KR920015421A - 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 단면도.
Claims (4)
- 활성영역과 비활성영역을 구비한 반도체 기판상에 형성된 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 상기의 활성영역 하부에 형성된 제2도전형의 매몰층(212)과 접촉된 콜렉터 접촉영역(24)과, 상기의 활성영역(25)에 형성된 베이스(27)가 활성영역(25)에 인접됨을 하는 바이폴라 트랜지스터.
- 제1도전형의 반도체 기판에 제2도전형의 매몰층을 가지는 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 상기의 반도체 기판내에 상기매몰층(22) 상부에 형성된 제1도전형의 활성영역(25)과, 상기 활성영역(25)을 제외한 나머지영역에 형성된 비활성영역(23)과, 상기 활성영역(25)내에 형성된 고농도의 제2도전형의 확산영역(26)과 상기 비활성영역(23)에 형성되고 상기 활성영역(25)에 인접하는 고농도의 제1도전형의 확산영역(27)을 구비함을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
- 상기 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2도전형의 확산영역이 각각 바이폴라 트랜지스터의 베이스 및 에미터가 됨을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
- 제1도전형의 기판상면에 제1절연막(31)을 형성한 후 소정의 부분을 식각한 다음 제2도전형의 매몰층(22)을 형성하는 제1공정과, 상기 제1절연막을 제거한 후 기판상면에 제1도전형의 에피택셜층(23)을 형성하는 제2공정과, 상기 에피택셜층(23) 상면에 제2절연막(32)을 형성한 후 소정의 부분을 식각한 후 제2도전형의 불순물을 주입한 다음 확산하여 콜렉터 접촉영역(24)을 형성하는 제3공정과, 상기 제2절연막(32)을 제거한 후 상기의 기판상면에 제3절연막(33)을 형성한 후 제1도전형의 활성영역(25)을 형성하는 제4공정을 구비하는 바이폴라 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 상기 제3절연막(33)을제거한 후 기판상면에 제4절연막(34)을 형성한 다음 소정의 부분을 식각하여 상기 활성영역(25)에 인접하고 비활성영역에고농도의 제1도전형의 확산영역을 형성하는 제6공정과, 상기 제5절연막(35)을 제거한 후 기판상면에 제6절연막(36)을 형성한 다음 각각의 전극이 접촉된 부분을 식각하여 금속전극(28,29,30)을 형성하는 제7공정으로 이루어짐을 특징으로 하는바이폴라 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Publications (2)
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| KR920015421A true KR920015421A (ko) | 1992-08-26 |
| KR940006674B1 KR940006674B1 (ko) | 1994-07-25 |
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ID=19309521
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| KR1019910000136A KR940006674B1 (ko) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR940006674B1 (ko) |
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1991
- 1991-01-08 KR KR1019910000136A patent/KR940006674B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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|---|---|
| KR940006674B1 (ko) | 1994-07-25 |
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