JP2001208939A - 光素子モジュール、モニタ付レーザチップの製造方法、積層チップの実装方法、光素子モジュールの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光素子モジュールにおいて、レーザチップ前
面からのレーザ出射光での光量のモニタが可能でかつ組
立が容易なモジュール構造を実現させるための光素子モ
ジュールを提供する。 【解決手段】 ヒートシンク２上の所定の位置に、レー
ザチップ３０ａとモニタ用受光チップ３０ｂが集積化さ
れたモニタ付レーザチップ３０と、先端部に傾斜面３ａ
を有する光ファイバ３をそれぞれ固定し、レーザチップ
前面からの出射光の光ファイバの傾斜面で一部反射され
た反射光をモニタ付レーザチップ３０の受光領域３０ｄ
で受光するように構成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、光ファイバ通信
においる光加入者系などに用いられる低コストの光素子
モジュール、およびこれに関連するモニタ付レーザチッ
プの製造方法、積層チップの実装方法、光素子モジュー
ルの製造方法等に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】レーザモジュールは半導体レーザチップ
から出力されたレーザ光を光ファイバにより外部に導く
と共に、レーザチップから出力されたレーザ光を、レー
ザ光量をモニタするためのモニタ用受光チップに導く様
に設計されている。レーザ光に光ファイバをアライメン
トするために、レーザチップと光ファイバを高精度に位
置合わせする必要がある。

【０００３】従来、光ファイバのアライメントはヒート
シンクに固定されたレーザチップからレーザ光線を出力
させる一方、ヒートシンク上で光ファイバの位置を調整
し、光ファイバから出力される光パワーが最大になる位
置に光ファイバを固定していた。アクティブアライメン
トと呼ばれるこの方法は、光ファイバとレーザチップと
を高精度に位置合わせすることが可能であるが、アライ
メントに時間がかかるという問題があった。

【０００４】近年、上記の問題に対処するためにパッシ
ブアライメントと呼ばれる方法が提案されている。図１
２は、学会発表(１９９５年電子情報通信学会総合大
会、Ｃ−１８４)で報告されたパッシブアライメント方
法による、半導体レーザと光ファイバを結合させた光素
子モジュールの組立概念図である。図において、１００
０はパッケージ、１００１はシリコン基板、１００２は
ＰＤキャリア、１００３は光ファイバ、１００４はファ
イバ押え、１００５はフタ、１００６は光ファイバ１０
０３を押えるブロックである。

【０００５】この方法は、ヒートシンクであるシリコン
基板にＶ型溝を形成しておき、このＶ型溝に光ファイバ
を固定した後にレーザチップを所定の位置に高精度に固
定することにより、レーザチップと光ファイバとのアラ
イメントを不要としている。

【０００６】図１３にパッシブアライメント方式の光素
子モジュールの製造フローを示す。この中で、レーザ光
を受光するモニタ用受光チップの組立はまず、モニタ用
受光チップを受光チップ用キャリアの所定の位置にハン
ダで固定した後に、受光チップとキャリア間をワイヤボ
ンドし、この後にキャリアごと、レーザ光を十分入射す
ることができるパッケージ上の所定の位置に固定する。
このとき、モニタ用受光チップはレーザチップの後面側
に固定することが一般的に行われている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このモ
ジュールには以下に説明するような課題があった。すな
わち、レーザ光のモニタは本来レーザチップ前面からの
出射光をモニタすべきであるが、レーザ前面には光ファ
イバが位置していることから、モニタ用受光チップはレ
ーザチップの後側に固定され、従ってレーザチップ後面
光をモニタしている。このため、レーザ出力の前面パワ
ーと後面パワーの比が温度変化等により変動した場合、
前面光を正確にモニタできないという問題点があった。

【０００８】また、レーザ光をモニタするためにモニタ
用受光チップはレーザに対し特定の位置に固定する必要
があるという問題点があった。また受光チップを固定す
るためにキャリアを使用するため、受光チップとキャリ
ア間のワイヤボンド工程が必要なため作業工程が増え、
また受光チップを固定するためにキャリアを使用するた
め、部品コストがかかるという問題点があった。

【０００９】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、本発明の目的は、レーザチ
ップ前面光で光量をモニタでき、また部品点数および作
業工程が削減できる光素子モジュール、およびこれに関
連するモニタ付レーザチップの製造方法、積層チップの
実装方法、光素子モジュールの製造方法等を提供するこ
とを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の目的に鑑み、この
発明は、レーザ光を出力するレーザチップと、該レーザ
光が入力されそれを外部に導く光ファイバと、上記レー
ザチップのレーザ光出力の光量をモニタするモニタ用受
光チップからなる光素子モジュールにおいて、上記光フ
ァイバの上記レーザチップに対向する側の端部が傾斜面
となっており、レーザチップ前面から出力されたレーザ
光が一部該傾斜面により反射され、該反射光の位置に上
記モニタ用受光チップを設けたことを特徴とする光素子
モジュールにある。

【００１１】またこの発明は、上記レーザチップと光フ
ァイバが同一のヒートシンク上に所定の位置関係で固定
されることを特徴とする請求項１に記載の光素子モジュ
ールにある。

【００１２】またこの発明は、上記モニタ用受光チップ
が上記レーザチップと同一基板内に横並びに集積して形
成されたモニタ付レーザチップを設け、このモニタ付レ
ーザチップが光ファイバと同一のヒートシンク上に所定
の位置関係で固定され、光ファイバの傾斜面がモニタ用
受光チップに向いていることを特徴とする請求項２に記
載の光素子モジュールにある。

【００１３】またこの発明は、上記モニタ用受光チップ
が上記レーザチップと同一基板内に縦並びに集積して形
成したモニタ付レーザチップを設け、このモニタ付レー
ザチップが光ファイバと同一のヒートシンク上に所定の
位置関係で固定され、光ファイバの傾斜面がモニタ用受
光チップに向いていることを特徴とする請求項２に記載
の光素子モジュールにある。

【００１４】またこの発明は、上記モニタ用受光チップ
の受光領域が上記光ファイバの反射面からの反射光の光
線方向に沿って延びるように形成されていることを特徴
とする請求項３または４に記載の光素子モジュールにあ
る。

【００１５】またこの発明は、上記モニタ用受光チップ
がキャリアに固定され、このキャリアが上記レーザチッ
プ上面に固定され、上記キャリアが電気配線パターンを
有しハンダバンプを介して上記レーザチップと電気的に
接続されていることを特徴とする請求項２に記載の光素
子モジュールにある。

【００１６】またこの発明は、量子井戸層をレーザ活性
層にもつレーザチップと受光層にもつモニタ用受光チッ
プが同一基板上に形成されたモニタ付レーザチップの製
造方法であって、選択成長法により上記受光チップの受
光層が上記レーザチップのレーザ活性層より層厚が厚く
かつバンドギャップが小さくなるように形成したことを
特徴とするモニタ付レーザチップの製造方法にある。

【００１７】またこの発明は、実装面に段差がある集積
チップに対し、径の異なるハンダバンプを使用して集積
チップを傾くことなく基盤上に固定することを特徴とす
る積層チップの実装方法にある。

【００１８】またこの発明は、レーザ光を出力するレー
ザチップとこのレーザ光出力の光量をモニタするモニタ
用受光チップからなる光素子モジュールの製造方法であ
って、上記モニタ用受光チップをキャリアに固定し、該
キャリアをレーザチップ上面に固定し、キャリアに形成
された電気配線とハンダバンプによりレーザチップとの
電気的配線をとることを特徴とした光素子モジュールの
製造方法にある。

【００１９】本発明での光素子モジュール構造は、光フ
ァイバの先端部を斜め形状とし、レーザチップ前面から
の出射光において光ファイバの傾斜面で一部反射される
反射光をモニタ用受光チップで受光する。これにより、
レーザ前面光によるモニタが可能である。受光チップは
従来と同様に例えば受光チップ用のキャリアに固定して
おき、反射光が最大となる位置でキャリアを固定する。

【００２０】また、上記光素子モジュール構造では受光
チップをキャリアに固定した後、反射光が最大となる位
置で固定しているが、反射光が最大となるように予め受
光チップとレーザチップを一体化し、一体化したモニタ
付レーザチップをヒートシンク上に固定する。これによ
り、キャリア部品の削除と組立工程の簡略化が可能であ
る。

【００２１】

【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明の
一実施の形態による光素子モジュールの構成を示す図で
ある。図１において、半導体レーザチップ１はステム９
上に固定しており、光ファイバ３はレーザチップ１を発
光した状態で最適な位置に位置合わせした後、固定す
る。ここで光ファイバ３は、先端が斜めにカットされた
傾斜面３ａを有するものを使用する。光ファイバ３は、
先端の傾斜面３ａが図１に示すようにレーザチップ１の
横位置を向くように固定する。

【００２２】モニタ用受光チップ５はキャリア６にハン
ダで固定した後、ステム９に固定する。レーザチップ１
から出射されたレーザ光の大部分は光ファイバ３のコア
部に結合され光ファイバ内を伝搬していくが、一部は斜
めにカットされた光ファイバ３の傾斜面３ａで反射され
る。レーザ反射光８が最も良く受光できる位置にモニタ
用受光チップ５を固定することにより、受光チップ５に
よるレーザ前面光を利用した光量モニタが実施できる。

【００２３】図１で例えば、光ファイバ３のクリーブ角
をθ、レーザチップ１と光ファイバ３までの間隔をＬと
すると、レーザチップ１の発光点よりＬ×ｔａｎ（２
θ）だけ上方の位置に受光チップ５を固定することによ
り、受光量を最大にすることができる。

【００２４】実施の形態２．図２はこの発明の別の実施
の形態による光素子モジュールの構成を示す図である。
図２の光素子モジュールはパッシブアライメント方式に
よりレーザチップ１に対して光ファイバ３を高精度に位
置決めしている。具体的には、レーザチップ１を所定の
位置にハンダで固定したのち、ヒートシンク２に形成さ
れたＶ型溝４に光ファイバ３を固定する。レーザ光７が
光ファイバ３に最も良く結合するように、光ファイバ３
のコア中心の延長線上にレーザチップ１の発光部がある
ように配置されている。

【００２５】ここで光ファイバ３は、先端が斜めにカッ
トされた傾斜面３ａを有するものを使用する。また光フ
ァイバ３は図２に示すように、傾斜面３ａが水平方向を
向くようにＶ型溝４内に固定される。このように位置決
めすることにより、レーザチップ１から出射されたレー
ザ光８の大部分は光ファイバ３のコア部に結合され光フ
ァイバ３内を伝搬していくが、一部は斜めにカットされ
た傾斜面３ａで図２に示すように反射される。反射光８
が最大となる位置に、モニタ用受光チップ５をハンダで
固定したキャリア６を固定する。

【００２６】このような部品の加工と配置により、パッ
シブアライメントと呼ばれる方法で組み立てを簡略化し
ながら、レーザ前面光による光量モニタの実施が可能と
なる。

【００２７】実施の形態３．実施の形態２では、モニタ
用受光チップは一度キャリアに固定した後に反射光が最
大となる位置にキャリアを固定する手順で組立を行った
が、受光チップをキャリアに固定する工程やキャリアを
精度よく固定する工程が必要であり、またキャリア部品
が必要なため、生産性の悪化やコスト上昇を招く。この
対策として、モニタ用受光チップとレーザチップを一体
化する方法がある。

【００２８】図３はこの発明の別の実施の形態による光
素子モジュールの構成を示す図である。図３で３０はレ
ーザチップ３０ａにモニタ用受光チップ３０ｂを一体に
形成したモニタ付レーザチップで、３０ｃはレーザチッ
プ３０ａの発光領域、３０ｄはモニタ用受光チップ３０
ｂの受光領域である。

【００２９】モニタ付レーザチップ３０を例えばマーカ
認識によりヒートシンク２の所定の位置にハンダで固定
する。光ファイバ３は傾斜面３ａを受光チップ３０ｂの
方へ向け、樹脂によりヒートシンク２上の所定の位置に
固定する。発光領域３０ｃから発光されたレーザ光７は
光ファイバ３の傾斜面３ａで反射され、レーザチップ３
０ａと一体で固定されている受光チップ３０ｂの受光領
域３０ｄで受光される。このように使用部材を最小にし
ながら、レーザチップ、光ファイバ、モニタ用受光チッ
プから構成される光素子モジュールが製造できる。

【００３０】図４および５にこの発明のモニタ付レーザ
チップの一例の斜視図を示す。図４において、１１はＩ
ｎＧａＡｓＰ活性層、１２はＩｎＧａＡｓＰ受光層、１
３はｎ型ＩｎＰ層、１４はｐ−ｎ−ｐ ＩｎＰブロック
層、１５はｐ型ＩｎＰ基板、１７はｎ側レーザ電極、１
８はｎ側受光用チップ電極、１９はｐ側電極、２１は位
置合わせ用マーカ、２２は分離溝である。レーザチップ
３０ａとモニタ用受光チップ３０ｂとは分離溝２２で電
気的分離をとっている。

【００３１】図５に図４のモニタ付レーザチップで受光
チップの受光感度を向上させた一例を示す。レーザチッ
プ３０ａの活性層１１ａおよび受光チップ３０ｂの受光
層１２ａをともにＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量
子井戸層とし、受光層１２ａはレーザチップ３０ａの活
性層１１ａとともに選択成長で形成する。これにより、
活性層１１ａと受光層１２ａの結晶成長を一回で行いな
がら、受光層１２ａの層厚を厚く形成でき、また、受光
層１２ａのバンドギャップを活性層１１ａのバンドギャ
ップより小さくなるように制御することにより、受光感
度を上げることができる。

【００３２】実施の形態４．なお実施の形態３では、受
光領域３０ｄが発光領域３０ｃと平行に形成されている
モニタ付レーザチップの例を示したが、図６に示すよう
にモニタ用受光チップ３０ｂの受光領域３０ｅを反射光
８の光線方向に沿って延びるように予め形成しておくこ
とにより、モニタ用受光チップ３０ｂのモニタ光量を増
加させることができる。

【００３３】実施の形態５．図７はこの発明の別の実施
の形態による光素子モジュールの構成を示す図であり、
(ａ)は上面図、(ｂ)は側面図である。実施の形態３、４
では、モニタ用受光チップとレーザチップとを同一平面
内で横並びに一体化したが、この実施の形態ではモニタ
用受光チップとレーザとを縦並びに高さ方向に一体化す
る。

【００３４】図７で３１はモニタ付レーザチップ、３１
ａはレーザチップ、３１ｂはモニタ用受光チップ、３１
ｃはレーザチップ３１ａの発行領域、３１ｄは受光チッ
プ３１ｂの受光領域である。

【００３５】モニタ付レーザチップ３１を例えばマーカ
認識によりヒートシンク２の所定の位置にハンダで固定
する。光ファイバ３は傾斜面３ａを受光チップ３１ｄの
受光領域３１ｄへ向け、樹脂によりヒートシンク２上の
所定の位置に固定する。発光領域３１ｃから発光された
レーザ光７は光ファイバ３の傾斜面３ａで反射され、レ
ーザチップ３１ａと一体で固定されている受光チップ３
１ｂの受光領域３１ｄで受光される。

【００３６】図８にこの実施の形態によるモニタ付レー
ザチップの一例の斜視図を示す。図８において、１１は
ＩｎＧａＡｓＰ活性層、１２はＩｎＧａＡｓＰ受光層、
１３はｎ型ＩｎＰ層、１４はｐ−ｎ−ｐ ＩｎＰブロッ
ク層、１５はｐ型ＩｎＰ基板、５６は絶縁層、５７はレ
ーザのｎ側電極、５８はレーザのｐ側電極、５９はｎ型
ＩｎＰ層、６０はｐ型ＩｎＰ層、６１はｎ側電極、６２
はｐ側電極である。

【００３７】これにより、使用部材を最小にしながら、
簡易な組立によりレーザチップ、光ファイバ、モニタ用
受光チップから構成される光素子モジュールが製造でき
る。

【００３８】なおこの実施の形態においても、実施の形
態４のように、モニタ用受光チップ３１ｂの受光領域を
反射光８の光線方向に沿って延びるように予め形成して
おくことにより、モニタ用受光チップ３１ｂのモニタ光
量を増加させることができる。

【００３９】実施の形態６．図９はこの発明のさらに別
の実施の形態による積層チップの実装方法を説明するた
めの図である。モニタ付レーザチップは図７の(ｂ)に示
すように厚みの精度が出ない基板側を上側にして水平に
ヒートシンク２上に固定する必要があるが、図８で示し
たモニタ付レーザチップの断面構造ではレーザチップと
受光チップの実装面に高さ方向に段差があるため、傾い
て固定されてしまう。水平を保ちながら電気的接続をと
ることが必要である。

【００４０】そこで図９に示すようにまず、固定後にモ
ニタ付レーザチップ３１が水平となるように、径の異な
るハンダバンプ９０、９１を予めヒートシンク２の配線
パターン９２上に形成しておく。モニタ付レーザチップ
３１の位置合わせを行った後、ヒートシンク２を加熱
し、ハンダバンプ９０、９１によりモニタ付レーザチッ
プ３１とヒートシンク２との固定を行う。ハンダバンプ
９０、９１のセフルアライメント効果により、モニタ付
レーザチップ３１は傾くことなく、ヒートシンク２の所
定の位置にハンダにより固定することができる。

【００４１】なおこれはモニタ付レーザチップに限ら
ず、実装面に段差がある全ての集積チップを基盤上に固
定する際に適用可能である。

【００４２】実施の形態７．図１０および１１はこの発
明のさらに別の実施の形態による光素子モジュールを説
明するための斜視図と側面図である。図１０に示すよう
にレーザチップ１を所定の位置にし、光ファイバ３を傾
斜面３ａを上に向けヒートシンク２に固定する。受光チ
ップ５はキャリア６に固定した後、ヒートシンク２上の
光ファイバ３の傾斜面３ａからのレーザ反射光が受光で
きる位置にハンダで固定される。この方法により、レー
ザチップの前面光によるモニタが可能である。なお、９
３、９４が電気配線を示し、９３は配線ワイヤ、９４は
配線パターンを示す。

【００４３】また図１１に示すように、キャリア６にハ
ンダバンプ１１０と電気的配線、特に配線パターン９４
を予め形成しておくことにより、キャリア６をヒートシ
ンク２上に固定する際、レーザチップ１上面の電気的配
線が同時に行え、レーザチップ１の上面におけるワイヤ
ボンド工程を不要とすることがにできる。

【００４４】

【発明の効果】以上のように本発明の第１の発明によれ
ば、レーザ光を出力するレーザチップと、該レーザ光が
入力されそれを外部に導く光ファイバと、上記レーザチ
ップのレーザ光出力の光量をモニタするモニタ用受光チ
ップからなる光素子モジュールにおいて、上記光ファイ
バの上記レーザチップに対向する側の端部が傾斜面とな
っており、レーザチップ前面から出力されたレーザ光が
一部該傾斜面により反射され、該反射光の位置に上記モ
ニタ用受光チップを設けたことを特徴とする光素子モジ
ュールとしたので、レーザチップ前面光の光量のモニタ
が可能となった。

【００４５】また本発明の第２の発明によれば第１の発
明において、レーザチップと光ファイバが同一のヒート
シンク上に所定の位置関係で固定されることを特徴とす
る光素子モジュールとしたので、パッシブアライメント
と呼ばれる方法で組み立てを簡略化可能な構造のものに
おいて、レーザチップ前面光の光量モニタの実施が可能
となる。

【００４６】また本発明の第３の発明によれば第２の発
明において、モニタ用受光チップがレーザチップと同一
基板内に横並びに集積して形成されたモニタ付レーザチ
ップを設け、このモニタ付レーザチップが光ファイバと
同一のヒートシンク上に所定の位置関係で固定され、光
ファイバの傾斜面がモニタ用受光チップに向いているこ
とを特徴とする光素子モジュールとしたので、モニタ用
受光チップとレーザチップとを集積化することにより、
実装方法が簡略化できる。

【００４７】また本発明の第４の発明によれば第２の発
明において、モニタ用受光チップがレーザチップと同一
基板内に縦並びに集積して形成したモニタ付レーザチッ
プを設け、このモニタ付レーザチップが光ファイバと同
一のヒートシンク上に所定の位置関係で固定され、光フ
ァイバの傾斜面がモニタ用受光チップに向いていること
を特徴とする光素子モジュールとしたので、モニタ用受
光チップとレーザチップとを集積化することにより、実
装方法が簡略化できる。

【００４８】また本発明の第５の発明によれば第３また
は４の発明において、モニタ用受光チップの受光領域が
光ファイバの反射面からの反射光の光線方向に沿って延
びるように形成されていることを特徴とする光素子モジ
ュールとしたので、モニタ用受光チップのモニタ光量を
増加させることができる。

【００４９】また本発明の第６の発明によれば第２の発
明において、モニタ用受光チップがキャリアに固定さ
れ、このキャリアがレーザチップ上面に固定され、キャ
リアが電気配線パターンを有しハンダバンプを介してレ
ーザチップと電気的に接続されていることを特徴とする
光素子モジュールとしたので、キャリアをヒートシンク
上に固定する際、レーザチップ上面の電気的配線が同時
に行え、レーザチップの上面におけるワイヤボンド工程
を不要とすることがにできる。

【００５０】また本発明の第７の発明によれば、量子井
戸層をレーザ活性層にもつレーザチップと受光層にもつ
モニタ用受光チップが同一基板上に形成されたモニタ付
レーザチップの製造方法であって、選択成長法により上
記受光チップの受光層が上記レーザチップのレーザ活性
層より層厚が厚くかつバンドギャップが小さくなるよう
に形成したことを特徴とするモニタ付レーザチップの製
造方法としたので、活性層と受光層の結晶成長を一回で
行いながら、受光層の層厚を厚く形成でき、また、受光
層のバンドギャップを活性層のバンドギャップより小さ
くなるように制御することにより、受光感度を上げるこ
とができる。

【００５１】また本発明の第８の発明によれば、実装面
に段差がある集積チップに対し、径の異なるハンダバン
プを使用して集積チップを傾くことなく基盤上に固定す
ることを特徴とする積層チップの実装方法としたので、
ハンダバンプのセフルアライメント効果により、積層チ
ップを傾くことなくヒートシンクの所定の位置にハンダ
により固定することができる。

【００５２】また本発明の第９の発明によれば、レーザ
光を出力するレーザチップとこのレーザ光出力の光量を
モニタするモニタ用受光チップからなる光素子モジュー
ルの製造方法であって、モニタ用受光チップをキャリア
に固定し、該キャリアをレーザチップ上面に固定し、キ
ャリアに形成された電気配線とハンダバンプによりレー
ザチップとの電気的配線をとることを特徴とした光素子
モジュールの製造方法としたので、レーザチップの前面
光によるモニタが可能な光素子モジュールが容易に製造
可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態１にかかる光素子モジュ
ールの側面図である。

【図２】 本発明の実施の形態２にかかるパッシブアラ
イメント型の光素子モジュールの上面図である。

【図３】 本発明の実施の形態３にかかるパッシブアラ
イメント型の光素子モジュールの上面図である。

【図４】 本発明の実施の形態３にかかる光素子モジュ
ールにおけるモニタ付レーザチップの斜視図である。

【図５】 本発明の実施の形態３にかかる光素子モジュ
ールにおける受光チップの受光感度を向上させたモニタ
付レーザチップの斜視図である。

【図６】 本発明の実施の形態４にかかるパッシブアラ
イメント型の光素子モジュールの上面図である。

【図７】 (ａ)は本発明の実施の形態５にかかるパッシ
ブアライメント型の光素子モジュールの上面図、(ｂ)は
側面図である。

【図８】 本発明の実施の形態５にかかる光素子モジュ
ールにおけるモニタ付レーザチップの断面図である。

【図９】 本発明の実施の形態６にかかる積層チップの
実装方法を説明するための図である。

【図１０】 本発明の実施の形態７にかかる光素子モジ
ュールを説明するための斜視図である。

【図１１】 本発明の実施の形態７にかかる光素子モジ
ュールを説明するための側面図である。

【図１２】 従来のパッシブアライメント型の光素子モ
ジュールの組立概念図を示す。

【図１３】 従来のパッシブアライメント型の光素子モ
ジュールの製造フローを示す図である。

【符号の説明】

１ レーザチップ、２ ヒートシンク、３ 光ファイ
バ、３ａ 傾斜面、４Ｖ型溝、５ モニタ用受光チッ
プ、６ キャリア、７ レーザ光、８ レーザ反射光、
９ ステム、１１ ＩｎＧａＡｓＰ活性層、１１ａ 活
性層、１２ ＩｎＧａＡｓＰ受光層、１２ａ 受光層、
１３ ｎ型ＩｎＰ層、１４ ｐ−ｎ−ｐＩｎＰブロック
層、１５ ｐ型ＩｎＰ基板、１７ ｎ側レーザ電極、１
８ ｎ側受光用チップ電極、１９ ｐ側レーザ電極およ
びｐ側受光用チップ電極、２１位置合わせ用マーカ、２
２ 分離溝、３０，３１ モニタ付レーザチップ、３０
ａ，３１ａ レーザチップ、３０ｂ，３１ｂ モニタ用
受光チップ、３０ｃ，３１ｃ 発光領域、３０ｄ，３０
ｅ，３１ｄ 受光領域、５６ 絶縁層、５７ レーザの
ｎ側電極、５８ レーザのｐ側電極、５９ ｎ型ＩｎＰ
層、６０ Ｐ型ＩｎＰ層、６１ モニタ用受光チップの
ｎ側電極、６２ モニタ用受光チップのｐ側電極、９
０，９１，１１０ ハンダバンプ、９２，９４ 配線パ
ターン、９３配線ワイヤ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA02 BA11 CA10 DA03 DA04 DA06 DA12 DA17 DA18 5F073 AB13 AB28 BA02 DA01 DA11 DA21 EA15

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザ光を出力するレーザチップと、該
   レーザ光が入力されそれを外部に導く光ファイバと、上
   記レーザチップのレーザ光出力の光量をモニタするモニ
   タ用受光チップからなる光素子モジュールにおいて、上
   記光ファイバの上記レーザチップに対向する側の端部が
   傾斜面となっており、レーザチップ前面から出力された
   レーザ光が一部該傾斜面により反射され、該反射光の位
   置に上記モニタ用受光チップを設けたことを特徴とする
   光素子モジュール。
2. 【請求項２】 上記レーザチップと光ファイバが同一の
   ヒートシンク上に所定の位置関係で固定されることを特
   徴とする請求項１に記載の光素子モジュール。
3. 【請求項３】 上記モニタ用受光チップが上記レーザチ
   ップと同一基板内に横並びに集積して形成されたモニタ
   付レーザチップを設け、このモニタ付レーザチップが光
   ファイバと同一のヒートシンク上に所定の位置関係で固
   定され、光ファイバの傾斜面がモニタ用受光チップに向
   いていることを特徴とする請求項２に記載の光素子モジ
   ュール。
4. 【請求項４】 上記モニタ用受光チップが上記レーザチ
   ップと同一基板内に縦並びに集積して形成したモニタ付
   レーザチップを設け、このモニタ付レーザチップが光フ
   ァイバと同一のヒートシンク上に所定の位置関係で固定
   され、光ファイバの傾斜面がモニタ用受光チップに向い
   ていることを特徴とする請求項２に記載の光素子モジュ
   ール。
5. 【請求項５】 上記モニタ用受光チップの受光領域が上
   記光ファイバの反射面からの反射光の光線方向に沿って
   延びるように形成されていることを特徴とする請求項３
   または４に記載の光素子モジュール。
6. 【請求項６】 上記モニタ用受光チップがキャリアに固
   定され、このキャリアが上記レーザチップ上面に固定さ
   れ、上記キャリアが電気配線パターンを有しハンダバン
   プを介して上記レーザチップと電気的に接続されている
   ことを特徴とする請求項２に記載の光素子モジュール。
7. 【請求項７】 量子井戸層をレーザ活性層にもつレーザ
   チップと受光層にもつモニタ用受光チップが同一基板上
   に形成されたモニタ付レーザチップの製造方法であっ
   て、選択成長法により上記受光チップの受光層が上記レ
   ーザチップのレーザ活性層より層厚が厚くかつバンドギ
   ャップが小さくなるように形成したことを特徴とするモ
   ニタ付レーザチップの製造方法。
8. 【請求項８】 実装面に段差がある集積チップに対し、
   径の異なるハンダバンプを使用して集積チップを傾くこ
   となく基盤上に固定することを特徴とする積層チップの
   実装方法。
9. 【請求項９】 レーザ光を出力するレーザチップとこの
   レーザ光出力の光量をモニタするモニタ用受光チップか
   らなる光素子モジュールの製造方法であって、上記モニ
   タ用受光チップをキャリアに固定し、該キャリアをレー
   ザチップ上面に固定し、キャリアに形成された電気配線
   とハンダバンプによりレーザチップとの電気的配線をと
   ることを特徴とした光素子モジュールの製造方法。