DE3727488C2 - Optoelektronisches Bauelement - Google Patents
Optoelektronisches BauelementInfo
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- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
Description
Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauele
ment gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Ein
solches Bauelement ist aus der US 4 145 707 bekannt.
Optoelektronische Bauelemente werden zunehmend in ver
schiedenen Bereichen und für vielfältige Aufgaben ein
gesetzt. So werden beispielsweise Lumineszenzdioden als
Indikatorlämpchen und Displays sowie zum Aufbau von
Zeilenanordnungen und flachen Bildschirmen eingesetzt.
Fig. 1 zeigt eine schematische Zeilenanordnung aus
Lumineszenzdioden für die Verwendung als Druckkopf, wie
es aus dem Buch "Light Emitting Diodes, An Introduc
tion" von K. Gillessen und W. Schairer, erschienen im
Verlag Prentice-Hall International, 1987, Seite 225,
Fig. 7-9 bekannt ist. Hierbei sind in einem Halb
leiterkörper 1 die Leuchtdioden bildende pn-Übergänge 2
ausgebildet, die sich zu einer mit einer Passivierungs
schicht 3 bedeckten Oberfläche erstrecken, wo durch die
pn-Übergänge 2 die emittierenden Flächen der Leucht
dioden definiert werden und sich innerhalb dieser
Flächen die Kontaktierungsfenster 6 in der Passi
vierungsschicht 3 befinden. Der Rückseitenkontakt 4 be
deckt ganzflächig die Rückseite des Halbleiters 1,
während die Vorderseitenkontakte 5 rahmenförmig um
jedes Kontaktfenster 6 gelegt sind und jeweils an einer
Seite der Kontaktierungsfenster 6 in eine Leitbahn 7
übergehen.
Die Kontaktierung der einzelnen Lumineszenzdioden nach
diesem Stand der Technik weisen wesentliche Nachteile
auf. Einerseits wird ein großer Teil der emittierenden
Fläche 2 durch den Kontakt 5 abgedeckt, wodurch die
mittlere Lichtleistung relativ niedrig ist. Anderer
seits hängt die abgestrahlte Lichtleistung, die Gleich
mäßigkeit der Lichtleistung aller Lumineszenzdioden
sowie die elektrisch kontaktierte Fläche von einer
exakten Justierung der Kontakte ab, während Fehljustie
rungen zu erheblichen Ungleichmäßigkeiten führen.
Die gleichen Nachteile weist auch die aus der schon
genannten US 4 145 707 bekannte Lumineszenzdioden (LED)-Anordnung
zur Darstellung alphanumerischer Zeichen auf. Bei
dieser Anordnung verläuft der Kontaktsteg entlang des
Randes des Kontaktfensters, wobei ein Teil des Kontakt
steges in dem Kontaktfenster und ein Teil auf der das
Kontaktfenster umgebenden Isolierschicht ausgebildet
ist.
Der Vollständigkeit halber sei auch die US 3 737 704
genannt, die ebenfalls eine LED-Anordnung betrifft,
dessen Leuchtdioden matrixartig in Reihen und Spalten
angeordnet sind. Die Leuchtdioden weisen anstelle von
Kontaktfenstern übliche, in einer Passivierungsschicht
angeordneten Kontaktöffnungen auf. Schmal ausgeführte
Kontaktstege werden über diese Kontaktöffnungen ge
führt, wobei deren Lage durch diese Kontaktöffnungen
bestimmt werden. Eine Fehljustierung kann daher zum
Ausfall eines solchen LED-Elementes führen, oder es muß
sichergestellt sein, daß die Kontaktstege so breit aus
geführt sind, daß trotz Fehljustierung die Kontakt
öffnung von dem Kontaktsteg getroffen wird. Dies be
dingt jedoch eine entsprechende Breite des Kontakt
steges, so daß dies die mittlere Lichtleistung redu
ziert.
Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, ein
optoelektronisches Bauelement der eingangs genannten
Art anzugeben, bei dem die
Gleichmäßigkeit der Lichtleistung auch bei einer Fehl
justierung gewährleistet ist.
Diese Aufgabe wird bei einem optoelektronischen Bauele
ment der eingangs beschriebenen Art durch die kenn
zeichnenden Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst.
In vorteilhafter Weise führen Fehljustierungen
in beiden Richtungen von fast der halben
Breite des Kontaktierungsfensters nicht zu einer
Veränderung der Lichtleistung.
In einer vorteilhaften Weiterbildung kann der Kontakt
steg so schmal ausgebildet sein, daß er höchstens ein
Viertel der Fläche des Kontaktierungsfensters bean
sprucht. Der Kontaktsteg geht vorzugsweise einseitig in
eine sich konisch erweiternde Anschlußleitbahn über,
wobei bei einem geeigneten Ausführungsbeispiel die
Breite des
Kontaktsteges zwischen 5 und 10 µm gewählt werden kann,
falls die Kontaktierungsfenster quadratisch mit einer
Kantenlänge von ca. 40 µm ausgebildet sind.
In Weiterbildung der Erfindung können eine Vielzahl von
in einer Reihe angeordneten und in einem gemeinsamen
Halbleiterkörper integrierten Leuchtdioden mit Kontakt
stegen versehen werden, wobei sie parallel zueinander
verlaufen und die Anschlußleitbahnen jeweils abwechselnd
auf beiden Seiten der Leuchtdiodenreihe angeordnet sind.
In besonders vorteilhafter Weise kann ein optoelektroni
sches Bauelement nach der Erfindung zum Aufbau von
Displays, Druckerzeilen und Bildschirmen verwendet werden.
Das optoelektronische Bauelement nach der Erfindung wird
nachstehend anhand eines Ausführungsbeispieles unter
Bezugnahme auf die Zeichnungen näher beschrieben. Es zeigt
Fig. 2a eine perspektivische Teilansicht einer erfin
dungsgemäßen Lumineszenzdiode,
Fig. 2b eine Schnittdarstellung entlang der Schnittlinie
AB der Lumineszenzdiode gemäß Fig. 2a, und
Fig. 2c eine Draufsicht von zwei benachbarten Lumines
zenzdioden gemäß Fig. 2a.
Die Fig. 2a-2c zeigen einen Halbleiterkörper 1 aus
einkristallinem Halbleitermaterial aus Silizium oder
Galliumarsenid in dem eine oder mehrere Dioden durch
Eindiffusion oder Implantation von pn-Übergängen 2 ge
bildet werden. Die pn-Übergänge 2, die im wesentlichen
die emittierende Fläche der Leuchtdioden begrenzen, er
strecken sich zu einer mit einer Passivierungsschicht 3
abgedeckten Oberfläche, in der sich innerhalb der von den
pn-Übergängen definierenden Fläche Kontaktierungsfenster 6
befinden. Die Kotaktierungsfenster 6 sind beispielsweise
quadratisch mit einer Kantenlänge von ca. 40 µm ausge
bildet. Der Rückseitenkontakt 4 bedeckt ganzflächig die
Rückseite des Halbleiterkörpers 1, während der Vorder
seitenkontakt als schmaler Kontaktsteg 5a mit einer
Breite von ca. 8 µm ausgebildet ist. Dieser Kontaktsteg
5a ist dabei derart quer über das Kontaktierungsfenster 6
geführt, daß er beidseitig mit ca. 10 µm über dieses
Kontaktierungsfenster hinausragt, wie die Fig. 2b, zeigt.
Der Kontaktsteg 5a geht dann einseitig in eine sich
konisch erweiternde auf der Passivierungsschicht 3 ver
laufende Anschlußleitbahn 7 über, die eine Breite von ca.
40 µm aufweist, wie dies aus Fig. 2a und 2c deutlich zu
erkennen ist.
Die Fig. 2c zeigt außerdem, daß der Kontaktsteg 5a
zentrisch über das Kontaktierungsfenster 6 geführt ist
um größtmögliche Fehljustierungen der Kontaktstege zuzu
lassen. Die Fig. 2c zeigt mit 2 Dioden einen Ausschnitt
aus einer reihenförmigen Diodenzeile, wobei die Anschluß
leitbahnen 7 wechselweise auf gegenüberliegenden Seiten
der Reihe angeordnet sind.
Bei der erfindungsgemäßen Kontaktstruktur ist die abge
strahlte Lichtleistung relativ hoch, da nur ein geringer
Teil der lichtemittierenden Fläche 6 durch den schmalen
Kontaktsteg abgedeckt wird.
Eine Fehljustierung der Kontaktstege 5a in x- als auch in
y-Richtung beeinflußt weder die abgestrahlte Lichtleistung
und die elektrisch kontaktierte Fläche, noch die Gleich
mäßigkeit der Lichtleistung aller Lumineszenzdioden einer
Zeile. Dies liegt daran, daß der Kontaktsteg sowohl in x-
als auch in y-Richtung um eine Strecke Δx bzw. Δy fehl
justiert werden kann, ohne daß sich dadurch die Größe der
abgedeckten lichtemittierenden Fläche ändert. Darüber
hinaus können bei einer Lumineszenzdiodenzeile die einzel
nen Kontakte 5a gegeneinander um einen kleinen Winkel
verdreht sein, ohne die Ungleichmäßigkeit der Licht
leistung zu erhöhen.
Durch diese Kontaktstruktur der erfindungsgemäßen Lumines
zenzdiode werden somit alle durch den Stand der Technik
bedingten Nachteile vermieden.
Claims (8)
1. Optoelektronisches Bauelement aus einem
mindestens einen pn-Übergang (2) enthaltenden
Halbleiterkörper (1) mit einem
Rückseitenkontakt (4) am Halbleiterkörper
(1) und einem Vorderseitenkontakt (5)
in einem in einer Passivierungsschicht
(3) befindlichen, im wesentlichen dem
lichtemittierenden Bereich entsprechenden
Kontaktierungsfenster (6), wobei dessen
Rand benachbart zum Rand des lichtemittierenden
Bereichs verläuft,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Vorderseitenkontakt (5) aus einem
schmalen, nur einen geringen Teil des
lichtemittierenden Bereichs abdeckenden
Kontaktsteg (5a) gebildet ist,
daß dieser Kontaktsteg (5a) im wesentlichen
zentrisch im Kontaktierungsfenster (6) angeordnet
ist und daß
dieser Kontaktsteg (5a) derart über das
Kontaktierungsfenster (6) geführt ist, daß
er lediglich an den Stellen den Rand
des Kontaktierungsfensters (6) berührt, an
denen er in Längsrichtung über das
Kontaktierungsfenster (6) hinausragt.
2. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Kontaktsteg (5a) so schmal ausge
bildet ist, daß er höchstens ein Viertel der Fläche des
Kontaktierungsfensters (6) beansprucht.
3. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß der Kontaktsteg (5a) in eine
sich konisch erweiternde Anschlußleitbahn (7) übergeht.
4. Optoelektronisches Bauelement nach einem der voran
gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem
quadratisch ausgebildeten Kontaktierungsfenster (6) mit
einer Kantenlänge von ca. 40 µm die Breite des Kontakt
steges (5a) zwischen 5 und 10 µm beträgt.
5. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß der Kontaktsteg (5a) eine Breite
von ca. 8 µm aufweist.
6. Optoelektronisches Bauelement nach einem der voran
gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine
Vielzahl von in einer Reihe angeordneten und in einem
gemeinsamen Halbleiterkörper (1) integrierten Leucht
dioden mit Kontaktstegen (5a) versehen sind.
7. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 6, dadurch
gekennzeichnet, daß die Kontaktstege (5a) der Leuchtdioden
auf dem Halbleiterkörper (1) parallel zueinander verlaufen,
wobei die Anschlußleitbahnen (7) jeweils abwechselnd auf
beiden Seiten der Leuchtdiodenreihe angeordnet sind.
8. Verwendung des optoelektronischen Bauelementes nach
einem der vorangehenden Ansprüche zum Aufbau von
Displays, Druckerzeilen und Bildschirmen.
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