KR860001490A - 종형 mosfet와 그 제조방법 - Google Patents

종형 mosfet와 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR860001490A
KR860001490A KR1019850005079A KR850005079A KR860001490A KR 860001490 A KR860001490 A KR 860001490A KR 1019850005079 A KR1019850005079 A KR 1019850005079A KR 850005079 A KR850005079 A KR 850005079A KR 860001490 A KR860001490 A KR 860001490A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
trench
forming
diffusion layer
conductive layer
vertical mosfet
Prior art date
Application number
KR1019850005079A
Other languages
English (en)
Other versions
KR890004469B1 (ko
Inventor
시게루 나까지마 (외 4)
Original Assignee
신또 히사시
닛뽄덴신덴와 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 신또 히사시, 닛뽄덴신덴와 가부시끼가이샤 filed Critical 신또 히사시
Publication of KR860001490A publication Critical patent/KR860001490A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR890004469B1 publication Critical patent/KR890004469B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7827—Vertical transistors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/168—V-Grooves

Abstract

내용 없음

Description

종형 MOSFET와 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 4 도는 본 발명의 일실시예에 따른 종형 MOSEFT의 단면도.
제 5 도는 제 4 도에 도시된 종형 MOSFET의 평면도.
제 6 도∼제20도는 제 4 도에 도시된 종형 MOSFET의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : p형 실리콘 기판 12, 13 : n형 확산층
14 : 도랑 15 : 게이트 산화막
16 : 게이트 전극 17 : 소오스/드레인영역의 전극
1 : 소자형성영역 19 : 콘택트 홀
20 : 전극 배선영역 21 : 절연막
22 : 소자분리용 절연막 23 : 층간 절연층

Claims (19)

  1. 반도체기판의 주표면에 대해 수직적으로 형성된 도랑과, 게이트절연막을 매개하여 상기 도랑의 측면부를 포함하는 소정의 영역에 형성되며 게이트전극으로 동작하는 제 1 의 도전층, 상기 반도체기판의 표면층과 상기 도랑의 저면부에 각각 형성되어 소오스/드레인영역으로 동작하는 상부와 하부의 확산층, 상기 도랑의 저면부에 있는 하부의 확산층에 접촉되도록 형성되고 상기 도랑을 매립하게끔 상기 제 1 의 도전층(16)으로 부터 절연되어 있는 제 2 의 도전층등으로 구성되어 있는 종형 NOSFET.
  2. 제 1 항에 있어서, 반도체기판내의 상부와 하부 확산층에 챈널 도우프 영역이 부가적으로 형성되어 있는 종형 MOSFET.
  3. 제 1 항에 있어서, 도랑의 측면에 수직인 방향을 따라 결정축이〈100〉축으로 되어 있는 종형 MOSFET.
  4. 제 1 항에 있어서, 상부확산층(12)이 도랑(14)을 둘러싸고 있는 도랑이 주변에 챈널이 형성되어 있는 종형 MOSFET.
  5. 제 1 항에 있어서, 상부확산층이 도랑의 주변영역에 부분적으로 형성되어 있고, 챈널이 상기 도랑의 축면에 부분적으로 형성되어 있는 종형 MOSFET.
  6. 제 1 항에 있어서, 소오스 영역으로 동작하는 상부와 하부의 확산층중 한층의 근접한 곳에 챈널 도우프 영역이 형성되어 있는 종형 MOSFET.
  7. 반도체기판의 주표면에 대해 수직인 측면부를 갖추도록 하는 한편 상기 반도체기판내에서 소오스/드레인영역으로 동작하는 소정의 영역에 인접하도록 제 1 도전형인 상기 반도체기판이 주표면에 도랑을 형성시키는 공정과, 최소한 상기 도랑의 측면부상에 게이트 절연막을 형성시키는 공정, 상기 도랑이 제 1 의 도전층으로 완전히 채워지지 않도록 하는 범위에서 상기 도랑의 내측면에 제 1 의 도전층을 형성시키는 공정, 상기 도랑의 저면중 소정영역으로부터 제 1 의 도전층과 상기 게이트 절연막을 제거하는 공정, 상기 제 1 의 도전층의 주표면상에 절연막을 형성시키는 공정, 상기 도랑의 저면에 제 2 도전형인 확산층을 형성시키는 공정 및, 전극패턴을 형성시키는 공정등으로 이루어진 종형 MOSFET의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 제 1 도전형과 반대인 제 2 도전형의 확산층을 소정의 영역에 형성시키는 공정이 부가되어 있는 종형 MOSFET의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 반도체기판으로부터 소정의 깊이로 주어진 영역내에 챈널 도우프 층을 형성시켜서 도랑의 측면부와 접촉되도록 하는 공정이 부가되어 있는 종형 MOSFET의 제조방법.
  10. 제 7 항에 있어서, 전술한 확산층을 형성시킨 후와 전극패턴을 형성시키기 이전에 콘택트 홀을 형성시키고, 상기 콘택트 홀을 매개하여 상기 반도체기판의 내부로 불순물을 도우핑 시키므로써 확산층을 형성시키는 공정이 부가되어 있는 종형 MOSFET의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 반도체기판의 주표면으로부터 소정의 깊이로 주어진 영역에 도랑의 측면과 접촉하도록 챈널 도우프 층을 형성시키는 공정이 부가되어 있는 종형 MOSFET의 제조방법.
  12. 제 7 항에 있어서, 확산층을 형성시키는 공정은 도랑의 저면부를 규정하는 반도체기판의 일부에 접촉하도록 제 2 의 도전층을 상기 도랑내에 매립시키는 공정과 제 2 도전층으로 부터 불순물을 도우핑시키는 공정을 포함하고 있는 것이고, 전극패턴을 형성시키는 공정은 상기 확산층이 형성된 후에 소정의 제 1 패턴을 얻도록 제1, 제 2 의 도전층을 동시에 엣칭시키는 공정과, 소정의 제 2 패턴을 얻도록 상기 제 2 의 도전층을 엣칭시키는 공정을 포함하는 것인 종형 MOSFET의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 도랑의 저면에 제 2 도 전형인 확산층을 형성시키기 위하여 불순물을 열처리하여 도우핑 시키는 종형 MOSFET의 제조방법.
  14. 제 7 항에 있어서, 확산층을 형성시키는 공정은 제 2 도 전형의 확산층을 형성시키기 위하여 도랑의 저면부에 불순물을 도우핑시키는 공정을 구비한 것이고, 전극패턴을 형성시키는 공정은 상기 도랑을 채우게끔 상기 확산층과 접촉하는 제 2 도전층을 형성시키는 공정과, 소정의 제 1 패턴을 얻기 위하여 제1, 제 2 의 도전층을 동시에 엣칭시키는 공정 및, 소정의 제 2 패턴을 얻기 위하여 제 2 의 도전층을 엣칭시키는 공정을 구비한 것인 종형 MOSFET의 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 도랑의 저면부에 제 2 도전형인 확산층을 형성시키기 위하여 이온주입법에 의한 불순물이 도우핑되는 종형 MOSFET의 제조방법.
  16. 제 7 항에 있어서, 확산층을 형성시키는 공정은 도랑내에 완전히 매립되는 제 2 의 도전층이 상기 도랑의 저면부를 규정하는 반도체기판의 일부에 접촉되도록 형성시키는 공정과, 제 2 도전형인 상기 확산층을 형성시키기 위하여 상기 도랑의 저면부에 불순물을 도우핑시키는 공정을 구비하고 있는 것이고, 전극패턴을 형성시키는 공정은 상기 도랑내에 제 2 의 도전층이 형성되기 이전에 소정의 제 1 패턴을 얻기 위하여 제 1 의 도전층을 엣칭시키는 공정과, 상기 불순물이 도랑의 저면부에 도우핑된 후 소정의 제 2 패턴을 얻기 위하여 상기 제 2 의 도전층을 엣칭시키는 공정을 구비하고 있는 것인 종형 MOSFET의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서, 불순물은 도랑의 저면에 제 2 도전형의 확산층을 형성시키게끔 열처리되어 도우핑되는 것인 종형 MOSFET의 제조방법.
  18. 제 7 항에 있어서, 확산층을 형성시키는 공정은 제 2 도전형인 확산층을 형성시키기 위하여 도랑의 저면부에 불순물을 도우핑시키는 공정을 구비하고 있는 것이고, 전극패턴을 형성시키는 공정은 소정의 제 1 패턴을 얻기 위하여 제 1 의 도전층을 엣칭시키는 공정과, 상기 도랑을 채우기 위하여 상기 확산층과 접촉하는 제 2 의 도전층을 형성시키는 공정 및, 소정의 제 2 패턴을 얻기 위하여 상기 제 2 의 도전층을 엣칭시키는 공정등을 구비하고 있는 것인 종형 MOSFET의 제조방법.
  19. 제18항에 있어서, 불순물은 도랑의 저면부에 제 2 도전형인 확산층을 형성시키기 위하여 이온 주입법으로 도우핑되는 것이 종형 MOSFET의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019850005079A 1984-07-16 1985-07-16 종형 mosfet와 그 제조방법 KR890004469B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14603784A JPS6126261A (ja) 1984-07-16 1984-07-16 縦形ｍｏｓ電界効果トランジスタの製造方法
JP59-146037 1984-07-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR860001490A true KR860001490A (ko) 1986-02-26
KR890004469B1 KR890004469B1 (ko) 1989-11-04

Family

ID=15398677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019850005079A KR890004469B1 (ko) 1984-07-16 1985-07-16 종형 mosfet와 그 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4683643A (ko)
JP (1) JPS6126261A (ko)
KR (1) KR890004469B1 (ko)
DE (1) DE3525396A1 (ko)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4830981A (en) * 1984-07-03 1989-05-16 Texas Instruments Inc. Trench capacitor process for high density dynamic ram
US5017504A (en) * 1986-12-01 1991-05-21 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Vertical type MOS transistor and method of formation thereof
US5082795A (en) * 1986-12-05 1992-01-21 General Electric Company Method of fabricating a field effect semiconductor device having a self-aligned structure
US4890144A (en) * 1987-09-14 1989-12-26 Motorola, Inc. Integrated circuit trench cell
JPS6486561A (en) * 1987-06-17 1989-03-31 Nec Corp Vertical mos transistor
JPH0795582B2 (ja) * 1987-11-17 1995-10-11 三菱電機株式会社 半導体装置の溝型キャパシタセルの製造方法
JP2507502B2 (ja) * 1987-12-28 1996-06-12 三菱電機株式会社 半導体装置
US5100823A (en) * 1988-02-29 1992-03-31 Motorola, Inc. Method of making buried stacked transistor-capacitor
US5060029A (en) * 1989-02-28 1991-10-22 Small Power Communication Systems Research Laboratories Co., Ltd. Step cut type insulated gate SIT having low-resistance electrode and method of manufacturing the same
US5021355A (en) * 1989-05-22 1991-06-04 International Business Machines Corporation Method of fabricating cross-point lightly-doped drain-source trench transistor
US4954854A (en) * 1989-05-22 1990-09-04 International Business Machines Corporation Cross-point lightly-doped drain-source trench transistor and fabrication process therefor
US5162250A (en) * 1989-06-30 1992-11-10 Texas Instruments, Incorporated Method for interconnecting a filament channel transistor with a wordline conductor
US5066603A (en) * 1989-09-06 1991-11-19 Gte Laboratories Incorporated Method of manufacturing static induction transistors
US5023196A (en) * 1990-01-29 1991-06-11 Motorola Inc. Method for forming a MOSFET with substrate source contact
US5250450A (en) * 1991-04-08 1993-10-05 Micron Technology, Inc. Insulated-gate vertical field-effect transistor with high current drive and minimum overlap capacitance
US5285093A (en) * 1992-10-05 1994-02-08 Motorola, Inc. Semiconductor memory cell having a trench structure
US5349224A (en) * 1993-06-30 1994-09-20 Purdue Research Foundation Integrable MOS and IGBT devices having trench gate structure
JP3395473B2 (ja) * 1994-10-25 2003-04-14 富士電機株式会社 横型トレンチｍｉｓｆｅｔおよびその製造方法
US5719067A (en) * 1996-09-06 1998-02-17 Advanced Micro Devices, Inc. Trench transistor and method for making same
US5940707A (en) * 1996-10-08 1999-08-17 Advanced Micro Devices, Inc. Vertically integrated advanced transistor formation
KR100259078B1 (ko) 1997-08-14 2000-06-15 김영환 박막트랜지스터 및 이의 제조방법
US6429481B1 (en) * 1997-11-14 2002-08-06 Fairchild Semiconductor Corporation Field effect transistor and method of its manufacture
DE19845003C1 (de) 1998-09-30 2000-02-10 Siemens Ag Vertikaler Feldeffekttransistor mit innenliegendem ringförmigen Gate und Herstellverfahren
US6764906B2 (en) * 2001-07-03 2004-07-20 Siliconix Incorporated Method for making trench mosfet having implanted drain-drift region
US7291884B2 (en) 2001-07-03 2007-11-06 Siliconix Incorporated Trench MIS device having implanted drain-drift region and thick bottom oxide
US6849898B2 (en) * 2001-08-10 2005-02-01 Siliconix Incorporated Trench MIS device with active trench corners and thick bottom oxide
US7009247B2 (en) * 2001-07-03 2006-03-07 Siliconix Incorporated Trench MIS device with thick oxide layer in bottom of gate contact trench
US20060038223A1 (en) * 2001-07-03 2006-02-23 Siliconix Incorporated Trench MOSFET having drain-drift region comprising stack of implanted regions
US7033876B2 (en) * 2001-07-03 2006-04-25 Siliconix Incorporated Trench MIS device having implanted drain-drift region and thick bottom oxide and process for manufacturing the same
US6690040B2 (en) 2001-09-10 2004-02-10 Agere Systems Inc. Vertical replacement-gate junction field-effect transistor
US20030052365A1 (en) * 2001-09-18 2003-03-20 Samir Chaudhry Structure and fabrication method for capacitors integratible with vertical replacement gate transistors
US6759730B2 (en) 2001-09-18 2004-07-06 Agere Systems Inc. Bipolar junction transistor compatible with vertical replacement gate transistor
US6686604B2 (en) 2001-09-21 2004-02-03 Agere Systems Inc. Multiple operating voltage vertical replacement-gate (VRG) transistor
US6709904B2 (en) 2001-09-28 2004-03-23 Agere Systems Inc. Vertical replacement-gate silicon-on-insulator transistor
US6773994B2 (en) 2001-12-26 2004-08-10 Agere Systems Inc. CMOS vertical replacement gate (VRG) transistors
US7078296B2 (en) 2002-01-16 2006-07-18 Fairchild Semiconductor Corporation Self-aligned trench MOSFETs and methods for making the same
DE10224201B4 (de) * 2002-05-31 2010-11-25 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit Durchbruchstrompfad und Herstellungsverfahren desselben
DE102004052643B4 (de) 2004-10-29 2016-06-16 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines lateralen Trenchtransistors
JP2007220734A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Elpida Memory Inc 半導体装置及びその製造方法
US7982284B2 (en) 2006-06-28 2011-07-19 Infineon Technologies Ag Semiconductor component including an isolation structure and a contact to the substrate
CN101720509B (zh) * 2007-06-28 2012-08-29 3M创新有限公司 用于形成栅结构的方法
US8022472B2 (en) * 2007-12-04 2011-09-20 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US8476704B2 (en) * 2011-08-19 2013-07-02 Nan Ya Technology Corporation Circuit structure with vertical double gate
KR102188883B1 (ko) * 2013-12-13 2020-12-14 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10403751B2 (en) 2017-01-13 2019-09-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3518509A (en) * 1966-06-17 1970-06-30 Int Standard Electric Corp Complementary field-effect transistors on common substrate by multiple epitaxy techniques
JPS5681974A (en) * 1979-12-07 1981-07-04 Toshiba Corp Manufacture of mos type semiconductor device
US4587712A (en) * 1981-11-23 1986-05-13 General Electric Company Method for making vertical channel field controlled device employing a recessed gate structure
US4476622A (en) * 1981-12-24 1984-10-16 Gte Laboratories Inc. Recessed gate static induction transistor fabrication
JPS58207675A (ja) * 1982-05-28 1983-12-03 Oki Electric Ind Co Ltd Ｍｉｓ型半導体装置
US4577208A (en) * 1982-09-23 1986-03-18 Eaton Corporation Bidirectional power FET with integral avalanche protection
JPH0665225B2 (ja) * 1984-01-13 1994-08-22 株式会社東芝 半導体記憶装置の製造方法
US4528047A (en) * 1984-06-25 1985-07-09 International Business Machines Corporation Method for forming a void free isolation structure utilizing etch and refill techniques

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6126261A (ja) 1986-02-05
KR890004469B1 (ko) 1989-11-04
DE3525396A1 (de) 1986-01-16
US4683643A (en) 1987-08-04
DE3525396C2 (ko) 1992-11-19
JPH0527976B2 (ko) 1993-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR860001490A (ko) 종형 mosfet와 그 제조방법
KR100587948B1 (ko) 트렌치 접촉 공정
KR100363353B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR860001469A (ko) 반도체 기억장치와 그 제조방법
KR100190156B1 (ko) 반도체장치의 제조방법
US4786953A (en) Vertical MOSFET and method of manufacturing the same
KR890015391A (ko) Mos 트랜지스터의 자기 정합 소스/드레인 컨택트의 형성방법
KR930006930A (ko) 수직형 트랜지스터를 갖는 dram셀 및 그 제조방법
KR20000023520A (ko) 내부의 링형 게이트를 구비한 버티컬 전계 효과트랜지스터 및 그 제조 방법
KR940020594A (ko) 에스오아이(SOI : silicon on insulator) 구조의 반도체 장치 제조방법
TW334590B (en) Semiconductor device and its manufacture
US5030584A (en) Method for fabricating MOS semiconductor device operable in a high voltage range using polysilicon outdiffusion
KR930001484A (ko) Dmos 트랜지스터를 제조하기 위한 방법
KR100396703B1 (ko) 고전압 소자 및 그 제조방법
KR100555280B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2002016080A (ja) トレンチゲート型ｍｏｓｆｅｔの製造方法
KR960039222A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR920022546A (ko) 모오스 트랜지스터의 구조 및 그 제조방법
KR0174546B1 (ko) 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
KR950034667A (ko) 반도체 소자 및 그 제조방법
JP5220988B2 (ja) 半導体装置
KR960026934A (ko) 바이폴라 트랜지스터, 바이폴라 트랜지스터를 구비하는 반도체장치 및 그 제조방법
KR100486191B1 (ko) 집적 ｃｍｏｓ-회로 및 상기 회로의 제조 방법
KR19990056737A (ko) 반도체 소자 및 그 제조방법
KR100402143B1 (ko) 반도체몸체의제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19951101

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee