KR900008911A - 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

발광다이오드 어레이 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 발광다이오드 어레이의 사시도.
제2도는 본 발명에 따른 발광다이오드 어레이의 사시도.
제3(A)-(E)도는 본 발명에 따른 제조공정도.

Claims (2)

  1. 반도체 기판상에 형성되는 발광다이오드 어레이에 있어서, 상기 반도체기판(11)상에 이종접한을 이루는 제1도전형의 발광층(12)과 제2도전형의 투과층(13)과, 상기 제2도전형의 투과층(13) 상부에 제2도전형의 전극(19)과의 전기적 접촉을 좋게하기 위한 제2도전형의 캡층(15)과, 상기 제2도전형의 투과층(13) 내부에 소자간의 분리하기 위란 제1도전형의 확산영역(17)과, 상기 제2도전형의 캡층(15)을 제외한 전표면에 형성된 절연막(18)과, 상기 제1도전형의 반도체기판(11) 하부에 제1도전형의 공통전극(20)으로 구비됨을 특징으로 하는 발광다이오드 어레이.
  2. 반도체 기판상부에 발광다이오드 어레이의 제조방법에 있어서, 상기 제1도전형의 반도체기판(11) 상부에 제1도전형의 발광층(12)과, 상기 제1도전형과 반대도전형인 제2도전형인 발광층(13)과 제2도전형의 캡층으로 이루어진 캡층(14)을 형성하는 제1공정과, 상기 제2도전형의 캡층(14)의 소정부분을 식가하여 소정의 형상으로 가공한 캡층(15)을 형성하는 제2공정과, 상기 제2도전형의 투과층(13)의 소정부분을 제1도전형의 불순물을 주입하여 제1도전형으로 반전된 확산영역(17)을 형성하는 제3공정과, 상기 투과층(13) 상부에 상기 캡층(15)을 제외한 전표면에 산화막(18)을 형성하는 제4공정과, 상기 캡층(15) 상부에 제2도전형의 전극(19)과, 상기 제1도전형의 반도체기판 (11) 하부에 제1도전형의 공통전극(20)을 형성하는 제5공정을 구비하여 상기 공정의 연속으로 이루어짐을 특징으로 하는 발광다이오드 어레이의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100291911B1 (ko) * 1994-07-26 2001-09-17 김순택 반도체발광소자를이용한표시소자

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5449926A (en) * 1994-05-09 1995-09-12 Motorola, Inc. High density LED arrays with semiconductor interconnects
US5453386A (en) * 1994-05-09 1995-09-26 Motorola, Inc. Method of fabrication of implanted LED array
US5472886A (en) * 1994-12-27 1995-12-05 At&T Corp. Structure of and method for manufacturing an LED
TW456058B (en) * 2000-08-10 2001-09-21 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and the manufacturing method thereof

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3636617A (en) * 1970-03-23 1972-01-25 Monsanto Co Method for fabricating monolithic light-emitting semiconductor diodes and arrays thereof
JPS60229368A (ja) * 1984-04-27 1985-11-14 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
JPS62184763U (ko) * 1986-05-16 1987-11-24
US4755485A (en) * 1986-05-27 1988-07-05 Hewlett-Packard Company Method of making light-emitting diodes
DE3727488C2 (de) * 1987-08-18 1994-05-26 Telefunken Microelectron Optoelektronisches Bauelement

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100291911B1 (ko) * 1994-07-26 2001-09-17 김순택 반도체발광소자를이용한표시소자

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