JP4515654B2 - 光通信用モジュール - Google Patents
光通信用モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP4515654B2 JP4515654B2 JP2001089557A JP2001089557A JP4515654B2 JP 4515654 B2 JP4515654 B2 JP 4515654B2 JP 2001089557 A JP2001089557 A JP 2001089557A JP 2001089557 A JP2001089557 A JP 2001089557A JP 4515654 B2 JP4515654 B2 JP 4515654B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- optical transmission
- optical
- transmission line
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信モジュール、特に、発光素子及び光伝送線を備える光通信モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
光通信モジュールは、電気信号を光信号に変換して送信し、受信した光信号を電気信号に変換する装置であり、光信号を伝送する光伝送線と、送信光信号を光伝送線に出射する発光素子と、光伝送線により伝送された受信光信号を受光する受光素子とを備えている。発光素子は、例えば半導体レーザであり、電極に所定の電気信号が入力されると所定周波数のレーザ光を出射する。光伝送線は、例えば光ファイバであり、送受信光信号が伝送される線状の光伝送部(コア)と、光伝送部を覆うように同心円筒状に形成される光閉込部(クラッド)とから構成されている。受光素子は、例えばフォトダイオードであり、光伝送線により伝送された受信光信号を電気信号に変換する。このような光通信モジュールでは、送信電気信号が半導体レーザの電極に入力されると、半導体レーザが送信電気信号を送信光信号に変換して光ファイバに出力し、光ファイバにより伝送された受信光信号をフォトダイオードにおいて受信電気信号に変換する。
【0003】
従来、光ファイバの光入出力端面と半導体レーザとの間にレンズ等を配置し、半導体レーザから出射されるレーザ光をレンズ等により集光して光ファイバに入力している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の構成では、光ファイバー、半導体レーザ及びレンズ等を用意し、半導体レーザからの光がレンズを介して光ファイバのコアに導かれるようにアライメントし、その後にこれらを固定する必要がある。アライメント工程では、光ファイバ、半導体レーザ及びレンズ等を正確に位置あわせする必要があり、労力と時間を要し、コストの低減を妨げている。また、アライメント工程後に半導体レーザ及びレンズ等を光ファイバに対して固定する工程においてアライメントがずれてしまうことがあり、アライメント工程後の固定工程が不良品発生の原因になっている。
【0005】
本発明の目的は、光通信モジュールにおいて、製造工程を簡素化して生産性を向上させ、コストの低減を図ることである。
また本発明の別の目的は、光通信モジュールにおいて、製造工程を簡素化して不良品の発生率を低減することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
第1発明に係る光通信モジュールは、線状の光伝送部と、前記光伝送部を覆うように形成される同心円筒状の光閉込部と、一方の端面において前記光伝送部が露出されるように当該端面に形成された電極とを有する光伝送線と、前記電極と融着されており、前記電極を第1電極として用いる面発光レーザと、を備え、前記面発光レーザは、前記光伝送線と対向する面とは反対外の面に形成されている第2電極と、前記第2電極上に形成されている第1導電型の半導体層からなる基板と、前記基板上に形成され、表面上に凹部が所定の間隔で配置された2次元回折格子を有し、前記凹部よりも屈折率が高い第1閉込層と、前記第1閉込層上に形成され、前記第1導電型の半導体層からなる第2閉込層と、前記第2閉込層上に形成され、単一又は多重量子井戸構造を有する活性層と、前記活性層上に形成され、第2導電型の半導体層からなり、レーザ光の光放出面となる表面に前記光伝送線の前記電極が融着される第3閉込層と、を有する。このような面発光レーザを用いると、電極を光放出面のどの位置に設けても、電極の下方の部分から同じようにレーザ出力を得られる。
【0007】
第1発明に係る光通信モジュールでは、光伝送線の一方の端面に形成された電極が、2次元回折格子を有する面発光レーザの光放出面に融着されており、この電極が面発光レーザの一方の電極として機能する。この場合、電極から光放出面の下方にキャリアが注入され、電極の下方からレーザ光が出射される。このとき、この端面では光伝送部が露出されているため、出射されるレーザ光は光伝送部に導かれる。
【0008】
第1発明に係る光通信モジュールによれば、光伝送線を発光素子に直接固定するので、レーザ光を光伝送線に集光するためのレンズ等の光学部品が不要になり、発光素子、光伝送線及び光学部品のアライメントが不要になる。これにより、製造工程が大幅に簡素化されて生産性が向上する。生産性の向上及び高価な光学部品の削減により、光通信モジュールのコストを低減することができる。また、光伝送線の電極を、2次元回折格子を有する面発光レーザに融着して光伝送線と面発光レーザとを固定するので、両者の固定が安定し、不良品の発生率を低減できる。
【0009】
第2発明に係る光通信モジュールは、線状の光伝送部と、前記光伝送部を覆うように形成される同心円筒状の光閉込部と、一方の端面において前記光伝送部が露出されるように当該端面に形成された電極とを有する第1光伝送線と、前記電極と融着されており、前記電極を第1電極として用いる面発光レーザと、光信号を伝送する第2光伝送線と、前記第2光伝送線により伝送された光信号を受光する受光素子と、前記面発光レーザと前記受光素子とを固定するための固定部と、を備え、前記面発光レーザは、前記光伝送線と対向する面とは反対外の面に形成されている第2電極と、前記第2電極上に形成されている第1導電型の半導体層からなる基板と、前記基板上に形成され、表面上に凹部が所定の間隔で配置された2次元回折格子を有し、前記凹部よりも屈折率が高い第1閉込層と、前記第1閉込層上に形成され、前記第1導電型の半導体層からなる第2閉込層と、前記第2閉込層上に形成され、単一又は多重量子井戸構造を有する活性層と、前記活性層上に形成され、第2導電型の半導体層からなり、レーザ光の光放出面となる表面に前記光伝送線の前記電極が融着される第3閉込層と、を有する。この光通信モジュールは、面発光レーザ及び受光素子は固定部に固定されて、双方向通信を行うための装置として機能する。
【0010】
第2発明に係る光通信モジュールは、送信側の構成が第1発明に係る光通信モジュールと同様であり、さらに受信側の構成を備えている。このような双方向光通信モジュールに第1発明を適用した場合も、第1発明において述べたと同様の作用効果を奏する。
【0011】
光伝送線は、光信号を伝送するための光伝送線であって、光伝送部と光閉込部と電極とを備えている。光伝送部は、線状の部材であり、光の導波路として機能する。光閉込部は、光伝送部を覆うように形成される同心円筒状の部材である。電極は、一方の端面において光伝送部が露出されるように当該端面に形成されている。
【0012】
前記光伝送線を用いると、電極が形成された端面を面発光レーザの光放出面に接触させ、この電極を光放出面に融着させて、第1発明に係る光通信モジュールを形成することができる。
【0013】
第3発明に係る光通信用モジュールの製造は、面発光レーザと、線状の光伝送部と光伝送部を覆うように形成される同心円筒状の光閉込部とを有する光伝送線とを備える光通信用モジュールを製造する方法であって、前記光伝送線の第1端面において前記光伝送部を露出するように、当該端面に前記面発光レーザの電極を形成する第1段階と、前記面発光レーザの光放出面に電極を融着する第2段階と、を含み、前記面発光レーザは、前記電極を第1電極として用いており、前記光伝送線と対向する面とは反対外の面に形成されている第2電極と、前記第2電極上に形成されている第1導電型の半導体層からなる基板と、前記基板上に形成され、表面上に凹部が所定の間隔で配置された2次元回折格子を有し、前記凹部よりも屈折率が高い第1閉込層と、前記第1閉込層上に形成され、前記第1導電型の半導体層からなる第2閉込層と、前記第2閉込層上に形成され、単一又は多重量子井戸構造を有する活性層と、前記活性層上に形成され、第2導電型の半導体層からなり、レーザ光の光放出面となる表面に前記光伝送線の前記電極が融着される第3閉込層と、を有する。
【0014】
第3発明に係る光通信モジュールの製造方法では、光伝送線の第1端面に電極を形成し、この電極を面発光レーザの光放出面に融着させて一方の電極として機能させる。また、光伝送線の電極が形成される端面では光伝送部が露出させるので、光放出面から出射される光は光伝送部に導かれる。第3発明に係る光通信モジュールの製造方法によれば、第1発明において述べたと同様に、生産性の向上及び高価な光学部品の削減により、光通信モジュールのコストを低減することができる。また、光伝送線の電極を面発光レーザに融着して光伝送線と面発光レーザとを固定するので、両者の固定が安定し、不良品の発生率を低減できる。
【0015】
第4発明に係る光通信モジュールの製造方法は、第3発明に係る製造方法において、第1段階は第3から第7段階より構成されている。即ち、第3段階では、第1端面にレジスト膜を塗布する。第4段階では、光伝送線の第2端面側から光伝送部に紫外光線を入射してレジスト膜を感光させる。第5段階では、レジスト膜を現像して第1端面に露出する光伝送部上にレジスト膜を残す。第6段階では、第1端面に電極材料を積層する。第7段階では、現像後に残ったレジスト膜をレジスト膜表面の電極材料とともに除去し、光伝送路を露出する。
【0016】
第4発明に係る光通信モジュールの製造方法では、光伝送部を介してレジスト膜を感光することにより、光伝送部を覆うレジスト膜のみを容易に感光させることができる。
【0017】
また、第3発明又は第4発明に係る製造方法の第2段階では、一方の電極が形成されていない複数の面発光レーザが形成された半導体ウエハをダイジング又は劈開して、一方の電極が形成されていない複数の面発光レーザを形成し、その後、光伝送線の第1端面に形成された電極と面発光レーザの光放出面とを接触させ、光伝送線及び面発光レーザを加熱して、電極と面発光レーザの光放出面とを融着させるようにしても良い。この場合は、ダイジング又は劈開した面発光レーザの光放出面に光伝送線を融着させれば良く、面発光レーザに光伝送線を効率良く接合することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
〔全体構成〕
図1は、本発明の一実施形態が採用される光通信モジュールの概略構成図である。本実施形態の光通信モジュールは、送信光信号を出射する面発光レーザ1と、受信光信号を受光する受光素子2と、送受信光信号をそれぞれ伝送する送信用光ファイバ3及び受信用光ファイバ4と、光ファイバ4と受光素子2の間に配置され光ファイバ4から出力される受信光信号を受光素子2に集光するためのレンズ5と、面発光レーザ1及び受光素子2が固定されるヘッド6とを備えている。
【0019】
本実施形態の光通信モジュールでは、送信電気信号が面発光レーザ1の電極に印加されると、面発光レーザ1が送信電気信号を送信光信号に変換して光ファイバ3に出力する。また、受信光信号が光ファイバ4から出力されると、受信光信号はレンズ5を介して受光素子2に集光され、受光素子が受信光信号を受信電気信号に変換する。
【0020】
〔光ファイバの構成〕
図2は、面発光レーザ1との接続部付近における、光ファイバ3を軸方向に沿って切った断面図(a)及び光ファイバ3の面発光レーザ1との接合面(b)である。光ファイバ3は、図2に示すように、光を伝送するための光伝送部としてのコア31と、コア31に光を閉じ込める光閉込部としてのクラッド32とからなっている。また、光ファイバ3には、面発光レーザ1と接合される端面及びこの端面付近の外周面に電極33が形成されている。この電極33は、面発光レーザ1のアノード電極として形成される。なお、光ファイバ3の面発光レーザ1との端面ではコア31が露出されるように、電極33はドーナツ状に形成され開口部を有している。この開口部を形成することによりコア31を露出し、面発光レーザ1から出射される光を効率良くコア31に導入する。
【0021】
本実施形態の光通信モジュールでは、光ファイバ3に形成された電極33を面発光レーザ1の光放出面26(後述)に融着し、この電極33を面発光レーザ1のアノード電極として用いる。この場合、面発光レーザ1からのレーザ光を光ファイバ3に集光させるためのレンズ等の光学部品が必要なくなり、面発光レーザ1、光ファイバ3及び光学部品のアライメントが不要になる。
【0022】
〔面発光レーザの構成〕
本実施形態の面発光レーザ1は、図3(a)に示すように、基板10と、第1閉込層12と、第2閉込層14と、活性層16と、第3閉込層18と、カソード電極22とを備えている。第3の閉込層18の表面には、図2に示した電極33が接合される。また、図3(b)に示すように、第1閉込層12には、高屈折率の領域の中に低屈折率の凹部24aが平面上に一定の間隔をもって形成された2次元回折格子24が形成されている。
【0023】
基板10としては、例えば面方位が(001)のn型InPの半導体基板を用いる。第2閉込層14にはn型InPの半導体層を用い、第3閉込層18にはp型InPの半導体層を用いる。第3閉込層18の表面は、レーザ光が出力される光放出面26として機能する。活性層16は、単一又は多重量子井戸構造とすることができ、例えば、InGaAs/InGaAsP系無歪多重量子井戸構造を用いて、発光波長が1.3μm帯の面発光レーザ1を実現することができる。
【0024】
第1閉込層12は、高屈折率のIII−V族化合物半導体、例えば、InP、InGaAsP、GaAs、InGaAs等を用いることができる。2次元回折格子24は、図3に示すように、第1閉込層12の一表面に形成される複数の凹部24aにより構成されている。各凹部24aの間隔は、活性層16のエネルギーバンドギャップで規定される光の波長の整数倍になるように形成する。ここで各凹部24aは、柱状(例えば、円柱状)の空間部として設ける。各凹部24aの屈折率は、第1閉込層12の屈折率よりも小さくなるように形成する。例えば、凹部24aは何も埋め込まず(空気が存在する状態にして)、凹部24aの屈折率を第1閉込層12の屈折率よりも小さくし、両者の屈折率差を大きくする。また、凹部24aに低屈折率の誘電体材料(SiN膜等)を埋め込んでも良い。このように屈折率差を大きくすると、屈折率の大きい媒質内に光を閉じ込めることができる。
【0025】
この面発光レーザ1は、電極33及びカソード電極22に送信電気信号が印加されて活性層16にキャリアが注入されると、活性層16のエネルギーバンドギャップに相当する波長の光が発生する。活性層16で発生した光は、2次元回折格子24において位相の揃った光に増幅され、再び活性層16に入射して誘導放出を引き起こす。この誘導放出光は、再び、2次元回折格子24において位相の揃った光が増幅され、活性層16に戻る。このように活性層16における誘導放出及び2次元回折格子24における増幅が繰り返され、光放出面26からレーザ光が出射される。このレーザ光が電極33の開口部からコア31に入射し、伝送される。
【0026】
このように形成された面発光レーザ1では、電極33の下方の活性層16の領域にのみキャリアが注入されるが、活性層16及び2次元回折格子24が全面に形成されているので、電極33を光放出面26のどの部分に融着したとしても、電極33の下部において同じように発光し、レーザ光が光ファイバ33のコア31に導かれる。このため、この面発光レーザ1を用いれば、光ファイバ3を面発光レーザ1に容易に固定することができる。
【0027】
〔光通信モジュールの製造プロセス〕
以下、図4から図9を参照して、光ファイバ3を面発光レーザ1に接合する方法について説明する。
【0028】
まず、図4に示すように、光ファイバ3の接合すべき第1端面及び第1端面付近の外周面にレジスト34(例えば、AZ5214E)を塗布する。本実施形態では、第1端面から軸方向に約50〜1000μmの長さの外周面にレジスト34を塗布する。次に、図5に示すように、第1端面とは反対の側の第2端面からコア31に紫外光(波長0.3〜0.4μm)を入射し、第1端面のコア31の表面に塗布されたレジスト34を感光させる。感光後のレジスト34を現像液(例えば、AZ300)により現像し、図6に示すように、レジスト感光部34aを残してレジスト34を剥離させる。その後、図7に示すように、InZn・AuZn・InAu等の電極材料を蒸着して電極33を形成し、残っているレジスト感光部34aをその部分の電極材料と共にリフトオフして、図2に示すようにコア31を露出させる。
【0029】
図8は、アノード電極以外の各層22・10・12・14・16・18(図3)がこの順番に積層された半導体ウエハ10である。この半導体ウエハ10を複数の領域に劈開(又はダイジング)して、アノード電極が形成されていない面発光レーザ1を作成する。
【0030】
図9(a)は、半導体ウエハ10から劈開された面発光レーザ1と光ファイバ3の断面図であり、図9(b)は、その斜視図である。上述したような工程で電極33が作成された光ファイバ3を、図9に示すように、面発光レーザ1の光放出面26に接触させ、その状態でこれらをオーブン等により加熱する。加熱する温度は、約150〜600℃とする。加熱されることにより、電極33の材料が溶けて光放出面26に融着される。この電極33が面発光レーザ1のアノード電極として機能する。さらに、面発光レーザ1と電極34との固定を高めるために、接続部を樹脂34により固定する。
【0031】
〔まとめ〕
この製造方法によれば、光ファイバ3を面発光レーザ1に直接固定するので、レーザ光を集光するためのレンズ等の光学部品が必要なくなり、面発光レーザ1、光ファイバ3及び光学部品のアライメントが不要になり、製造工程が簡素化されて生産性が向上する。
【0032】
製造工程が大幅に簡素化されて生産性が向上することに加え、レンズ等の高価な光学部品を削減できるので、製造コストを大幅に低減することができる。
さらに、光ファイバ3に形成した電極33を光放出面26に融着させるので、面発光レーザ1と光ファイバ3との固定が安定したものとなり、不良品の発生率を大幅に低減することができる。面発光レーザ1及び光ファイバ3を融着した後、接合部をさらに樹脂34で固定すれば、さらに両者の固定が安定する。
【0033】
なお、本実施形態の面発光レーザ1では、光放出面26のどの部分に光ファイバ3を融着させたとしても、光ファイバ3に形成された電極33の下方において面発光レーザ1が発光し、レーザ光が光ファイバ3のコア31に導かれる。このため、光ファイバ3を面発光レーザ1に容易に固定できる。
【0034】
【発明の効果】
本発明によれば、光通信モジュールにおいて、発光素子を光伝送線に直接固定するので、発光素子からの光を光伝送線に集光するための光学部品が不要になり、発光素子、光伝送線及び光学部品のアライメントが必要なくなる。これにより、製造工程が簡素化されて生産性が向上する。また、生産性の向上及び高価な光学部品の削減により、コストの低減を図ることができる。
【0035】
また本発明によれば、光通信モジュールにおいて、発光素子と光伝送線との固定が安定するので、不良品の発生率を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る光通信モジュールの概略構成図。
【図2】送信用光ファイバの断面図(a)、第1端面の平面図(b)。
【図3】面発光レーザの斜視図(a)、そのI−I’における断面図(b)。
【図4】送信用光ファイバの製造プロセスの説明図(その1)。
【図5】送信用光ファイバのプロセスの説明図(その2)。
【図6】送信用光ファイバのプロセスの説明図(その3)。
【図7】送信用光ファイバのプロセスの説明図(その4)。
【図8】面発光レーザが形成された半導体ウエハ。
【図9】送信用光ファイバと面発光レーザとの融着を説明する断面図(a)、その斜視図(b)。
【符号の説明】
1 面発光レーザ(発光素子)
2 受光素子
3 送信用光ファイバ(第1光伝送線)
4 受信用光ファイバ(第2光伝送線)
10 半導体ウエハ
26 光放出面
31 コア(光伝送部)
32 クラッド(光閉込部)
33 アノード電極
Claims (4)
- 線状の光伝送部と、前記光伝送部を覆うように形成される同心円筒状の光閉込部と、一方の端面において前記光伝送部が露出されるように当該端面に形成された電極とを有する光伝送線と、
前記電極と融着されており、前記電極を第1電極として用いる面発光レーザと、
を備え、
前記面発光レーザは、
前記光伝送線と対向する面とは反対外の面に形成されている第2電極と、
前記第2電極上に形成されている第1導電型の半導体層からなる基板と、
前記基板上に形成され、表面上に凹部が所定の間隔で配置された2次元回折格子を有し、前記凹部よりも屈折率が高い第1閉込層と、
前記第1閉込層上に形成され、前記第1導電型の半導体層からなる第2閉込層と、
前記第2閉込層上に形成され、単一又は多重量子井戸構造を有する活性層と、
前記活性層上に形成され、第2導電型の半導体層からなり、レーザ光の光放出面となる表面に前記光伝送線の前記電極が融着される第3閉込層と、
を有する光通信モジュール。 - 線状の光伝送部と、前記光伝送部を覆うように形成される同心円筒状の光閉込部と、一方の端面において前記光伝送部が露出されるように当該端面に形成された電極とを有する第1光伝送線と、
前記電極と融着されており、前記電極を第1電極として用いる面発光レーザと、
光信号を伝送する第2光伝送線と、
前記第2光伝送線により伝送された光信号を受光する受光素子と、
前記面発光レーザと前記受光素子とを固定するための固定部と、
を備え、
前記面発光レーザは、
前記光伝送線と対向する面とは反対外の面に形成されている第2電極と、
前記第2電極上に形成されている第1導電型の半導体層からなる基板と、
前記基板上に形成され、表面上に凹部が所定の間隔で配置された2次元回折格子を有し、前記凹部よりも屈折率が高い第1閉込層と、
前記第1閉込層上に形成され、前記第1導電型の半導体層からなる第2閉込層と、
前記第2閉込層上に形成され、単一又は多重量子井戸構造を有する活性層と、
前記活性層上に形成され、第2導電型の半導体層からなり、レーザ光の光放出面となる表面に前記光伝送線の前記電極が融着される第3閉込層と、
を有する光通信モジュール。 - 面発光レーザと、線状の光伝送部と光伝送部を覆うように形成される同心円筒状の光閉込部とを有する光伝送線とを備える光通信用モジュールを製造する方法であって、
前記光伝送線の第1端面において前記光伝送部を露出するように、当該端面に前記面発光レーザの電極を形成する第1段階と、
前記面発光レーザの光放出面に電極を融着する第2段階と、
を含み、
前記面発光レーザは、
前記電極を第1電極として用いており、
前記光伝送線と対向する面とは反対外の面に形成されている第2電極と、
前記第2電極上に形成されている第1導電型の半導体層からなる基板と、
前記基板上に形成され、表面上に凹部が所定の間隔で配置された2次元回折格子を有し、前記凹部よりも屈折率が高い第1閉込層と、
前記第1閉込層上に形成され、前記第1導電型の半導体層からなる第2閉込層と、
前記第2閉込層上に形成され、単一又は多重量子井戸構造を有する活性層と、
前記活性層上に形成され、第2導電型の半導体層からなり、レーザ光の光放出面となる表面に前記光伝送線の前記電極が融着される第3閉込層と、を有する光通信用モジュールの製造方法。 - 前記第1段階は、
前記第1端面にレジスト膜を塗布する第3段階と、
前記光伝送線の第2端面側から前記光伝送部に紫外光線を入射して前記レジスト膜を感光させる第4段階と、
前記レジスト膜を現像して前記第1端面に露出する光伝送部上にレジスト膜を残す第5段階と、
前記第1端面に電極材料を積層する第6段階と、
前記現像後に残ったレジスト膜をレジスト膜表面の電極材料とともに除去し、前記光伝送路を露出する第7段階と、
を含む請求項3に記載の光通信モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001089557A JP4515654B2 (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 光通信用モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001089557A JP4515654B2 (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 光通信用モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002286977A JP2002286977A (ja) | 2002-10-03 |
JP4515654B2 true JP4515654B2 (ja) | 2010-08-04 |
Family
ID=18944471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001089557A Expired - Fee Related JP4515654B2 (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 光通信用モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4515654B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7050677B2 (en) | 2002-11-05 | 2006-05-23 | Pentax Corporation | Optical fiber and method for producing the same |
US7252634B2 (en) | 2002-11-05 | 2007-08-07 | Pentax Corporation | Confocal probe having scanning mirrors mounted to a transparent substrate in an optical path of the probe |
US6996311B1 (en) | 2002-11-07 | 2006-02-07 | Pentax Corporation | Optical communication device |
JP4062705B2 (ja) * | 2004-05-26 | 2008-03-19 | 京セミ株式会社 | 半導体光学部品及びその製造方法 |
JP2006065166A (ja) | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Pentax Corp | 光ファイバの加工方法 |
JP4859404B2 (ja) * | 2005-07-08 | 2012-01-25 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 面発光レーザ |
DE102005032593B4 (de) * | 2005-07-11 | 2007-07-26 | Technische Universität Berlin | Optisches Modul mit einer Leichtleitfaser und einem lichtemittierenden/lichtempfangenden Bauteil und Verfahren zum Herstellen |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62294208A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Fujitsu Ltd | 導波路と光フアイバ−との接続方法 |
JPS6321611A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-29 | Fujitsu Ltd | 導波路基板と光フアイバとの接続部構造 |
JPH1039162A (ja) * | 1996-07-24 | 1998-02-13 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置並びに半導体受光素子および光ファイバーの形成方法 |
JPH11186657A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Canon Inc | フォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザ |
JPH11287933A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-10-19 | Fujikura Ltd | 光モジュール |
-
2001
- 2001-03-27 JP JP2001089557A patent/JP4515654B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62294208A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Fujitsu Ltd | 導波路と光フアイバ−との接続方法 |
JPS6321611A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-29 | Fujitsu Ltd | 導波路基板と光フアイバとの接続部構造 |
JPH1039162A (ja) * | 1996-07-24 | 1998-02-13 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置並びに半導体受光素子および光ファイバーの形成方法 |
JPH11186657A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Canon Inc | フォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザ |
JPH11287933A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-10-19 | Fujikura Ltd | 光モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002286977A (ja) | 2002-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5387671B2 (ja) | 半導体レーザ及び集積素子 | |
US10181694B2 (en) | Optical module | |
US5995692A (en) | Light emitting device module | |
WO2011065517A1 (ja) | 表面出射型レーザ | |
JPH0738205A (ja) | 面発光レーザダイオードアレイ及びその駆動方法,光検出素子,光検出素子アレイ,空間光接続システム,並びに波長多重光通信システム | |
TW200812180A (en) | Surface-emitting laser array, optical scanning device, and image forming device | |
JP2012151157A (ja) | 水平共振器垂直出射レーザとその製造方法及び受光素子、並びに水平共振器垂直出射レーザアレイ | |
JP2008060445A (ja) | 発光素子 | |
US20130322478A1 (en) | Semiconductor Laser Device | |
US10554013B2 (en) | Semiconductor laser apparatus | |
JP6247944B2 (ja) | 水平共振器面出射型レーザ素子 | |
JP4515654B2 (ja) | 光通信用モジュール | |
US10811844B2 (en) | External cavity laser using vertical-cavity surface-emitting laser and silicon optical element | |
JPH0697597A (ja) | 受光素子付き面発光型半導体レーザ装置 | |
JPH1039162A (ja) | 光半導体装置並びに半導体受光素子および光ファイバーの形成方法 | |
JPH0685374A (ja) | 光通信用波長多重送受信器 | |
JP3653150B2 (ja) | 半導体レーザチップ及びその製造方法 | |
JPS6089990A (ja) | 光集積回路 | |
JPH09289354A (ja) | 半導体レーザ素子および光結合装置 | |
JP2003264513A (ja) | 双方向光通信システム | |
US20220229229A1 (en) | Surface Emission Optical Circuit and Surface Emission Light Source Using the Same | |
JP2001352129A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
KR20030062111A (ko) | 레이저 소자 및 그 제조 방법과 파장 분할 다중 광원 소자 | |
JPH09214049A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2011243650A (ja) | 半導体レーザ素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080212 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091201 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100223 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100419 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100511 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100513 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |