KR920022546A - 모오스 트랜지스터의 구조 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

모오스 트랜지스터의 구조 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 따른 레이 아웃도.
제2도는 제1도의 A-A'를 자른 단면도.
제3도는 제1도의 B-B'를 자른 단면도.
제4도는 제1도에 따른 제조 공정도.

Claims (18)

  1. 제1도전형의 반도체 기판과, 상기 기판의 소자 영역내의 채널영역에 의해 서로 소정거리 이격된 확산영역과, 상기 채널영역 상부에서 소정 방향으로 신장되는 도전층을 구비하여 모오스 트랜지스터에 있어서, 상기 채널영역이 상기 소정 방향으로 평행하게 배열되는 하나 이상의 요철부를 가짐을 특징으로 하는 모오스 트랜지스터.
  2. 모오스 트랜지스터에 있어서, 제1도전형의 반도체 기판과, 소정 방향으로 평행하게 배열되는 하나 이상의 개구부를 구비하여 상기 기판상에 형성된 절연층과, 상기 각각의 개구부를 채우며 상기 절연층 보다 최소한 큰두께를 지니는 반도체층과, 상기 반도체층 상부에서 상기 소정방향으로 신장되는 도전층과, 상기 도전층 하부에 해당하는 영역을 제외한 상기 반도체층에 형성된 확산영역을 구비함을 특징으로 하는 모오스 트랜지스터.
  3. 제2항에 있어서, 상기 반도체층이 실리콘 에피텍셜층 임을 특징으로 하는 모오스 트랜지스터.
  4. 제2항에 있어서, 상기 소정의 확산영역 상면에 금속 전극을 위한 개구부를 더 구비함을 특징으로 하는 모오스 트랜지스터.
  5. 모오스 트랜지스터에 있어서, 제1도전형의 반도체 기판과, 상기 기판에 형성되고 소정 방향을 평행하게 배열되는 하나 이상의 트렌치와, 상기 기판 전면에 형성된 절연막과, 상기 절연막 상면에서 상기 소정방향으로 신장되는 도전층과, 상기 도전층 하부에 해당하는 영역을 제외하여 상기 기판에 형성된 확산 영역을 구비함을 특징으로 하는 모오스 트랜지스터.
  6. 제5항에 있어서, 상기 트렌치가 형성된 영역을 둘러싸는 소자분리용 트렌치를 더 구비함을 특징으로 하는 모오스 트랜지스터.
  7. 제6항에 있어서, 상기 트렌치가 상기 개구부 보다 최소한 깊은 깊이를 가짐을 특징으로 하는 모오스 트랜지스터.
  8. 모오스 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 제1도전형의 반도체기판(14)상면에 제1절연막을 형성한 후, 상기 기판(14)의 표면이 노출될때까지 소정영역을 선택적으로 식각하여 소정방향으로 평행하게 배열되는 하나 이상의 제1개구부를 형성하는 제1공정과, 상기 제1개구부에 의해 노출된 기판(14) 상면에 상기 제1절연막 보다 최소한 큰 두께를 가지는 실리콘에 피택셜층(16)을 형성하는 제2공정과, 상기 실리콘 에피택셜층(16) 상면에 제2절연막(18)을 형성하는 제3공정과, 상기 제2절연막(18) 상면에 제1도전층을 형성한 후 패턴 형성하여 상기 제1개구부 상부에서 상기 소정방향으로 신장되는 게이트(8)를 형성한는 제4공정과, 상기 기판(14) 상부로부터 제2도전형의 불순물을 이온 주입하는 제5공정이 순차적으로 이루어지는 공정을 구비함을 특징으로 하는 모오스 트랜지스터의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제5공정후 상기 기판(14)전면에 제3절연막(20)을 형성하는 제6공정과, 상기 소정의 확산영역 상면의 상기 제3절연막(20)을 식각하여 제2개구부를 형성하는 제7공정과, 상기 기판(14) 상면에 상기 제2개구부와 접촉하는 제2도전층을 형성한 후 패턴형성하는 제8공정을 더 구비함을 특징으로 하는 모오스 트랜지스터의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제3절연막이 산화막임을 특징으로 하는 모오스 트랜지스터의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제2절연막(18)이 상기 실리콘 에피택셜층(16)을 산화시킴에 의한 것임을 특징으로 하는 모오스 트랜지스터의 제조방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 실리콘 에피택셜층(16)의 두께를 조절함에 의해 모오스 트랜지스터의 채널 폭을 조절할 수 있음을 특징으로 하는 모오스 트랜지스터의 제조방법.
  13. 모오스 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 제1도전형의 반도체 기판(34)내에 소자영역을 감싸는 제1깊이의 제1트렌치(26)를 형성한후 상기 제1트렌치(26)내부를 절연물질로 채우는 제1공정과, 상기 소자영역에 소정방향으로 평행하게 배열되는 하나 이상의 제2트렌치(27)를 제2깊이로 형성하는 제2공정과, 상기 기판(34) 상면에 제1절연막을 형성하는 제3공정과, 상기 제1절연막 상면에 제1도전층을 형성한 후 패턴형성하여 상기 제1 및 제2트렌치 상부에서 상기 소정방향으로 신장되는 게이트(38)를 형성하는 제4공정과, 상기 기관(34) 상부로부터 제2도전형의 불순물을 이온 주입하는 제5공정이 순차적으로 이루어지는 공정을 구비함을 특징으로 하는 모오스 트랜지스터의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제5공정후 상기 기판(34) 전면에 제2절연막(40)을 형성하는 제6공정과, 소정영역의 상기 제2절연막(40)을 식각하여 개구부를 형성하는 제7공정과, 상기 기판(34) 상면에 상기 개구부와 접촉하는 제2도전층을 형성한 후 패턴 형성과 제8공정을 더 구비함을 특징으로 하는 모오스 트랜지스터의 제조방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연막(36, 40)이 산화막임을 특정으로 하는 모오스 트랜지스터의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제1도전층이 다결정 실리콘임을 특징으로 하는 모오스 트랜지스터의 제조방법.
  17. 제13항에 있어서, 상기 제1깊이가 상기 제2깊이보다 더 깊음을 특징을 하는모오스 트랜지스터의 제조방법.
  18. 제13항에 있어서, 상기 2트렌치(27)의 모양과 개수를 조절함에 의해 모오스 트랜지스터의 전류 구동능력을 조절할 수 있음을 특징으로 하는 모오스 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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