JPH0697583A - 半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体レーザ装置の組立プロセスにおいて、
半田に起因する電極間の短絡を防止し、歩留まりを高め
る。 【構成】半導体基板２の主面に分離領域で互いに分離さ
れた複数の半導体レーザ部３がアレイ状に配置され、こ
の複数の半導体レーザ部の夫々の主面上に複数の電極１
０の夫々が夫々毎に配置された半導体レーザ素子１がサ
ブマウント２０Ａの素子塔載領域２７上に塔載され、前
記素子塔載領域上に分離領域で互いに分離されて配置さ
れた複数の電極２２Ａの夫々に半田層２４を介在して前
記半導体レーザ素子の複数の電極の夫々が夫々毎に接続
され、これらがベース基板３１及び封止用キャップ３９
で形成されるキャビティ内に気密封止される半導体レー
ザ装置３０において、前記半導体レーザ素子の隣接する
半導体レーザ部間の分離領域若しくは前記サブマウント
の隣接する電極間の分離領域に、前記半導体レーザ部の
延在方向に沿って突状の障壁部８を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ素子及び
半導体レーザ装置に関し、特に、半導体基板の主面に分
離領域で互いに分離された複数の半導体レーザ部がアレ
イ状に配置され、この複数の半導体レーザ部の夫々の主
面上に複数の電極の夫々が夫々毎に配置された半導体レ
ーザ素子及びこの半導体レーザ素子が組み込まれる半導
体レーザ装置に適用して有効な技術に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】本発明者が開発中の半導体レーザ装置
は、ベース基板(ステム)の主面の中央領域上に複数のレ
ーザ光を発光する半導体レーザ素子を塔載し、この半導
体レーザ素子を封止用キャップで封止している。この種
の半導体レーザ装置は、例えば光ディスクメモリ等に使
用される。

【０００３】前記半導体レーザ素子は、例えばＧａＡｓ
(ガリウム・ヒ素)からなる半絶縁性の半導体基板を主体
にして構成される。この半導体基板の主面には分離領域
で互いに電気的に分離された複数の半導体レーザ部がア
レイ状に配置され、その複数の半導体レーザ部の夫々の
主面上には複数のカソード電極の夫々が夫々毎に配置さ
れる。また、半導体基板の主面と対向する裏面の全域に
はアノード電極が配置される。

【０００４】前記複数の半導体レーザ部の夫々は内部電
流狭窄型のＣＳＰ(Ｃhanneled Ｓubstate Ｐlanar)構造
で構成され、その複数の半導体レーザ部の夫々には半導
体レーザ素子の端面からレーザ光を発光する共振器が延
在している。つまり、複数の半導体レーザ部の夫々は、
半導体基板の主面上にストライプ状のチャネルを隔てて
形成された一対の内部狭窄層と、この内部狭窄層の主面
上に形成された多層成長層とで構成される。

【０００５】前記半導体レーザ素子は、その主面側を下
にしてサブマウントの主面の素子塔載領域上に塔載され
る。サブマウントの素子塔載領域上には半導体レーザ素
子の複数のカソード電極の夫々と対向した位置に複数の
電極の夫々が配置され、その複数の電極の夫々の主面上
には半田層が形成される。つまり、サブマウントの素子
塔載領域上に配置された複数の電極の夫々には、半田層
を介在して半導体レーザ素子の複数のカソード電極の夫
々が夫々毎に電気的かつ機械的に接続される。

【０００６】前記サブマウントの主面の素子塔載領域と
異なる他の領域上には複数の電極が配置され、その複数
の電極の夫々には複数のボンディングワイヤの夫々の一
端側が夫々毎に接続される。この複数のボンディングワ
イヤの夫々の他端側は、ベース基板の主面と対向する裏
面側からその主面側に貫通する複数のリードの夫々の一
端側に夫々毎に接続される。

【０００７】前記サブマウントは、ベース基板の主面の
中央領域に固定されたヒートシンクに塔載される。ま
た、このヒートシンクには前記半導体レーザ素子から発
光するレーザ光を受光する受光素子が塔載される。つま
り、半導体レーザ装置は、ベース基板及び封止用キャッ
プで形成されるキャビティ内に、半導体レーザ素子、サ
ブマウント、ボンディングワイヤ、リードの一端側、ヒ
ートシンク及び受光素子を気密封止する。

【０００８】このように構成される半導体レーザ装置
は、半導体レーザ素子から発光するレーザ光を封止用キ
ャップに形成された窓を通してキャビティ外に発光す
る。

【０００９】なお、前記半導体レーザ装置については、
例えば発明協会公開技報，公技番号７９−５５５，半導
体レーザ用サブマウント(１９７９年、３月２０日発行)
に記載されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前述の半
導体レーザ装置について検討した結果、以下の問題点を
見出した。

【００１１】前記半導体レーザ装置の組立プロセスにお
いて、サブマウントの素子塔載領域上に配置された複数
の電極の夫々に半田層を介在して半導体レーザ素子の複
数のカソード電極の夫々を夫々毎に接続する際、半田層
からはみ出した半田が隣接する電極に流れ込み、このは
み出し半田により、隣接する電極間が短絡し、半導体レ
ーザ装置の組立プロセスでの歩留まりが低下するという
問題があった。この現象は、半導体レーザ素子の小型
化、高密度化に伴う半導体レーザ部の配列ピッチの微細
化により顕著になる。

【００１２】本発明の目的は、半田に起因する電極間の
短絡を防止し、半導体レーザ装置の組立プロセスでの歩
留まりを高めることが可能な技術を提供することにあ
る。

【００１３】本発明の他の目的は、前記目的を達成する
半導体レーザ素子を提供することにある。

【００１４】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。

【００１６】（１）半導体基板の主面に分離領域で互い
に分離された複数の半導体レーザ部がアレイ状に配置さ
れ、この複数の半導体レーザ部の夫々の主面上に複数の
電極の夫々が夫々毎に配置された半導体レーザ素子にお
いて、前記隣接する半導体レーザ部間の分離領域に、こ
の半導体レーザ部の延在方向に沿って突状の障壁部を設
ける。

【００１７】（２）半導体基板の主面に分離領域で互い
に分離された複数の半導体レーザ部がアレイ状に配置さ
れ、この複数の半導体レーザ部の夫々の主面上に複数の
電極の夫々が夫々毎に配置された半導体レーザ素子がサ
ブマウントの主面の素子塔載領域上に塔載され、前記サ
ブマウントの素子塔載領域上に分離領域で互いに分離さ
れて配置された複数の電極の夫々に半田層を介在して前
記半導体レーザ素子の複数の電極の夫々が夫々毎に接続
され、これらがベース基板及び封止用キャップで形成さ
れるキャビティ内に気密封止される半導体レーザ装置に
おいて、前記半導体レーザ素子の隣接する半導体レーザ
部間の分離領域若しくは前記サブマウントの隣接する電
極間の分離領域に、前記半導体レーザ部の延在方向に沿
って突状の障壁部を設ける。

【００１８】

【作用】上述した手段によれば、半導体レーザ装置の組
立プロセスにおいて、サブマウントの素子塔載領域上に
配置された複数の電極の夫々に半田層を介在して半導体
レーザ素子の複数の電極の夫々を夫々毎に接続する際、
半田層からはみ出した半田が隣接する電極に流れ込むの
を障壁部で堰き止めることができるので、隣接する電極
間の短絡を防止することができる。この結果、半導体レ
ーザ装置の組立プロセスでの歩留まりを高めることがで
きる。

【００１９】また、はみ出し半田に起因する電極間の短
絡を防止し、半導体レーザ装置の組立プロセスでの歩留
まりを高める半導体レーザ素子を提供できる。

【００２０】以下、本発明の構成について、半導体レー
ザ素子が組み込まれる半導体レーザ装置に本発明を適用
した、本発明の一実施例とともに説明する。

【００２１】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。

【００２２】

【実施例】本発明の一実施例である半導体レーザ素子が
組み込まれる半導体レーザ装置の概略構成を図１(一部
断面斜視図)に示す。

【００２３】図１に示すように、本実施例の半導体レー
ザ装置３０は、熱放散性の高い金属(例えばＦｅ)からな
るベース基板(ステム)３１の主面の中央領域上に例えば
４つのビームを発光する半導体レーザ素子１を塔載し、
この半導体レーザ素子１を封止用キャップ３９で封止し
ている。つまり、半導体レーザ素子１は、ベース基板３
１及び封止用キャップ３９で形成されるキャビティ内に
気密封止される。この種の半導体レーザ装置は例えば光
ディスクメモリ等に使用される。

【００２４】前記ベース基板３１の主面の中央領域上に
は、熱放散性の高い金属（例えばＣｕ又はＡｇ）からな
るヒートシンク３２がろう材で固定される。このヒート
シンク３２は、ベース基板３１に固定される台座部３３
及びこの台座部３３の一端側において上方に直立に突出
した直立部３４で構成される。

【００２５】前記直立部３４の先端部側面(レーザ素子
塔載面)上には、サブマウント２０Ａを介在して半導体
レーザ素子１が塔載される。この半導体レーザ素子１
は、その互いに対向する両端面の夫々の面から４つのレ
ーザ光１７（１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ）を発光
する。つまり、半導体レーザ素子１は、４つの半導体レ
ーザ部(３)を構成する。なお、図１は、半導体レーザ素
子１の前方端面から発光するレーザ光１７のみを図示し
ている。

【００２６】前記台座部３３の傾斜面(受光素子塔載面)
上には、サブマウント２０Ｂを介在して受光素子３８が
塔載される。この受光素子３８は、前記半導体レーザ素
子１の後方端面から発光するレーザ光１７を受光し、光
出力をモニターする。受光素子３８は、その主面に複数
の電極が配置されると共に、その主面と対向する裏面の
全域に電極が配置される。

【００２７】前記ベース基板３１には例えば７本のリー
ド３５が設けられる。この７本のリード３５のうち、１
本のリード３５は、ベース基板３１に直接固定され、半
導体レーザ素子１のアノード電極(９)に電気的に接続さ
れる。また、残り６本のリード３５の夫々は、ベース基
板３１の主面と対向する裏面側からその主面側（キャビ
ティ側）に貫通し、絶縁体３６を介在してベース基板３
１に固定される。つまり、６本のリード３５の夫々は、
その一端側がベース基板３１のキャビティ側に配置さ
れ、その他端側がベース基板３１の裏面側に配置され
る。

【００２８】前記６本のリード３５のうち、キャビティ
側への突出が短い２本のリード３５の夫々には、ワイヤ
３７の夫々の他端側が夫々毎に接続される。この２本の
ワイヤ３７のうち、１本のワイヤ３７の一端側は受光素
子３８の主面に配置された電極に接続され、他のワイヤ
３７の一端側はサブマウント２０Ｂの主面に配置された
電極に接続される。また、６本のリード３５のうち、残
り４本のリード３５の夫々の一端側には扁平状のボンデ
ィング部が形成され、このボンディング部の夫々にはワ
イヤ３７の夫々の他端側が夫々毎に接続される。この４
本のワイヤ３７の夫々の一端側は、サブマウント２０Ａ
の主面に配置された４つの電極(２２Ｂ)の夫々に夫々毎
に接続される。

【００２９】前記封止用キャップ３９は、ベース基板３
１の主面の中央領域に気密的に固定され、半導体レーザ
素子１、サブマウント２０Ａ、２０Ｂ、ヒートシンク３
２、リード３５の一端側、ワイヤ３７及び受光素子３８
等を封止する。つまり、本実施例の半導体レーザ装置３
０は、ベース基板３１及び封止用キャップ３９で形成さ
れるキャビティ内に半導体レーザ素子１、サブマウント
２０Ａ、２０Ｂ、ヒートシンク３２、リード３５の一端
側、ワイヤ３７及び受光素子３８等を気密封止する。な
お、ワイヤ３７としては、例えば金ワイヤが使用され
る。

【００３０】前記封止用キャップ３９の天井部には窓３
９ａが形成される。また、封止用キャップ３９の天井部
には、窓３９ａを塞ぐ透明なガラス板４０が気密的に固
着される。つまり、半導体レーザ素子１から発光するレ
ーザ光１７は、封止用キャップ３９の窓３９ａを通過し
てキャビティ内からキャビティ外に発光される。

【００３１】なお、前記ベース基板３１には、半導体レ
ーザ装置３０を使用機器に取り付ける際に使用される取
付孔３１ａが設けられる。

【００３２】前記半導体レーザ素子１は、図２(平面
図)、図３（図２に示すＡ−Ａ切断線で切った断面
図）、図４(図３の要部拡大断面図)及び図５(図３の要
部拡大断面図)に示すように、例えばＧａＡｓ(ガリウム
・ヒ素)からなる半絶縁性のｐ型半導体基板２を主体に
して構成される。このｐ型半導体基板２の主面には４つ
の半導体レーザ部３がアレイ状に配置される。

【００３３】前記４つの半導体レーザ部３の夫々は、内
部電流狭窄型のＣＳＰ構造で構成される。この４つの半
導体レーザ部３の夫々には、半導体レーザ素子１の端面
からレーザ光１７を発光する共振器６が延在している。
つまり、半導体レーザ部３は、ｐ型半導体基板２の主面
上にストライプ状のチャネル１６を隔てて形成された一
対のｎ型内部狭窄層１１と、このｎ型内部狭窄層１１の
主面上に形成された多層成長層７とで構成される。一対
のｎ型内部狭窄層１１は、例えばＧａＡｓ膜で形成さ
れ、０．８μｍ程度の膜厚で形成される。

【００３４】前記多層成長層７は、ｎ型内部狭窄層１１
の主面上にｐ型クラッド層１２、活性層１３、ｎ型クラ
ッド層１４、n+型キャップ層１５の夫々を例えば液相エ
ピタキシャル成長法で順次成長させた積層膜で構成され
る。ｐ型クラッド層１２は例えばＧａＡｌＡｓ膜で形成
され、０．１〜０．３μｍ程度の膜厚で形成される。活
性層１３は例えばＧａＡｌＡｓ膜で形成され、０．１μ
ｍ程度の膜厚で形成される。ｎ型クラッド層１４は例え
ばＧａＡｌＡｓ膜で形成され、１．０〜２．０μｍ程度
の膜厚で形成される。n+型キャップ層１５は例えばＧａ
Ａｓ膜で形成され、１．０〜３．０μｍ程度の膜厚で形
成される。このように構成される４つの半導体レーザ部
３の夫々は、分離域領域で互いに電気的に分離される。
なお、多層成長層７の側壁面は絶縁膜５で覆われてい
る。

【００３５】前記４つの多層成長層７の夫々の主面上に
は、カソード電極(固有電極)１０の夫々が夫々毎に形成
される。この４つのカソード電極１０の夫々は、多層成
長層７の延在方向に沿って延在し、分離領域で互いに電
気的に分離される。この４つのカソード電極１０の夫々
は、後述するサブマウント２０Ａの主面の素子塔載領域
(２７)上に配置された４つの電極(２２Ａ)の夫々に半田
層(２４)を介在して夫々毎に電気的かつ機械的に接続さ
れる。

【００３６】前記半導体レーザ素子１において、隣接す
る半導体レーザ部３の間の分離領域には、半導体レーザ
部３の延在方向に沿って突状の障壁部８が設けられる。
この障壁部８は、分離領域において、例えば２本の分離
溝４を半導体レーザ部３の延在方向に沿って形成するこ
とにより構成される。この障壁部８は絶縁膜５で覆われ
ている。障壁部８は、サブマウント２０Ａの４つの電極
(２２Ｂ)の夫々に半田層(２４)を介在して半導体レーザ
素子１の４つのカソード電極１０の夫々を接続する際、
半田層(２４)からはみ出した半田が隣接するカソード電
極１０（又は隣接する電極２２Ｂ）に流れ込むのを堰き
止め、隣接する電極間の短絡を防止することができるの
で、半導体レーザ装置３０の組立プロセスでの歩留まり
を高めることができる。

【００３７】前記半導体レーザ素子１の主面と対向する
裏面の全域にはアノード電極９が形成される。このアノ
ード電極９は、ワイヤ３７を介して前記直立部３４の先
端部側面に配置された電極に電気的に接続され、かつ前
記ベース基板３１に直接固定されたリード３５に電気的
に接続される。

【００３８】なお、前記半導体レーザ素子１は、共振器
６の両端面の夫々に構造の異なる反射膜が形成され、出
力として使用される前方光(レーザ光１７)がモニター用
に使用される後方光(レーザ光１７)に比べて出力大とな
るように構成される。例えば前方光と後方光との出力比
が２０対１となるように、前方光側の半導体レーザ素子
１の端面にはλ／４の膜厚の酸化珪素膜が形成され、後
方光側の半導体レーザ素子１の端面には、λ／４の膜厚
の酸化珪素膜とλ／４の膜厚のアモルファス珪素膜とを
交互に重ね合わせて全体として４層に形成された反射膜
が形成される。また、前記共振器６は、前述のチャネル
２５に略対面する活性層１３部分によって形成される。

【００３９】前記サブマウント２０Ａは、図６（平面
図）、図７（図６に示すＢ−Ｂ切断線で切った断面図）
及び図８（図６に示すＣ−Ｃ切断線で切った断面図）に
示すように、例えばＡｌＮ又はＳｉＣからなる絶縁性基
板２１を主体にして構成される。この絶縁性基板２１の
主面の素子塔載領域２７上には半導体レーザ素子１が塔
載される。

【００４０】前記絶縁性基板２１の主面の素子塔載領域
２７上には、４つの電極２２Ａが配置される。この４つ
の電極２２Ａの夫々は、分離領域で互いに電気的に分離
され、半導体レーザ素子１の４つのカソード電極１０の
夫々の位置と対向した位置に配置される。また、絶縁性
基板２１の主面の素子塔載領域２７と異なる他の領域上
には４つの電極２２Ｂが配置される。この４つの電極２
２Ｂの夫々は、配線２５を介して４つの電極２２Ａの夫
々に夫々毎に接続される。４つの電極２２Ｂの夫々のボ
ンディングエリア２３には、前記４本のリード３５の夫
々に他端側が夫々毎に接続された４本のワイヤ３７の夫
々の一端側が夫々毎に接続される。サブマウント２０Ａ
は、電極２２Ｂの占有面積を電極２２Ａに比べて広く構
成し、ワイヤボンディングの信頼性を高めている。前記
４つの電極２２Ａの夫々の主面上には半田層２４が形成
される。前記絶縁性基板２１の主面と対向する裏面の全
域には電極２６が配置される。

【００４１】前記サブマウント２０の主面の素子塔載領
域２７上には、図９(要部斜視図)及び図１０(図９の要
部拡大断面図)に示すように、半導体レーザ素子１がそ
の主面側を下にして塔載される。つまり、サブマウント
２０Ａの４つの電極２２Ａの夫々には、半田層２４を介
在して４つのカソード電極１０の夫々が夫々毎に電気的
かつ機械的に接続される。

【００４２】前記半田層２４による電極２２Ａとカソー
ド電極１０との接続は、まず、４つの電極２２Ａの夫々
の主面上に例えばスクリーン印刷法で半田ペーストを形
成(印刷）する。次に、前記サブマウント２０Ａの素子
塔載領域２７上に半導体レーザ素子１を載置し、４つの
電極２２Ａの夫々の主面上に半田ペーストを介在して４
つのカソード電極１０の夫々を夫々毎に載置する。次
に、ＬＤペレットボンダ(ＬＤ組立装置)で半田ペースト
を溶融し、次に凝固することにより行われる。この接続
工程において、半田層２４からはみ出した半田２４ａ
は、図８に示すように、半導体レーザ素子１の半導体レ
ーザ部３間に設けられた突状の障壁部８で堰き止めら
れ、隣接するカソード電極１０又は電極２２Ａに流れ込
むのを阻止されるので、半田２４ａに起因する電極間の
短絡を防止し、半導体レーザ装置の組立プロセスでの歩
留まりを高めることができる。

【００４３】なお、前記障壁部８は、半導体レーザ素子
１の半導体レーザ部３間に設けているが、サブマウント
２０Ａの電極２２Ａ間に設けてもよい。

【００４４】このように、本実施例によれば以下の効果
が得られる。

【００４５】すなわち、半導体レーザ素子１が組み込ま
れる半導体レーザ装置３０において、半田に起因する電
極間の短絡を防止し、組立プロセスでの歩留まりを高め
ることができる。

【００４６】また、半田に起因する電極間の短絡を防止
し、前記半導体レーザ装置３０の組立プロセスでの歩留
まりを高める半導体レーザ素子１を提供することができ
る。

【００４７】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。

【００４８】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００４９】半導体レーザ素子が組み込まれる半導体レ
ーザ装置において、半田に起因する電極間の短絡を防止
し、組立プロセスでの歩留まりを高めることができる。

【００５０】また、電極間の短絡を防止し、前記半導体
レーザ装置の組立プロセスでの歩留まりを高める半導体
レーザ素子を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例である半導体レーザ素子が
組み込まれる光電子装置の概略構成を示す一部断面斜視
図、

【図２】 前記半導体レーザ素子の平面図、

【図３】 図２に示すＡ−Ａ切断線で切った断面図、

【図４】 図２の要部拡大断面図、

【図５】 図２の要部拡大断面図、

【図６】 前記半導体レーザ素子が塔載されるサブマウ
ントの平面図、

【図７】 図６に示すＢ−Ｂ切断線で切った断面図、

【図８】 図６に示すＣ−Ｃ切断線で切った断面図、

【図９】 前記サブマウントに前記半導体レーザ素子が
塔載された状態を示す要部斜視図、

【図１０】図９の要部拡大断面図。

【符号の説明】

１…半導体レーザ素子、２…ｐ型半導体基板、３…半導
体レーザ、４…分離溝、５…絶縁膜、６…共振器、７…
多層成長層、８…障壁部、９…アノード電極、１０…カ
ソード電極、１１…ｎ型内部狭窄層、１２…ｐ型クラッ
ド層、１３…活性層、１４…ｎ型クラッド層、１５…n+
型クラッド層、１６…チャネル、１７（１７ａ，１７
ｂ，１７ｃ，１７ｄ）…レーザ光、２０Ａ，２０Ｂ…サ
ブマウント、２１…絶縁性基板、２２Ａ，２２Ｂ…電
極、２３…ボンディングエリア、２４…半田層、２４ａ
…はみ出し半田、２５…配線、２６…電極、３０…半導
体レーザ装置、３１…ベース基板(ステム)、３１ａ…取
付孔、３２…ヒートシンク、３３…台座部、３４…直立
部、３５…リード、３６…絶縁体、３７…ワイヤ、３８
…受光素子、３９…封止用キャップ、３９ａ…窓、４０
…ガラス板。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板の主面に分離領域で互いに分
   離された複数の半導体レーザ部がアレイ状に配置され、
   この複数の半導体レーザ部の夫々の主面上に複数の電極
   の夫々が夫々毎に配置された半導体レーザ素子におい
   て、前記隣接する半導体レーザ部間の分離領域に、この
   半導体レーザ部の延在方向に沿って突状の障壁部を設け
   たことを特徴とする半導体レーザ素子。
2. 【請求項２】 半導体基板の主面に分離領域で互いに分
   離された複数の半導体レーザ部がアレイ状に配置され、
   この複数の半導体レーザ部の夫々の主面上に複数の電極
   の夫々が夫々毎に配置された半導体レーザ素子がサブマ
   ウントの主面の素子塔載領域上に塔載され、前記サブマ
   ウントの素子塔載領域上に分離領域で互いに分離されて
   配置された複数の電極の夫々に半田層を介在して前記半
   導体レーザ素子の複数の電極の夫々が夫々毎に接続さ
   れ、これらがベース基板及び封止用キャップで形成され
   るキャビティ内に気密封止される半導体レーザ装置にお
   いて、前記半導体レーザ素子の隣接する半導体レーザ部
   間の分離領域若しくは前記サブマウントの隣接する電極
   間の分離領域に、前記半導体レーザ部の延在方向に沿っ
   て突状の障壁部を設けたことを特徴とする半導体レーザ
   装置。