JPH08122589A - 光素子サブマウント構造 - Google Patents
光素子サブマウント構造Info
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- JPH08122589A JPH08122589A JP28756394A JP28756394A JPH08122589A JP H08122589 A JPH08122589 A JP H08122589A JP 28756394 A JP28756394 A JP 28756394A JP 28756394 A JP28756394 A JP 28756394A JP H08122589 A JPH08122589 A JP H08122589A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
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- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光素子と光ファイバを効率良く光結合でき、
光素子サブマウントの配線層を段切を回避し、光素子モ
ジュールの動作を高速にし、生産性を向上する。 【構成】 Ｓｉを異方性エッチングして凹部と側面の傾
斜部を有するサブマウント１０３を作り、凹部に光素子
駆動用集積回路１０６を半田層１０７により接続し、配
線層１０５をサブマウント１０３の表面から傾斜部にか
けて形成し、形成された配線層１０５上に光素子１０２
を半田バンプ１０４により傾斜部の斜面と並行に接続す
る。半田バンプ１０４の位置はサブマウント１０３の表
面と傾斜部の斜面との交差部とする。また、サブマウン
ト１０３の表面と傾斜部の斜面との交差部には等方エッ
チングにより曲率を有する面を形成する。１０８はＡｕ
ワイヤ、１０９はボンディングパット、１０１は光素子
サブマウント構造である。
光素子サブマウントの配線層を段切を回避し、光素子モ
ジュールの動作を高速にし、生産性を向上する。 【構成】 Ｓｉを異方性エッチングして凹部と側面の傾
斜部を有するサブマウント１０３を作り、凹部に光素子
駆動用集積回路１０６を半田層１０７により接続し、配
線層１０５をサブマウント１０３の表面から傾斜部にか
けて形成し、形成された配線層１０５上に光素子１０２
を半田バンプ１０４により傾斜部の斜面と並行に接続す
る。半田バンプ１０４の位置はサブマウント１０３の表
面と傾斜部の斜面との交差部とする。また、サブマウン
ト１０３の表面と傾斜部の斜面との交差部には等方エッ
チングにより曲率を有する面を形成する。１０８はＡｕ
ワイヤ、１０９はボンディングパット、１０１は光素子
サブマウント構造である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光素子と光ファイバと
の光結合を行う光素子モジュールに係わり、特に光素子
を好適に搭載させる光素子サブマウント構造に関する。
の光結合を行う光素子モジュールに係わり、特に光素子
を好適に搭載させる光素子サブマウント構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、大型計算機や広帯域交換機の装置
間、及びボード間を、電気同軸ケーブルに代わって接続
する光インタコネクト技術の開発が盛んである。光イン
タコネクト技術では、光素子モジュールの動作速度を考
慮し、サブマウント配線層の断線や光素子接続不良を回
避できる光素子のサブマウント構造が重要である。ま
た、光素子と光ファイバを効率良く光結合させる必要が
ある。光素子モジュールは、プリント基板に実装される
ため薄型化が要求される。従って、光ファイバのモジュ
ールへの挿入方向はモジュール側面となることが一般的
である。電気信号の取り出しもファイバ取り出し面と反
対の側面となることが一般的である。また、光素子は、
光ファイバからの光を十分受光可能な形態でサブマウン
トに実装する必要がある。
間、及びボード間を、電気同軸ケーブルに代わって接続
する光インタコネクト技術の開発が盛んである。光イン
タコネクト技術では、光素子モジュールの動作速度を考
慮し、サブマウント配線層の断線や光素子接続不良を回
避できる光素子のサブマウント構造が重要である。ま
た、光素子と光ファイバを効率良く光結合させる必要が
ある。光素子モジュールは、プリント基板に実装される
ため薄型化が要求される。従って、光ファイバのモジュ
ールへの挿入方向はモジュール側面となることが一般的
である。電気信号の取り出しもファイバ取り出し面と反
対の側面となることが一般的である。また、光素子は、
光ファイバからの光を十分受光可能な形態でサブマウン
トに実装する必要がある。
【０００３】従来の光素子サブマウント構造として、特
開平３ー１８４３８４号公報に記載されているものが知
られている。光素子は、サブマウントの側面配線上に半
田バンプで接続されている。サブマウントは、５０×９
×６．５ｍｍのＡｌＮ製で、上面と側面のエッヂ部に
０．５ｍｍの面取りを研磨工程により施されている。配
線層は、まず、Ｃｒを蒸着により１０００Å形成し、Ｎ
ｉをその上にメッキにより約２μｍ形成する。次に、電
極パターンをホトリソ加工により形成する。最後に、ホ
トリソ加工によりＮｉが露出している電極上に半田バン
プをメッキにより３０μｍ形成する。半田バンプの大き
さは、１５０×６００μｍである。光素子配列間隔は２
５０μｍである。
開平３ー１８４３８４号公報に記載されているものが知
られている。光素子は、サブマウントの側面配線上に半
田バンプで接続されている。サブマウントは、５０×９
×６．５ｍｍのＡｌＮ製で、上面と側面のエッヂ部に
０．５ｍｍの面取りを研磨工程により施されている。配
線層は、まず、Ｃｒを蒸着により１０００Å形成し、Ｎ
ｉをその上にメッキにより約２μｍ形成する。次に、電
極パターンをホトリソ加工により形成する。最後に、ホ
トリソ加工によりＮｉが露出している電極上に半田バン
プをメッキにより３０μｍ形成する。半田バンプの大き
さは、１５０×６００μｍである。光素子配列間隔は２
５０μｍである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の光素子サブ
マウント構造は、配線層の段切れ、すなわち、基板上面
と側面のエッジ部における配線層の切断、についての配
慮が足りなかった。一般に、配線層の形成は、まず、基
板に下地金属を蒸着し、その上にホトレジストを塗布す
る。次に、ホトレジストをパターニング後、ホトリソ
（ホトレジストをパターニングしたもの）をマスクにし
てミーリングにより加工する。ホトリソの塗布は、基板
上にホトレジストを塗布後、基板を回転させホトレジス
トを均等の膜厚にする。しかし、基板上面と側面のエッ
ヂ部に均等にホトレジストを塗布することは容易ではな
い。基板にホトレジストを塗布するとき基板のエッヂよ
り内部にはほぼ均等の膜厚にホトレジストを塗布できる
が、基板の表面張力の起点が基板のエッヂであるため、
基板エッヂ部ではホトレジストの膜厚は薄くなる。その
結果、ミーリング工程においてミーリングの進行に伴い
マスクとしているホトレジストもミーリングにより薄く
なる。特に、基板エッヂ部では、ホトレジストが完全に
ミーリングされ、下地金属までミーリングされてしまい
段切れの原因となる。さらに、基板エッヂ部を面取りし
た構造では、上面と側面を２回に分けてパターニングを
行う必要があり、面取り部では２回ともパターニングさ
れるため前記ミーリングによる段切れの可能性が増加す
る。また、エッヂ部が２箇所になるためさらに段切れの
可能性が増す。以上から、上記光素子サブマウント構造
では、配線層の段切れの可能性が高いという問題があっ
た。
マウント構造は、配線層の段切れ、すなわち、基板上面
と側面のエッジ部における配線層の切断、についての配
慮が足りなかった。一般に、配線層の形成は、まず、基
板に下地金属を蒸着し、その上にホトレジストを塗布す
る。次に、ホトレジストをパターニング後、ホトリソ
（ホトレジストをパターニングしたもの）をマスクにし
てミーリングにより加工する。ホトリソの塗布は、基板
上にホトレジストを塗布後、基板を回転させホトレジス
トを均等の膜厚にする。しかし、基板上面と側面のエッ
ヂ部に均等にホトレジストを塗布することは容易ではな
い。基板にホトレジストを塗布するとき基板のエッヂよ
り内部にはほぼ均等の膜厚にホトレジストを塗布できる
が、基板の表面張力の起点が基板のエッヂであるため、
基板エッヂ部ではホトレジストの膜厚は薄くなる。その
結果、ミーリング工程においてミーリングの進行に伴い
マスクとしているホトレジストもミーリングにより薄く
なる。特に、基板エッヂ部では、ホトレジストが完全に
ミーリングされ、下地金属までミーリングされてしまい
段切れの原因となる。さらに、基板エッヂ部を面取りし
た構造では、上面と側面を２回に分けてパターニングを
行う必要があり、面取り部では２回ともパターニングさ
れるため前記ミーリングによる段切れの可能性が増加す
る。また、エッヂ部が２箇所になるためさらに段切れの
可能性が増す。以上から、上記光素子サブマウント構造
では、配線層の段切れの可能性が高いという問題があっ
た。
【０００５】また、上記従来の光素子サブマウント構造
は、光素子モジュールの動作速度についての配慮が足り
なかった。一般に、光素子から光素子駆動用集積回路ま
での配線長は、光素子モジュールの動作速度に影響す
る。つまり、配線距離が短いほど高速動作が可能であ
る。しかし、上面から側面に配線した光素子サブマウン
トでは、その配線距離が５〜１０ｍｍと十分長い。表面
実装型サブマウントに比べると配線距離は２倍以上であ
る。配線抵抗の高い導体に高速信号を伝送した場合、抵
抗に引きずられ高速信号に追従しきれない。以上から、
上記光素子サブマウント構造では、光素子モジュールの
動作速度が遅いという問題があった。
は、光素子モジュールの動作速度についての配慮が足り
なかった。一般に、光素子から光素子駆動用集積回路ま
での配線長は、光素子モジュールの動作速度に影響す
る。つまり、配線距離が短いほど高速動作が可能であ
る。しかし、上面から側面に配線した光素子サブマウン
トでは、その配線距離が５〜１０ｍｍと十分長い。表面
実装型サブマウントに比べると配線距離は２倍以上であ
る。配線抵抗の高い導体に高速信号を伝送した場合、抵
抗に引きずられ高速信号に追従しきれない。以上から、
上記光素子サブマウント構造では、光素子モジュールの
動作速度が遅いという問題があった。
【０００６】また、上記従来の光素子サブマウント構造
は、サブマウントの作製プロセスにおける生産性につい
ての配慮が足りなかった。所定の形状(バー状)に切り出
した後、基板のエッヂを研磨により面取りする。この工
程は、切り出した基板ごとに行う必要がある。さらに、
基板がＡｌＮ製と硬度が高い（約１１００ｋｇ/ｍｍ2）
ため、研磨には長時間を要する。以上から、上記光素子
サブマウント構造では、サブマウントの作製プロセスに
おける生産性が悪いという問題があった。
は、サブマウントの作製プロセスにおける生産性につい
ての配慮が足りなかった。所定の形状(バー状)に切り出
した後、基板のエッヂを研磨により面取りする。この工
程は、切り出した基板ごとに行う必要がある。さらに、
基板がＡｌＮ製と硬度が高い（約１１００ｋｇ/ｍｍ2）
ため、研磨には長時間を要する。以上から、上記光素子
サブマウント構造では、サブマウントの作製プロセスに
おける生産性が悪いという問題があった。
【０００７】さらに、上記従来の光素子サブマウント構
造は、サブマウントの配線層パターニングにおける生産
性についての配慮が足りなかった。一般に、基板への配
線層パターニングは表面だけに下地金属形成工程、ホト
リソ工程、ミーリング工程を基板一括処理で行う。しか
し、基板上面から側面に配線層を形成することは、一方
向からのパターニングだけでは不可能である。つまり、
まず所定の形状(バー状)に切り出し、その基板上面に前
記３つの工程でパターニングを施す。次に、前記基板側
面を上面同様にパターニングする。この工程を切り出し
た基板ごとに行う必要がある。以上から、上記光素子サ
ブマウント構造では、サブマウントの配線層パターニン
グにおける生産性が悪いという問題があった。
造は、サブマウントの配線層パターニングにおける生産
性についての配慮が足りなかった。一般に、基板への配
線層パターニングは表面だけに下地金属形成工程、ホト
リソ工程、ミーリング工程を基板一括処理で行う。しか
し、基板上面から側面に配線層を形成することは、一方
向からのパターニングだけでは不可能である。つまり、
まず所定の形状(バー状)に切り出し、その基板上面に前
記３つの工程でパターニングを施す。次に、前記基板側
面を上面同様にパターニングする。この工程を切り出し
た基板ごとに行う必要がある。以上から、上記光素子サ
ブマウント構造では、サブマウントの配線層パターニン
グにおける生産性が悪いという問題があった。
【０００８】本発明の目的は、光素子と光ファイバを効
率良く光結合でき、且つ光素子サブマウントの配線層を
段切れから回避し、光素子モジュールの高速動作が可能
な光素子サブマウント構造を提供することにある。本発
明の他の目的は、光素子サブマウントを生産性良く作製
可能な光素子サブマウント構造を提供することにある。
率良く光結合でき、且つ光素子サブマウントの配線層を
段切れから回避し、光素子モジュールの高速動作が可能
な光素子サブマウント構造を提供することにある。本発
明の他の目的は、光素子サブマウントを生産性良く作製
可能な光素子サブマウント構造を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、少なくとも１個の光素子と、この光素子
を駆動するための集積回路と、前記光素子および集積回
路を搭載し該光素子と集積回路を接続する配線層を有す
るサブマウントと、前記光素子と配線層とを接続する半
田バンプを備える光素子サブマウント構造において、前
記サブマウントの側面に傾斜部を設け、前記配線層をサ
ブマウントの表面から前記傾斜部にかけて形成し、該形
成された配線層上に前記光素子を前記半田バンプにより
前記傾斜部の斜面と並行に接続するようにしている。ま
た、前記サブマウントの傾斜部はＳｉ異方性エッチング
により形成するようにしている。また、前記サブマウン
トの表面と前記傾斜部の斜面との交差部に前記半田バン
プを形成するようにしている。また、前記サブマウント
の表面と傾斜部の斜面との交差部に等方エッチングによ
り曲率を有する面を形成するようにしている。
め、本発明は、少なくとも１個の光素子と、この光素子
を駆動するための集積回路と、前記光素子および集積回
路を搭載し該光素子と集積回路を接続する配線層を有す
るサブマウントと、前記光素子と配線層とを接続する半
田バンプを備える光素子サブマウント構造において、前
記サブマウントの側面に傾斜部を設け、前記配線層をサ
ブマウントの表面から前記傾斜部にかけて形成し、該形
成された配線層上に前記光素子を前記半田バンプにより
前記傾斜部の斜面と並行に接続するようにしている。ま
た、前記サブマウントの傾斜部はＳｉ異方性エッチング
により形成するようにしている。また、前記サブマウン
トの表面と前記傾斜部の斜面との交差部に前記半田バン
プを形成するようにしている。また、前記サブマウント
の表面と傾斜部の斜面との交差部に等方エッチングによ
り曲率を有する面を形成するようにしている。
【００１０】
【作用】上記手段により、サブマウントの側面に傾斜部
を設け、配線層をサブマウントの表面から傾斜部にかけ
て形成し、該形成された配線層上に光素子を半田バンプ
により傾斜部の斜面と並行に接続しているため、光ファ
イバから出射された光を傾けた光素子の受光径内に入射
させることができ、効率を低下させることなく光結合で
きる。また、配線層をサブマウントの表面から傾斜部に
かけて形成しているため、光素子から集積回路までの配
線長を従来の側面配線に比べ短縮することができ、光素
子モジュールの動作速度を低下させることはない。さら
に、配線パターニングをサブマウント上面からだけで加
工できるため、段切れの危険性が低下する。サブマウン
トの表面と傾斜部の斜面との交差部に半田バンプを形成
しているため、仮にサブマウントの表面と傾斜面のエッ
ヂ部で段切れが発生しても、半田バンプはサブマウント
の表面の配線部と傾斜部の斜面の配線部の両方に接続し
ているので、光素子からの信号を半田バンプを通じて集
積回路に伝送できる。また、サブマウントの表面と傾斜
部の斜面との交差部に等方エッチングにより曲率を有す
る面を形成しているため、ホトレジストの表面張力の起
点が傾斜部の斜面下方向に移動させることができるため
サブマウントの表面と傾斜部の斜面との交差部のホトレ
ジスト膜厚を厚くすることができ、ミーリング工程でホ
トレジストが完全にミーリングされないので段切れを防
止できる。また、サブマウントの傾斜部はＳｉ異方性エ
ッチングにより形成しているため、ウェハ状で大量に一
括処理ができ、加工コストが高くつくことはなく、さら
に、サブマウント表面からのパターニングだけで斜面の
パターニングが可能となり、側面配線やサブマウントご
とのパターニングといった複雑な工程を必要としないの
で生産性の低下を防止できる。
を設け、配線層をサブマウントの表面から傾斜部にかけ
て形成し、該形成された配線層上に光素子を半田バンプ
により傾斜部の斜面と並行に接続しているため、光ファ
イバから出射された光を傾けた光素子の受光径内に入射
させることができ、効率を低下させることなく光結合で
きる。また、配線層をサブマウントの表面から傾斜部に
かけて形成しているため、光素子から集積回路までの配
線長を従来の側面配線に比べ短縮することができ、光素
子モジュールの動作速度を低下させることはない。さら
に、配線パターニングをサブマウント上面からだけで加
工できるため、段切れの危険性が低下する。サブマウン
トの表面と傾斜部の斜面との交差部に半田バンプを形成
しているため、仮にサブマウントの表面と傾斜面のエッ
ヂ部で段切れが発生しても、半田バンプはサブマウント
の表面の配線部と傾斜部の斜面の配線部の両方に接続し
ているので、光素子からの信号を半田バンプを通じて集
積回路に伝送できる。また、サブマウントの表面と傾斜
部の斜面との交差部に等方エッチングにより曲率を有す
る面を形成しているため、ホトレジストの表面張力の起
点が傾斜部の斜面下方向に移動させることができるため
サブマウントの表面と傾斜部の斜面との交差部のホトレ
ジスト膜厚を厚くすることができ、ミーリング工程でホ
トレジストが完全にミーリングされないので段切れを防
止できる。また、サブマウントの傾斜部はＳｉ異方性エ
ッチングにより形成しているため、ウェハ状で大量に一
括処理ができ、加工コストが高くつくことはなく、さら
に、サブマウント表面からのパターニングだけで斜面の
パターニングが可能となり、側面配線やサブマウントご
とのパターニングといった複雑な工程を必要としないの
で生産性の低下を防止できる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面により説明す
る。図１は本発明による第１実施例の光素子サブマウン
ト構造の断面図である。図２は本発明による第１実施例
の光素子サブマウント構造の平面図である。図１及び図
２において、光素子サブマウント構造１０１は、光素子
１０２と、サブマウント１０３と、半田バンプ１０４
と、配線層１０５を備えている。光素子１０２は、半田
バンプ１０４により、サブマウント１０３上に形成され
ている配線層１０５とサブマウント１０３の傾斜部の斜
面と平行に接続されている。光素子駆動用集積回路１０
６は、サブマウント１０３のエッチングされた平面上に
半田１０７で接続されている。光素子１０２と光素子駆
動用集積回路１０６は電気的にＡｕワイヤ１０８で接続
されている。ボンディングパッド１０９と光素子駆動用
集積回路１０６は電気的にＡｕワイヤ１０８で接続され
ている。
る。図１は本発明による第１実施例の光素子サブマウン
ト構造の断面図である。図２は本発明による第１実施例
の光素子サブマウント構造の平面図である。図１及び図
２において、光素子サブマウント構造１０１は、光素子
１０２と、サブマウント１０３と、半田バンプ１０４
と、配線層１０５を備えている。光素子１０２は、半田
バンプ１０４により、サブマウント１０３上に形成され
ている配線層１０５とサブマウント１０３の傾斜部の斜
面と平行に接続されている。光素子駆動用集積回路１０
６は、サブマウント１０３のエッチングされた平面上に
半田１０７で接続されている。光素子１０２と光素子駆
動用集積回路１０６は電気的にＡｕワイヤ１０８で接続
されている。ボンディングパッド１０９と光素子駆動用
集積回路１０６は電気的にＡｕワイヤ１０８で接続され
ている。
【００１２】光素子１０２は、発振波長１．３μｍの発
光用のＩｎＰ系レーザダイオード、または受光用のＩｎ
ＧａＡｓ系ｐｉｎ型ホトダイオードから成る。レーザダ
イオードの垂直出射角度は図１に示すように約４０゜で
あり、これに直交する水平出射角度も約４０゜である。
アレイ間隔は２５０μｍである。
光用のＩｎＰ系レーザダイオード、または受光用のＩｎ
ＧａＡｓ系ｐｉｎ型ホトダイオードから成る。レーザダ
イオードの垂直出射角度は図１に示すように約４０゜で
あり、これに直交する水平出射角度も約４０゜である。
アレイ間隔は２５０μｍである。
【００１３】サブマウント１０３は、光素子１０２と熱
膨張係数が比較的近いＳｉから成る。サブマウント１０
３の大きさは、３×４×０．７ｍｍであり、図１のサブ
マウント１０３の高さが０．７ｍｍ、図２に示すサブマ
ウント１０３の横幅が３ｍｍ、縦幅が４ｍｍである。図
１でａとして示す斜面の深さは２００μｍである。サブ
マウント１０３表面には、Ａｕ／Ｎｉ／Ｔｉを蒸着した
後、ドライエッチングを行い配線層１０５、ボンディン
グパッド１０９を形成している。サブマウント１０３の
裏面には、パッケージに半田固定するため、Ａｕ／Ｎｉ
／Ｔｉから成る蒸着膜が形成されている。半田バンプ１
０４は、２０μｍの厚みのＰｂ９５−５Ｓｎから成る。
配線層１０５は、図２に示すように信号電極１１０を共
通電極１１１が覆うように形成してある。光素子駆動用
集積回路１０６は、ＧａＡｓから成る。
膨張係数が比較的近いＳｉから成る。サブマウント１０
３の大きさは、３×４×０．７ｍｍであり、図１のサブ
マウント１０３の高さが０．７ｍｍ、図２に示すサブマ
ウント１０３の横幅が３ｍｍ、縦幅が４ｍｍである。図
１でａとして示す斜面の深さは２００μｍである。サブ
マウント１０３表面には、Ａｕ／Ｎｉ／Ｔｉを蒸着した
後、ドライエッチングを行い配線層１０５、ボンディン
グパッド１０９を形成している。サブマウント１０３の
裏面には、パッケージに半田固定するため、Ａｕ／Ｎｉ
／Ｔｉから成る蒸着膜が形成されている。半田バンプ１
０４は、２０μｍの厚みのＰｂ９５−５Ｓｎから成る。
配線層１０５は、図２に示すように信号電極１１０を共
通電極１１１が覆うように形成してある。光素子駆動用
集積回路１０６は、ＧａＡｓから成る。
【００１４】本第１実施例の光素子サブマウント構造の
作成方法を図３を用いて説明する。まず、ＳｉＯ2膜を
マスクとしてＳｉをＫＯＨ水溶液によりエッチングす
る。次に、再びＳｉＯ2膜を形成後、下地金属を蒸着
し、ホトリソをマスクにミーリングで配線層を形成す
る。そして、リフトオフにより半田バンプを加工するた
め、厚膜のホトリソを形成する。それから、厚膜のホト
リソをマスクに半田を蒸着し、リフトオフして半田バン
プを形成する。最後に、所定の大きさにサブマウントを
ダイシングし、サブマウント傾斜面に光素子を搭載し完
成する。
作成方法を図３を用いて説明する。まず、ＳｉＯ2膜を
マスクとしてＳｉをＫＯＨ水溶液によりエッチングす
る。次に、再びＳｉＯ2膜を形成後、下地金属を蒸着
し、ホトリソをマスクにミーリングで配線層を形成す
る。そして、リフトオフにより半田バンプを加工するた
め、厚膜のホトリソを形成する。それから、厚膜のホト
リソをマスクに半田を蒸着し、リフトオフして半田バン
プを形成する。最後に、所定の大きさにサブマウントを
ダイシングし、サブマウント傾斜面に光素子を搭載し完
成する。
【００１５】本第１実施例によれば、異方性エッチング
によりサブマウントの側面に５４．７゜（図１の角度
ｂ）の傾斜を有する傾斜部を設け、サブマウントの表面
から傾斜部の斜面にかけて形成された配線層上に、光素
子が半田バンプでサブマウントの傾斜部の斜面と平行に
接続させることにより、サブマウントの表面５００μｍ
（図２に示す長さｄ）から斜面３０μｍ（図２に示す長
さｅ）にかけて配線することにより、光素子から光素子
駆動用集積回路までの配線長を２ｍｍ以下にすることが
でき、側面配線５〜１０ｍｍに比べ２倍以上短縮するこ
とができるため、光素子モジュールの動作速度を低下さ
せることはない。
によりサブマウントの側面に５４．７゜（図１の角度
ｂ）の傾斜を有する傾斜部を設け、サブマウントの表面
から傾斜部の斜面にかけて形成された配線層上に、光素
子が半田バンプでサブマウントの傾斜部の斜面と平行に
接続させることにより、サブマウントの表面５００μｍ
（図２に示す長さｄ）から斜面３０μｍ（図２に示す長
さｅ）にかけて配線することにより、光素子から光素子
駆動用集積回路までの配線長を２ｍｍ以下にすることが
でき、側面配線５〜１０ｍｍに比べ２倍以上短縮するこ
とができるため、光素子モジュールの動作速度を低下さ
せることはない。
【００１６】また、サブマウントの表面から傾斜部の斜
面にかけて配線することにより、傾斜部の斜面に形成す
る共通電極の斜面高さは１４０μｍ（図１に示す高さ
ｃ）となる。しかし、この段差でも配線パターニング時
のホトリソ工程でパターニングの精度は低下するが段差
部でもホトリソを十分露光することができ配線パターニ
ングが可能となる。したがって、配線パターニングをサ
ブマウント上面からだけで加工でき、サブマウントの表
面と傾斜部の斜面との交差部であるエッヂ部の下地金属
ミーリングによる段切れ可能性を１回に減らすことがで
き、さらに、エッヂ部を１箇所にすることができるるた
め、段切れの危険性が低下する。
面にかけて配線することにより、傾斜部の斜面に形成す
る共通電極の斜面高さは１４０μｍ（図１に示す高さ
ｃ）となる。しかし、この段差でも配線パターニング時
のホトリソ工程でパターニングの精度は低下するが段差
部でもホトリソを十分露光することができ配線パターニ
ングが可能となる。したがって、配線パターニングをサ
ブマウント上面からだけで加工でき、サブマウントの表
面と傾斜部の斜面との交差部であるエッヂ部の下地金属
ミーリングによる段切れ可能性を１回に減らすことがで
き、さらに、エッヂ部を１箇所にすることができるるた
め、段切れの危険性が低下する。
【００１７】また、サブマウントの表面と傾斜部の斜面
との交差部に半田バンプを形成することにより、仮にサ
ブマウントの表面と傾斜部の斜面との交差部であるエッ
ヂ部で段切れが発生しても直径５０μｍの半田バンプは
サブマウントの表面の配線部に２５μｍと傾斜部斜面の
２５μｍの配線部両方に接続しているため、光素子から
の信号を半田バンプを通じて集積回路に伝送できる。
との交差部に半田バンプを形成することにより、仮にサ
ブマウントの表面と傾斜部の斜面との交差部であるエッ
ヂ部で段切れが発生しても直径５０μｍの半田バンプは
サブマウントの表面の配線部に２５μｍと傾斜部斜面の
２５μｍの配線部両方に接続しているため、光素子から
の信号を半田バンプを通じて集積回路に伝送できる。
【００１８】また、サブマウントの表面と傾斜部の斜面
の交差部に等方エッチングにより５μｍ以上の曲率の面
を形成することにより、ホトレジストの表面張力の起点
が傾斜面下方向に曲率の割合だけ移動させることができ
るためサブマウントの表面と傾斜部の斜面との交差部の
ホトレジスト膜厚をサブマウント表面中央部分の膜厚の
１／２以上まで厚くすることができ、ミーリング工程で
ホトレジストが完全にミーリングされないので段切れを
防止できる。
の交差部に等方エッチングにより５μｍ以上の曲率の面
を形成することにより、ホトレジストの表面張力の起点
が傾斜面下方向に曲率の割合だけ移動させることができ
るためサブマウントの表面と傾斜部の斜面との交差部の
ホトレジスト膜厚をサブマウント表面中央部分の膜厚の
１／２以上まで厚くすることができ、ミーリング工程で
ホトレジストが完全にミーリングされないので段切れを
防止できる。
【００１９】さらに、サブマウントの傾斜はＳｉの異方
性エッチングで形成することにより、ウェハ状で大量に
一括処理でき、所定の形状(バー状)に切り出した後、従
来のような切り出した基板ごとにエッヂを研磨により面
取りする必要がないため、加工コストが高くつくことは
ない。また、サブマウント表面からのパターニングだけ
で傾斜部の斜面のパターニングが可能となり、下地金属
形成工程、ホトリソ工程、ミーリング工程を切り出した
基板の上面と側面ごとに行う必要がないため、生産性の
低下を防止できる。
性エッチングで形成することにより、ウェハ状で大量に
一括処理でき、所定の形状(バー状)に切り出した後、従
来のような切り出した基板ごとにエッヂを研磨により面
取りする必要がないため、加工コストが高くつくことは
ない。また、サブマウント表面からのパターニングだけ
で傾斜部の斜面のパターニングが可能となり、下地金属
形成工程、ホトリソ工程、ミーリング工程を切り出した
基板の上面と側面ごとに行う必要がないため、生産性の
低下を防止できる。
【００２０】上記第１実施例によれば、光素子サブマウ
ントの配線層を段切れから回避し、且つ光素子モジュー
ルの高速動作を可能にする効果がある。さらに、光素子
サブマウントを生産性良く作製できる効果がある。
ントの配線層を段切れから回避し、且つ光素子モジュー
ルの高速動作を可能にする効果がある。さらに、光素子
サブマウントを生産性良く作製できる効果がある。
【００２１】図４は本発明による第２実施例の光素子サ
ブマウント構造を用いた光素子モジュールの断面図であ
る。図４において、光素子モジュール２０１は、光素子
２０３と、ボンディングパッド２１４と配線層２１５を
備えたサブマウント２０４と、半田バンプ２０５と、光
素子駆動用集積回路２０６を備えた光素子サブマウント
構造２０２と、マイクロレンズ２０７と、配線板２０８
と、パッケージ２０９（配線板２０８、ベース２１６、
フレーム２１７、端子２１８からなる）と、キャップ２
１０と、光ファイバアレイ２１１と、レセプクル２１２
を備えている。サブマウント２０４の電極と光素子駆動
用集積回路２０６の電極は、Ａｕワイヤ線２１３によっ
て接続されている。光素子２０３とマイクロレンズ２０
７と光ファイバアレイ２１１とは、光学的に結合されて
いる。光素子サブマウント構造２０２は、第１実施例の
光素子サブマウント構造とほぼ同じである。
ブマウント構造を用いた光素子モジュールの断面図であ
る。図４において、光素子モジュール２０１は、光素子
２０３と、ボンディングパッド２１４と配線層２１５を
備えたサブマウント２０４と、半田バンプ２０５と、光
素子駆動用集積回路２０６を備えた光素子サブマウント
構造２０２と、マイクロレンズ２０７と、配線板２０８
と、パッケージ２０９（配線板２０８、ベース２１６、
フレーム２１７、端子２１８からなる）と、キャップ２
１０と、光ファイバアレイ２１１と、レセプクル２１２
を備えている。サブマウント２０４の電極と光素子駆動
用集積回路２０６の電極は、Ａｕワイヤ線２１３によっ
て接続されている。光素子２０３とマイクロレンズ２０
７と光ファイバアレイ２１１とは、光学的に結合されて
いる。光素子サブマウント構造２０２は、第１実施例の
光素子サブマウント構造とほぼ同じである。
【００２２】光素子２０３の個々の光素子は、発振波長
１．３μｍの発光用のＩｎＰ系レーザダイオード、また
は受光用のＩｎＧａＡｓ系ｐｉｎ型ホトダイオードから
成る。レーザダイオードの出射角度は、水平垂直約４０
゜である。アレイ間隔は２５０μｍである。サブマウン
ト２０４は、光素子２０３と熱膨張係数が比較的近いＳ
ｉから成る。サブマウント２０４の大きさは、３×４×
０．７ｍｍで斜面の深さは２００μｍである。サブマウ
ント２０４表面には、Ａｕ／Ｎｉ／Ｔｉを蒸着した後、
ドライエッチングを行いボンディングパッド２１４、配
線層２１５を形成している。サブマウント２０４の裏面
には、パッケージに半田固定するため、Ａｕ／Ｎｉ／Ｔ
ｉから成る蒸着膜が形成されている。半田バンプ２０５
は、２０μｍの厚みのＰｂ９５−５Ｓｎから成る。配線
層２１４は、図２に示すように信号電極を共通電極が覆
うように形成してある。光素子駆動用集積回路２０６
は、ＧａＡｓから成る。
１．３μｍの発光用のＩｎＰ系レーザダイオード、また
は受光用のＩｎＧａＡｓ系ｐｉｎ型ホトダイオードから
成る。レーザダイオードの出射角度は、水平垂直約４０
゜である。アレイ間隔は２５０μｍである。サブマウン
ト２０４は、光素子２０３と熱膨張係数が比較的近いＳ
ｉから成る。サブマウント２０４の大きさは、３×４×
０．７ｍｍで斜面の深さは２００μｍである。サブマウ
ント２０４表面には、Ａｕ／Ｎｉ／Ｔｉを蒸着した後、
ドライエッチングを行いボンディングパッド２１４、配
線層２１５を形成している。サブマウント２０４の裏面
には、パッケージに半田固定するため、Ａｕ／Ｎｉ／Ｔ
ｉから成る蒸着膜が形成されている。半田バンプ２０５
は、２０μｍの厚みのＰｂ９５−５Ｓｎから成る。配線
層２１４は、図２に示すように信号電極を共通電極が覆
うように形成してある。光素子駆動用集積回路２０６
は、ＧａＡｓから成る。
【００２３】パッケージ２０９は、配線板２０８、ベー
ス２１６、フレーム２１７、端子２１８から成る。ベー
ス２１６は高熱伝導性Ｃｕ−Ｗ合金、フレーム２１７は
コバール合金から成る。ベース２１６及びフレーム２１
７の表面にはＡｕ／Ｎｉメッキを施した。キャップ２１
０は、パッケージ２０９と熱膨張係数が等しい鉄・ニッ
ケル・コバルト合金から成る。ファイバアレイ２１１
は、コア径５０μｍのマルチモードファイバでアレイ間
隔２５０μｍで配列されている。
ス２１６、フレーム２１７、端子２１８から成る。ベー
ス２１６は高熱伝導性Ｃｕ−Ｗ合金、フレーム２１７は
コバール合金から成る。ベース２１６及びフレーム２１
７の表面にはＡｕ／Ｎｉメッキを施した。キャップ２１
０は、パッケージ２０９と熱膨張係数が等しい鉄・ニッ
ケル・コバルト合金から成る。ファイバアレイ２１１
は、コア径５０μｍのマルチモードファイバでアレイ間
隔２５０μｍで配列されている。
【００２４】本第２実施例の光素子モジュールの実装プ
ロセスを、図５を用いて説明する。図５は本第２実施例
の実装プロセス図である。以下、工程を順に説明する。
光素子モジュール２０１は、光素子２０３と、配線層２
１４とボンディングパッド２１５を備えたサブマウント
２０４と、半田バンプ２０５と、光素子駆動用集積回路
２０６を備えた光素子サブマウント構造２０２と、マイ
クロレンズ２０７と、パッケージ２０９と、キャップ２
１０と、光ファイバアレイ２１１と、レセプクル２１２
を備えている。
ロセスを、図５を用いて説明する。図５は本第２実施例
の実装プロセス図である。以下、工程を順に説明する。
光素子モジュール２０１は、光素子２０３と、配線層２
１４とボンディングパッド２１５を備えたサブマウント
２０４と、半田バンプ２０５と、光素子駆動用集積回路
２０６を備えた光素子サブマウント構造２０２と、マイ
クロレンズ２０７と、パッケージ２０９と、キャップ２
１０と、光ファイバアレイ２１１と、レセプクル２１２
を備えている。
【００２５】（１）光素子搭載工程 まず、光素子２０３を光素子サブマウント構造２０２の
傾斜部配線層２１５上に光素子電極位置と半田バンプ２
０５の位置を合わせた後固定する。また、光素子駆動用
集積回路２０６をサブマウント２０４に半田で固定しＡ
ｕワイヤ２１３により光素子２０３と集積回路２０６、
集積回路２０６とボンディングパッド２１４を接続す
る。 （２）サブマウント構造搭載工程 次に、光素子２０３が搭載された光素子サブマウント構
造２０２をパッケージ２０９内部の所定の位置に配置・
固定する。配置する際、パッケージ２０９内のマイクロ
レンズ２０７と光素子２０３を顕微鏡観察により位置合
わせを行う。また、配線基板２０８と光素子サブマウン
ト構造２０２のボンディングパッド２１４をＡｕワイヤ
２１３で配線する。 （３）気密封止工程 その後、キャップ２１０をＮ2ガスチャンバ内でパッケ
ージ２０９にシーム溶接により固定し、気密封止する。 （４）ファイバ合わせ工程 そして、パッケージ２０９内の光素子を駆動させ、レセ
プタクル２１２に挿入した光ファイバアレイ２１１から
出射した光をマイクロレンズ２０７を通し、光素子に入
射させる。入射させた後、光ファイバアレイ２１１を光
軸に対して垂直方向にスキャンさせ光強度の分布からの
ピーク位置に移動させる。 （５）レセプタクル固定工程 最後に、光素子２０３ーマイクロレンズ２０７ー光ファ
イバアレイ２１１の光結合がピークの位置で、光ファイ
バアレイ２１１を挿入しているレセプタクル２１２とパ
ッケージ２０９をＹＡＧ溶接する。
傾斜部配線層２１５上に光素子電極位置と半田バンプ２
０５の位置を合わせた後固定する。また、光素子駆動用
集積回路２０６をサブマウント２０４に半田で固定しＡ
ｕワイヤ２１３により光素子２０３と集積回路２０６、
集積回路２０６とボンディングパッド２１４を接続す
る。 （２）サブマウント構造搭載工程 次に、光素子２０３が搭載された光素子サブマウント構
造２０２をパッケージ２０９内部の所定の位置に配置・
固定する。配置する際、パッケージ２０９内のマイクロ
レンズ２０７と光素子２０３を顕微鏡観察により位置合
わせを行う。また、配線基板２０８と光素子サブマウン
ト構造２０２のボンディングパッド２１４をＡｕワイヤ
２１３で配線する。 （３）気密封止工程 その後、キャップ２１０をＮ2ガスチャンバ内でパッケ
ージ２０９にシーム溶接により固定し、気密封止する。 （４）ファイバ合わせ工程 そして、パッケージ２０９内の光素子を駆動させ、レセ
プタクル２１２に挿入した光ファイバアレイ２１１から
出射した光をマイクロレンズ２０７を通し、光素子に入
射させる。入射させた後、光ファイバアレイ２１１を光
軸に対して垂直方向にスキャンさせ光強度の分布からの
ピーク位置に移動させる。 （５）レセプタクル固定工程 最後に、光素子２０３ーマイクロレンズ２０７ー光ファ
イバアレイ２１１の光結合がピークの位置で、光ファイ
バアレイ２１１を挿入しているレセプタクル２１２とパ
ッケージ２０９をＹＡＧ溶接する。
【００２６】本第２実施例によれば、前記第１実施例に
加え、サブマウントの側面に５４．７゜の傾斜を有する
傾斜部を設け、サブマウントの表面から傾斜部の斜面に
かけて形成された配線層上に、光素子が半田バンプでサ
ブマウントの斜面と平行に接続させることにより、例え
ば、受光の場合、コア径５０μｍのマルチモード光ファ
イバから水平に出射された光をレンズで集光し、傾けた
受光径５０μｍの光素子内に入射させることができる。
これは、傾けた光素子の受光径がサブマウントの傾斜５
４．７゜により水平入射した光に対して垂直方向の受光
領域は４０．８μｍとなり垂直方向の位置合わせトレラ
ンスが減るが、十分受光部に光を入射することができ
る。そのため、効率を低下させることなく光結合でき
る。上記本第２実施例によれば、前記第１実施例に加
え、光素子と光ファイバの光結合効率の低下を回避でき
る効果がある。
加え、サブマウントの側面に５４．７゜の傾斜を有する
傾斜部を設け、サブマウントの表面から傾斜部の斜面に
かけて形成された配線層上に、光素子が半田バンプでサ
ブマウントの斜面と平行に接続させることにより、例え
ば、受光の場合、コア径５０μｍのマルチモード光ファ
イバから水平に出射された光をレンズで集光し、傾けた
受光径５０μｍの光素子内に入射させることができる。
これは、傾けた光素子の受光径がサブマウントの傾斜５
４．７゜により水平入射した光に対して垂直方向の受光
領域は４０．８μｍとなり垂直方向の位置合わせトレラ
ンスが減るが、十分受光部に光を入射することができ
る。そのため、効率を低下させることなく光結合でき
る。上記本第２実施例によれば、前記第１実施例に加
え、光素子と光ファイバの光結合効率の低下を回避でき
る効果がある。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、以上説明したようにサ
ブマウントの側面に傾斜部を設け、サブマウントの表面
から傾斜部の斜面にかけて形成された配線層上に、光素
子が半田バンプでサブマウントの傾斜部の斜面と平行に
接続させることにより、光結合効率の低下防止に優れた
効果があり、また、光素子モジュールの動作速度を低下
させない効果があり、さらに、段切れの危険性を低下さ
せる効果がある。また、サブマウントの表面と傾斜部の
斜面との交差部に半田バンプを形成することにより、段
切れしていても光素子からの信号を半田バンプを通じて
集積回路に伝送できる効果がある。また、サブマウント
の表面と傾斜部の斜面との交差部に等方エッチングによ
り曲率を有する面を形成することにより、段切れの防止
に優れた効果がある。また、サブマウントの傾斜をＳｉ
の異方性エッチングで形成することにより、生産性の低
下防止に優れた効果がある。
ブマウントの側面に傾斜部を設け、サブマウントの表面
から傾斜部の斜面にかけて形成された配線層上に、光素
子が半田バンプでサブマウントの傾斜部の斜面と平行に
接続させることにより、光結合効率の低下防止に優れた
効果があり、また、光素子モジュールの動作速度を低下
させない効果があり、さらに、段切れの危険性を低下さ
せる効果がある。また、サブマウントの表面と傾斜部の
斜面との交差部に半田バンプを形成することにより、段
切れしていても光素子からの信号を半田バンプを通じて
集積回路に伝送できる効果がある。また、サブマウント
の表面と傾斜部の斜面との交差部に等方エッチングによ
り曲率を有する面を形成することにより、段切れの防止
に優れた効果がある。また、サブマウントの傾斜をＳｉ
の異方性エッチングで形成することにより、生産性の低
下防止に優れた効果がある。
【図１】本発明による第１実施例を示す光素子サブマウ
ント構造の断面図である。
ント構造の断面図である。
【図２】本発明による第１実施例を示す光素子サブマウ
ント構造の平面図である。
ント構造の平面図である。
【図３】本発明による第１実施例の光素子サブマウント
作成方法を説明するための図である。
作成方法を説明するための図である。
【図４】本発明による第２実施例を示す光素子モジュー
ルの断面図である。
ルの断面図である。
【図５】本発明による第２実施例を示す光素子モジュー
ルの実装プロセスを説明するための図である。
ルの実装プロセスを説明するための図である。
１０１ 光素子サブマウント構造 １０２、２０３ 光素子 １０３、２０４ サブマウント １０４、２０５ 半田バンプ １０５、２１５ 配線層 １０６、２０６ 光素子駆動用集積回路 １０７ 半田 １０８、２１３ Ａｕワイヤ １０９、２１４ ボンディングパッド １１０ 信号電極 １１１ 共通電極 ２０１ 光素子モジュール ２０２ 光素子サブマウント構造 ２０７ マイクロレンズ ２０８ 配線板 ２０９ パッケージ ２１０ キャップ ２１１ 光ファイバアレイ ２１２ レセプタクル ２１６ ベース ２１７ フレーム ２１８ 端子
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも１個の光素子と、この光素子
を駆動するための集積回路と、前記光素子および集積回
路を搭載し該光素子と集積回路を接続する配線層を有す
るサブマウントと、前記光素子と配線層とを接続する半
田バンプを備える光素子サブマウント構造において、 前記サブマウントの側面に傾斜部を設け、前記配線層を
前記サブマウントの表面から前記傾斜部にかけて形成
し、該形成された配線層上に前記光素子を前記半田バン
プにより前記傾斜部の斜面と並行に接続してなることを
特徴とする光素子サブマウント構造。 - 【請求項２】 請求項１記載の光素子サブマウント構造
において、前記サブマウントの傾斜部はＳｉ異方性エッ
チングにより形成されて成ることを特徴とする光素子サ
ブマウント構造。 - 【請求項３】 請求項１記載の光素子サブマウント構造
において、前記サブマウントの表面と前記傾斜部の斜面
との交差部に前記半田バンプを形成してなることを特徴
とする光素子サブマウント構造。 - 【請求項４】 請求項１記載の光素子サブマウント構造
において、前記サブマウントの表面と傾斜部の斜面との
交差部に等方エッチングにより曲率を有する面を形成し
てなることを特徴とする光素子サブマウント構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28756394A JPH08122589A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 光素子サブマウント構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28756394A JPH08122589A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 光素子サブマウント構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08122589A true JPH08122589A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17718968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28756394A Pending JPH08122589A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 光素子サブマウント構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08122589A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278666A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Lg Electronics Inc | 光源装置及びその製造方法 |
| US7750358B2 (en) | 2005-11-14 | 2010-07-06 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
| CN101937965A (zh) * | 2010-08-30 | 2011-01-05 | 深圳市易特照明有限公司 | 一种诱发白光led |
| JP2020035910A (ja) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | 東芝ホクト電子株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-10-27 JP JP28756394A patent/JPH08122589A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
| JP2006278666A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Lg Electronics Inc | 光源装置及びその製造方法 |
| JP4547290B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2010-09-22 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 光源装置の製造方法 |
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