JPH07202323A - マルチビーム半導体レーザ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】各レーザ素子の発光波長、発光効率や出力とい
った特性が均一であるマルチビーム半導体レーザを提供
する。 【構成】マルチビーム半導体レーザは、複数のレーザ素
子２０が一次元的あるいは二次元的に配列されており、
複数のレーザ素子２０が形成された領域の外側の領域４
０に、使用時に発光しない擬似レーザ素子４２が設けら
れている。あるいは又、外側の領域に隆起部若しくは溝
部が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、複数のレーザ素子が一
次元的あるいは二次元的に配列されたマルチビーム半導
体レーザに関する。

【０００２】

【従来の技術】各種の光通信技術やＯＥＩＣにおいて
は、光多重通信や光並列処理のための発光素子としてマ
ルチビーム半導体レーザの使用が検討されている。マル
チビーム半導体レーザには、複数のレーザ素子が一次元
的あるいは二次元的に配列されており、単独であるいは
一括して各レーザ素子の発光が制御される。このような
マルチビーム半導体レーザにおける各レーザ素子には、
発光波長、発光効率あるいは光出力といった特性の均一
性が要求される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
一次元的に配列された多数のレーザ素子を作製すると、
外側に位置するレーザ素子（以下、説明のために周辺部
レーザ素子とも表現する）の特性が、他の部分に位置す
るレーザ素子（以下、説明のために中央部レーザ素子と
も表現する）よりも劣るという問題がある。このような
特性劣化は、以下に説明する原因に依るものと考えられ
る。

【０００４】通常、化合物半導体から成る基板上にレー
ザ構造を形成する場合、例えばＭＯＣＶＤ法によって化
合物半導体結晶層を成長させる必要がある。この場合、
ＭＯＣＶＤにおける原料ガスの拡散状態や流れの状態に
よっては、周辺部レーザ素子が形成される領域の化合物
半導体結晶の成長速度が、中央部レーザ素子が形成され
る領域の化合物半導体結晶の成長速度よりも遅くなる。
その結果、中央部レーザ素子よりも周辺部レーザ素子の
方が、例えば活性層の厚さが薄くなる（図８参照）。活
性層が例えば量子井戸構造から成る場合、活性層の厚さ
のばらつきは発光波長のばらつきを招く。

【０００５】また、基板上にレーザ構造を形成した後、
レーザ素子を相互に分離するために、化合物半導体結晶
層や基板を例えばエッチングして凹部を形成する必要が
ある。この場合、エッチング液やエッチングガスの流れ
の状態によっては、周辺部レーザ素子が形成される領域
のエッチング速度が、中央部レーザ素子が形成される領
域のエッチング速度よりも早くなる。その結果、中央部
レーザ素子近傍よりも周辺部レーザ素子近傍に形成され
る凹部の方が、深さが深くなる。このような状態に基づ
き、例えばＳＤＨ構造を有するマルチビーム半導体レー
ザを作製した場合、図９に模式的な断面図を示すよう
に、活性層に対する電流ブロック層の位置が、周辺部レ
ーザ素子と中央部レーザ素子とでは相違する。その結
果、周辺部レーザ素子において、電流リーク成分が発生
し、光出力が低下したり、発光効率が低下するという問
題が生じる。あるいは又、レーザ素子の直列抵抗が増加
し、消費電力が増加するといった問題が生じる。

【０００６】マルチビーム半導体レーザには、各レーザ
素子に対して電極が形成されている。通常、マルチビー
ム半導体レーザを配線引出用の基板上に搭載し、各々の
レーザ素子に設けられた電極と配線引出用の基板上に形
成された導体部とをハンダ付け等で電気的及び機械的に
接続する。マルチビーム半導体レーザを配線引出用の基
板上に搭載する場合、通常、図１０に示すように、真空
吸着手段を備えたコレットを用いてマルチビーム半導体
レーザを搬送し、配線引出用の基板上に搭載する。この
際、マルチビーム半導体レーザの大型化に伴い、図１０
に示すように、周辺部レーザ素子の方が配線引出用の基
板に強く当る場合がある。その結果、ハンダ付け等を行
った際に短絡が発生し易くなり、周辺部レーザ素子の方
が中央部レーザ素子よりも信頼性に乏しくなるという問
題がある。尚、以下、このような現象を、「マルチビー
ム半導体レーザの大きさに起因した組立工程におけるば
らつき」と呼ぶ場合がある。

【０００７】更には、マルチビーム半導体レーザを配線
引出用の基板上に取り付けた後、マルチビーム半導体レ
ーザを使用している間に、熱膨張係数の相違によって、
周辺部レーザ素子に応力集中が発生し、周辺部レーザ素
子の信頼性低下を招くという問題もある。

【０００８】以上のように、マルチビーム半導体レーザ
の作製工程における各種の加工・成膜条件等のばらつ
き、マルチビーム半導体レーザの大きさに起因した組立
工程におけるばらつき、マルチビーム半導体レーザ使用
時における熱応力に起因して、周辺部レーザ素子の特性
が中央部レーザ素子よりも劣化するという問題がある。

【０００９】従って、本発明の目的は、各レーザ素子の
発光波長、発光効率あるいは光出力といった特性が均一
であるマルチビーム半導体レーザを提供することにあ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の第１の態様に係るマルチビーム半導体レーザ
は、複数のレーザ素子が一次元的あるいは二次元的に配
列されており、複数のレーザ素子が形成された領域の外
側の領域に、使用時に発光しない擬似レーザ素子が設け
られていることを特徴とする。

【００１１】ここで、擬似レーザ素子は、電極が形成さ
れた、レーザ素子と同一の構造を有していてもよいし、
例えば電極が形成されていない点を除きレーザ素子と同
様の構造を有していてもよい。要は、マルチビーム半導
体レーザを使用するとき発光しないものであればよい。
擬似レーザ素子は、レーザ素子が形成された領域の外側
の領域の少なくとも１箇所に設ければよいし、更には、
この外側の領域に少なくとも１つ、必要に応じて複数個
設ければよい。

【００１２】上記目的を達成するための本発明の第２の
態様に係るマルチビーム半導体レーザは、複数のレーザ
素子が一次元的あるいは二次元的に配列されており、複
数のレーザ素子が形成された領域の外側の領域に、隆起
部若しくは溝部が設けられていることを特徴とする。

【００１３】本発明の第２の態様に係るマルチビーム半
導体レーザにおいては、複数のレーザ素子が形成された
領域の外側の領域に溝部を設け、溝部をマルチビーム半
導体レーザのボンディング時の位置合わせ用マークとし
て用いることができる。

【００１４】隆起部は、基板や化合物半導体結晶層をエ
ッチングする際に、基板や化合物半導体結晶層から形成
することができるし、あるいは又、厚いハンダ等から形
成したり、マルチビーム半導体レーザを配線引出用の基
板に固定するための接着剤層から構成することもでき
る。溝部は、基板や化合物半導体結晶層をエッチングす
ることによって形成することができる。

【００１５】

【作用】本発明の第１の態様に係るマルチビーム半導体
レーザを作製する工程において、複数のレーザ素子を作
製すると同時に、レーザ素子が形成された領域の外側に
擬似レーザ素子を作製する。これによって、 （Ａ）マルチビーム半導体レーザの作製工程における各
種の加工・成膜条件等のばらつきや （Ｂ）マルチビーム半導体レーザの大きさに起因した組
立工程におけるばらつき （Ｃ）マルチビーム半導体レーザ使用時における熱応力 等は、擬似レーザ素子によって吸収される。この擬似レ
ーザ素子は発光に寄与しない。従って、均一な特性を有
する複数のレーザ素子が形成されたマルチビーム半導体
レーザを得ることができる。

【００１６】本発明の第２の態様に係るマルチビーム半
導体レーザにおいては、レーザ素子が形成された領域の
外側に隆起部若しくは溝部を設ける。これによって、マ
ルチビーム半導体レーザの大きさに起因した組立工程に
おけるばらつきを、隆起部若しくは溝部によって吸収す
ることができる。

【００１７】また、位置合わせ用マークを兼用した溝部
を形成すれば、マルチビーム半導体レーザのボンディン
グ工程において、各レーザ素子に形成された電極と、配
線引出用の基板上に形成された導体部との位置合わせを
行うとき、あるいは又、各レーザ素子に形成された電極
にダイボンディングを施すとき、位置合わせを容易に行
うことが可能になる。

【００１８】

【実施例】以下、図面を参照して実施例に基づき本発明
のマルチビーム半導体レーザを説明する。尚、実施例１
〜実施例５は、本発明のマルチビーム半導体レーザの第
１の態様に関する。また、実施例６及び実施例７は、本
発明のマルチビーム半導体レーザの第２の態様に関す
る。

【００１９】（実施例１）実施例１は、本発明の第１の
態様に係るマルチビーム半導体レーザに関し、図１の
（Ａ）に模式的な断面図を示すように、複数のレーザ素
子が一次元的に配列されている。具体的には、実施例１
のマルチビーム半導体レーザにおいては、ｐ型化合物半
導体から成る基板１０に複数のレーザ素子２０が形成さ
れている。このマルチビーム半導体レーザは、例えば、
レーザ素子２０のアノードが共通電極であり、カソード
が独立電極であるアノードコモン型のレーザ素子であ
る。

【００２０】発光部に相当するレーザ素子２０は、基板
１０上に形成された、第１クラッド層２２、活性層２
４、第２クラッド層２６から成り、第２クラッド層２６
上には独立電極３０が形成されている。独立電極３０
は、例えば、第２クラッド層２６側からＡｕ−Ｇｅ／Ｎ
ｉ／Ａｕの３層構造を有するｎ型オーミック電極から成
る。各々のレーザ素子２０の間には溝から成る素子分離
領域２８が形成され、これによって、レーザ素子２０は
互いに電気的に絶縁される。基板１０の裏面にはｐ型共
通電極３２が形成されている。

【００２１】そして、複数のレーザ素子２０が形成され
た領域の外側の２箇所の領域４０に、使用時に発光しな
い擬似レーザ素子４２が各々２個設けられている。この
擬似レーザ素子４２は、レーザ素子２０と同一の構造を
有する。即ち、擬似レーザ素子４２は、基板１０上に形
成された、第１クラッド層２２、活性層２４、第２クラ
ッド層２６から成り、第２クラッド層２６上にはダミー
の独立電極４４が形成されている。ダミーの独立電極４
４は、例えば、第２クラッド層２６側からＡｕ−Ｇｅ／
Ｎｉ／Ａｕの３層構造を有するｎ型オーミック電極から
成る。ダミーの独立電極４４には外部から電流は供給さ
れない。レーザ素子２０と擬似レーザ素子４２の間には
溝から成る素子分離領域４６が形成され、これによっ
て、擬似レーザ素子４２はレーザ素子２０と電気的に絶
縁される。

【００２２】尚、擬似レーザ素子４２が形成される領域
の結晶成長速度が他の領域における結晶成長速度よりも
遅いために、擬似レーザ素子４２の活性層２４は、レー
ザ素子２０の活性層２４よりも厚さが薄い。また、擬似
レーザ素子４２が形成された領域のエッチング速度は、
他の領域におけるエッチング速度よりも早いために、素
子分離領域４６の深さは、素子分離領域２８よりも深
い。

【００２３】このように、化合物半導体から成る基板上
に化合物半導体結晶層を成長させたり、エッチングを施
した場合、擬似レーザ素子４２が形成される領域におい
て、結晶成長速度が遅くなり、あるいは又、エッチング
速度が早くなる。しかしながら、略同一工程にて擬似レ
ーザ素子４２を形成するので、化合物半導体結晶層の成
長ばらつきやエッチングのばらつきは、擬似レーザ素子
４２においてのみに生じる。それ故、これらのばらつき
がレーザ素子２０へ与える悪影響を抑制することができ
る。また、マルチビーム半導体レーザの配線引出用の基
板への取り付け時、擬似レーザ素子が存在しているの
で、マルチビーム半導体レーザの大きさに起因した組立
工程におけるばらつきによるレーザ素子の信頼性低下を
防止し得る。更には、マルチビーム半導体レーザを使用
している間に、熱膨張係数の相違によるレーザ素子への
応力集中も防止し得る。

【００２４】尚、図１の（Ｂ）に、マルチビーム半導体
レーザを配線引出用の基板６０への取り付けた状態を示
す。図１の（Ｂ）中、参照番号６２は、配線引出用の基
板６０に形成された導体部であり、参照番号６４は、各
々のレーザ素子に設けられた電極と配線引出用の基板上
に形成された導体部とを電気的及び機械的に接続するた
めのハンダ層である。

【００２５】擬似レーザ素子４２は発光に寄与しないの
で、マルチビーム半導体レーザの特性のばらつきを生じ
させることがなく、均一な特性を有する複数のレーザ素
子２０から構成され、信頼性の高いマルチビーム半導体
レーザを作製することができる。

【００２６】（実施例２）実施例２は、実施例１の変形
である。実施例１においては擬似レーザ素子４２の構造
をレーザ素子２０と同じにした。一方、実施例２におい
ては、複数のレーザ素子２０が形成された領域の外側の
２箇所の領域４０に、使用時に発光しない擬似レーザ素
子４２が各々１個設けられており、この擬似レーザ素子
４２の独立電極４４Ａの幅は、レーザ素子２０に形成さ
れた独立電極３０の幅よりも広い（図２の模式的な断面
図を参照）。このように擬似レーザ素子の独立電極４４
Ａの幅を広くすることによって、独立電極４４Ａに検査
装置の測定端子を容易に且つ確実に接触させることがで
き、擬似レーザ素子４２の電気的特性を容易に検査する
ことができる。擬似レーザ素子４２の電気的特性を調べ
ることによって、マルチビーム半導体レーザの完成前
に、容易にレーザ素子２０の電気的特性を予測すること
が可能になる。

【００２７】（実施例３）実施例３は、実施例２の変形
である。実施例２においては、独立電極４４Ａの幅が相
違する点を除き、擬似レーザ素子４２の構造をレーザ素
子２０と同じにした。一方、実施例３においては、図３
に模式的な断面図を示すように、擬似レーザ素子４２全
体の幅をレーザ素子２０の幅よりも広くした。擬似レー
ザ素子４２をこのような構造にすることで、結晶成長や
エッチングの際の欠陥が外側の領域４０に発生する確率
が高くなり、擬似レーザ素子４２の形成状態を調べるこ
とによって、マルチビーム半導体レーザ作製工程の均一
性や歩留まりを、より良くモニターすることができる。

【００２８】（実施例４）実施例４も、実施例１の変形
である。実施例４においては、図４に模式的な斜視図を
示すように、複数のレーザ素子が二次元的に配列されて
いる。各レーザ素子の基本的な構造は実施例１と同様と
することができる。実施例４においては、複数のレーザ
素子が形成された領域の外側の４つの領域４０に擬似レ
ーザ素子４２の列が合計４つ設けられている。擬似レー
ザ素子４２の構造もレーザ素子２０と同様とすることが
できる。尚、レーザ素子２０と区別するために、擬似レ
ーザ素子４２を黒四角にて示した。

【００２９】（実施例５）実施例５も、本発明の第１の
態様に係るマルチビーム半導体レーザに関し、図５に模
式的な断面図を示すように、複数のレーザ素子２０が一
次元的に配列されている。実施例１と異なり、実施例５
においては、レーザ素子の素子分離領域２８はイオン注
入法にて形成した。レーザ素子２０のその他の構造は実
施例１と同様である。

【００３０】実施例５においては、複数のレーザ素子２
０が形成された領域の外側の２箇所の領域４０に、使用
時に発光しない擬似レーザ素子４２が各々２個設けられ
ている。この擬似レーザ素子４２は、独立電極が設けら
れていない点を除き、レーザ素子２０と同一の構造を有
する。レーザ素子２０と擬似レーザ素子４２の間には、
イオン注入法にて形成された素子分離領域４６が形成さ
れ、これによって、擬似レーザ素子４２はレーザ素子２
０と電気的に絶縁される。

【００３１】化合物半導体から成る基板上に化合物半導
体結晶層を成長させたり、エッチングを施した場合、擬
似レーザ素子４２が形成される領域において、結晶成長
速度が遅くなる。しかしながら、独立電極の形成工程を
除き、略同一工程にて擬似レーザ素子４２を形成するの
で、化合物半導体結晶層の成長ばらつきによるレーザ素
子２０への悪影響を除くことができる。尚、実施例１と
異なり、素子分離領域２８，４６をイオン注入法にて形
成するので、エッチングのばらつきが発生することは無
い。

【００３２】実施例５においても、擬似レーザ素子４２
は発光に寄与しないので、マルチビーム半導体レーザの
特性のばらつきを生じさせることがなく、均一な特性を
有する複数のレーザ素子２０から構成された、信頼性の
高いマルチビーム半導体レーザを作製することができ
る。

【００３３】（実施例６）実施例６は、本発明の第５の
態様に係るマルチビーム半導体レーザに関し、図６の
（Ａ）に模式的な断面図を示すように、複数のレーザ素
子２０が一次元的に配列されている。レーザ素子２０の
構造は実施例１にて説明したレーザ素子の構造と同様と
することができる。

【００３４】複数のレーザ素子２０が形成された領域の
外側の２箇所の領域４０に、複数の溝部５０が設けられ
ている。この溝部５０は、溝から成る素子分離領域２８
を形成するとき、同時に形成することができるし、イオ
ン注入法にて素子分離領域２８を形成する場合には、か
かる素子分離領域の形成前あるいは成形後にエッチング
によって形成することができる。外側の領域４０には、
レーザ素子と略同一構造を有する擬似レーザ素子を形成
してもよいし、形成しなくともよい。尚、外側の領域４
０の表面には、ダミーの独立電極４４を設けることが望
ましい。外側の領域４０には複数の溝部５０が設けられ
ているので、このダミーの独立電極４４の幅は狭い。

【００３５】外側の領域４０に擬似レーザ素子を形成し
ない場合、化合物半導体から成る基板上に化合物半導体
結晶層を成長させたり、エッチングを施した場合の、化
合物半導体結晶層の成長ばらつきやエッチングのばらつ
きによるレーザ素子２０への悪影響を回避することはで
きない。

【００３６】しかしながら、溝部５０が形成されている
ので、マルチビーム半導体レーザを配線引出用の基板へ
取り付けた後、マルチビーム半導体レーザを使用してい
る間に、熱膨張係数の相違によるレーザ素子２０への応
力集中を防止し得る。即ち、ダミーの独立電極４４の幅
が狭いので、独立電極４４と、配線引出用の基板に設け
られた導体部との間の接触面積が小さくなり、熱応力を
緩和することができる。

【００３７】また、外側の領域４０において、ハンダ付
け等を行った際に短絡が発生しても、レーザ素子２０に
は影響がないので、マルチビーム半導体レーザの配線引
出用の基板への取り付け時、レーザ素子２０の信頼性が
低下することを防止し得る。更には、この溝部５０によ
って、複数のレーザ素子が形成された領域にハンダや接
着剤が流れ込むことを防止することもできる。尚、この
ハンダや接着剤は、マルチビーム半導体レーザを配線引
出用の基板に固定する役割を果たす。

【００３８】尚、溝部の断面形状を、図６の（Ｂ）に示
すように、ジグザグ形状とすることもできる。

【００３９】また、図６の（Ｃ）に示すように、大きな
溝部５０Ａを外側の領域４０に形成し、この溝部５０Ａ
を位置合わせ用マークとして用いることによって、マル
チビーム半導体レーザのボンディング工程において、各
レーザ素子２０に形成された独立電極３０と、配線引出
用の基板上に形成された導体部との位置合わせを行うと
き、あるいは又、各レーザ素子２０に形成された独立電
極３０にダイボンディングを施すとき、位置合わせを容
易に行うことが可能になる。

【００４０】（実施例７）実施例７も、本発明の第５の
態様に係るマルチビーム半導体レーザに関し、図７に模
式的な断面図を示すように、複数のレーザ素子が一次元
的に配列されている。実施例７においても、レーザ素子
２０の構造は実施例１にて説明したレーザ素子の構造と
同様とすることができる。

【００４１】実施例７においては、実施例６と異なり、
複数のレーザ素子２０が形成された領域の外側の領域４
０に、隆起部５２が設けられている。隆起部５２は、例
えば、ハンダ層から構成することができ、レーザ素子２
０の独立電極３０の頂面より突出している。あるいは
又、隆起部５２を、化合物半導体結晶層のエッチング等
によって形成することもできるし、マルチビーム半導体
レーザを配線引出用の基板に固定するための接着剤層か
ら構成することもできる。

【００４２】このように隆起部５２を外側の領域４０に
設けることによって、真空吸着手段を備えたコレットを
用いてマルチビーム半導体レーザを搬送し、配線引出用
の基板上に搭載する際、図１０に示したようなマルチビ
ーム半導体レーザの縁部が配線引出用の基板に強く当っ
ても、レーザ素子２０の信頼性が乏しくなるという問題
を解決することができる。尚、隆起部５２を、例えばハ
ンダ層から構成すれば、マルチビーム半導体レーザを配
線引出用の基板に取り付けたとき、ハンダが溶融して隆
起部５２は無くなる。外側の領域４０にはレーザ素子２
０は形成されていないので、ハンダの溶融によって独立
電極が短絡することはない。

【００４３】以上、本発明を好ましい実施例に基づき説
明したが本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。複数のレーザ素子が二次元的に配列されたマルチ
ビーム半導体レーザに対して、実施例２〜実施例７にて
説明した構造を適用することができる。レーザ素子の構
造は、実施例にて説明した構造以外にも、ＳＤＨ構造
等、如何なる構造ともすることができる。

【００４４】

【発明の効果】本発明によって、マルチビーム半導体レ
ーザの作製工程における各種の加工・成膜条件等のばら
つきや、マルチビーム半導体レーザの大きさに起因した
組立工程におけるばらつきが少なくなりあるいは無くな
り、更には、マルチビーム半導体レーザ使用時における
熱応力が緩和され、均一な特性を有するレーザ素子が形
成されたマルチビーム半導体レーザを得ることができ
る。

【００４５】また、本発明のマルチビーム半導体レーザ
の好ましい態様においては、擬似レーザ素子の電気的特
性を調べることによって、マルチビーム半導体レーザの
完成前に、容易にレーザ素子の電気的特性を予測するこ
とが可能になる。あるいは又、マルチビーム半導体レー
ザのボンディング工程において、各レーザ素子に形成さ
れた電極と、配線引出用の基板上に形成された導体部と
の位置合わせ等を容易に行うことが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１のマルチビーム半導体レーザの模式的
な断面図である。

【図２】実施例２のマルチビーム半導体レーザの模式的
な断面図である。

【図３】実施例３のマルチビーム半導体レーザの模式的
な断面図である。

【図４】実施例４のマルチビーム半導体レーザの模式的
な断面図である。

【図５】実施例５のマルチビーム半導体レーザの模式的
な断面図である。

【図６】実施例６のマルチビーム半導体レーザの模式的
な断面図である。

【図７】実施例７のマルチビーム半導体レーザの模式的
な断面図である。

【図８】従来の技術において、結晶成長速度の相違によ
って周辺部レーザ素子の方が活性層の厚さが薄くなる状
態を模式的に示す断面図である。

【図９】従来のＳＤＨ構造を有するマルチビーム半導体
レーザにおいて、電流ブロック層の活性層に対する位置
のずれを模式的に示す断面図である。

【図１０】マルチビーム半導体レーザの組立時における
問題を説明するための図である。

【符号の説明】

１０ 基板 ２０ レーザ素子 ２２ 第１クラッド層 ２４ 活性層 ２６ 第２クラッド層 ３０ 独立電極 ３２ 共通電極 ２８，４６ 素子分離領域 ４０ 外側の領域 ４２ 擬似レーザ素子 ４４，４４Ａ 独立電極 ５０ 溝部 ５２ 隆起部 ６０ 配線引出用の基板 ６２ 導体部 ６４ ハンダ層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数のレーザ素子が一次元的あるいは二次
   元的に配列されたマルチビーム半導体レーザであって、
   複数のレーザ素子が形成された領域の外側の領域に、使
   用時に発光しない擬似レーザ素子が設けられていること
   を特徴とするマルチビーム半導体レーザ。
2. 【請求項２】複数のレーザ素子が一次元的あるいは二次
   元的に配列されたマルチビーム半導体レーザであって、
   複数のレーザ素子が形成された領域の外側の領域に、隆
   起部若しくは溝部が設けられていることを特徴とするマ
   ルチビーム半導体レーザ。
3. 【請求項３】複数のレーザ素子が形成された領域の外側
   の領域に溝部が設けられており、該溝部はマルチビーム
   半導体レーザのボンディング時の位置合わせ用マークを
   兼用していることを特徴とする請求項２に記載のマルチ
   ビーム半導体レーザ。