KR890015391A - Mos 트랜지스터의 자기 정합 소스/드레인 컨택트의 형성방법 - Google Patents

Mos 트랜지스터의 자기 정합 소스/드레인 컨택트의 형성방법 Download PDF

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KR890015391A
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치우 찬 티우
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Abstract

내용 없음

Description

MOS 트랜지스터의 자기 정합 소스/드레인 컨택트의 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 N - 및 P -웰을 임플란트(implant)한 후의 초기 기판의 단면도이다. 제 2 도는 N - 및 P -웰 임플란트들을 주입하여 N - 및 P -웰들을 형성한 후의 기판의 단면도이다. 제 3 도는 기판위에 성장된 두꺼운 산화물층을 가지며 활성 영역을 형성하도록 패터닝된 제 2 도 기판의 단면도이다. 제 4 도는 활성 영역을 에칭하고 P -웰에서 ⅤT값을 조정한 후의 제 3 도 기판의 단면도이다. 제 5 도는 기판에 폴리실리콘층이 균일하게 덮히고 상부 산화물층이 그 위에 덮힌 제 4 도 기판의 단면도이다.

Claims (22)

  1. 제 1 구조체 레벨에다 도전성 물질층을 형성시키고, 제 1 구조체 레벨에 있는 도전성 물질 층에다 보호용 절연층을 제공하기 위해 그 위에다 절연성 물질의 켑핑층을 형성시키고 그리고 캡칭층의 상부 표면위에 제 2구조체 레벨을 형성시키며, 적어도 하나의 수직으로 된 벽을 가진 선정된 도전성 구조체를 만들기 위해 도전성 물질 층과 캡핑층을 패터닝시키고, 제 1 구조체 레벨에 있는 도전성 구조체 위에 절연성 물질로 된 균일한 층을 형성시키며, 그리고 도전성 구조체의 수직벽에 있는 균일한 절연층 부분이 제거되지 않게 제 2 구조체 레벨에서 부터 제 1 구조체 레벨까지 수직방향을 따라 아래쪽으로 균일한 절연층을 이방성으로 에칭시키는 것으로 구성되어 있고, 이방성으로 에칭시켜 절연성 물질로 된 측벽층이 남게하고 수직벽에서 부터 절연성축벽층의 두께만큼 떨어져 있는 제 1 구조체의 레벨의 표면이 노출되게 하며, 절연성 측벽층과 도전성 구조체에 남아 있는 캡핑층의 부분이 도전성 구조체의 도전부분을 절연시키게 하고, 그리고 절연성 측벽층의 외부 표면이 캠핑 된 구조체의 수직 벽에서 부터 절연성 측벽층의 두께만큼 떨어져 있는 컨택트 홀의 측벽을 제공하게 하는 것으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 구조체의 제 1 구조체 레벨에서 부터 제 2 구조체 레벨까지 컨택트 홀을 형성시키는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 도전성 물질층과 캡핑층을 패터닝시키는 단계가 절연성 물질로 된 캡핑층의 상부 표면에다 패턴을 만들고, 그리고 정해진 패턴에 따라 제 1 구조체 레벨로 아래쪽을 향해 도전성 물질의 층과 캡핑층을 에칭시키는 것으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 절연성 물질로된 캡핑층과 절연성 물질로 된 균일한 층은 이산화실리콘으로 구성되어 지고 그리고 반도체 구조체는 실리콘 베이스 물질로 구성되어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 제 1 구조체 층은 기판의 표면에 형성 되어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 기판에 두꺼운 산화물층을 형성 시키고, 그리고 수직벽을 가지고 또 제 1 구조체 레벨의 부분이 되는 두꺼운 산화물층의 절연 부분을 형성시키기 위해 두꺼운 산화물층을 패턴시키고 에칭시키며, 절연물질로 된 균일한 층의 절연된 측벽층은 절연부분의 수직벽에 형성되어서 컨텐트홀이 절연 부분의 가장 자리로 부터 절연된 측벽층의 두께만큼 떨어져 있게 하는 것으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 컨택트 홀을 형성시킨 후 반도체 기판상에 도전성 물질로 된 균일한 층을 형성시키고, 그리고 컨택트홀에다 접점을 만들기 위해 도전성 물질층을 패턴시키는 것을 구성하고 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 절연성 물질로 된 캡핑층을 패턴시키고 그리고 패턴된 부분을 제거시켜 내부 레벨 컨택트 홀이 도전성 구조체의 표면에 형성되게 절연성 물질로 된 균일한 층을 형성시키기 전에 제 1 구조체 레벨에 있는 도전성 물질층을 선택적으로 노출시키는 것을 구성하고 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 컨택트홀을 형성시킨 후 반도체 기판에 도전성 물질로 된 균일한 층을 형성시키고, 그리고 컨택트 홀과 내부 레벨 컨택트 홀에 접점을 형성시키기 위해 도전성 물질층을 패턴시키는 것을 구성하고 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 반도체 구조기판을 포함하고 있는 반도체 구조체에서 제 2 즉 상단 구조체 레벨에서 부터 제1 즉 하단 구조체 레벨까지 컨택트를 형성하는 방법에 있어서, 반도체 기판에다 두꺼운 산화물층을 형성시키고, 제 1 레벨에 적어도 하나의 활성 영역을 만들기 위해 두꺼운 산화물층을 패턴시키며, 활성 영역의 경계에서 두꺼운 산화물층의 가장자리로 부터 떨어져 있는 적어도 하나의 수직으로 된 벽을 가지고 있고 또 도전층과 상기 도전층과 겹쳐지는 절연물질로 된 캡핑 층을 가지고 있는 도전성 구조체를 활성 영역 표면의 적어도 한 부분에 형성시키며 제 2 구조체 레벨이 캡핑 층 위에 놓여지게 하고, 도전성 구조체의 수직으로 된 벽에다 측벽 절연층을 형성시켜 상기 측벽 절연 층과 캡핑 층이 도전성 구조체의 도전층의 상단과 측면을 절연시키게 하며, 제 2 구조체 레벨에 도전성 물질로 된 균일한 층을 형성시켜서 제 1 구조체 레벨에 까지 아래로 향하여 뻗게 하여 활성 영역의 노출된 표면과 접촉되게 하고, 그리고 선정된 패턴에 따라 도전성 물질로 된 균일한 층을 패턴시켜 제 2 구조체 레벨에서 부터 제 1 구조체 레벨까지 도전성 컨택트를 형성시키고 또 도전성 구조체의 캡핑 층과 컨택트 오프팅의 경계를 형성하는 측벽 절연층의 외부 표면이 도전성 구조체에 있는 도전층을 도전성 물질로 된 균일한 층으로 부터 전기적으로 절연시키게 하는 것으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 구조체의 제 2 구조체 레벨에서 부터 제 1 구조체 레벨까지 컨택트를 형성하는 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 선정된 영역에서 하부에 있는 도전층을 노출시키기 위해 도전성 구조체상의 캡핑층에 선택 오프닝을 형성시켜 균일한 층이 선택 오프닝에서 도전성 구조체에 있는 도전층의 상단 표면과 접촉되게 하고, 그리고 선택 오프닝을 통해 도전성 구조체에 있는 도전층의 상단표면과 제 2 구조체 레벨이 접촉되게 하기 위해 물질의 균일한 층을 패턴 시키는 것을 구성하고 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 9 항에 있어서, 두꺼운 산화물층에 의해 둘러싸여져 있는 활성 영역을 형성하는 단계가 기판의 표면상에 두꺼운 산화물층을 선정된 두께까지 형성시키고, 활성 영역을 만들기 위해 두꺼운 산화물층의 산단 표면에 마스킹층을 형성시키며, 그리고 활성 영역의 경계에서 두꺼운 산화물층에 수직벽을 형성시키기 위해 마스크에 의해 만들어진 활성 영역과 겹쳐지는 두꺼운 산화물층의 부분을 선택적으로 제거시키는 것을 구성하고 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 구조체 레벨에서 도전성 물질로 된 균일한 층을 형성하기 전에 두꺼운 산화물층의 수직벽에 측벽 절연층을 형성시키는 것을 구성하고 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 9 항에 있어서, 도전성 구조체는 도전층과 활성 영역의 표면 사이에 배치된 절연물질층을 포함하고 그리고 게이트 전극의 소스쪽에서 수직으로 된 표면을 가지며 게이트 전극의 드레인 쪽에서 수직으로 된 표면을 가지는 트랜지스터의 게이트 전극을 구성하고 있으며, 기판에서 부터 게이트 전극의 어느 한쪽에 있는 활성 영역의 표면속으로 반대형의 불순믈을 소량 주입시키고, 도전성 구조체의 수직으로 된 포면에 측벽 절연층을 형성시키는 단계가 소스쪽과 드레인 쪽에 게이트 전극의 수직으로 된 표면상에 측벽 절연층을 형성시키는 것으로 구성되어 있으며, 그리고 기판에서 부터 게이트 전극의 어느 한쪽에 있는 활성 영역 속으로 반대형 도전성의 불순물을 많이 주입시키는 것으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 불순물을 작게 주입시키고 그리고 불순물을 많이 주입시키는 방법이 이온 주입 기술을 구성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 도전성 구조체의 수직으로 된 표면에 측벽 절연층을 형성시키는 단계가 활성 영역의 표면에 선정된 두께의 산화물로 된 균일한 층을 형성시키고 그리고 수평 표면상에 있는 산화물로 된 균일한 층을 제거시키기 위해 요구되는 선정된 시간 동안 수직 방향으로 산화물로 된 균일한 층을 이방성으로 에칭시켜 도전성 구조체에 있는 절연물질로 된 캡핑 층이 완전히 제거되지 않게 하고 그리고 노출된 표면의 활성 영역이 구조체의 수직 표면에서 부터 산화물로 된 균일한 층의 두께 만큼 떨어지게 하는 것으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제 9 항에 있어서, 도전성 구조체를 형성시키는 단계가 활성 영역의 표면에 도전층을 디포지트시키고, 도전층 위에 절연층을 형성시키며, 도전층 구조체를 만들기 위해 도전층과 절연층이 결합된 층을 패턴시키고, 그리고 선정된 도전성 구조체 패턴에 따라 적어도 하나의 수직으로 된 표면을 가지는 전성 구조체를 형성시키기 위해 절연층과 도전층이 결합된 층을 에칭시키는 것으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 도전층을 형성시키는 단게가 활성 영역의 표면에서 실리사이드 층을 디포지트시키는 것으로 되어 있고 그리고 절연층을 형성시키는 단계가 실리콘 기판으로 된 황설 영역의 표면위에 이산화 실리콘층을 디포지트 시키는 것으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 두꺼운 절연층으로 감싸여져 있는 활성영역을 기판에 형성시키고, 활성 영역과 두꺼운 절연층위에 게이트 절연물질층을 형성시키며, 게이트 절연물질층의 표면위에 도전성 물질로 된 제 1 의 균일한 층을 형성시키고, 도전성 물질로 된 제 1층위에 절연물질로 된 캡핑층을 형성시키며, 수직으로 된 측벽을 가진 활성 영역에 게이트 전극을 형성시키기 위해 절연물질로 된 캡핑층, 도전물질로 된 제 1 층 및 게이트 절연물질로 되어 있는 결합된 층을 패턴 및 에칭시키고, 작게 도핑된 소스/드레인 영역을 만들기 위해 게이트 전극의 양쪽에 있는 활성 영역속에 기판의 도전성에 반대인 도전성의 불순물을 소량 주입시키며, 게이트 전국의 수직으로 된 측벽에 선정된 두께까지 측벽 절연물질층을 형성시키고, 많이 도핑된 소스/드레인 영역을 형성시키기 위해 게이트 전극의 양쪽에 있는 활성 영역속에 기판의 도전성에 반대인 도전성으로된 불순물을 많이 주입시키며, 도전물질로 된 제 2 층이 게이트 전극에서 부터 측벽 절연불질의 두께만큼 떨어져 있는 활성 영역의 표면과 접촉되도록 기판과 형상이 같은 두꺼운 절연층, 측벽 절연층, 활성 영역 및 게이트 전극 위에 도전성 물질로 된 제 2 의 균일한 층을 형성시키고, 그리고 기판 표면 위의 제 2 레벨에서 부터 많이 주입된 소스/드레인 영역에 까지 연결패턴과 컨택트를 제공하기 위해 선정된 패턴에 따라 도전성 물질로 된 제 2 층을 패턴 및 에칭시키는 것으로 구성되는 것을 특징으로 하는 자기 정합 컨택트를 가진 직적회로 MOS트랜지스터를 형성시키는 방법.
  19. 제18항에 있어서, 활성 영역을 형성시키는 단계가 기판의 표면 위에 두꺼운 산화물층을 형성시키고, 활성 영역의 경계에 있는 두꺼운 산화물층이 수직으로 된 표면을 가지게 활성 영역과 겹쳐지는 두꺼운 산화물층의 부분을 제거하기 위해 두꺼운 산화물층을 패턴 및 에칭시키는 것으로 구성되어 있고, 그리고 게이트 전극에 있는 수직으로 된 표면에 측벽 절연물질층을 형성시키는 단계가 두꺼운 산화물층을 패턴 및 에칭시킨 후 그 두꺼운 산화물층의 수직으로 된 표면상에 측벽 절연층을 형성시키는 것으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제18항에 있어서, 게이트 절연물질과 절연물질로 된 캡핑층이 산화물이고 그리고 도전물질로 된 제 1 층은 도핑된 폴리 실리콘으로 되는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제18항에 있어서, 측벽 절연물질층을 형성하는 단계가 게이트 전극, 활성 영역 및 두꺼운 절연층 위에 산화 물로 된 균일한 층을 형성시키고, 그리고 수직으로 된 표면에 있는 균일한 층의 부분은 에칭되지 않게 하면서 수평으로 된 표면에 있는 산화물로 된 균일한 층의 부분을 제거하기 위해 산화물로 된 균일한 층을 이방성으로 에칭시키는 것으로 구성되어 있고, 상기 이방성으로 에칭시키는 단계는 게이트 저극에 남아있는 절연물질로 된 갭핑 층의 최소부분만이 제거되게 산화물로 된 균일한 층의 두께가 제거될때 정지되게 되어있는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제18항에 있어서, 패턴시키기 전에 도전물질로 된 하부에 있는 제 1 층의 표면을 노출시키기 위해 절연 물질로 된 캡핑층의 선택된 영역을 제거시키고, 그리고 도전물질로 된 제 2 층이 선택된 영역에 있는 도전물질층의 표면과 접촉하도록 게이트 전극을 형성시키는 것으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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