KR920013795A - 화합물 반도체소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 이 발명에 따른 화합물 반도체소자의 수직단면도
Claims (10)
- 이종접합 바이폴라 트랜지스터와 레이저다이오드를 구비한 화합물 반도체소자에 있어서, 반절연성 화합물 반도체 기판상에 전표면에 형성되어 이종접합바이폴라 트랜지스터의 부콜렉터영역 및 레이저다이오드의 기판이 되는 제1도전형의 제1반도체층과, 상기 제1반도체층의 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 영역상에 형성되며 콜렉터영역이 되는 제1도전형의 제2반도체층과, 상기 제2반도체층의 상부에 형성되며 베이스영역이 되는 제2도전형의 제3반도체층과, 상기 제3반도체층의 상부에 형성되며 에미터영역이 되는 제1도전형의 제4반도체층과, 상기 제4반도체층이 상부에 형성되며 캡층이 되는 제1도전형의 제5반도체층과, 상기 제5반도체층 상부의 소정부분에 형성된 T자형의 에미터전극과, 상기 에미터전극을 이온주입마스크로 이용하여 상기 제2반도체층과 소정두께가 겹치도록 형성된 제2도전형의 이온주입영역과, 상기 이온주입영역의 상부에 형성된 베이스전극과, 상기 노출된 제1반도체층상의 일측에 상기 반절연성 화합물 반도체 기판과 겹치도록 형성된 소자분리영역과, 상기 이종접합 바이폴라 트랜지스터 영역과 홈에 의해 소정거리 이격되어 제1반도체층의 레이저 다이오드의 영역상에 형성되며 제1도전형의 클래드층이 되는 제2반도체층과, 상기 제2반도체층의 상부에 형성되며 활성층이 되는 제1도는 제2도전형의 제6반도체층과, 상기 제6반도체층의 상부에 형성되며 제2도전형의 클래드층이 되는 제7반도체층과, 상기 제7반도체층의 상부에 형성되며 캡층이 도는 제2도전형의 제8반도체층과, 사기 제8반도체층상의 소정부분을 제외한 영역상에 형성된 절연막과, 상기 절연막의 상부에 형성되며 상기 제8반도체층이 소정부분과 접촉되는 제2도전형전극과, 상기 절연막의 하부에 상기 제2반도체층과 겹치도록 형성된 고저항 영역과, 상기 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 영역과 레이저 다이오드의 영역사이의 노출된 제1반도체 기판상에 형성되며 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터전극 및 레이저 다이오드의 제1도전형 전극으로 이용되는 공통전극으로 구성됨을 특징으로 하는 화합물 반도체소자.
- 제1항에 있어서, 상기 반절연성 화합물 반도체 기판은 GaAs임을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형은 N형이고, 제2도전형은 P형임을 특징으로 하는 화합물 반도체소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1, 제3, 제5, 제6및 제8반도체층은 GaAs층이고, 제2, 제4 및 제7반도체층은 AlGaAs층임을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 소자분리영역 및 고저항영역은 B또는 H이온주입영역임을 특징으로 하는 화합물반도체 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막은 SiO2또는 Al2O3임을 특징으로 하는 화합물 반도체소자.
- 이종접함 바이폴라 트랜지스터와 레이저 다이오드를 구비한 화합물 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 반절연성 화합물 반도체 기판의 전표면에 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5반도체층을 순차적으로 형성한 후 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 영역과 레이저다이오드의 영역을 제외한 부분을 매사에칭하여 제1반도체층을 노출시키는 공정과, 상기 레이저 다이오드의 영역을 제5, 제4 및 제3반도체층을 선택적 에칭하는 공정과 전술한 구조의 전표면에 제6, 제7 및 제8, 반도체층을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 레이저 다이오드의 영역 이외의 영역에 형성된 제8, 제7및 제6반도체층을 선택적 에칭하는 공정과, 상기 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 영역과 레이저 다이오드의 영역사이 이외의 노출된 제1반도체층 및 상기 제8반도체층의 소정부분을 제외한 부분에 이온주입하여 소자분리영역과 고저항영역을 형성하는 공정과, 상기 고저항영역의 상부에 절연막을 형성하는 공정과 상기 제5반도체층의 상부에 T자형의 에미터전극을 형성하는 공정과, 상기 에미터전극을 이온주입마스크로 이용하여 상기 제2반도체층과 겹치도록 제2도전형의 이온주입영역을 형성하는 공정과, 상기 제2도전형의 이온주입영역상에 베이스 전극을 형성하는 공정과, 상기 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 영역과 레이저 다이오드의 영역 사이의 노출된 제1반도체층의 표면에 공통전극에 형성함과 동시에 상기 절연막의 상부에 상기 제8반도체층의 소정부분과 접촉되는 제2도전형전극을 형성하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 화합물 반도체소자의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제4 및 제5반도체층을 제1도전형의 층이고, 상기 제3, 제7 및 제8반도체층은 제2도전형의 층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체소자의 제조방법.
- 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 제1도전형은 N형이고, 제2도전형은 P형임을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 제6반도체층은 도전형이 N형 또는 P형 중 어느 하나임을 특징으로 하는 화합물 반도체소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900020452A KR940005801B1 (ko) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | 화합물 반도체소자 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900020452A KR940005801B1 (ko) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | 화합물 반도체소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920013795A true KR920013795A (ko) | 1992-07-29 |
| KR940005801B1 KR940005801B1 (ko) | 1994-06-23 |
Family
ID=19307428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900020452A KR940005801B1 (ko) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | 화합물 반도체소자 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940005801B1 (ko) |
-
1990
- 1990-12-13 KR KR1019900020452A patent/KR940005801B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940005801B1 (ko) | 1994-06-23 |
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