KR970018525A - 트렌치 DMOS의 반도체장치 및 그의 제조방법(a trench DMOS semiconductor device and a method of fabricating the same) - Google Patents

트렌치 DMOS의 반도체장치 및 그의 제조방법(a trench DMOS semiconductor device and a method of fabricating the same) Download PDF

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    • H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
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    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors

Abstract

본 발명은 트렌치 DMOS 반도체 장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 그 장치는 제1도전형을 갖는 고농도 반도체물질의 제1영역(10a)과 이 제1영역상에 형성있되 동일한 도전형을 갖는 저농도반도체물질의 제2영역(10b)으로 구성된 반도체기판(10)과; 상기 제2영역상에 형성되어 있는 제2도전형의 확산층(11)과; 상기 확산층(11)의 표면에 형성된 제1도전형을 갖는 고농도불순물층(12)과; 상기 불순물층과 제2영역을 관통하여 상기 제1영역의 상부까지 연장되고 그리고 서로 소정거리 떨어져 형성되어 있어서, 상기 불순물층이 적어도 세 개의 영역으로 분리되게 하는 적어도 두 개 이상의 트렌치(13a, 13b)와, 상기 적어도 두 개이상의 트렌치 각각의 측벽과 저부표면상에 형성된 게이트산화막(14)과, 상기 복수 게이트산화막상의 각각 위에 형성된 폴리실리콘막(15a, 15b)을 포함한다. 본 발명의 반도체 장치는, 적어도 두 개이상의 트렌치를 구비하고 있고 그리고 트렌치 각각에 두 개의 체널층이 형성되어 있기 때문에, 적어도 4개의 채널층이 형성되어서 전류구동능력을 향상시킬 수 있다.

Description

트랜치 DMOS의 반도체장치 및 그의 제조방법(a trench DMOS semiconductor device and a method of fabricating the same)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 트렌치 DMOS 반도체 장치의 구조를 보인 도면.

Claims (6)

  1. 트렌치 DMOS 반도체 장치에 있어서, 제1도전형을 갖는 고농도 반도체물질의 제1영역(10a)과 이 제1영역상에 형성있되 동일한 도전형을 갖는 저농도반도체물질의 제2영역(10b)으로 구성된 반도체기판(10)과; 상기 제2영역상에 형성되어 있는 제2도전형의 확산층(11)과; 상기 확산층(11)의 표면에 형성된 제1도전형을 갖는 고농도불순물층(12)과; 상기 불순물층과 제2영역을 관통하여 상기 제1영역의 상부까지 연장되고 그리고 서로 소정거리 떨어져 형성되어 있어서, 상기 불순물층이 적어도 세 개의 영역으로 분리되게 하는 적어도 두 개 이상의 트렌치(13a, 13b)와, 상기 적어도 두 개이상의 트렌치 각각의 측벽과 저부표면상에 형성된 게이트산화막(14)과, 상기 게이트산화막상에 형성된 폴리실리콘막(15a, 15b)을 포함하는 것을 특징으로 하는 트렌치 DMOS 반도체 장치.
  2. 트렌치 DMOS 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 제1도전형을 갖는 고농도반도체물질의 제1영역(10a)을 준비하는 공정과, 상기 제1영역상에 형성되어 있되, 상기 제1영역의 도전형과 동일한 도전형을 갖는 저농도반도체물질의 제2영역(10b)을 형성하는공정과; 상기 제2영역상에 형성되어 있되, 제2도전형을 갖는 확산층(11)을 형성하는 공정과; 소오스형성용 마스크를 사용하여 상기 확산층(11)의 표면에 제1도전형의 불순물이온을 주입하여 고농도불순물층(12)을 형성하는 공정과; 트렌치형성용 마스크를 사용하여 상기 불순물층(12)과 상기 확산층(11)을 관통하여 상기 제2영역의 상부까지 연장되어 있고 그리고 서로 소정거리 떨어져 있는 적어도 두 개이상의 트렌치(13a, 13b)를 형성하여, 이 트렌치들에 의해서 상기 불순물층(12)은 적어도 세 개의 영역으로 분리되는 공정과; 상기 적어도 두 개이상의 트렌치의 측벽과 저부표면상에 게이트산화막(14)을 형성하는 공정과; 상기 게이트산화막에 폴리실리콘상(15a, 15b)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 소오스형성용 마스크는 포토리소그라피기술에 의해서 형성된 소정 패턴의 유전체막인 것을 특징으로 하는 트렌치 DMOS 반도체 장치의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 유전체막은 실리콘산화막인 것을 특징으로 하는 트렌치 DMOS 반도체 장치의 제조방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 트렌치형성용 마스크는 포토리수그라피기술에 의해서 형성된 소정 패턴의 유전체막인 것을 특징으로 하는 트렌치 DMOS 반도체 장치의 제조방법.
  6. 제2항에 있어서, 상기 유전체막은 실리콘산화막인 것을 특징으로 하는 트렌치 DMOS 반도체 장치의 제조방법.
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