JPH0697583A - 半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置

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JPH0697583A
JPH0697583A JP24618692A JP24618692A JPH0697583A JP H0697583 A JPH0697583 A JP H0697583A JP 24618692 A JP24618692 A JP 24618692A JP 24618692 A JP24618692 A JP 24618692A JP H0697583 A JPH0697583 A JP H0697583A
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JP
Japan
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semiconductor laser
electrodes
laser device
main surface
submount
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Application number
JP24618692A
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English (en)
Inventor
Yasuhiro Nakamura
康弘 中村
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Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体レーザ装置の組立プロセスにおいて、
半田に起因する電極間の短絡を防止し、歩留まりを高め
る。 【構成】半導体基板2の主面に分離領域で互いに分離さ
れた複数の半導体レーザ部3がアレイ状に配置され、こ
の複数の半導体レーザ部の夫々の主面上に複数の電極1
0の夫々が夫々毎に配置された半導体レーザ素子1がサ
ブマウント20Aの素子塔載領域27上に塔載され、前
記素子塔載領域上に分離領域で互いに分離されて配置さ
れた複数の電極22Aの夫々に半田層24を介在して前
記半導体レーザ素子の複数の電極の夫々が夫々毎に接続
され、これらがベース基板31及び封止用キャップ39
で形成されるキャビティ内に気密封止される半導体レー
ザ装置30において、前記半導体レーザ素子の隣接する
半導体レーザ部間の分離領域若しくは前記サブマウント
の隣接する電極間の分離領域に、前記半導体レーザ部の
延在方向に沿って突状の障壁部8を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ素子及び
半導体レーザ装置に関し、特に、半導体基板の主面に分
離領域で互いに分離された複数の半導体レーザ部がアレ
イ状に配置され、この複数の半導体レーザ部の夫々の主
面上に複数の電極の夫々が夫々毎に配置された半導体レ
ーザ素子及びこの半導体レーザ素子が組み込まれる半導
体レーザ装置に適用して有効な技術に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】本発明者が開発中の半導体レーザ装置
は、ベース基板(ステム)の主面の中央領域上に複数のレ
ーザ光を発光する半導体レーザ素子を塔載し、この半導
体レーザ素子を封止用キャップで封止している。この種
の半導体レーザ装置は、例えば光ディスクメモリ等に使
用される。
【0003】前記半導体レーザ素子は、例えばGaAs
(ガリウム・ヒ素)からなる半絶縁性の半導体基板を主体
にして構成される。この半導体基板の主面には分離領域
で互いに電気的に分離された複数の半導体レーザ部がア
レイ状に配置され、その複数の半導体レーザ部の夫々の
主面上には複数のカソード電極の夫々が夫々毎に配置さ
れる。また、半導体基板の主面と対向する裏面の全域に
はアノード電極が配置される。
【0004】前記複数の半導体レーザ部の夫々は内部電
流狭窄型のCSP(hanneled ubstate lanar)構造
で構成され、その複数の半導体レーザ部の夫々には半導
体レーザ素子の端面からレーザ光を発光する共振器が延
在している。つまり、複数の半導体レーザ部の夫々は、
半導体基板の主面上にストライプ状のチャネルを隔てて
形成された一対の内部狭窄層と、この内部狭窄層の主面
上に形成された多層成長層とで構成される。
【0005】前記半導体レーザ素子は、その主面側を下
にしてサブマウントの主面の素子塔載領域上に塔載され
る。サブマウントの素子塔載領域上には半導体レーザ素
子の複数のカソード電極の夫々と対向した位置に複数の
電極の夫々が配置され、その複数の電極の夫々の主面上
には半田層が形成される。つまり、サブマウントの素子
塔載領域上に配置された複数の電極の夫々には、半田層
を介在して半導体レーザ素子の複数のカソード電極の夫
々が夫々毎に電気的かつ機械的に接続される。
【0006】前記サブマウントの主面の素子塔載領域と
異なる他の領域上には複数の電極が配置され、その複数
の電極の夫々には複数のボンディングワイヤの夫々の一
端側が夫々毎に接続される。この複数のボンディングワ
イヤの夫々の他端側は、ベース基板の主面と対向する裏
面側からその主面側に貫通する複数のリードの夫々の一
端側に夫々毎に接続される。
【0007】前記サブマウントは、ベース基板の主面の
中央領域に固定されたヒートシンクに塔載される。ま
た、このヒートシンクには前記半導体レーザ素子から発
光するレーザ光を受光する受光素子が塔載される。つま
り、半導体レーザ装置は、ベース基板及び封止用キャッ
プで形成されるキャビティ内に、半導体レーザ素子、サ
ブマウント、ボンディングワイヤ、リードの一端側、ヒ
ートシンク及び受光素子を気密封止する。
【0008】このように構成される半導体レーザ装置
は、半導体レーザ素子から発光するレーザ光を封止用キ
ャップに形成された窓を通してキャビティ外に発光す
る。
【0009】なお、前記半導体レーザ装置については、
例えば発明協会公開技報,公技番号79−555,半導
体レーザ用サブマウント(1979年、3月20日発行)
に記載されている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前述の半
導体レーザ装置について検討した結果、以下の問題点を
見出した。
【0011】前記半導体レーザ装置の組立プロセスにお
いて、サブマウントの素子塔載領域上に配置された複数
の電極の夫々に半田層を介在して半導体レーザ素子の複
数のカソード電極の夫々を夫々毎に接続する際、半田層
からはみ出した半田が隣接する電極に流れ込み、このは
み出し半田により、隣接する電極間が短絡し、半導体レ
ーザ装置の組立プロセスでの歩留まりが低下するという
問題があった。この現象は、半導体レーザ素子の小型
化、高密度化に伴う半導体レーザ部の配列ピッチの微細
化により顕著になる。
【0012】本発明の目的は、半田に起因する電極間の
短絡を防止し、半導体レーザ装置の組立プロセスでの歩
留まりを高めることが可能な技術を提供することにあ
る。
【0013】本発明の他の目的は、前記目的を達成する
半導体レーザ素子を提供することにある。
【0014】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【0015】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【0016】(1)半導体基板の主面に分離領域で互い
に分離された複数の半導体レーザ部がアレイ状に配置さ
れ、この複数の半導体レーザ部の夫々の主面上に複数の
電極の夫々が夫々毎に配置された半導体レーザ素子にお
いて、前記隣接する半導体レーザ部間の分離領域に、こ
の半導体レーザ部の延在方向に沿って突状の障壁部を設
ける。
【0017】(2)半導体基板の主面に分離領域で互い
に分離された複数の半導体レーザ部がアレイ状に配置さ
れ、この複数の半導体レーザ部の夫々の主面上に複数の
電極の夫々が夫々毎に配置された半導体レーザ素子がサ
ブマウントの主面の素子塔載領域上に塔載され、前記サ
ブマウントの素子塔載領域上に分離領域で互いに分離さ
れて配置された複数の電極の夫々に半田層を介在して前
記半導体レーザ素子の複数の電極の夫々が夫々毎に接続
され、これらがベース基板及び封止用キャップで形成さ
れるキャビティ内に気密封止される半導体レーザ装置に
おいて、前記半導体レーザ素子の隣接する半導体レーザ
部間の分離領域若しくは前記サブマウントの隣接する電
極間の分離領域に、前記半導体レーザ部の延在方向に沿
って突状の障壁部を設ける。
【0018】
【作用】上述した手段によれば、半導体レーザ装置の組
立プロセスにおいて、サブマウントの素子塔載領域上に
配置された複数の電極の夫々に半田層を介在して半導体
レーザ素子の複数の電極の夫々を夫々毎に接続する際、
半田層からはみ出した半田が隣接する電極に流れ込むの
を障壁部で堰き止めることができるので、隣接する電極
間の短絡を防止することができる。この結果、半導体レ
ーザ装置の組立プロセスでの歩留まりを高めることがで
きる。
【0019】また、はみ出し半田に起因する電極間の短
絡を防止し、半導体レーザ装置の組立プロセスでの歩留
まりを高める半導体レーザ素子を提供できる。
【0020】以下、本発明の構成について、半導体レー
ザ素子が組み込まれる半導体レーザ装置に本発明を適用
した、本発明の一実施例とともに説明する。
【0021】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【0022】
【実施例】本発明の一実施例である半導体レーザ素子が
組み込まれる半導体レーザ装置の概略構成を図1(一部
断面斜視図)に示す。
【0023】図1に示すように、本実施例の半導体レー
ザ装置30は、熱放散性の高い金属(例えばFe)からな
るベース基板(ステム)31の主面の中央領域上に例えば
4つのビームを発光する半導体レーザ素子1を塔載し、
この半導体レーザ素子1を封止用キャップ39で封止し
ている。つまり、半導体レーザ素子1は、ベース基板3
1及び封止用キャップ39で形成されるキャビティ内に
気密封止される。この種の半導体レーザ装置は例えば光
ディスクメモリ等に使用される。
【0024】前記ベース基板31の主面の中央領域上に
は、熱放散性の高い金属(例えばCu又はAg)からな
るヒートシンク32がろう材で固定される。このヒート
シンク32は、ベース基板31に固定される台座部33
及びこの台座部33の一端側において上方に直立に突出
した直立部34で構成される。
【0025】前記直立部34の先端部側面(レーザ素子
塔載面)上には、サブマウント20Aを介在して半導体
レーザ素子1が塔載される。この半導体レーザ素子1
は、その互いに対向する両端面の夫々の面から4つのレ
ーザ光17(17a、17b、17c、17d)を発光
する。つまり、半導体レーザ素子1は、4つの半導体レ
ーザ部(3)を構成する。なお、図1は、半導体レーザ素
子1の前方端面から発光するレーザ光17のみを図示し
ている。
【0026】前記台座部33の傾斜面(受光素子塔載面)
上には、サブマウント20Bを介在して受光素子38が
塔載される。この受光素子38は、前記半導体レーザ素
子1の後方端面から発光するレーザ光17を受光し、光
出力をモニターする。受光素子38は、その主面に複数
の電極が配置されると共に、その主面と対向する裏面の
全域に電極が配置される。
【0027】前記ベース基板31には例えば7本のリー
ド35が設けられる。この7本のリード35のうち、1
本のリード35は、ベース基板31に直接固定され、半
導体レーザ素子1のアノード電極(9)に電気的に接続さ
れる。また、残り6本のリード35の夫々は、ベース基
板31の主面と対向する裏面側からその主面側(キャビ
ティ側)に貫通し、絶縁体36を介在してベース基板3
1に固定される。つまり、6本のリード35の夫々は、
その一端側がベース基板31のキャビティ側に配置さ
れ、その他端側がベース基板31の裏面側に配置され
る。
【0028】前記6本のリード35のうち、キャビティ
側への突出が短い2本のリード35の夫々には、ワイヤ
37の夫々の他端側が夫々毎に接続される。この2本の
ワイヤ37のうち、1本のワイヤ37の一端側は受光素
子38の主面に配置された電極に接続され、他のワイヤ
37の一端側はサブマウント20Bの主面に配置された
電極に接続される。また、6本のリード35のうち、残
り4本のリード35の夫々の一端側には扁平状のボンデ
ィング部が形成され、このボンディング部の夫々にはワ
イヤ37の夫々の他端側が夫々毎に接続される。この4
本のワイヤ37の夫々の一端側は、サブマウント20A
の主面に配置された4つの電極(22B)の夫々に夫々毎
に接続される。
【0029】前記封止用キャップ39は、ベース基板3
1の主面の中央領域に気密的に固定され、半導体レーザ
素子1、サブマウント20A、20B、ヒートシンク3
2、リード35の一端側、ワイヤ37及び受光素子38
等を封止する。つまり、本実施例の半導体レーザ装置3
0は、ベース基板31及び封止用キャップ39で形成さ
れるキャビティ内に半導体レーザ素子1、サブマウント
20A、20B、ヒートシンク32、リード35の一端
側、ワイヤ37及び受光素子38等を気密封止する。な
お、ワイヤ37としては、例えば金ワイヤが使用され
る。
【0030】前記封止用キャップ39の天井部には窓3
9aが形成される。また、封止用キャップ39の天井部
には、窓39aを塞ぐ透明なガラス板40が気密的に固
着される。つまり、半導体レーザ素子1から発光するレ
ーザ光17は、封止用キャップ39の窓39aを通過し
てキャビティ内からキャビティ外に発光される。
【0031】なお、前記ベース基板31には、半導体レ
ーザ装置30を使用機器に取り付ける際に使用される取
付孔31aが設けられる。
【0032】前記半導体レーザ素子1は、図2(平面
図)、図3(図2に示すA−A切断線で切った断面
図)、図4(図3の要部拡大断面図)及び図5(図3の要
部拡大断面図)に示すように、例えばGaAs(ガリウム
・ヒ素)からなる半絶縁性のp型半導体基板2を主体に
して構成される。このp型半導体基板2の主面には4つ
の半導体レーザ部3がアレイ状に配置される。
【0033】前記4つの半導体レーザ部3の夫々は、内
部電流狭窄型のCSP構造で構成される。この4つの半
導体レーザ部3の夫々には、半導体レーザ素子1の端面
からレーザ光17を発光する共振器6が延在している。
つまり、半導体レーザ部3は、p型半導体基板2の主面
上にストライプ状のチャネル16を隔てて形成された一
対のn型内部狭窄層11と、このn型内部狭窄層11の
主面上に形成された多層成長層7とで構成される。一対
のn型内部狭窄層11は、例えばGaAs膜で形成さ
れ、0.8μm程度の膜厚で形成される。
【0034】前記多層成長層7は、n型内部狭窄層11
の主面上にp型クラッド層12、活性層13、n型クラ
ッド層14、n+型キャップ層15の夫々を例えば液相エ
ピタキシャル成長法で順次成長させた積層膜で構成され
る。p型クラッド層12は例えばGaAlAs膜で形成
され、0.1〜0.3μm程度の膜厚で形成される。活
性層13は例えばGaAlAs膜で形成され、0.1μ
m程度の膜厚で形成される。n型クラッド層14は例え
ばGaAlAs膜で形成され、1.0〜2.0μm程度
の膜厚で形成される。n+型キャップ層15は例えばGa
As膜で形成され、1.0〜3.0μm程度の膜厚で形
成される。このように構成される4つの半導体レーザ部
3の夫々は、分離域領域で互いに電気的に分離される。
なお、多層成長層7の側壁面は絶縁膜5で覆われてい
る。
【0035】前記4つの多層成長層7の夫々の主面上に
は、カソード電極(固有電極)10の夫々が夫々毎に形成
される。この4つのカソード電極10の夫々は、多層成
長層7の延在方向に沿って延在し、分離領域で互いに電
気的に分離される。この4つのカソード電極10の夫々
は、後述するサブマウント20Aの主面の素子塔載領域
(27)上に配置された4つの電極(22A)の夫々に半田
層(24)を介在して夫々毎に電気的かつ機械的に接続さ
れる。
【0036】前記半導体レーザ素子1において、隣接す
る半導体レーザ部3の間の分離領域には、半導体レーザ
部3の延在方向に沿って突状の障壁部8が設けられる。
この障壁部8は、分離領域において、例えば2本の分離
溝4を半導体レーザ部3の延在方向に沿って形成するこ
とにより構成される。この障壁部8は絶縁膜5で覆われ
ている。障壁部8は、サブマウント20Aの4つの電極
(22B)の夫々に半田層(24)を介在して半導体レーザ
素子1の4つのカソード電極10の夫々を接続する際、
半田層(24)からはみ出した半田が隣接するカソード電
極10(又は隣接する電極22B)に流れ込むのを堰き
止め、隣接する電極間の短絡を防止することができるの
で、半導体レーザ装置30の組立プロセスでの歩留まり
を高めることができる。
【0037】前記半導体レーザ素子1の主面と対向する
裏面の全域にはアノード電極9が形成される。このアノ
ード電極9は、ワイヤ37を介して前記直立部34の先
端部側面に配置された電極に電気的に接続され、かつ前
記ベース基板31に直接固定されたリード35に電気的
に接続される。
【0038】なお、前記半導体レーザ素子1は、共振器
6の両端面の夫々に構造の異なる反射膜が形成され、出
力として使用される前方光(レーザ光17)がモニター用
に使用される後方光(レーザ光17)に比べて出力大とな
るように構成される。例えば前方光と後方光との出力比
が20対1となるように、前方光側の半導体レーザ素子
1の端面にはλ/4の膜厚の酸化珪素膜が形成され、後
方光側の半導体レーザ素子1の端面には、λ/4の膜厚
の酸化珪素膜とλ/4の膜厚のアモルファス珪素膜とを
交互に重ね合わせて全体として4層に形成された反射膜
が形成される。また、前記共振器6は、前述のチャネル
25に略対面する活性層13部分によって形成される。
【0039】前記サブマウント20Aは、図6(平面
図)、図7(図6に示すB−B切断線で切った断面図)
及び図8(図6に示すC−C切断線で切った断面図)に
示すように、例えばAlN又はSiCからなる絶縁性基
板21を主体にして構成される。この絶縁性基板21の
主面の素子塔載領域27上には半導体レーザ素子1が塔
載される。
【0040】前記絶縁性基板21の主面の素子塔載領域
27上には、4つの電極22Aが配置される。この4つ
の電極22Aの夫々は、分離領域で互いに電気的に分離
され、半導体レーザ素子1の4つのカソード電極10の
夫々の位置と対向した位置に配置される。また、絶縁性
基板21の主面の素子塔載領域27と異なる他の領域上
には4つの電極22Bが配置される。この4つの電極2
2Bの夫々は、配線25を介して4つの電極22Aの夫
々に夫々毎に接続される。4つの電極22Bの夫々のボ
ンディングエリア23には、前記4本のリード35の夫
々に他端側が夫々毎に接続された4本のワイヤ37の夫
々の一端側が夫々毎に接続される。サブマウント20A
は、電極22Bの占有面積を電極22Aに比べて広く構
成し、ワイヤボンディングの信頼性を高めている。前記
4つの電極22Aの夫々の主面上には半田層24が形成
される。前記絶縁性基板21の主面と対向する裏面の全
域には電極26が配置される。
【0041】前記サブマウント20の主面の素子塔載領
域27上には、図9(要部斜視図)及び図10(図9の要
部拡大断面図)に示すように、半導体レーザ素子1がそ
の主面側を下にして塔載される。つまり、サブマウント
20Aの4つの電極22Aの夫々には、半田層24を介
在して4つのカソード電極10の夫々が夫々毎に電気的
かつ機械的に接続される。
【0042】前記半田層24による電極22Aとカソー
ド電極10との接続は、まず、4つの電極22Aの夫々
の主面上に例えばスクリーン印刷法で半田ペーストを形
成(印刷)する。次に、前記サブマウント20Aの素子
塔載領域27上に半導体レーザ素子1を載置し、4つの
電極22Aの夫々の主面上に半田ペーストを介在して4
つのカソード電極10の夫々を夫々毎に載置する。次
に、LDペレットボンダ(LD組立装置)で半田ペースト
を溶融し、次に凝固することにより行われる。この接続
工程において、半田層24からはみ出した半田24a
は、図8に示すように、半導体レーザ素子1の半導体レ
ーザ部3間に設けられた突状の障壁部8で堰き止めら
れ、隣接するカソード電極10又は電極22Aに流れ込
むのを阻止されるので、半田24aに起因する電極間の
短絡を防止し、半導体レーザ装置の組立プロセスでの歩
留まりを高めることができる。
【0043】なお、前記障壁部8は、半導体レーザ素子
1の半導体レーザ部3間に設けているが、サブマウント
20Aの電極22A間に設けてもよい。
【0044】このように、本実施例によれば以下の効果
が得られる。
【0045】すなわち、半導体レーザ素子1が組み込ま
れる半導体レーザ装置30において、半田に起因する電
極間の短絡を防止し、組立プロセスでの歩留まりを高め
ることができる。
【0046】また、半田に起因する電極間の短絡を防止
し、前記半導体レーザ装置30の組立プロセスでの歩留
まりを高める半導体レーザ素子1を提供することができ
る。
【0047】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【0048】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【0049】半導体レーザ素子が組み込まれる半導体レ
ーザ装置において、半田に起因する電極間の短絡を防止
し、組立プロセスでの歩留まりを高めることができる。
【0050】また、電極間の短絡を防止し、前記半導体
レーザ装置の組立プロセスでの歩留まりを高める半導体
レーザ素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例である半導体レーザ素子が
組み込まれる光電子装置の概略構成を示す一部断面斜視
図、
【図2】 前記半導体レーザ素子の平面図、
【図3】 図2に示すA−A切断線で切った断面図、
【図4】 図2の要部拡大断面図、
【図5】 図2の要部拡大断面図、
【図6】 前記半導体レーザ素子が塔載されるサブマウ
ントの平面図、
【図7】 図6に示すB−B切断線で切った断面図、
【図8】 図6に示すC−C切断線で切った断面図、
【図9】 前記サブマウントに前記半導体レーザ素子が
塔載された状態を示す要部斜視図、
【図10】図9の要部拡大断面図。
【符号の説明】
1…半導体レーザ素子、2…p型半導体基板、3…半導
体レーザ、4…分離溝、5…絶縁膜、6…共振器、7…
多層成長層、8…障壁部、9…アノード電極、10…カ
ソード電極、11…n型内部狭窄層、12…p型クラッ
ド層、13…活性層、14…n型クラッド層、15…n+
型クラッド層、16…チャネル、17(17a,17
b,17c,17d)…レーザ光、20A,20B…サ
ブマウント、21…絶縁性基板、22A,22B…電
極、23…ボンディングエリア、24…半田層、24a
…はみ出し半田、25…配線、26…電極、30…半導
体レーザ装置、31…ベース基板(ステム)、31a…取
付孔、32…ヒートシンク、33…台座部、34…直立
部、35…リード、36…絶縁体、37…ワイヤ、38
…受光素子、39…封止用キャップ、39a…窓、40
…ガラス板。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体基板の主面に分離領域で互いに分
    離された複数の半導体レーザ部がアレイ状に配置され、
    この複数の半導体レーザ部の夫々の主面上に複数の電極
    の夫々が夫々毎に配置された半導体レーザ素子におい
    て、前記隣接する半導体レーザ部間の分離領域に、この
    半導体レーザ部の延在方向に沿って突状の障壁部を設け
    たことを特徴とする半導体レーザ素子。
  2. 【請求項2】 半導体基板の主面に分離領域で互いに分
    離された複数の半導体レーザ部がアレイ状に配置され、
    この複数の半導体レーザ部の夫々の主面上に複数の電極
    の夫々が夫々毎に配置された半導体レーザ素子がサブマ
    ウントの主面の素子塔載領域上に塔載され、前記サブマ
    ウントの素子塔載領域上に分離領域で互いに分離されて
    配置された複数の電極の夫々に半田層を介在して前記半
    導体レーザ素子の複数の電極の夫々が夫々毎に接続さ
    れ、これらがベース基板及び封止用キャップで形成され
    るキャビティ内に気密封止される半導体レーザ装置にお
    いて、前記半導体レーザ素子の隣接する半導体レーザ部
    間の分離領域若しくは前記サブマウントの隣接する電極
    間の分離領域に、前記半導体レーザ部の延在方向に沿っ
    て突状の障壁部を設けたことを特徴とする半導体レーザ
    装置。
JP24618692A 1992-09-16 1992-09-16 半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置 Pending JPH0697583A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11274634A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Hitachi Ltd 半導体レーザアレイ素子および半導体レーザアレイ装置
JP2002026465A (ja) * 2000-07-12 2002-01-25 Denso Corp 半導体レーザおよびその製造方法
US7564886B2 (en) 2004-07-07 2009-07-21 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor laser diode array

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