KR920013827A - 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

레이저 다이오드 및 그 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 이 발명에 따른 TJS구조를 갖는 레이저 다이오드의 수직단면도, 제3(A)~(C)도는 이 발명에 따른 TJS구조를 갖는 레이저 다이오드의 제조공정도이다

Claims (5)

1. 레이저 다이오드에 있어서, V-채널이 형성된 반절연성 화합물 반도체 기판상의 상부에 형성되어 제1클래드층이 되는 제1도전형의 제1반도체층과, 상기 제1반도체층의 상부에 형성되어 활성층이 되는 제1도전형의 제2반도체층과, 상기 제2반도체층의 상부에 형성되어 제2클래드층이 되는 제1도전형의 제3반도체층과, 상기 제3반도체층의 상부에 형성되어 캡층이 되는 제1도전형의 제4반도체층과, 상기 제4반도체층의 일측 상부에서 제1반도체층의 소정두께가 겹치고 두단계 확산되어 고농도 부분과 저농도부분으로 구별되는 제2도전형 확산영역과, 상기 제2도전형 확산영역의 상부에 형성된 제2도전형의 전극과, 상기 제4반도체층의 타측 부분상에 형성된 제1도전형의 전극으로 이루어짐을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
2. 제1항에 있어서, 상기 반 절연성 화합물을 반도체 기판은 GaAs임을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
3. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형은 N형이고, 제2도전형은 P형임을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
4. 레이저 다이오드 제조방법에 있어서, 반절연성 화합물 반도체 기판을 메사에칭하여 V-채널을 형성하는 공정과, 상기 V-채널이 형성된 반절연성 화합물 기판의 전면표면에 제1, 제2, 제3, 제4반도체층을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 제4반도체층의 상부에서 제1반도체층과 소정두께가 겹친 제2도전형의 확산영역을 형성하는 공정과, 상기 제2도전형 확산영역의 상부에 제2도전형 전극을 상기 제4반도체 층의 타측 부분상에 제1도전형전극을 각각 형성하는 공정이 이루어짐을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 반도체층들은 LPE방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.