JPH02254783A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置

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JPH02254783A
JPH02254783A JP1077722A JP7772289A JPH02254783A JP H02254783 A JPH02254783 A JP H02254783A JP 1077722 A JP1077722 A JP 1077722A JP 7772289 A JP7772289 A JP 7772289A JP H02254783 A JPH02254783 A JP H02254783A
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    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • H01S5/4043—Edge-emitting structures with vertically stacked active layers

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は光デイスク装置等の光源として用いられる半
導体レーザ装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第２図は従来の２ビ一ムアレイ半導体レーザ装置を示す
断面図であり、図において、１０はモノリシックな２ビ
一ムアレイ半導体レーザ（以下２ビームアレイＬＤとす
る）チップ、１１はこの２ビームアレイＬＤチツプ１０
をボンディングしたＳｔサブマウント、１２はヒートシ
ンク、５は２ビームアレイＬＤチツプ１０のモニタ光を
受光するために設置されたモニタ用受光素子、６は上記
ヒートシンク１２とモニタ用受光素子５をボンディング
したステム、７はキャップ、８はキャップに取り付けら
れた窓ガラスである。
次に動作について説明する。
２ビームアレイＬ　Ｄチップ１０から出射された２つの
モニタ光は、ステム６上に設置された１つのモニタ用受
光素子５により光検出される。次に、このモニタ用受光
素子５で光信号を電気信号に変換し、該電気信号を外部
のＡ　Ｐ　Ｃ（Ａｕｔｏ　Ｔ’ｏｗｅｒ　Ｃｏｎｔｒｏ
ｆ）　回路へ送り、２ビームアレイＬＤチツプ１０の前
端面より出射されるレーザ光の光出力を調整する。
しかるにこのような従来の装置では、２ビームアレイＬ
Ｄチツプ１０から出射される２つのモニタ光を１つのモ
ニタ用受光素子５で受光するため、同時に２つのレーザ
光を発光させる場合、それぞれのレーザ光を独立にＡＰ
Ｃ駆動させることができず、また熱的、電気的干渉を受
けやすかった。
そこで、上記従来例の改善をはかったものとして以下に
示すものがある。
第３図は特開昭６０−１７５４７６号に記載された半導
体装置を示す図であり、図において、１４は半導体基板
、１３は電極、１５は絶縁領域、１６はヒートシンク体
、１７は絶縁体である。ここではヒートシンク体となる
金属片と電極分離のための絶縁体片をサンドウィンチ状
に張り合わせ、それぞれのヒートシンク体に半導体チッ
プをマウントシたものである。このようにした半導体装
置では、各半導体チップを電気的及び熱的に分離するこ
とができる。
また、第４図は特開昭６１−１５９７８８号に記載され
た半導体レーザアレイ装置を示す図であり、図において
、１８は半導体レーザアレイ、１９はｎ型ＧａＡｓヒー
トシンク、２０はＳｉｎ型ＧａＡｓヒートシンク１９上
に形成されたｐｎ接合フォトダイオード、２１は電極、
２２はｎ型ＧａＡｓヒートシンク１９をエツチングで残
した部分である。
ここでは、複数の半導体レーザ素子よりなる半導体レー
ザアレイ１８をヒートシンク１９上に保持し、該ヒート
シンク１９上の個々の半導体レーザ素子の直後にその光
出力をモニタするｐｎ接合フォトダイオード２０を設け
、かつ個々のフォトダイオードの間にヒートシンクを凸
状に残した領域２２を設けたものである。このように構
成することによって、個々の半導体レーザ素子の後方端
面から放出されるレーザ光は、フォトダイオード２０に
よって正確にモニタできると共に、隣接するフォトダイ
オード間には凸状のＧ　ａ　Ａ、　ｓ　９５域２２があ
るので、個別的にそれぞれのレーザ光のみを正確にモニ
タできる。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、上記特開昭６０−１７５４７６号に示さ
れた半導体装置において、上記半導体チップとしてＬＤ
チップを用いた場合、複数のＬＤチップは同一主面上に
置かれるため、それぞれのレーザ光を同時に発光させ受
光素子でモニタする場合、お互いの熱的、電気的干渉が
問題となる。また、それぞれのレーザ光を独立にＡＰＣ
％ｌｉ動させることはできない。
また、上記特開昭６１−１５９７８８号に示された半導
体レーザアレイ装置では、各レーザ素子は同一主面上に
置かれているので、その光出力をモニタする複数のｐｎ
接合フォトダイオードは、このように隣接する該フォト
ダイオード間に上記凸状のＧａ　Ａ　ｓ　ｔ＋ｉ域２２
を設ける場合においても、半導体レーザアレイに極めて
近接して設ける必要があり、製造が困難であるという問
題があった。またヒートシンクにＧａＡｓを使用してい
るので、熱の放散性が悪いという問題があった。
この発明は上記のような従来のものの問題点を解消する
ためになされたもので、１つ１つのレーザ光を独立にＡ
ＰＣｗＡ動できるとともに、熱的。
電気的干渉のない半導体レーザ装置を得ることを目的と
する。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体レーザ装置は、そのヒートシンク
を、素子搭載面を有する複数の素子搭載部と、該各素子
搭載部を相互に電気的に絶縁分離する絶縁体とから構成
し、１組の半導体レーザ素子及び受光素子を、これが他
の組のものと同一平面上に位置しないよう上記各素子搭
載部の素子搭載面上に配置するようにしたものである。
〔作用〕 この発明における半導体レーザ装置では、そのヒートシ
ンクを素子搭載部と絶縁体とから構成し、該素子搭載部
の素子搭載面には１！ＩＪｌのレーザ素子及び受光素子
を、これが他の組のものと同一平面上に位置しないよう
に配置するようにしたので、それぞれのレーザ素子が互
いに熱的、電気的干渉を受けることなく、それぞれのレ
ーザ光を個別的に正確にモニタできる。さらに、１つの
レーザ素子に対して１つの受光素子を設けているので、
互いに独立したＡＰＣ駆動が可能となる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図（ａ）はこの発明の一実施例による２ビ一ムア１
／イ半導体レーザ装置を示す断面図、同図（ｂ）はその
上面図である０図において、２は積層ヒートシンクで、
熱伝導性が悪いアルミナからなる絶縁体４を、熱伝導性
が良い銀からなる素子搭載部３で挟んだものである。１
ａ、１ｂは上記素子搭載部３の素子搭載面に、上記絶縁
体４を挟むかたちで設けられた半導体レーザチップ（以
下ＬＤと略す）であり、それぞれの後方にはモニタ用受
光素子（以下ＰＤと略す）５ａ、５ｂが設けられている
。６は５本のリード端子を存するステム、７はキャップ
、８は窓ガラスである。また、装置外部にはＰＤ５ａ、
５ｂに対して別々のＡＰＣ回路が設けられている。
次に動作について説明する。
ＬＤｌａ、ｌｂから出射されたモニタ光は、それぞれの
ＬＤの後方に別々に設けられたＰＤ５ａ。
５ｂで受光され電流となる。該電流は、ＰＤ５ａ５ｂに
対応して外部に別々に設けられたＡＰＣ回路へ送られる
。ここで、上記電流の大きさとＬＤＯ前端面より出射さ
れるレーザ光の光出力は比例するので、ＰＤ５ａ、５ｂ
が受ける電流を一定にするようにそれぞれのＡＰＣ回路
よりＰＤ５ａ。
５ｂに電流を加えて調整する。このようにして、ＬＤｌ
ａ、ｌｂの前端面より出射されるレーザ光の光出力を一
定に保つことができる。
また、ＬＤｌａ、ｌｂは発光すると同時に発光点近傍に
おいて発熱するが、その熱は積層ヒートシンク２の銀か
らなる素子搭載部３からステム６へと伝導する。該素子
搭載部３はその中心に熱伝導性の悪いアルミナからなる
絶縁体４を挟んでいるので、ＬＤｌａ、ｌｂが互いに熱
的、電気的干渉を受けることなく、それぞれのレーザ光
を個別的に正確にモニタできる。
なお上記実施例では、ＬＤｌａ、ｌｂとヒートシンク３
とは直接接合させたが、その間に熱応力緩和のためのＳ
ｔサブマウントを介してもよい。
また上記実施例では素子搭載部３には銀を、絶縁体４に
はアルミナを用いたが、素子搭載部は銅、または鉄でも
よく、絶縁体は石英ガラスであってもよい。
さらに上記実施例では２ビームアレイＬＤを例に説明し
たが、本発明はこれに限るものではなく、複数の素子搭
載部を持つヒートシンクの同一素子搭載面上に１組のＬ
ＤとＰＤを備え、かつ該素子搭載部が絶縁層によって互
いに電気的に分離されている構成であれば、第５図に示
すような３ビームアレイＬＤ、または第６図に示すよう
な４ビームアレイＬＤ、あるいはそれ以外のものでもよ
く、上記実施例と同様の効果を奏する。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明に係る半導体レーザ装置によれ
ば、ヒートシンクを、素子搭載面を有する複数の素子搭
載部と該各素子搭載部を絶縁分離する絶縁体とから構成
し、１組のＬＤ及びＰＤを、これが他の組のものと同一
平面上に位置しないように上記各素子搭載面上に設置す
るようにしたので、互いのＬＤが熱的、電気的干渉を受
けることなく、それぞれのレーザ光を個別的に正確にモ
ニタできる。また、複数のＬＤを独立ＡＰＣｗＡ動する
ように構成したので、同時に安定した発光が可能となる
。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）はこの発明の一実施例による２ビ一ムアレ
イ半導体レーザ装置を示す断面図、同図（ｂ）はその上
面図、第２図は従来の２ビ一ムアレイ半導体レーザ装置
を示す断面図、第３図は従来の他の実施例による半導体
装置の斜視図、第４図は従来の他の実施例による半導体
レーザアレイ装置の構造図、第５図２第６図はこの発明
の他の実施例による３ビームアレイＬＤ、及び４ビーム
アレイＬＤを上から見た場合の概略構成図である。 図において、ｌａ、ｌｂはＬＤ、２は積層ヒートシンク
、３は銀よりなる素子搭載部、４はアルミナよりなる絶
縁体、５ａ、５ｂはＰＤ、６はステム、７はキャップ、
８は窓ガラス、１０は２ビ−ムアレイＬＤ、１１はＳｔ
サブマウント、１２゜１６．１９はヒートシンク、１３
は電極、１４は半導体基板、１５は絶縁領域、１７は絶
縁体、１０は半導体レーザアレイ、２０はフォトダイオ
ード、２１は電極、２２はヒートシンクをエツチングで
残した部分である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体レーザ素子及び該レーザ光のモニタ用受光
    素子の複数組を搭載したヒートシンクを有し、外部制御
    回路により上記レーザ光出力を調整するようにした半導
    体レーザ装置において、上記ヒートシンクを、素子搭載
    面を有する複数の素子搭載部と、該各素子搭載部を相互
    に絶縁分離する絶縁体とから構成し、 １組の半導体レーザ素子及び受光素子を、これが他の組
    のものと同一平面上に位置しないよう上記各素子搭載部
    の素子搭載面上に配置したことを特徴とする半導体レー
    ザ装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07193336A (ja) * 1993-11-22 1995-07-28 Xerox Corp レーザダイオード後面放射モニタリング装置及びレーザダイオードアレイ構成方法
JPH07193340A (ja) * 1993-11-22 1995-07-28 Xerox Corp 正確に位置決めされたダイオード・レーザーの非モノリシック・アレイ
JP2003218471A (ja) * 1993-11-22 2003-07-31 Xerox Corp レーザダイオード生成方法
JP2006529058A (ja) * 2003-05-28 2006-12-28 ソウル セミコンダクター シーオー エルティディ 少なくとも２個のヒートシンクを有する発光ダイオードパッケージ及び発光ダイオードシステム

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2677716B2 (ja) * 1991-03-15 1997-11-17 シャープ株式会社 半導体レーザ装置
US5499262A (en) * 1992-03-18 1996-03-12 Rohm Co., Ltd. Semiconductor laser light source unit
US5513200A (en) * 1992-09-22 1996-04-30 Xerox Corporation Monolithic array of independently addressable diode lasers
JP2863678B2 (ja) * 1992-09-28 1999-03-03 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置及びその製造方法
US5640188A (en) * 1992-12-18 1997-06-17 Xerox Corporation Multiple diode laser employing mating substrates
JPH0851247A (ja) * 1994-08-05 1996-02-20 Mitsubishi Electric Corp 集積型半導体レーザ装置の製造方法，及び集積型半導体レーザ装置
JPH11103120A (ja) * 1997-09-25 1999-04-13 Rohm Co Ltd 半導体レーザ装置
EP1309048A1 (en) * 2001-11-06 2003-05-07 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Electronic or opto-electronic packages
US20050196112A1 (en) * 2004-03-08 2005-09-08 Toshio Takagi Transmitting optical subassembly capable of monitoring the front beam of the semiconductor laser diode
JP5522977B2 (ja) * 2009-06-09 2014-06-18 三菱電機株式会社 多波長半導体レーザ装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5842286A (ja) * 1981-09-07 1983-03-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザ装置
JPS59172787A (ja) * 1983-03-22 1984-09-29 Sharp Corp 半導体レ−ザのサブマウント装置
JPS60175476A (ja) * 1984-02-22 1985-09-09 Toshiba Corp 集積化半導体装置の製造方法
JPS61159788A (ja) * 1985-01-07 1986-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レ−ザアレイ装置
KR910004265B1 (ko) * 1987-03-26 1991-06-25 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 반도체 레이저 장치와 그 제조 방법 및 그것을 사용한 광 헤드
JPS63287085A (ja) * 1987-05-19 1988-11-24 Omron Tateisi Electronics Co マルチビ−ム光源

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07193336A (ja) * 1993-11-22 1995-07-28 Xerox Corp レーザダイオード後面放射モニタリング装置及びレーザダイオードアレイ構成方法
JPH07193340A (ja) * 1993-11-22 1995-07-28 Xerox Corp 正確に位置決めされたダイオード・レーザーの非モノリシック・アレイ
JP2003218471A (ja) * 1993-11-22 2003-07-31 Xerox Corp レーザダイオード生成方法
JP2004274085A (ja) * 1993-11-22 2004-09-30 Xerox Corp レーザダイオードアレイ
JP2006529058A (ja) * 2003-05-28 2006-12-28 ソウル セミコンダクター シーオー エルティディ 少なくとも２個のヒートシンクを有する発光ダイオードパッケージ及び発光ダイオードシステム
US7994526B2 (en) 2003-05-28 2011-08-09 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting diode system having at least two heat sinks
US8823036B2 (en) 2003-05-28 2014-09-02 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting diode system having at least two heat sinks

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0719929B2 (ja) 1995-03-06
EP0390313A3 (en) 1991-03-27
DE69009266T2 (de) 1994-09-22
EP0390313A2 (en) 1990-10-03
US5022035A (en) 1991-06-04
DE69009266D1 (de) 1994-07-07
EP0390313B1 (en) 1994-06-01

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