KR920009008A - 레이저 다이오드의 제조방법 - Google Patents
레이저 다이오드의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (A)-(D)는 이 발명에 따른 TS형 레이저 다이오드의 제조공정도이다.
Claims (4)
- 제 1도전형의 반도체 기판 (1)상에 제2도전형의 반도체층을 형성한후 소정부분을 기판(1)과 함께 메사에칭하여 제1전류저한층(7)을 형성하는 공정과: 상기 구조의 전표면에 사기 제1전류제한층(7)과 동일한 층을 형성한 후 통상의 방법에 의해 메사에칭하여 제2전류제한층(8)을 형성하는 공정과: 상기 기판(1)과 제1,제2전류제한층(7),(8)의 상부에 제1도전형의 제1클레드층(2). 제1또는 제2도전형의 활성층(3), 제2도전형의 제2클레드층(4) 및 제2도전형의 캡층 (9)을 순차적으로 형성하는 공정과: 상기 캡층 (9) 상부에 제2도전형의 전극 (10)을. 상기 기판 (1) 하부에 제1도전형의 전극 (11)을 각각 형성하는 공정과;로 되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 각각의 층들의 MBE또는 MOCVD방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1클레드층 (2)은 상기 제1, 제2전류제한층 (7), (8)의 상부보다 노출된 기판(1) 상부에서 두껍게 형성함을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 활성층 (3)은, 상기 제1, 제2 클레드층 (2). (4)보다 굴절률이 큰 물질로 형성함을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900016460A KR920009008A (ko) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 레이저 다이오드의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900016460A KR920009008A (ko) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 레이저 다이오드의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920009008A true KR920009008A (ko) | 1992-05-28 |
Family
ID=67739253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900016460A KR920009008A (ko) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 레이저 다이오드의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920009008A (ko) |
-
1990
- 1990-10-15 KR KR1019900016460A patent/KR920009008A/ko not_active IP Right Cessation
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