JPH1126814A - 発光ダイオード - Google Patents

発光ダイオード

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Publication number
JPH1126814A
JPH1126814A JP17270297A JP17270297A JPH1126814A JP H1126814 A JPH1126814 A JP H1126814A JP 17270297 A JP17270297 A JP 17270297A JP 17270297 A JP17270297 A JP 17270297A JP H1126814 A JPH1126814 A JP H1126814A
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JP
Japan
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electrode
light emitting
substrate
pattern
emitting diode
Prior art date
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Pending
Application number
JP17270297A
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English (en)
Inventor
Keiichi Koya
恵一 小屋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Priority to US09/055,986 priority patent/US6078061A/en
Publication of JPH1126814A publication Critical patent/JPH1126814A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光ダイオードの電極を形成する際のパター
ニングでは、基板の平坦性が良くないことから、電極と
発光部との接続部で合わせずれを生じていたため、電極
と発光部との接続が不十分となることがあった。 【解決手段】 基板１１上に形成した絶縁膜１２と、絶
縁膜１２に形成した開口部３１の基板表面側に設けた発
光部１３と、開口部３１を通して発光部１３に接続する
電極（Ｐ電極）１４とを備えた発光ダイオード１０であ
って、基板１１が露出される開口からなるパターンずれ
検出パターン１５をＰ電極１４に対して発光部１３とは
反対側の絶縁膜１２に設け、Ｐ電極１４と発光部１３と
の接触抵抗値が所定値以上になる状態にＰ電極１４がパ
ターンずれ検出パターン１５側にずれて形成された場合
にこのＰ電極１４の一部がパターンずれ検出パターン１
５にかかるように、上記パターンずれ検出パターン１５
が形成されているものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードに
関し、詳しくはＬＥＤ（Light Emitting Diode）プリン
タ等の光源として用いられる発光ダイオードアレイの発
光ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の面発光ダイオードアレイの発光ダ
イオードは、以下のような構成を成している。発光ダイ
オードの基板はＮ型のガリウムヒ素リン（ＧａＡｓＰ）
／ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板からなる。その基板上
には選択拡散法に用いる拡散マスクとなる絶縁膜が形成
されている。その絶縁膜に形成されている開口部よりＰ
型不純物を基板中に拡散させることによって、上記基板
にはＰ+ 型の発光部が形成されている。さらに上記絶縁
膜を中間絶縁膜として用いて、上記発光部に接続する電
極が絶縁膜上に形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記電
極を形成する際に、フォトリソグラフィー技術を用いて
電極形状にパターニングを行うが、基板の平坦性が良く
なく、例えば３インチウエハでは１００μｍ〜２００μ
ｍ程度の反りを生じているものもあるため、電極と発光
部との接続部では合わせずれを生じることがある。その
ため、電極と発光部との接続が不十分となることがあっ
た。
【０００４】上記課題の発生は、発光ダイオードの特性
に大きな影響を及ぼす。例えば、図９に示すように、絶
縁膜１１２に形成された開口部１３１より臨むＰ+ 型の
発光部１１３に電気的に接続される電極１１４がずれて
形成されて、発光部１１３と電極１１４との接続部１１
５の面積が極端に小さくなった場合には、その接触抵抗
の増大による順電圧（ＶF ）の上昇、さらには電流密度
の上昇によるマイグレーションの加速によって寿命の悪
化等が起こる。
【０００５】これに対して光電特性選別（プロービン
グ）で、順電圧の上昇を検出して除去する方法がある
が、順電圧の上昇値は、プローブ針（図示省略）と電極
１１４との接触抵抗により変動するため、正確に判断す
ることができない。また順電圧のプロービング規格をパ
ターンずれ検出のために低く設定した場合には、プロー
ブ針の接触抵抗のために多数の不良判定（誤判定）をす
ることになるので実用的ではない。したがって、従来で
は、接続部１１５の面積の判定を顕微鏡を用いた目視検
査による外観選別に頼っていた。しかしながら、外観選
別は、多大な工数が必要なこと、官能検査であるために
不確実であること等の課題を有していた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するためになされた発光ダイオードである。すなわち、
第１の発光ダイオードは、基板上に形成されている絶縁
膜と、この絶縁膜に設けられている開口部より臨む基板
の表面側に形成されている発光部と、この開口部を通し
て発光部に接続されているもので絶縁膜上に形成されて
いる電極とが備えられているものであって、基板が露出
される開口からなるパターンずれ検出パターンが電極に
対して発光部とは反対側の絶縁膜に形成されている。し
かもこのパターンずれ検出パターンは、電極と発光部と
の接触抵抗値が所定値以上になる状態に電極がパターン
ずれ検出パターン側にずれて形成された場合にこの電極
の一部がパターンずれ検出パターンにかかる位置に、形
成されているものである。
【０００７】第２の発光ダイオードは、基板上に形成さ
れている絶縁膜と、この絶縁膜に設けられている開口部
より臨む基板の表面側に形成されている発光部と、この
開口部を通して発光部に接続されているもので絶縁膜上
に形成されている電極とが備えられているものであっ
て、基板を露出する開口からなる基板開口部を電極に対
して発光部とは反対側の絶縁膜に設けたもので、電極
は、この電極と発光部との接触抵抗値が所定値以上にな
る状態に電極が基板開口部側にずれて形成された場合
に、電極の一部が基板開口部にかかる状態に形成されて
いるものである。
【０００８】上記第１の発光ダイオードでは、電極と発
光部との接触抵抗値が所定値以上になる状態に電極がパ
ターンずれ検出パターン側にずれて形成された場合に、
この電極の一部がかかる位置にパターンずれ検出パター
ンが形成されていることから、電極がずれて形成される
と電極の一部がパターンずれ検出パターンにかかる。し
たがって、電極とパターンずれ検出パターン内の基板と
の導通を検査することにより、電極のずれ不良が電気的
に正確に検出される。
【０００９】上記第２の発光ダイオードでは、基板を露
出する開口からなる基板開口部を電極に対して発光部と
は反対側の絶縁膜に設けて、電極と発光部との接触抵抗
値が所定値以上になる状態に電極が基板開口部側にずれ
て形成された場合に、電極の一部が基板開口部にかかる
状態に電極を形成していることから、電極がずれて形成
されると電極の一部と基板開口部に露出する基板とが導
通する状態になる。したがって、電極の一部と基板との
導通を検査することにより、電極のずれ不良が電気的に
正確に検出される。
【００１０】
【発明の実施の形態】発光ダイオードの第１の発明に係
わる実施形態の一例を、図１の平面図および図２の要部
断面図によって説明する。
【００１１】図１および図２に示すように、発光ダイオ
ードの基板１１は、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板上に
Ｎ型のガリウムヒ素リン（ＧａＡｓＰ）エピタキシャル
層を形成したＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ基板からなる。その
基板１１上には発光部を形成する領域上に開口部３１を
設けた絶縁膜１２が形成されている。この絶縁膜１２
は、例えば酸化膜または窒化膜または酸化膜と窒化膜と
の積層膜からなる。上記開口部３１より臨む基板１１の
表面側にはＰ+ 型の発光部１３が形成されている。この
発光部１３は、Ｐ型の不純物となる例えば亜鉛を拡散し
た拡散層からなる。また上記絶縁膜１２上には上記発光
部１３に接続する電極（以下Ｐ電極という）１４が形成
されている。このＰ電極１４は、例えばアルミニウム系
金属または金系金属からなり、発光部１４に接続する接
続電極部１４Ａとそれに連続してなるパッド電極部１４
Ｂとからなる。
【００１２】さらに上記絶縁膜１２には、基板１１を露
出する開口からなるもので上記Ｐ電極１４に対して発光
部１３とは反対側にパターンずれ検出パターン１５およ
びこのパターンずれ検出パターン１５に連続してスクラ
イブライン（基板開口部）１６が形成されている。
【００１３】上記パターンずれ検出パターン１５は以下
に説明する位置に形成されている。すなわち、Ｐ電極１
４がパターンずれ検出パターン１５側にずれて形成され
て、上記Ｐ電極１４の接続電極部１４Ａと発光部１３と
の接触抵抗値が所定値以上になる状態に、言い換えれば
上記接続電極部１４Ａと発光部１３との接続部１７の許
容最小面積が確保されなくなる位置にＰ電極１４が形成
された場合に、Ｐ電極１４のパッド電極部１４Ｂの一部
がこのパターンずれ検出パターン１５にかかるように、
上記パターンずれ検出パターン１５は形成されている。
しかもこのパターンずれ検出パターン１５の一端１５ａ
はパッド電極部１４Ｂ側に形成され、パターンずれ検出
パターン１５の他端は上記スクライブライン１６に連続
する状態に形成されている。そして、Ｐ電極１４とパタ
ーンずれ検出パターン１５とが接続される位置は、例え
ばＰ電極１４の他端１４ｂのほぼ中央部とする。上記許
容最小面積は、発光部１３の面積によって適宜設計変更
されるものであり、例えば接続電極部１４Ａと発光部１
３との接触抵抗値が大きくなることによって電気的特性
不良とさせない最小面積とする。
【００１４】さらに上記パターンずれ検出パターン１５
および上記スクライブライン１６における基板１１の表
面側にはＰ+ 型の拡散部１８が形成されている。上記ス
クライブライン１６は基板１１の端部まで形成されてい
るので、したがって、拡散部１８は基板１１の裏面に形
成される電極（以下Ｎ電極という）１９に接続する状態
に形成される。そのため、Ｐ電極１４がスクライブライ
ン１６側にずれて形成された場合には、このＰ電極１４
は、上記パターンずれ検出パターン１５より上記拡散部
１８に接続され、この拡散部１８を介して基板１１の端
部でＮ電極１９と短絡する状態になる。なお、上記Ｎ電
極１９は例えば金で形成されている。
【００１５】一方、上記拡散部１８が基板１１に形成さ
れていない場合には、上記電極１４がスクライブライン
１６側にずれて形成されると、上記電極１４がパターン
ずれ検出パターン１５にかかる状態になる。そのため、
Ｐ電極１４は、上記パターンずれ検出パターン１５を介
して基板１１に接続されることになり、基板１１を介し
てＮ電極１９と短絡する状態になる。
【００１６】なお、図３に示すように、Ｐ電極１４が正
常な位置、すなわち、Ｐ電極１４の接続電極部１４Ａと
発光部１３との接触抵抗値が所定値よりも小さくなる状
態に、言い換えれば接続電極部１４Ａと発光部１３との
接続部１７が許容最小面積以上になる位置にＰ電極１４
が形成されている場合には、Ｐ電極１４とパターンれ検
出パターン１５とは重なることはない。
【００１７】上記の如くに、発光ダイオード１が構成さ
れている。そして、上記発光ダイオード１により発光ダ
イオードアレイを構成するには、複数個の上記発光ダイ
オード１を基板１１の表面側に配設すればよい。
【００１８】次に上記パターンずれ検出パターン１５の
形成位置と上記Ｐ電極１４の形状の一例を、図４によっ
て説明する。
【００１９】図４の（１）に示すように、Ｐ電極１４は
従来と同様の形状に形成されている。一方、パターンず
れ検出パターン１５は前記図１に示したものと同様の形
状に形成されている。ただし、Ｐ電極１４とパターンず
れ検出パターン１５との接続位置をＰ電極１４の他端１
４ｂの側端部とするものである。
【００２０】一方、図４の（２）に示すように、Ｐ電極
１４はその他端１４ｂの側端に接続パターン４１を形成
したもので、パターンずれ検出パターン１５は前記図１
に示したものと同様の形状に形成する。したがって、Ｐ
電極１４とパターンずれ検出パターン１５との接続位置
は、接続パターン４１のスクライブライン１６側の一端
部４１ａになっている。
【００２１】上記説明した発光ダイオード１では、Ｐ電
極１４と発光部１３との接触抵抗値が所定値（発光ダイ
オード１が不良となる抵抗値）以上になる状態にＰ電極
１４がパターンずれ検出パターン１５側にずれて形成さ
れた場合にこのＰ電極１４の一部がパターンずれ検出パ
ターン１５にかかる位置に、パターンずれ検出パターン
１５が形成されていることから、Ｐ電極１４がずれて形
成されると、Ｐ電極１４がパターンずれ検出パターン１
５にかかる状態になる。その結果、Ｐ電極１４はパター
ンずれ検出パターン１５に形成される拡散部１８を介し
てＮ電極１９と短絡状態になることから、プロービング
で順電圧（ＶF ）の低下または逆電流（ＩR ）等の特性
不良で、確実に不良にすることができる。
【００２２】したがって、従来、実施していた外観選別
が不要になり、大幅な工数の削減と、信頼性の向上が図
れる。また、プロービングの順電圧もＰ電極１４のパタ
ーンずれを検出するために規格を切り詰める必要がなく
なるため、誤判定による歩留りの低下も無くなる。
【００２３】次に上記発光ダイオード１の形成方法を以
下に説明する。以下の説明文中では、前記図１および図
２によって説明した構成部品と同様のものには同一の符
号を付して説明する。
【００２４】発光ダイオード１を形成する基板１１に
は、例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板上にＮ型の
ガリウムヒ素リン（ＧａＡｓＰ）エピタキシャル層を形
成したＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ基板を用いる。その基板１
１上に、選択拡散法のマスクに用いる絶縁膜１２を、例
えば酸化膜または窒化膜または酸化膜と窒化膜との積層
膜で形成する。
【００２５】その後、リソグラフィー技術とエッチング
技術とを用いて上記絶縁膜１２に、発光部を形成する領
域上に開口部３１を形成するとともに、同時にパターン
ずれ検出パターン１５となる開口部を形成する。その
際、スクライブライン１６も同時に形成することができ
る。したがって、開口部３１、パターンずれ検出パター
ン１５およびスクライブライン１６は同一マスクで形成
することが可能になる。しかも、後に形成されるＰ電極
１４の接続電極部１４Ａと発光部１３とが接続する接続
部１７の許容最小面積が確保されなくなる位置にＰ電極
１４がずれて形成されたときに、Ｐ電極１４のパッド電
極部１４Ｂが接触する位置になるように、上記パターン
ずれ検出パターン１５を、スクライブライン１６に連続
する状態に形成する。
【００２６】次いで上記絶縁膜１２をマスクにした選択
拡散法によって、開口部３１，パターンずれ検出パター
ン１５より同時にＰ型不純物として、例えば亜鉛を基板
１１中に拡散させることによって、上記基板１１にＰ+
型の発光部１３とＰ+ 型の拡散部１８を形成する。
【００２７】さらに絶縁膜１２が形成されている側の全
面に電極形成用の導電性膜として、例えばアルミニウム
系金属膜を形成した後、リソグラフィー技術とエッチン
グ技術とを用いてこの導電性膜をパターニングして、上
記発光部１３に接続するＰ電極１４を絶縁膜１２上に形
成する。
【００２８】上記発光ダイオード１の製造方法では、パ
ターンずれ検出パターン１５を開口部３１と同時に形成
することから、しかもパターンずれ検出パターン１５に
露出する基板１１に形成する拡散部１８を発光部１３と
同時に形成することから、パターンずれ検出パターン１
５を形成するための工程増がない。この製造方法では、
マスク変更のみで従来技術に対応することが可能になる
ので、製造プロセス上の負荷がない。
【００２９】次に第２の発明の発光ダイオードに係わる
実施形態の一例を、図５の平面図および図６の要部断面
図によって説明する。図５および図６では、前記図１お
よび図２によって接続した構成部品と同様のものには同
一に符号を付す。
【００３０】図５および図６に示すように、、発光ダイ
オードの基板１１は、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板上
にＮ型のガリウムヒ素リン（ＧａＡｓＰ）エピタキシャ
ル層を形成したＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ基板からなる。そ
の基板１１上には発光部を形成する領域上に開口部３１
を設けた絶縁膜１２が形成されている。この絶縁膜１２
は、例えば酸化膜または窒化膜または酸化膜と窒化膜と
の積層膜からなる。上記開口部３１下の基板１１の表面
側にはＰ+ 型の発光部１３が形成されている。この発光
部１３は、Ｐ型の不純物となる例えば亜鉛を拡散した拡
散層からなる。さらに上記絶縁膜１２には、基板１１が
露出される開口からなるスクライブライン１６（基板開
口部）が以下に説明するＰ電極１４に対して発光部１３
とは反対側に形成されている。
【００３１】また上記絶縁膜１２上には上記発光部１３
に接続する電極（以下Ｐ電極という）１４とそれに連続
するパターンずれ検出パターン２０とが形成されてい
る。このＰ電極１４は、例えばアルミニウム系金属また
は金系金属からなり、発光部１４に接続する接続電極部
１４Ａとそれに連続してなるパッド電極部１４Ｂとから
なり、上記パターンずれ検出パターン２０は、その一端
部２０ａがパッド電極部１４Ｂ側の他端１４ｂの中央に
形成され、他端部２０ｂがスクライブライン１６側にな
るように形成されている。しかも、Ｐ電極１４がスクラ
イブライン１６側にずれて形成されて、上記Ｐ電極１４
の接続電極部１４Ａと発光部１３との接触抵抗値が所定
値以上になる状態に、言い換えれば上記接続電極部１４
Ａと発光部１３とが接続する接続部１７の許容最小面積
が確保されなくなる位置にＰ電極１４が形成された場合
に、上記パターンずれ検出パターン２０はこの他端部２
０ｂがスクライブライン１６にかかるように形成されて
いる。上記許容最小面積は、発光部１３の面積によって
適宜設計変更されるものであり、例えば接続電極部１４
Ａと発光部１３との接触抵抗値が大きくなることによっ
て電気的特性不良とさせない最小面積とする。
【００３２】さらに上記スクライブライン１６における
基板１１の表面側にはＰ+ 型の拡散部１８が形成されて
いる。上記スクライブライン１６は基板１１の端部まで
形成されているので、したがって、拡散部１８は基板１
１の裏面に形成される電極（以下Ｎ電極という）１９に
接続する状態に形成される。そのため、Ｐ電極１４がス
クライブライン１６側にずれて形成された場合には、こ
のＰ電極１４は、上記パターンずれ検出パターン２０を
介して上記拡散部１８に接続されることになり、パター
ンずれ検出パターン２０および拡散部１８を介して基板
１１の端部でＮ電極１９と短絡する状態になる。なお、
上記Ｎ電極１９は例えば金で形成されている。
【００３３】一方、上記拡散部１８が基板１１に形成さ
れていない場合には、上記電極１４がスクライブライン
１６側にずれて形成されると、上記パターンずれ検出パ
ターン２０がスクライブライン１６にかかる状態にな
る。そのため、Ｐ電極１４は、上記パターンずれ検出パ
ターン２０を介して基板１１に接続されることになり、
パターンずれ検出パターン２０および基板１１を介して
Ｎ電極１９と短絡する状態になる。
【００３４】なお、図７に示すように、Ｐ電極１４が正
常な位置、すなわち、Ｐ電極１４の接続電極部１４Ａと
発光部１３との接触抵抗値が所定値よりも小さくなる状
態に、言い換えれば接続電極部１４Ａと発光部１３との
接続部１７の許容最小面積以上になる位置にＰ電極１４
が形成されている場合には、パターンずれ検出パターン
２０とスクライブライン１６とは重なることはない。
【００３５】上記の如くに、発光ダイオード２が構成さ
れている。そして、上記発光ダイオード２により発光ダ
イオードアレイを構成するには、複数個の上記発光ダイ
オード２を基板１１の表面側に配設すればよい。
【００３６】次に上記パターンずれ検出パターン２０の
形成位置と形状の一例を、図８によって説明する。
【００３７】図８の（１）に示すように、Ｐ電極１４は
従来と同様の形状に形成されている。一方、パターンず
れ検出パターン２０は前記図５に示したものと同様の形
状に形成されている。ただし、Ｐ電極１４とパターンず
れ検出パターン２０との接続位置をＰ電極１４の他端１
４ｂの側端部とするものである。
【００３８】一方、図８の（２）に示すように、Ｐ電極
１４は従来と同様の形状に形成されている。パターンず
れ検出パターン２０はＰ電極１４の側部１４ｓにＬ字型
のパターンで形成され、その一端部２０ａが電極１４に
接続されその他端部２０ｂがＰ電極１４の他端１４ｂよ
りもスクライブライン１６側になるように形成されてい
る。
【００３９】上記発光ダイオード２では、パターンずれ
検出パターン２０が、Ｐ電極１４と発光部１３との接触
抵抗値が所定値（発光ダイオード２が不良となる抵抗
値）以上になる状態にＰ電極１４がスクライブライン１
６側にずれて形成された場合にパターンずれ検出パター
ン２０がスクライブライン１６にかかるように形成され
ていることから、Ｐ電極１４がずれて形成されると、パ
ターンずれ検出パターン２０がスクライブライン１６に
かかる状態になる。その結果、Ｐ電極１４がパターンず
れ検出パターン２０、スクライブライン１６に形成され
る拡散部１８を介してＮ電極１９と短絡状態になること
から、プロービングで順電圧（ＶF ）の低下または逆電
流（ＩR ）等の特性不良で、確実に不良にすることがで
きる。
【００４０】したがって、従来、実施していた外観選別
が不要になり、大幅な工数の削減と、信頼性の向上が図
れる。また、プロービングの順電圧もＰ電極１４のパタ
ーンずれを検出するために規格を切り詰める必要がなく
なるため、誤判定による歩留りの低下も無くなる。
【００４１】次に上記発光ダイオード２の形成方法を以
下に説明する。以下の説明文中では、前記図５および図
６によって説明した構成部品と同様のものには同一の符
号を付して説明する。
【００４２】発光ダイオードを形成する基板１１には、
例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板上にＮ型のガリ
ウムヒ素リン（ＧａＡｓＰ）エピタキシャル層を形成し
たＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ基板を用いる。その基板１１上
に、選択拡散法のマスクに用いる絶縁膜１２を、例えば
酸化膜または窒化膜または酸化膜と窒化膜との積層膜で
形成する。その後、リソグラフィー技術とエッチング技
術とを用いて上記絶縁膜１２に、発光部を形成する領域
上に開口部３１を形成するとともに、同時にスクライブ
ライン１６となる開口部を形成する。したがって、上記
開口部３１およびスクライブライン１６となる開口部は
同一マスクで形成することが可能になる。
【００４３】そして、上記絶縁膜１２をマスクにした選
択拡散法によって、開口部３１，スクライブライン１６
より同時にＰ型不純物として例えば亜鉛を基板１１中に
拡散させることによって、上記基板１１にＰ+ 型の発光
部１３とＰ+ 型の拡散部１８を形成する。
【００４４】さらに絶縁膜１２が形成されている側の全
面に電極形成用の導電性膜として例えばアルミニウム系
金属膜を形成した後、リソグラフィー技術とエッチング
技術とを用いてこの導電性膜をパターニングして、上記
発光部１３に接続するＰ電極１４とそれに連続するパタ
ーンずれ検出パターン２０とを絶縁膜１２上に形成す
る。このＰ電極１４は、発光部１４に接続する接続電極
部１４Ａとそれに連続してなるパッド電極部１４Ｂとか
らなり、上記パターンずれ検出パターン２０は、その一
端部２０ａがパッド電極部１４Ｂ側の例えば他端１４ｂ
中央に形成され、他端部２０ｂがスクライブライン１６
側になるように形成される。そしてＰ電極１４の接続電
極部１４Ａと発光部１３とが接続する接続部１７の許容
最小面積が確保されなくなる位置にＰ電極１４がずれて
形成されたときに、パターンずれ検出パターン２０がス
クライブライン１６にかかる位置になるように、このパ
ターンずれ検出パターン２０を形成する。しかもＰ電極
１４とパターンずれ検出パターン２０とを同時に形成す
る。
【００４５】上記第２の発光ダイオードの製造方法で
は、パターンずれ検出パターン２０をＰ電極１４と同時
に形成することから、パターンずれ検出パターン２０を
形成するための工程増がない。この製造方法では、マス
ク変更のみで従来技術に対応することが可能になり、製
造プロセス上の負荷がない。
【００４６】
【発明の効果】以上、説明したように発光ダイオードの
第１の発明によれば、電極と発光部との接触抵抗値が所
定値以上になる状態に電極がパターンずれ検出パターン
側にずれて形成された場合にこの電極の一部がパターン
ずれ検出パターンにかかるように、パターンずれ検出パ
ターンが形成されているので、電極がずれて形成される
とその電極がパターンずれ検出パターンにかかる。その
ため、プロービングで順電圧（ＶF ）の低下または逆電
流（ＩR ）等の特性不良で、確実に不良にすることがで
きる。したがって、従来、実施していた外観選別が不要
になり、大幅な工数の削減と、信頼性の向上が図れる。
また、プロービングの順電圧も電極のパターンずれを検
出するために規格を切り詰める必要がなくなるため、誤
判定による歩留りの低下も無くなる。
【００４７】第２の発明の発光ダイオードによれば、基
板が露出される開口からなる基板開口部を電極に対して
発光部とは反対側の絶縁膜に設けて、電極と発光部との
接触抵抗値が所定値以上になる状態に電極が基板開口部
側にずれて形成された場合に、電極の一部が基板開口部
にかかる状態に電極が形成されているので、電極がずれ
て形成されると、電極の一部と基板開口部に露出する基
板とが導通する状態になる。そのため、発光ダイオード
の第１の発明と同様なる効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】発光ダイオードの第１の発明に係わる実施形態
の平面図である。
【図２】発光ダイオードの第１の発明に係わる実施形態
の要部断面図である。
【図３】電極が正常位置に形成された発光ダイオードの
平面図である。
【図４】パターンずれ検出パターンの形成位置と電極形
状の説明図である。
【図５】発光ダイオードの第２の発明に係わる実施形態
の平面図である。
【図６】発光ダイオードの第２の発明に係わる実施形態
の要部断面図である。
【図７】電極が正常位置に形成された発光ダイオードの
平面図である。
【図８】パターンずれ検出パターンの形状と形成位置の
説明図である。
【図９】課題の説明図である。
【符号の説明】
１ 発光ダイオード １１ 基板 １２ 絶縁膜 １３ 発光部 １４ 電極（Ｐ電極） １５ パターンずれ検出パターン ３１ 開口部

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に形成されている絶縁膜と、 前記絶縁膜に設けられている開口部より臨む前記基板の
    表面側に形成されている発光部と、 前記開口部を通して前記発光部に接続されているもので
    前記絶縁膜上に形成されている電極とを備えた発光ダイ
    オードにおいて、 前記基板を露出する開口からなるパターンずれ検出パタ
    ーンが前記電極に対して前記発光部とは反対側の前記絶
    縁膜に設けられていて、 前記パターンずれ検出パターンは、前記電極と前記発光
    部との接触抵抗値が所定値以上になる状態に該電極が該
    パターンずれ検出パターン側にずれて形成された場合に
    該電極の一部が該パターンずれ検出パターンにかかる位
    置に、形成されていることを特徴とする発光ダイオー
    ド。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の発光ダイオードにおい
    て、 前記パターンずれ検出パターンは、前記電極に対して前
    記発光部とは反対側の前記絶縁膜に前記基板面が露出さ
    れる状態に設けられている基板開口部より該電極方向に
    連続して形成されていることを特徴とする発光ダイオー
    ド。
  3. 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の発光ダイ
    オードにおいて、 前記基板開口部はスクライブラインであることを特徴と
    する発光ダイオード。
  4. 【請求項４】 基板上に形成されている絶縁膜と、 前記絶縁膜に設けられている開口部より臨む前記基板の
    表面側に形成されている発光部と、 前記開口部を通して前記発光部に接続されているもので
    前記絶縁膜上に形成されている電極とを備えた発光ダイ
    オードにおいて、 前記基板を露出する開口からなる基板開口部が前記電極
    に対して前記発光部とは反対側の前記絶縁膜に設けられ
    ていて、 前記電極は、該電極と前記発光部との接触抵抗値が所定
    値以上になる状態に該電極が前記基板開口部側にずれて
    形成された場合に、該電極の一部が該基板開口部にかか
    る状態に形成されていることを特徴とする発光ダイオー
    ド。
  5. 【請求項５】 請求項４記載の発光ダイオードにおい
    て、 前記電極の一部は、該電極より前記基板開口部方向に延
    出させたパターンずれ検出パターンで形成されているこ
    とを特徴とする発光ダイオード。
  6. 【請求項６】 請求項４または請求項５記載の発光ダイ
    オードにおいて、 前記基板開口部はスクライブラインであることを特徴と
    する発光ダイオード。
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