JPH1039162A - 光半導体装置並びに半導体受光素子および光ファイバーの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光半導体素子と光ファイバーの光軸を容易か
つ高精度にアライメントすることにより結合効率の高い
かつ小型化された光半導体装置を提供する。 【解決手段】 光半導体素子１（半導体レーザ）の発光
点に凹部２、光ファイバー３のコア部４に凸部５を形成
して、凹部２と凸部５を嵌合することにより光半導体素
子１と光ファイバー３の光軸を直接結合させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、光通信に用いら
れる光半導体装置およびこの光半導体装置に用いられる
半導体受光素子並びに半導体受光素子および光ファイバ
ーの形成方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光ファイバーを伝送体とする光通信にお
いて、光半導体素子と光ファイバーとの結合効率を高め
るためには、光半導体素子と光ファイバーの光軸を高精
度にアライメントすることが重要である。図１７は光フ
ァイバーと半導体レーザおよびモニター用受光素子から
構成されている従来の光半導体装置を示す斜視図であ
る。図において、３は光ファイバー、４は光ファイバー
のコア部、２３はＳｉサブマウント基板、２４はＳｉサ
ブマウント基板２３上に形成された光ファイバー３固定
用の溝、４０は半導体レーザ、４１はモニター用の表面
入射型受光素子である。光ファイバー３は、サブマウン
ト基板２３上に形成された溝２４にはめ込まれ、半導体
レーザ４０の発光点にアライメントされている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来の光半導体装置は
以上のように構成されているので、半導体レーザ４０と
光ファイバー３とのアライメントは、サブマウント基板
２３の溝２４を介して行うためアライメントの精度が悪
い。また、半導体レーザ４０の出射光をモニターするた
めに表面入射型の受光素子４１を用いた場合、光半導体
装置を小型化することが難しく、光半導体装置を小型化
するために端面入射型の受光素子を用いた場合、結合損
失が大きくなる。

【０００４】この発明は、上記のような問題を解決する
ためになされたもので、光半導体素子と光ファイバーの
光軸を容易かつ高精度にアライメントすることにより結
合効率の高いかつ小型化された光半導体装置を提供する
ことを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この発明に係わる光半導
体装置は、発光部あるいは受光部に凹部または凸部を有
する光半導体素子と、中心にコア部を有すると共に端面
に凸部または凹部が形成された光ファイバーを備え、光
半導体素子の凹部または凸部と光ファイバーの凸部また
は凹部を嵌合して光半導体素子と光ファイバーを光結合
したものである。また、凹部は、角形状または半球形状
あるいはレンズ状に形成されているものである。さら
に、光半導体素子は、凹部あるいは凸部が形成された面
に光ファイバーの直径より僅かに大きい径を有するへこ
み部を有し、へこみ部に凸部あるいは凹部が形成された
光ファイバー端面を嵌合し、光半導体素子と光ファイバ
ーを固定したものである。

【０００６】また、光半導体素子は、発光部に凹部ある
いは凸部を有する表面発光型の半導体発光素子である。
または、光半導体素子は、受光部に凹部あるいは凸部を
有する表面入射型の半導体受光素子である。または、光
半導体素子は、発光部に凹部あるいは凸部を有する面
と、この面の反対側にＢｒａｇｇ多層反射膜を挟んで受
光素子が形成された面を有する受光素子付き面発光型の
半導体発光素子である。また、光ファイバーは、端面お
よび側面に電極が形成されているものである。また、光
半導体素子の電極と光ファイバーの端面に形成された電
極、および光ファイバーを保持する基板上に形成された
電極と光ファイバーの側面に形成された電極を接触させ
ることにより、各々の接触部が電気的に接続されている
ものである。また、光ファイバーは、光ファイバー端面
にネガレジストを形成する工程、光ファイバーのコア部
を通した光によりネガレジストを裏面から感光、硬化さ
せコア部上にのみネガレジストパターンを形成する工
程、ネガレジストパターンをエッチングレジストとして
光ファイバー端面をエッチングする工程、ネガレジスト
を剥離する工程によって形成されたものである。

【０００７】また、光半導体装置は、発光部を有する端
面に接合部が形成された端面発光型の半導体発光素子
と、端面のコア部以外の部分に接合部が形成された光フ
ァイバーを備え、端面発光型の半導体発光素子の接合部
と光ファイバーの接合部を接合し、端面発光型の半導体
発光素子と光ファイバーを固定したものである。また
は、端面発光型の半導体発光素子の電極面と光ファイバ
ーの端面に形成された突出部に設けられた接合部とを接
合することにより、端面発光型の半導体発光素子と光フ
ァイバーを固定したものである。または、端面発光型の
半導体発光素子の電極面に形成された凹部と光ファイバ
ーの端面に形成された突出部を嵌合させることにより、
上記端面発光型の半導体発光素子と上記光ファイバーを
固定したものである。また、光半導体装置は、端面に発
光部を有する半導体発光素子と、端面および表面に受光
部を有する半導体受光素子と、半導体発光素子の発光部
を有した端面と半導体受光素子の受光部を有した端面を
対向させて保持する基板を備えたものである。

【０００８】さらに、半導体発光素子の光軸高さと半導
体受光素子の受光部高さの調整を、半導体受光素子上に
形成された金属めっきの膜厚で行ったものである。ま
た、基板には、半導体発光素子端面からの出射光を反射
させて半導体受光素子の表面に入射させるための金属反
射膜が形成されているものである。さらに、金属反射膜
が形成されている基板部分に、出射光に対して交差する
方向に複数のＶ字状溝が形成されているものである。ま
た、素子表面と端面に受光部を有する半導体受光素子
は、光吸収層を含むエピタキシャルウェハに規則的に配
列された複数のｐ型拡散領域を形成する工程と、ｐ型拡
散領域の間にエッチングにより溝部を形成する工程と、
溝部を含むウェハ全面にパッシベーション膜を形成する
工程と、溝部でウェハを分割する工程を含み、分割され
た素子の端面および表面に受光部を形成するものであ
る。

【０００９】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．以下、この発明の一実施の形態である光
半導体装置を図について説明する。図１はこの発明の光
半導体装置における光半導体素子と光ファイバーとの接
続部の概略図で、図において、１は光半導体素子、２は
光半導体素子１に形成された凹部、３は光ファイバー、
４は光ファイバー３のコア部、５は光ファイバー３の端
面に形成されたコア部４を中心に含む凸部、６は光ファ
イバー３のクラッド部である。図２は図１の光半導体素
子１の一例である面発光型半導体レーザの断面図で、図
において、７はｎ型基板、８はｎ型基板７上のｎ型Ｂｒ
ａｇｇ反射膜、９はｎ型Ｂｒａｇｇ反射膜８上の活性
層、１０は活性層９上のｐ型Ｂｒａｇｇ反射膜、１１は
ｐ型Ｂｒａｇｇ反射膜１０上の電流ブロック層、１２は
電流ブロック層上に形成されたｐ型拡散領域、１３はｐ
型拡散領域１２上に開口部を有する絶縁膜、１４はｎ型
基板７下面の発光部以外に形成されたｎ側電極、１５は
絶縁膜１３の開口部分に形成されたｐ側電極である。図
３は光ファイバー３の端部の側面図で、図において、１
６は光ファイバー３端面に形成された凸部５以外の端面
部および側面部に形成された金属電極で、光半導体素子
１の電極１４と電気的に接続するため、あるいは光半導
体素子１と光ファイバー３を固定するために用いられ
る。

【００１０】図２に示す面発光型半導体レーザは、まず
ｎ型基板７上にｎ型Ｂｒａｇｇ膜８、活性層９、ｐ型Ｂ
ｒａｇｇ膜１０、電流ブロック層１１を順次平坦に形成
し、次にｐ型拡散領域１２を形成した後、ｐ型拡散領域
１２上に開口部を有する絶縁膜１３および両側にｎ側電
極１４とｐ側電極１５を形成し、最後に凹部２を発光部
に写真製版法を用いて形成することにより形成される。
レーザー光は凹部２から図示下方向に出射される。ま
た、凹部２の形状としては図２−ａに示すような異方性
エッチングにより形成された角部を有する凹部２ａ、図
２−ｂに示すような等方性エッチングにより形成された
機械的強度がある半球状の凹部２ｂ、図２−ｃに示すよ
うな底部がレンズ状であるため出射光を中心軸に集中で
きるレンズ状の凹部２ｃ等様々な形状が可能である。

【００１１】図４は光ファイバー３の端部に凸部５およ
び金属電極１６を形成する工程を示す断面図である。ま
ず図４−ａに示すように、光ファイバー３の端面にネガ
レジスト１７を塗布し、次に図４−ｂに示すように、光
ファイバー３のコア部４を通った光１８によりネガレジ
スト１７を裏面側から感光、硬化させ、コア部４上にの
みネガレジスト１７パターンを形成する。次に図４ーｃ
に示すように、ネガレジスト１７パターンをエッチング
レジストとして光ファイバー３端面のエッチングを行っ
てコア部４を中心とした凸部５を形成し、続いて金属粒
子を蒸着することにより凸部５以外の部分に金属電極１
６を形成する。その後ネガレジスト１７をリフトオフす
ることにより、光ファイバー３の端面に凸部５および金
属電極１６が形成される。本実施の形態による光半導体
装置における光半導体素子１と光ファイバー３は、光半
導体素子１の凹部２と光ファイバー３の凸部５を嵌合す
ることにより接続される。また、光半導体素子１の凹部
２の代わりに凸部、光ファイバー３の凸部５の代わりに
凹部を形成しても同様の効果が得られる。この発明によ
れば、光半導体装素子１である半導体レーザの発光部と
光ファイバー３のコア部４を直接結合させるため、光半
導体素子１と光ファイバー３の光軸を容易かつ高精度に
アライメントを行うことができる。

【００１２】実施の形態２．図５は図１の光半導体素子
１である他の面発光型半導体レーザの断面図である。図
において１９はｐ型コンタクト層である。なお、図２に
示す実施の形態１と同一部分については同符号を付し説
明を省略する。本実施の形態による面発光型半導体レー
ザは、まずｎ型基板７上にｐ型Ｂｒａｇｇ膜１０、活性
層９、ｎ型Ｂｒａｇｇ膜８、ｐ型コンタクト層１９を順
次平坦にエピタキシャル層を形成した後発光部分を残し
て除去し、次に電流ブロック層１１を埋め込み成長させ
ると同時に凹部２を形成し、最後にｐ型拡散領域１２お
よび絶縁膜１３を形成した後両側にｎ側電極１４とｐ側
電極１５を形成することによって形成される。本実施の
形態によれば、発光部分に隣接させて凹部２を形成して
いるため、出射光の光軸と凹部２の中心軸とを最も精度
よく一致させることができる。

【００１３】実施の形態３．図６は図１の光半導体素子
１の他の例である半導体受光素子の断面図である。図に
おいて、２０はｎ型基板７と電流ブロック層１１の間に
形成されたｎ型光吸収層である。なお、図２に示す実施
の形態１と同一部分については同符号を付し説明を省略
する。半導体受光素子への入射光は、ｎ型基板７の受光
点に写真製版法を用いて形成された凹部２から入射し、
ｐ型拡散領域１２に接しているｎ型光吸収層２０で吸収
され光電流に変換される。本実施の形態によれば、光半
導体装素子１である半導体受光素子の受光部と光ファイ
バー３のコア部を直接結合させるため、光半導体素子１
と光ファイバー３の光軸を容易かつ高精度にアライメン
トを行うことができる。

【００１４】実施の形態４．図７は図１の光半導体素子
１のさらに他の例である半導体受光素子付きの面発光型
半導体レーザの断面図である。図において、１５ａは半
導体レーザと半導体受光素子共通のｎ側電極、１５ｂは
半導体受光素子のｐ側電極、２１はｐ型Ｂｒａｇｇ反射
膜１０上に形成された光吸収層、２２はｐ型層である。
なお、図２に示す実施の形態１と同一部分については同
符号を付し説明を省略する。面発光型半導体レーザの出
射光は凹部２より図示下方向に出射されるが、ｐ型Ｂｒ
ａｇｇ反射膜１０より図示上方に透過した光は、ｐ型拡
散領域１２と光吸収層２１で構成される半導体受光素子
部分でモニター用光電流に変換され、半導体レーザの駆
動電流制御に用いられる。

【００１５】実施の形態５．図８はこの発明の実施の形
態５による光半導体装置を示す概略図である。図におい
て、１は光半導体素子（本実施の形態においては実施の
形態４に示した半導体受光素子付き面発光型半導体レー
ザ）、２３はサブマウント基板、２４はサブマウント基
板２３に形成された光ファイバー３を固定するための
溝、２５は光半導体素子１の電極１５ａ、１５ｂおよび
金ワイヤー２７との接触部を両端に有する電極線２６を
備えた接続部、２８はサブマウント基板２３および溝２
４に形成された金属電極である。なお、図３および図７
と同一部分については同符号を付し説明を省略する。本
実施の形態の光半導体装置は、まず光半導体素子１と光
ファイバー３を固定し、光ファイバー３をサブマウント
基板２３の溝２４に配置し、接続部２５に光半導体素子
１を接触させることにより、光半導体素子１の電極部１
５ａ、１５ｂと接続部２５の電極線２６との電気的接
続、光ファイバー３上の金属電極１６とサブマウント基
板２３上の金属電極２８および光半導体素子１の電極１
４との電気的接続を得ることができ、小型化された光半
導体装置を形成することができる。

【００１６】実施の形態６．図９は光半導体素子１と光
ファイバー３との固定方法を示す斜視図である。図にお
いて、２９は光半導体素子１に形成された光ファイバー
３の端面が嵌合する大きさを有するへこみ部である。な
お、図２および図３と同一部分については同符号を付し
説明を省略する。光半導体素子１の凹部２と光ファイバ
ー３の凸部５とを合わせると共に光半導体素子１に形成
されたへこみ部２９に光ファイバー３を嵌合することに
より、へこみ部２９と光ファイバー３の端面をほとんど
隙間なく密封状態にすることができるので、光結合を行
う凹部２と凸部５の雰囲気を一定に保つと共に、光半導
体素子１と光ファイバー３とを固定することにより光半
導体装置を小型化できる。

【００１７】実施の形態７．図１０は光半導体素子１と
光ファイバー３との他の固定方法を示す断面図である。
本実施の形態における光半導体素子１は端面出射型半導
体レーザである。図において、３０は端面出射型半導体
レーザの活性層（光導波路）、３１は出射光である。な
お、図２および図３と同一部分については同符号を付し
説明を省略する。光半導体素子（端面出射型半導体レー
ザ）１の端面からの出射光３１が光ファイバー３のコア
部４に直接入射する位置に、光半導体素子（端面出射型
半導体レーザ）１を配置すると共に、この光半導体素子
１の端面に形成されたｎ側電極１４と光ファイバー３の
端面に形成された電極１６をはんだ等で接合して、光半
導体素子１と光ファイバー３を固定することにより、光
半導体素子１と光ファイバー３の結合効率を改善すると
共に光半導体装置を小型化できる。

【００１８】実施の形態８．実施の形態７では、光半導
体素子（端面出射型半導体レーザ）１の端面に形成され
たｎ側電極１４と光ファイバー３の端面に形成された電
極１６をはんだ等で接合し、光半導体素子１と光ファイ
バー３を固定しているが、図１１に示すように、光ファ
イバー３の端面に形成された突出部３２上の電極１６と
光半導体素子１のｎ側電極１４をはんだ等で接合し、光
半導体素子１と光ファイバー３を固定しても同様の効果
が得られる。

【００１９】実施の形態９．実施の形態８では、光ファ
イバー３の端面に形成された突出部３２上の電極１６と
光半導体素子１のｎ形電極１４をはんだ等で接合し、光
半導体素子１と光ファイバー３を固定しているが、図１
２に示すように、光半導体素子１に光ファイバー３の突
出部３２が嵌合できる凹部３３を形成して、光半導体素
子１と光ファイバー３を固定しても同様の効果が得られ
る。

【００２０】実施の形態１０．図１３−ａおよび図１３
−ｂは端面入射型のモニター用半導体受光素子の側面図
および正面図、図１４は端面入射型のモニター用半導体
受光素子を形成する工程を示す断面図、図１５は端面出
射型半導体レーザと端面入射型のモニター用半導体受光
素子をサブマウント基板２３に搭載した状態を示す断面
図である。図１３、１４、１５において、１ｓは端面出
射型半導体レーザ、１ｐは端面入射型のモニター用半導
体受光素子、Ｈｓはサブマウント基板２３の表面から端
面出射型半導体レーザ１ｓの活性層３０までの高さ、Ｈ
ｐはサブマウント基板２３の表面から端面入射型半導体
受光素子１ｐまでの高さ、３４は端面入射型半導体受光
素子１ｐの端面入射部、３５は端面出射型半導体レーザ
１ｓの裏面から出射されるレーザ光およびその進行方
向、３６は端面入射型のモニター用半導体受光素子１ｐ
の下方に設けられたサブマウント基板２３上の金属反射
膜、３７は高さＨｐを調整するためのめっき層、３８は
端面入射型のモニター用半導体受光素子１ｐの素子表面
である。なお、図６、図８および図１０と同一部分につ
いては同符号を付し説明を省略する。

【００２１】次に端面入射型のモニター用半導体受光素
子１ｐの形成工程を説明する。まず図１４−ａに示すよ
うに、ｎ型基板７、光吸収層２０および光透過層１１１
からなるエピタキシャルウェハに複数のｐ型拡散領域１
２を規則的に配列して形成し、次に図１４−ｂに示すよ
うに、各ｐ型拡散領域１２の間にエッチングにより深さ
約１０μｍの溝（端面受光部３４となる）を形成した
後、全面にパッシベーション膜１３を形成し、最後に図
１４−ｃに示すように、ｐ側電極１５およびｎ側電極１
４を形成した後に溝部分でチップ分離を行い、端面受光
部３４を有した端面入射型のモニター用半導体受光素子
１ｐを形成する。ここで端面入射型のモニター用半導体
受光素子１ｐは、図１５に示すように、端面受光部３４
と共にｐ型拡散領域１２の下方に位置する素子表面３８
からもレーザー光を入射し、光電流に変換できるよう構
成されている。次にサブマウント基板２３に搭載される
端面出射型半導体レーザ１ｓと端面入射型のモニター用
受光素子１ｐは、めっき層３７により高さＨｐが調整さ
れることにより、端面出射型半導体レーザ１ｓの裏面か
らの出射光３５の上半分を端面入射型のモニター用受光
素子１ｐの端面受光部３４から入射し、下半分をサブマ
ウント基板上２３に形成された金属反射膜３６により反
射して素子表面３８から入射する。本実施の形態によれ
ば、出射光３５を端面受光部３４および素子表面３８か
ら入射することができるため、端面出射型半導体レーザ
１ｓと端面入射型のモニター用受光素子１ｐの結合効率
を向上させることができる。

【００２２】実施の形態１１．実施の形態１０では、金
属反射膜３６が形成されたサブマウント基板２３表面は
平坦であったが、図１６に示すように、金属反射膜３６
が形成される部分のサブマウント基板２３表面に複数の
Ｖ字状溝３９を形成することにより、出射光３５をＶ字
状の金属反射膜３６により散乱させ効率良く端面入射型
のモニター用受光素子１ｐの素子表面３８から入射させ
ることができるので、端面出射型半導体レーザ１ｓと端
面入射型のモニター用受光素子１ｐとの結合効率向上に
一層の効果がある。

【００２３】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、光半
導体素子と光ファイバーの光軸を凹部と凸部の嵌合によ
り直接結合させたため、光半導体素子と光ファイバーの
光軸を容易かつ高精度にアライメントを行うことがで
き、結合効率の高い光半導体装置を提供することができ
る。また、光ファイバーに電極を形成し、その電極面と
光半導体素子とを直接接合し固定したため、光半導体装
置を小型化することができる。また、端面および表面か
ら同時に光信号を入射できる端面入射型受光素子を用い
ることにより、光半導体装置を小型化すると共に光半導
体素子と半導体受光素子の結合効率を向上させることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１による光半導体装置
を示す概略図である。

【図２】 この発明の実施の形態１による面発光型半導
体レーザーを示す断面図である。

【図３】 この発明の実施の形態１による光ファイバー
を示す側面図である。

【図４】 この発明の実施の形態１による光ファイバー
の形成工程を示す断面図である。

【図５】 この発明の実施の形態２による他の面発光型
半導体レーザーを示す断面図である。

【図６】 この発明の実施の形態３による半導体受光素
子を示す断面図である。

【図７】 この発明の実施の形態４による半導体受光素
子付き面発光型半導体レーザーを示す断面図である。

【図８】 この発明の実施の形態５による光半導体装置
を示す概略図である。

【図９】 この発明の実施の形態６による光半導体装置
を示す斜視図である。

【図１０】 この発明の実施の形態７による光半導体装
置を示す断面図である。

【図１１】 この発明の実施の形態８による光半導体装
置を示す断面図である。

【図１２】 この発明の実施の形態９による光半導体装
置を示す断面図である。

【図１３】 この発明の実施の形態１０による半導体受
光素子の側面図および正面図である。

【図１４】 この発明の実施の形態１０による半導体受
光素子の形成方法を示す顔面図である。

【図１５】 この発明の実施の形態１０による光半導体
装置を示す断面図である。

【図１６】 この発明の実施の形態１１による光半導体
装置を示す断面図である。

【図１７】 従来のこの種光半導体装置を示す斜視図で
ある。

【符号の説明】

１ 光半導体素子、２ 凹部、３ 光ファイバー、４
コア部、５ 凸部、６ クラッド部、７ ｎ型基板、８
ｎ型Ｂｒａｇｇ反射膜、９ 活性層、１０ ｐ型Ｂｒ
ａｇｇ反射膜、１１ 電流ブロック層、１２ ｐ型拡散
領域、１３ 絶縁膜、１４ ｎ側電極、１５ ｐ側電
極、１６ 金属電極、１７ ネガレジスト、１８ 光、
１９ ｐ型コンタクト層、２０ ｎ型光吸収層、２１
光吸収層、２２ ｐ型層、２３ サブマウント基板、２
４ 溝、２５ 接続部、２６ 電極線、２７ 金ワイヤ
ー、２８ 金属電極、２９ へこみ部、３０ 活性層、
３１ 出射光、３２ 突出部、３３ 凹部、３４ 端面
入射部、３５ 出射光、３６ 金属反射膜、３７ めっ
き層、３８ 素子面、３９ Ｖ字状溝、１１１ 光透過
層。

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 発光部あるいは受光部に凹部または凸部
   を有する光半導体素子、 中心にコア部を有すると共に端面に凸部または凹部が形
   成された光ファイバーを備え、上記光半導体素子の凹部
   または凸部と上記光ファイバーの凸部または凹部を嵌合
   して上記光半導体素子と上記光ファイバーを光結合した
   ことを特徴とする光半導体装置。
2. 【請求項２】 凹部は、角形状または半球形状に形成さ
   れていることを特徴とする請求項１記載の光半導体装
   置。
3. 【請求項３】 凹部は、底部がレンズ状に形成されてい
   ることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
4. 【請求項４】 光半導体素子は、凹部あるいは凸部が形
   成された面に光ファイバーの直径より僅かに大きい径を
   有するへこみ部を有し、上記へこみ部に凸部あるいは凹
   部が形成された光ファイバー端面を嵌合し、上記光半導
   体素子と上記光ファイバーを固定したことを特徴とする
   請求項１〜３のいずれか一項記載の光半導体装置。
5. 【請求項５】 光半導体素子は、発光部に凹部あるいは
   凸部を有する表面発光型の半導体発光素子であることを
   特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の光半導体
   装置。
6. 【請求項６】 光半導体素子は、受光部に凹部あるいは
   凸部を有する表面入射型の半導体受光素子であることを
   特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の光半導体
   装置。
7. 【請求項７】 光半導体素子は、発光部に凹部あるいは
   凸部を有する面と、この面の反対側にＢｒａｇｇ多層反
   射膜を挟んで受光素子が形成された面を有する受光素子
   付き面発光型の半導体発光素子であることを特徴とする
   請求項１〜４のいずれか一項記載の光半導体装置。
8. 【請求項８】 光ファイバーは、端面および側面に電極
   が形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいず
   れか一項記載の光半導体装置。
9. 【請求項９】 光半導体素子の電極と光ファイバーの端
   面に形成された電極、および上記光ファイバーを保持す
   る基板上に形成された電極と上記光ファイバーの側面に
   形成された電極を接触させることにより、各々の接触部
   が電気的に接続されていることを特徴とする請求項８記
   載の光半導体装置。
10. 【請求項１０】 光ファイバー端面にネガレジストを形
    成する工程、上記光ファイバーのコア部を通した光によ
    り上記ネガレジストを裏面から感光、硬化させコア部上
    にのみネガレジストパターンを形成する工程、上記ネガ
    レジストパターンをエッチングレジストとして上記光フ
    ァイバー端面をエッチングする工程、上記ネガレジスト
    パターンを剥離する工程を含んだことを特徴とする光フ
    ァイバーの形成方法。
11. 【請求項１１】 発光部を有する端面に接合部が形成さ
    れた端面発光型の半導体発光素子、 端面のコア部以外の部分に接合部が形成された光ファイ
    バーを備え、上記端面発光型の半導体発光素子の接合部
    と上記光ファイバーの接合部を接合し、上記端面発光型
    の半導体発光素子と上記光ファイバーを固定したことを
    特徴とする光半導体装置。
12. 【請求項１２】 端面発光型の半導体発光素子の電極面
    と光ファイバーの端面に形成された突出部に設けられた
    接合部とを接合することにより、上記端面発光型の半導
    体発光素子と上記光ファイバーを固定したことを特徴と
    する光半導体装置。
13. 【請求項１３】 端面発光型の半導体発光素子の電極面
    に形成された凹部と光ファイバーの端面に形成された突
    出部を嵌合させることにより、上記端面発光型の半導体
    発光素子と上記光ファイバーを固定したことを特徴とす
    る光半導体装置。
14. 【請求項１４】 端面に発光部を有する半導体発光素
    子、 端面および表面に受光部を有する半導体受光素子、 上記半導体発光素子の発光部を有した端面と上記半導体
    受光素子の受光部を有した端面を対向させて保持する基
    板を備えたことを特徴とする光半導体装置。
15. 【請求項１５】 半導体発光素子の光軸高さと半導体受
    光素子の受光部高さの調整を、上記半導体受光素子上に
    形成された金属めっきの膜厚で行ったことを特徴とする
    請求項１４記載の光半導体装置。
16. 【請求項１６】 基板には、半導体発光素子端面からの
    出射光を反射させて半導体受光素子の表面に入射させる
    ための金属反射膜が形成されていることを特徴とする請
    求項１４または請求項１５記載の光半導体装置。
17. 【請求項１７】 金属反射膜が形成されている基板部分
    に、出射光に対して交差する方向に複数のＶ字状溝が形
    成されていることを特徴とする請求項１６記載の光半導
    体装置。
18. 【請求項１８】 光吸収層を含むエピタキシャルウェハ
    に規則的に配列された複数のｐ型拡散領域を形成する工
    程、上記ｐ型拡散領域の間にエッチングにより溝部を形
    成する工程、上記溝部を含むウェハ全面にパッシベーシ
    ョン膜を形成する工程、上記溝部で上記ウェハを分割す
    る工程を含み、分割された素子の端面および表面に受光
    部を形成することを特徴とする半導体受光素子の形成方
    法。