위해 제2P+층의 접점과 트렌치에 증착된다. 받침대는 리드 프레임에 압축 혹은 에칭함으로서 만들어질 수 있다.

Description

고전압 수직 트렌치 반도체 소자(HIGH-VOLTAGE. VERTICAL-TRENCH SEMICONDUCTOR DEVICE)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의해 만들어진 반도체 소자의 단면도이다.

Claims (20)

  1. 제1 및 제2의 대향하는 표면을 갖는 반도체 기관(22); 상기 기판의 상기 제1표면에 위치한 도핑된 불순물의 제1층(23); 상기 기판의 상기 제2표면에 형성되며, 깊이 및 표면을 가지는 트렌치; 및 상기 트렌치의 표면에 위치한 도핑된 불순물의 제2층을 포함하며; 상기 트렌치의 깊이는 상기 제1층과 상기 제2층 사이의 거리를 결정하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자(21).
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 제2층은 서로 반대로 도핑되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1층과 상기 기판은 서로 반대로 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1층에 인접한 곳에 위치한 도핑된 불순물의 제3층(24)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제3층과 상기 제2층이 서로 반대로 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2 및 제3층에 고정된 저항접점(26,36)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소자.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2층상의 상기 저항접점이 배치된 리드 프레임(34)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소자.
  8. 상부면과 하부면을 갖는 반도체 기판(22); 상기 기판의 상부면에 위치한 제어층(23); 상기 제어층의 상부면에 위치한 음극층(24); 상기 음극층에 고정된 음극접점(26); 깊이와 표면을 가지며, 상기 기판의 하부면에 형성된 트렌치(30); 상기 트렌치의 깊이가 양극층과 제어층 사이의 간격은 한정하도록, 상기 프렌치의 표면에 위치한 양극층(31); 및 양극층과 접촉하면서 상기 트렌치에 위치한 양극접점(36)을 포함하는 것을 특징으로하는 실리콘 제어정류기(SCR) 소자(21).
  9. 제8항에 있어서, 상기 기판과 상기 양측층이 서로 반대로 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 SCR 소자.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제어층과 상기 기판은 서로 반대로 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 SCR 소자.
  11. 제10항에 있어서, 상기 음극층과 상기 제어층은 서로 반대로 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 SCR 소자.
  12. 제11항에 있어서, 상기 양극접점이 배치되는 리드 프레임(34)을 더 포함하는 SCR 소자.
  13. 상부면과 하부면을 갖는 N 타임 기판(22); 상기 기판의 상부면에 위치한 제1P+(23); 상기 P+층의 상부면에 위치한 N+(24); 상기 N+에 고정원 음극접점(26);깊이와 표면을 갖으며, 상기 기판의 하부면에 형성된 트렌치(30); 상기 트렌치의 깊이가 제1P+층과 제2P+층 사이의 간격을 한정하도록, 상기 트렌치의 표면에 위치한 제2P+층(31); 및 상기 제2P+층과 접촉하면서 상기 트렌치에 고정된 양극 접점(36)을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 제어 정류기(SCR) 장치(21).
  14. 제13항에 있어서, 상기 양극 접점이 배치된 리드 프레임(34)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소자.
  15. 제1 및 제2대향하는 표면을 갖는 반도체 기판을 제공하는 단계; 상기 기판의 상기 제1표면에 도핑된 불순물의 제1층을 확산하는 단계; 깊이와 표면을 가지고 있는 트렌치를 상기 기판의 상기 제2표면에 에칭하는 단계; 및 상기 트렌치의 깊이가 결과적으로 제1 및 제2층 사이의 공간을 결정하도록 도핑된 불순물의 제2층을상기 트렌치의 표면에 확산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 확산 단계는 상기 기판에 대하여 제1층 및 제2층을 반대로 도핑하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 도핑된 불순물의 제3층을 상기 제1층으로 확산하는 단계를 더 포함하며, 상기 제1 및 제3층은 서로 반대로 도핑되어 있는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 저항접점을 상기 제2 및 제3층에 확산하는 단계, 및 상기 제2층에 증착된 저항접점은 리드 프레임에 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 상부면과 하부면을 갖는 N타임 기판을 제공하는 단계; 상기 기판의 상부면으로 제1P+층을 확산하는 단계; 상기 P+층의 상부면으로 N+층을 확산하는 단계; 상기 P+층의 일부분에 투과 가능한 산화층을 형성하는 단계; 상기 N+층에 음극접점을 증착하는 단계; 깊이와 표면을 가지는 트렌치를 상기 기판의 하부면으로 에칭하는 단계; 상기 트렌치의 깊이가 상기 제1P+층과 제2P+층 사이의 간격을 한정하도록 하는 제2P+층을 상기 트렌치의 표면으로 확산하는 단계; 및 상기 제2P+층과 접촉하면서 상기 트렌치위에 양극접점을 증착시키는 단계를 포함하는 것을 것을 특징으로 하는 실리콘 제어 정류기(SCR) 장치 제조방법.
  20. 제19항에 있어서, 리드 프레임에 상기 양극 접점을 배치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 SCR 장치 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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