JPS5988877A - 発光半導体装置およびその組立に用いる発光素子 - Google Patents
発光半導体装置およびその組立に用いる発光素子Info
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- JPS5988877A JPS5988877A JP57197533A JP19753382A JPS5988877A JP S5988877 A JPS5988877 A JP S5988877A JP 57197533 A JP57197533 A JP 57197533A JP 19753382 A JP19753382 A JP 19753382A JP S5988877 A JPS5988877 A JP S5988877A
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- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
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- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は近赤外発光素子、レーザーダイオード等の光を
発振する発光素子およびこｎら棄子全組み込んだ発光半
導体装置に関する。
発振する発光素子およびこｎら棄子全組み込んだ発光半
導体装置に関する。
元通信用発光素子の一つとして本頗発明者は以前に第１
図に示す↓うな平面型近赤外発光素子紮提案している。
図に示す↓うな平面型近赤外発光素子紮提案している。
この発光素子（チップ）■は、下面のカソード電極２部
分でソルダー３ケ介してサブマウント４に固定されると
ともに、チップ１の上面中央に設けられた光取出窓５に
光ファイバー６の先端の先球部７全対峙さぜた構造にし
て用いられている。この発光装置（近赤外発光ダイオー
ド）はアノード電極２とカソード電極８間に所定の電圧
が印加された際発生するＰＮ接合９からの光１０金光取
出窓５から放出し、かつ光ファイバー６の先球部７に伝
えて光通信ｒ行うようになっている。
分でソルダー３ケ介してサブマウント４に固定されると
ともに、チップ１の上面中央に設けられた光取出窓５に
光ファイバー６の先端の先球部７全対峙さぜた構造にし
て用いられている。この発光装置（近赤外発光ダイオー
ド）はアノード電極２とカソード電極８間に所定の電圧
が印加された際発生するＰＮ接合９からの光１０金光取
出窓５から放出し、かつ光ファイバー６の先球部７に伝
えて光通信ｒ行うようになっている。
前記チップ１は２００μｍ程度の厚さのＰ型のＧａＡ４
Ａｓ ＆ １１の下面にそれぞれＣｋ ａＡ、４Ａ Ｑ
からなりかつ数μｍの厚さのＰ型層１２．Ｎ型層１３゜
Ｎ＋型層１４に積層した構造となっている。ＬＬ下面の
Ｎ＋型層１４からＰ型層１２に達するリング状溝が設け
られメサ構造となっている。そして、カソード電極２は
メサ部の中央部分でＮ＋型ＪＷｉ１４に電気的に接続き
れている。溝および溝の外側は絶縁膜１５で被わｎると
ともに、カソード電極２はこの絶縁Ｉ］Ａ１５上に延在
している。’Ｆ７ｔ、前とビＰ型のＧａＡ４Ａθ板１１
上にはリング状にＧａＡθからなるＰ ＧａＡｓ＃１
６が形成ざｎるとともに、このＰ ＧａＡｔＡｓ Ｌ
６十にはアノード電極８が形成されて因る。そして、
ｐ＋ＧａＡ、層１６に伝われない部分が光取出窓５とな
っている。
Ａｓ ＆ １１の下面にそれぞれＣｋ ａＡ、４Ａ Ｑ
からなりかつ数μｍの厚さのＰ型層１２．Ｎ型層１３゜
Ｎ＋型層１４に積層した構造となっている。ＬＬ下面の
Ｎ＋型層１４からＰ型層１２に達するリング状溝が設け
られメサ構造となっている。そして、カソード電極２は
メサ部の中央部分でＮ＋型ＪＷｉ１４に電気的に接続き
れている。溝および溝の外側は絶縁膜１５で被わｎると
ともに、カソード電極２はこの絶縁Ｉ］Ａ１５上に延在
している。’Ｆ７ｔ、前とビＰ型のＧａＡ４Ａθ板１１
上にはリング状にＧａＡθからなるＰ ＧａＡｓ＃１
６が形成ざｎるとともに、このＰ ＧａＡｔＡｓ Ｌ
６十にはアノード電極８が形成されて因る。そして、
ｐ＋ＧａＡ、層１６に伝われない部分が光取出窓５とな
っている。
しかし、この工うなチップ１は、周面１ｃＰＮ接合９が
露出している。カソード電極２面からこのＰＮ接合９の
位置葦では数μｍと短か−。このため、チップボンディ
ング時のソルダー３の盛り上がｐ部分がＰＮ接合９の上
部のＰ型層１２に接触し、ショート奮起こしてし１うこ
とがあり、１１訃ｊ圧不艮（ＶＢ）ｆｆｉ起こしてし１
つ。
露出している。カソード電極２面からこのＰＮ接合９の
位置葦では数μｍと短か−。このため、チップボンディ
ング時のソルダー３の盛り上がｐ部分がＰＮ接合９の上
部のＰ型層１２に接触し、ショート奮起こしてし１うこ
とがあり、１１訃ｊ圧不艮（ＶＢ）ｆｆｉ起こしてし１
つ。
したがって、本発明の目的はチップボンティング時の盛
９上がったソルダー［よってもショート不良？生じない
ような構造の発光素子およびこの発光素子盆組み込んだ
発光牛導体装ｆｆｋ提供することにある。
９上がったソルダー［よってもショート不良？生じない
ような構造の発光素子およびこの発光素子盆組み込んだ
発光牛導体装ｆｆｋ提供することにある。
このような目的？連取するために本発明は、発光素子の
光放出ＶＣ関与しない側面に露出下るＰＮ接合部分を杷
縁膜で被ってなるものであって、以下、実施し１」によ
ｐ本発明會説明する。
光放出ＶＣ関与しない側面に露出下るＰＮ接合部分を杷
縁膜で被ってなるものであって、以下、実施し１」によ
ｐ本発明會説明する。
第２図は本発明の一実施しＩＪ Ｋよる近赤外発光ダイ
オード（発光牛事体装置ｔ ）の動部ｒ示す断面図であ
る。
オード（発光牛事体装置ｔ ）の動部ｒ示す断面図であ
る。
同図に示すように、この近赤外発光ダイオードにおける
チップ１は第１図と同様に、下面のカソード電極２部分
でソルダー３を弁してサブマウント４に固定されている
。チップ１は２００μｒｒＬ程度の〜さのＰ型のＧａ、
Ａ４Ａｓ 板１１の下面にそｎぞｆｌＧａＡ４Ａｓから
なりかつ数μｍの厚さのＰ型Ｊ葎１２．Ｎ型層１３．Ｎ
＋型層１４ケ積層形成した構造となっている。また、下
面には二重に溝が設けらｎでいる。そして、内側］の溝
に取シ囲１れたメサ部分のＮ 型層１４の中央部はカソ
ード電極２に接触する構造となっている。１九、内側の
溝はＮ＋型層１４．Ｎ型層１３紫通過してＰ型層１２の
途中に布達している。また、外側の溝はＰ型層１２葡も
越えてＧａＡｔＡｓ 板１１に１で達している。こｎ
らの溝は２回のエンチングによって形成される。′ｆＪ
：、とえば、内側と外側の溝は同時に一定時間エンチン
グした後、内側の溝はマスキングし、再びエツチング７
行なって外側の溝を深くする。あるいは全く別の独立し
たエツチング処理工程［よって形成してもよい。絶縁膜
１５は内側の溝とこの溝の外側のＮ＋型層１４．Ｎ型層
１３゜Ｐ型層１２さらにはＧａＡｚＡＢ 板１１ｉ被っ
ている。この結果、カソード電極面とチップ１の側面に
露出するＰ型のＧａＡｚＡＢ 機１１との距離ｌはＬＯ
ｐｒｎ〜数ＬＯｐｍとなる。この結果、ソルダー３によ
ってチップ１全ザブマウン）４ｆＣ固定Ｌｆｃｓ合に千
ソゲｌの周縁に盛り上がるソルダー３が、チップ１の側
面に露出するＰ型であるＧａＡｔＡｓ板１１端而に接触
することはなく、ＶＢ不不良ショートによる不良）は防
止できる。
チップ１は第１図と同様に、下面のカソード電極２部分
でソルダー３を弁してサブマウント４に固定されている
。チップ１は２００μｒｒＬ程度の〜さのＰ型のＧａ、
Ａ４Ａｓ 板１１の下面にそｎぞｆｌＧａＡ４Ａｓから
なりかつ数μｍの厚さのＰ型Ｊ葎１２．Ｎ型層１３．Ｎ
＋型層１４ケ積層形成した構造となっている。また、下
面には二重に溝が設けらｎでいる。そして、内側］の溝
に取シ囲１れたメサ部分のＮ 型層１４の中央部はカソ
ード電極２に接触する構造となっている。１九、内側の
溝はＮ＋型層１４．Ｎ型層１３紫通過してＰ型層１２の
途中に布達している。また、外側の溝はＰ型層１２葡も
越えてＧａＡｔＡｓ 板１１に１で達している。こｎ
らの溝は２回のエンチングによって形成される。′ｆＪ
：、とえば、内側と外側の溝は同時に一定時間エンチン
グした後、内側の溝はマスキングし、再びエツチング７
行なって外側の溝を深くする。あるいは全く別の独立し
たエツチング処理工程［よって形成してもよい。絶縁膜
１５は内側の溝とこの溝の外側のＮ＋型層１４．Ｎ型層
１３゜Ｐ型層１２さらにはＧａＡｚＡＢ 板１１ｉ被っ
ている。この結果、カソード電極面とチップ１の側面に
露出するＰ型のＧａＡｚＡＢ 機１１との距離ｌはＬＯ
ｐｒｎ〜数ＬＯｐｍとなる。この結果、ソルダー３によ
ってチップ１全ザブマウン）４ｆＣ固定Ｌｆｃｓ合に千
ソゲｌの周縁に盛り上がるソルダー３が、チップ１の側
面に露出するＰ型であるＧａＡｔＡｓ板１１端而に接触
することはなく、ＶＢ不不良ショートによる不良）は防
止できる。
一方、ＧａＡＩＡＢ 板１１の上面には中央部の光取
出窓５となる領域ｒ除く部分にはｐ＋ＧａＡＢ層１１Ｅ
形成されている。’Ｆ ｆｃ％ Ｐ ＋ＧａＡθ層１
６上にはアノード電極８が形成されている。ざらに、光
取出部５には元ファイバー６の先球部７が対峙し、ＰＮ
接合９がら発し、光取出部５がら放出さそる九ｉｏ′？
ｒ受けるｊ５になっている。
出窓５となる領域ｒ除く部分にはｐ＋ＧａＡＢ層１１Ｅ
形成されている。’Ｆ ｆｃ％ Ｐ ＋ＧａＡθ層１
６上にはアノード電極８が形成されている。ざらに、光
取出部５には元ファイバー６の先球部７が対峙し、ＰＮ
接合９がら発し、光取出部５がら放出さそる九ｉｏ′？
ｒ受けるｊ５になっている。
このような実＃ｉ列によれば、チップｌの１創面にあっ
て、カソード電極２側の下縁はメサ構造となるとともに
、このメサ部ｒ構成Ｔる側面は絶縁膜で被われている。
て、カソード電極２側の下縁はメサ構造となるとともに
、このメサ部ｒ構成Ｔる側面は絶縁膜で被われている。
したがって、カソード電極面とチップ１の側面のＰ型の
露出部との距離は従来よ＃）は長くなる。このため、チ
ップ抱付時にチップ１の下から押し出されてチップ周辺
に盛シ上がったソルダー３がｃｉ６ＡｔＡＢ 板１１
ＪＣ接触することはほとんどなくな夛、ソルダー３とＰ
型ＧａＡ４Ａθ扱１１との接触は生じなくなって、ショ
ート不良が低減される。このため、このチップ１會用い
て発光ダイオードケ組み立てた際の歩留が向上するとと
もに、ショート不良に対する信頼度も向上する。
露出部との距離は従来よ＃）は長くなる。このため、チ
ップ抱付時にチップ１の下から押し出されてチップ周辺
に盛シ上がったソルダー３がｃｉ６ＡｔＡＢ 板１１
ＪＣ接触することはほとんどなくな夛、ソルダー３とＰ
型ＧａＡ４Ａθ扱１１との接触は生じなくなって、ショ
ート不良が低減される。このため、このチップ１會用い
て発光ダイオードケ組み立てた際の歩留が向上するとと
もに、ショート不良に対する信頼度も向上する。
なお、本発明は前記実施列に限定さｎなり０たとえば、
チップの１対の端面からレーザー元金出射するレーザー
ダイオードにも通用することができる。丁なわち、第３
図で示すａｓｐ（チャネルド・サブストレート・プレー
ナ）型のチップ１ある因は第４図で示す埋込（ＢＨ）型
のチップ１にあっても、レーザー光を出射しな−１対の
側面の下部を絶縁膜Ｌ５で被うことによって、Ｐ型領域
がソルダー３ケ弁してサブマウント４に固足さｎるいわ
ゆるＰダウン接合においてショート不１７防止できるこ
とになる。図中、１７は活性層であって、この活性層１
７の端面からレーザー元ケ出射する。
チップの１対の端面からレーザー元金出射するレーザー
ダイオードにも通用することができる。丁なわち、第３
図で示すａｓｐ（チャネルド・サブストレート・プレー
ナ）型のチップ１ある因は第４図で示す埋込（ＢＨ）型
のチップ１にあっても、レーザー光を出射しな−１対の
側面の下部を絶縁膜Ｌ５で被うことによって、Ｐ型領域
がソルダー３ケ弁してサブマウント４に固足さｎるいわ
ゆるＰダウン接合においてショート不１７防止できるこ
とになる。図中、１７は活性層であって、この活性層１
７の端面からレーザー元ケ出射する。
以上のように、本発明によれば、チップをソルダーによ
ってサブマウントに固定した場合、チップの側面の導電
型１−に、チップ取付時にチップの周縁に盛り上がって
現われるソルダーが接触することはほとんどない。この
結果、発光子導体装置の特性（信頼度）の同上および歩
留の同上が図ｎ、コスト軽減が可能となる。
ってサブマウントに固定した場合、チップの側面の導電
型１−に、チップ取付時にチップの周縁に盛り上がって
現われるソルダーが接触することはほとんどない。この
結果、発光子導体装置の特性（信頼度）の同上および歩
留の同上が図ｎ、コスト軽減が可能となる。
第１図は従来の近赤外発光タイオードの要部紫示す断面
図、 第２図は本発明の一実施例による近亦外発光ダイオード
の要部會示す断面図、 第３図は同じく他の実施列によるレーザーダイオードの
要部断面図、 第４図は同じく池の実施１ｉｖＪＫよるレーザーダイオ
ードの要部断面図である。 １・・・チップ、２・・・カソード電極、３・・・ソル
ダー、４・・・サブマウント、６・・・元ファイバー、
８・・・アノードを極、９・・・ＰＮ接合、１２・・・
Ｐ型層、１３・・・Ｎ型層、■４・・Ｎ＋型層、１６−
Ｐ＋（）ａＡｔＡｓ層。
図、 第２図は本発明の一実施例による近亦外発光ダイオード
の要部會示す断面図、 第３図は同じく他の実施列によるレーザーダイオードの
要部断面図、 第４図は同じく池の実施１ｉｖＪＫよるレーザーダイオ
ードの要部断面図である。 １・・・チップ、２・・・カソード電極、３・・・ソル
ダー、４・・・サブマウント、６・・・元ファイバー、
８・・・アノードを極、９・・・ＰＮ接合、１２・・・
Ｐ型層、１３・・・Ｎ型層、■４・・Ｎ＋型層、１６−
Ｐ＋（）ａＡｔＡｓ層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、発光素子ｔンルダーを介して支持体に固定した構造
の発光半導体装置において、前記発光素子の光放出ｒし
ない側面に露出するＰＮ接合部分は絶縁膜で被わｎてい
ること全特徴とする発光半導体装置。 ２、光放出に関与しない側面に露出するＰＮ接合部分は
絶縁膜で被われていること全特徴とする発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57197533A JPS5988877A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 発光半導体装置およびその組立に用いる発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57197533A JPS5988877A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 発光半導体装置およびその組立に用いる発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5988877A true JPS5988877A (ja) | 1984-05-22 |
Family
ID=16376043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57197533A Pending JPS5988877A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 発光半導体装置およびその組立に用いる発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5988877A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5198686A (en) * | 1990-11-13 | 1993-03-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Double hetero-type semiconductor laser device |
| FR2687857A1 (fr) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | Laser a semiconducteurs et procede de fabrication. |
| WO2000041280A1 (de) * | 1999-01-04 | 2000-07-13 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterchip und verfahren zur herstellung |
| JP2018503979A (ja) * | 2014-12-19 | 2018-02-08 | アルプ レイザーズ ソシエテ アノニムＡｌｐｅｓ Ｌａｓｅｒｓ Ｓ．Ａ． | エピタキシャルサイドダウン実装のために最適化された量子カスケードレーザー |
-
1982
- 1982-11-12 JP JP57197533A patent/JPS5988877A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5198686A (en) * | 1990-11-13 | 1993-03-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Double hetero-type semiconductor laser device |
| FR2687857A1 (fr) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | Laser a semiconducteurs et procede de fabrication. |
| WO2000041280A1 (de) * | 1999-01-04 | 2000-07-13 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterchip und verfahren zur herstellung |
| US6538302B1 (en) | 1999-01-04 | 2003-03-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor chip and method for the production thereof |
| JP2018503979A (ja) * | 2014-12-19 | 2018-02-08 | アルプ レイザーズ ソシエテ アノニムＡｌｐｅｓ Ｌａｓｅｒｓ Ｓ．Ａ． | エピタキシャルサイドダウン実装のために最適化された量子カスケードレーザー |
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