JPH0697597A - 受光素子付き面発光型半導体レーザ装置 - Google Patents

受光素子付き面発光型半導体レーザ装置

Info

Publication number
JPH0697597A
JPH0697597A JP24362592A JP24362592A JPH0697597A JP H0697597 A JPH0697597 A JP H0697597A JP 24362592 A JP24362592 A JP 24362592A JP 24362592 A JP24362592 A JP 24362592A JP H0697597 A JPH0697597 A JP H0697597A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
layer
active layer
type
receiving element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP24362592A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3099921B2 (ja
Inventor
Kenji Motohashi
健次 本橋
Hideto Furuyama
英人 古山
Mitsuhiro Kushibe
光弘 櫛部
Keiji Takaoka
圭児 高岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP24362592A priority Critical patent/JP3099921B2/ja
Publication of JPH0697597A publication Critical patent/JPH0697597A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3099921B2 publication Critical patent/JP3099921B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
    • H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1078—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region with means to control the spontaneous emission, e.g. reducing or reinjection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18386—Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
    • H01S5/18394—Apertures, e.g. defined by the shape of the upper electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
    • H01S5/2222—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】レーザ光出力を正確にモニタできる受光素子付
き面発光型半導体レーザ装置を提供すること。 【構成】ｎ型ＩｎＰ半導体基板２上に形成されたｎ型半
導体多層膜反射鏡３と、このｎ型半導体多層膜反射鏡３
に形成された活性層６と、この活性層６上に形成された
ｐ型半導体多層膜反射鏡９と、このｐ型半導体多層膜反
射鏡９に活性層６と同心的に形成されると共に、中心部
に活性層６の幅より狭い開口部を有し、且つ活性層６の
出射光のうち２次以上の共振モードの自然放出光が入射
されない幅を有すＰＩＮフォトダイオード２４とを備え
ている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光の強度をモニ
ターできる受光素子付き面発光型半導体レーザ装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】面発光型半導体レーザ装置は、二次元的
な集積化が可能であるため、高並列・高速化が求められ
ている光伝送や光情報処理技術等のキーデバイスとし
て、研究・開発が進められている。面発光型半導体レー
ザ装置をこのような技術に応用するには、レーザ光出力
を制御する必要がある。このため、従来より、レーザ光
を受光素子によりモニターし、その結果に基づいて面発
光型半導体レーザ装置の駆動回路にフィードバックをか
け、レーザ光出力を制御している。
【０００３】面発光型半導体レーザ装置と光モニター用
受光素子とを組み合わせる技術は、例えば、特開平３−
２２２３８４号公報に開示されている。この技術は、図
８に示すように、ステム９１上に設置されたＳｉ製の基
板（サブマウント）９２に受光素子としてのフォトダイ
オード９３を組み込み、このフォトダイオード９３を面
発光型のレーザダイオード９４とを結合し、これらをレ
ーザ光９５の取り出し窓を有するキャップ９６で覆うと
いうものである。なお、図中、９７はリード線、９８は
金線を示している。
【０００４】この技術では、熱応力緩和材としてのＳｉ
製のサブマウント９２上にフォトダイオード９３とレー
ザダイオード９４とを搭載して、良好な光結合を実現し
ている。また、フォトダイオード９３とレーザダイオー
ド９４とが平行平面上にあるため、ダイボンド工程やワ
イヤボンド工程を簡略化できるという利点がある。
【０００５】しかしながら、フォトダイオード９３とレ
ーザダイオード９４とをサブマウント９２上で接着する
ため、光軸の調整が必要であり、また、金線９８の取り
付けなどが必要であるので、このような技術では本質的
に微細化・高集積化が困難であるという問題がある。ま
た、このようにフォトダイオード９３とレーザダイオー
ド９４とが一体化された装置には次のような問題もあ
る。
【０００６】即ち、図９に示すように、レーザダイオー
ド９４は、レーザ光と自然放出光とを出射するため、フ
ォトダイオード９３は、レーザ光のみならず増幅された
自然放出光も受光することになる。
【０００７】この結果、図１０（ａ）に示すように、レ
ーザダイオード９４に注入する電流とレーザダイオード
９４が出射するレーザ光の強度との関係と、レーザダイ
オード９４に注入する電流とフォトダイオード９３がモ
ニターする光（モニター光）の強度との関係とが一致し
なくなり、図１０（ｂ）に示すように、フォトダイオー
ド９３の出力（モニター光出力）とレーザダイオード９
４のレーザ光の出力（レーザ光出力）とが比例しなくな
り、正確にレーザ光をモニターできなくなるという問題
が生じる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来の受
光素子付き面発光型半導体レーザ装置では、受光素子と
してのフォトダイオードと面発光型半導体レーザ素子と
してのレーザダイオードとをサブマウント上で接着する
ため、光軸の調整が必要であり、また、金線の取り付け
などが必要であるので、微細化・高集積化が困難である
という問題があった。また、受光素子がレーザ光のみな
らず増幅された自然放出光も受光するため、レーザ光出
力を正確にモニタできないという問題があった。
【０００９】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、微細化・高集積化が容
易で、レーザ光出力を正確にモニタできる受光素子付き
面発光型半導体レーザ装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の受光素子付き面発光型半導体レーザ装置
は、半導体基板上に形成された第１の反射鏡と、この第
１の反射鏡上に形成された活性層と、この活性層上に形
成された第２の反射鏡と、この第２の反射鏡上に前記活
性層と同心的に形成されると共に、中心部に前記活性層
の幅より狭い開口部を有し、且つ前記活性層の出射光の
うち２次以上の共振モードの自然放出光が入射されない
幅を有する受光素子とを備えたことを特徴とする。
【００１１】ここで、第１及び第２の反射鏡は、多層膜
を用いたもの以外に、光を反射する働きのあるものなら
良く、例えば、他に出射光の光軸に対して同心円状の凹
凸パターンを持った回折格子でも良い。
【００１２】
【作用】本発明の受光素子付き面発光型半導体レーザ装
置では、中心部に活性層の幅より狭い開口部を有し、前
記活性層の出射光のうち２次以上の共振モードの自然放
出光が入射されない幅を有する受光素子を用いている。
【００１３】このため、レーザ光は前記開口部から取り
出され、しかも、前記開口部の幅が前記活性層の幅より
狭いので、２次以上の共振モードの光が前記レーザ光と
一緒に前記開口部から取り出されることはない。したが
って、位相等の乱れが少ないレーザ光が得られる。
【００１４】また、受光素子の幅を２次以上の共振モー
ドの自然放出光が入射されない大きさにしているので、
従来に比べて受光素子に入射される光のうち、自然放出
光の成分を低減でき、レーザ光出力を正確にモニタでき
るようになる。また、同一半導体基板上にレーザ部と受
光部とを積層形成できるので、微細化・高集積化が容易
になる。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照しながら実施例を説明す
る。
【００１６】図１は、本発明の第１の実施例に係る受光
素子付き面発光型半導体レーザ装置の構成を示す素子断
面図であり、図２は、図１の受光素子付き面発光型半導
体レーザ装置を上から見た平面図である。
【００１７】ｎ型ＩｎＰ半導体基板２上には、ｎ型Ｉｎ
ＧａＡｓＰ層とｎ型ＩｎＰ層との積層膜からなるｎ型半
導体多層膜反射鏡３が設けれ、このｎ型半導体多層膜反
射鏡３上には、ｎ型ＩｎＰクラッド層４が設けられてい
る。このｎ型ＩｎＰクラッド層４上には、図２に示すよ
うに、半径Ｒ１の活性層６が設けられている。この活性
層６はＭＱＷ構造になっており、このＭＱＷ構造は、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層とＩｎＰ層との多層積層膜で構成されて
いる。また、活性層６の側面は、ｐ型ＩｎＰ電流ブロッ
ク層５及びこのｐ型ＩｎＰ電流ブロック層５の上に設け
られたｎ型ＩｎＰ電流ブロック層７で覆われている。こ
れらｐ型ＩｎＰ電流ブロック層５，ｎ型ＩｎＰ電流ブロ
ック層７の膜厚を足したＩｎＰ電流ブロック層の全体の
膜厚は、活性層６の膜厚と等しくなっている。
【００１８】活性層６，ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層７上
には、ｐ型ＩｎＰクラッド層８，ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層
とｐ型ＩｎＰ層との積層膜からなるｐ型半導体多層膜反
射鏡９，ｐ+ 型ＩｎＰコンタクト層１０が順次設けられ
ている。
【００１９】ｐ+ 型ＩｎＰコンタクト層１０上には、中
心部に開口部を有し、活性層６と同心的なＰＩＮフォト
ダイオード２４が設けられている。このＰＩＮフォトダ
イオード２４は、ｐ型ＩｎＰ層１２，ＧａＩｎＡｓＰ層
１３，ｎ型ＩｎＰ層１４，ｎ側電極１５で構成されてい
る。
【００２０】ＰＩＮフォトダイオード２４の開口部の半
径Ｒ２は、図２に示すように、活性層６の半径Ｒ１より
小さくなっており、また、上記開口部はレーザ光１６の
取りだし窓の役割も果たし、レーザ光１６の光軸とレー
ザ光１６の取り出し窓とは垂直な関係にある。なお、モ
ニタ光はｐ型半導体多層膜反射鏡９を通ってＰＩＮフォ
トダイオード２４に入射される。
【００２１】また、ＰＩＮフォトダイオード２４の半径
Ｒ３は、２次以上の共振モードの自然放出光がＰＩＮフ
ォトダイオード２４に入射されないように次のように選
ばれている。
【００２２】ｎ型，ｐ型半導体多層膜反射鏡３，９のよ
うな垂直光共振器を有する面発光型半導体レーザの場
合、発振波長をλ，ヘテロ半導体からなる多層膜の平均
屈折率をｎとすると、ｍλ／４ｎ（ｍ＝１，２，…）を
満たす光路長で共振モードが存在する。この結果、等方
的に放射された自然放出光は、ｍλ／４ｎ（ｍ＝１，
２，…）を満たす方向に定在波分布を有する。
【００２３】したがって、ＰＩＮフォトダイオード２４
がこのような自然放出光を受光しないためには、図３に
示すように、活性層６の両端から光軸に対し６０°（ｍ
＝２）の範囲に収まるようにＰＩＮフォトダイオード２
４の半径Ｒ３を選べば、換言すれば、活性層６の両端か
ら光軸に対し６０°の方向より内側にＰＩＮフォトダイ
オード２４を配置すれば、２次の共振モード以上の自然
放出光が、ＰＩＮフォトダイオード２４に入射するのを
防止できる。
【００２４】ＰＩＮフォトダイオード２４の周りのｐ+
型ＩｎＰコンタクト層１０上には、活性層６と同心的な
ｐ側電極１１が設けられている。このｐ側電極１１は、
面発光レーザ素子とＰＩＮフォトダイオード２４との共
通のｐ側電極として用いられる。ｎ型ＩｎＰ半導体基板
２の裏面には、ｎ側電極１が設けられている。このｎ側
電極１には負電圧が印加され、ＰＩＮフォトダイオード
２４のｎ側電極１５には正電圧が印加され、そして、ｐ
側電極１１は接地されている。また、ｎ側電極１とｎ側
電極１５との間には、ＰＩＮフォトダイオード２４の光
出力を取り出すための出力端子２３が設けられている。
【００２５】本実施例の受光素子付き面発光型半導体レ
ーザ装置は、ｎ型半導体多層膜反射鏡３，ｐ型半導体多
層膜反射鏡９からなる光共振器構造を有する面発光レー
ザ素子とＰＩＮフォトダイオード２４とがｎ型Ｉｎ半導
体基板２上に積層された構成をしている。このため、面
発光レーザ素子とＰＩＮフォトダイオード２４とを一回
のエピタキシャル成長によって、連続的に形成できるの
で、従来のように接合のためのサブマウントや接着剤が
不要になり、しかも、面発光レーザ素子とＰＩＮフォト
ダイオード２４との光結合のための位置合わせが不要と
なる。
【００２６】したがって、製作工程が大幅に簡略化さ
れ、均質で微細な面発光レーザ素子とＰＩＮフォトダイ
オード２４とを形成できる。また、エッチングにより一
つ一つの素子を分離できるので基板面内での高密度な二
次元集積化が可能となる。
【００２７】また、本実施例によれば、上述したよう
に、２次以上の共振モードの自然放出光がＰＩＮフォト
ダイオード２４に入射しないように、ＰＩＮフォトダイ
オード２４の半径Ｒ３が選ばれているので、従来に比べ
て、ＰＩＮフォトダイオード２４に入射される光のう
ち、自然放出光の成分を低減できる。
【００２８】したがって、図４（ａ）に示すように、Ｐ
ＩＮフォトダイオード２４が受光する光の強度とレーザ
光の強度とが略一致するようになり、図４（ｂ）に示す
ように、モニター光出力とレーザ光出力とが比例するよ
うになり、正確にレーザ出力光をモニターできるように
なる。
【００２９】また、ＰＩＮフォトダイオード２４の開口
部から取り出される光にも２次以上の共振モードの自然
放出光が含まれていないので、位相等の乱れが少ないレ
ーザ光が得られる。
【００３０】なお、本実施例では、光共振器を２枚のｎ
型半導体多層膜反射鏡３，ｐ型半導体多層膜反射鏡９で
構成したが、ｎ型半導体多層膜反射鏡３の代わりに、誘
電体多層膜反射鏡を用いても良い。
【００３１】図５は、本発明の第２の実施例に係る受光
素子付き面発光型半導体レーザ装置の構成を示す素子断
面図である。なお、以下の実施例において、図１の受光
素子付き面発光型半導体レーザ装置と対応する部分には
図１と同一符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施
例の受光素子付き面発光型半導体レーザ装置が先の実施
例のそれと異なる点は、レーザ光１６の取り出し窓を反
対側に形成したことにある。
【００３２】即ち、ｎ型ＩｎＰ半導体基板２をｎ型Ｉｎ
Ｐクラッド層４が露出するまでエッチングし、その露出
したｎ型ＩｎＰクラッド層４の表面に誘電体多層膜反射
鏡１７を形成したことにある。また、レーザ光１６の取
り出し窓の変更に伴って、ＰＩＮフォトダイオード２４
の開口部がなくなり、また、２次以上の共振モードの自
然放出光を受光しないように、ＰＩＮフォトダイオード
２４の半径を活性層６の半径より小さくしている。この
ように構成された受光素子付き面発光型半導体レーザ装
置でも、先の実施例と同様に、正確にレーザ光をモニタ
ーできるなどの効果が得られる。なお、本実施例では、
誘電体多層膜反射鏡１７を用いたが、その代わりに、ｐ
型又はｎ型にドーピングした半導体多層膜反射鏡を用い
ても良い。図６は、本発明の第３の実施例に係る受光素
子付き面発光型半導体レーザ装置の構成を示す素子断面
図である。
【００３３】本実施例の受光素子付き面発光型半導体レ
ーザ装置が第２の実施例のそれと異なる点は、ＰＩＮフ
ォトダイオード２４と面発光型レーザ素子とが直流に対
して電気的に略分離されていることにある。
【００３４】即ち、ｐ+ 型ＩｎＰコンタクト層１０上に
は、ｎ型ＩｎＰ層１８とｐ型ＩｎＰ層１９とで構成され
たｐｎ接合部が設けられ、この上にＰＩＮフォトダイオ
ード２４が設けれている。また、ｐ側電極２１とｐ型Ｉ
ｎＰ層１９とのオーミックコンタクトを良好にするため
に、ｐ型ＩｎＰ層１９には、例えば，Ｚｎ等のｐ型ドー
パントからなる拡散領域２０が形成されている。このよ
うに構成された受光素子付き面発光型半導体レーザ装置
でも先の実施例と同様な効果が得られる。なお、本実施
例の場合も、誘電体多層膜反射鏡１７の代わりに、ｐ型
又はｎ型にドーピングした半導体多層膜反射鏡を用いて
も良い。図７は、本発明の第４の実施例に係る受光素子
付き面発光型半導体レーザ装置の構成を示す素子断面図
である。
【００３５】本実施例の受光素子付き面発光型半導体レ
ーザ装置がこれまでの実施例のそれと主として異なる点
は、垂直光共振器の代わりに、水平光共振器を用いたこ
とにある。
【００３６】即ち、ｎ型ＩｎＰ半導体基板２にｎ側電極
１，ｎ型ＩｎＰクラッド層４，活性層６，１３，ｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層８，ｐ側電極１１，２１を形成した後、
異方性を有するエッチャントを用いてｎ型ＩｎＰ半導体
基板２の途中までエッチングしてレーザ素子と受光素子
とを分離すると共に、このエッチングで得られた面方位
を利用して半透過型反射鏡２２を形成する。この半透過
型反射鏡２２で反射されたレーザ光１６は、共振方向と
異なる方向に取り出され、半透過型反射鏡２２を通過し
た光は受光素子に入射される。
【００３７】素子分離を上述したエッチングにより行な
えば、高密度な二次元集積化が可能となり、さらに、本
実施例の場合、従来のストライプ型半導体レーザの技術
が利用できるので製作が容易になるなどの利点がある。
【００３８】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。例えば、上記実施例では、面発光レー
ザ素子の活性層６は、ｐｎ接合を利用して埋め込まれて
いるが、活性層６の側壁にＨ+ などのイオンを打ち込む
などして電流狭窄構造にすることもできる。
【００３９】また、上記実施例では、ＩｎＧａＡｓＰ／
ＩｎＰ系のレーザの場合について説明したが、本発明
は、他の材料系、例えば、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系の
レーザの場合にも適用できる。また、ダブルヘテロ構造
以外のレーザの場合にも適用可能である。また、上記実
施例では、受光素子としてＰＩＮフォトダイオードを用
いたが、他の受光素子を用いても良い。
【００４０】また、上記実施例では、レーザ光の光軸と
取り出し窓の面とが垂直の場合について説明したが、レ
ーザ光の光軸と取り出し窓の面とが多少垂直の関係から
ずれていも同様な効果が得られる。その他、本発明の要
旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【００４１】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、活
性層の出射光のうち２次以上の共振モードの自然放出光
が入射されない幅を有する受光素子を用いることによ
り、受光素子に入射される光のうち、自然放出光の成分
を低減でき、レーザ光出力を正確にモニタできるように
なる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例に係る受光素子付き面発
光型半導体レーザ装置の構成を示す素子断面図。
【図２】図１の受光素子付き面発光型半導体レーザ装置
の平面図。
【図３】ＰＩＮフォトダイオードと活性層との位置関係
を示す図。
【図４】本発明の効果を説明するための図。
【図５】本発明の第２の実施例に係る受光素子付き面発
光型半導体レーザ装置の構成を示す素子断面図。
【図６】本発明の第３の実施例に係る受光素子付き面発
光型半導体レーザ装置の構成を示す素子断面図。
【図７】本発明の第４の実施例に係る受光素子付き面発
光型半導体レーザ装置の構成を示す素子断面図。
【図８】従来の受光素子付き面発光型半導体レーザ装置
の構成を示す図。
【図９】受光素子が受光する光を説明するための図。
【図１０】従来の受光素子付き面発光型半導体レーザ装
置の問題点を説明するための図。
【符号の説明】
１…ｎ側電極、２…ｎ型ＩｎＰ半導体基板、３…ｎ型半
導体多層膜反射鏡、４…ｎ型ＩｎＰクラッド層、５…ｐ
型ＩｎＰ電流ブロック層、６…活性層、７…ｎ型ＩｎＰ
電流ブロック層、８…ｐ型ＩｎＰクラッド層、９…ｐ型
半導体多層膜反射鏡、１０…ｐ+ 型ＩｎＰコンタクト
層、１１…ｐ側電極、１２…ｐ型ＩｎＰ層、１３…Ｇａ
ＩｎＡｓＰ層、１４…ｎ型ＩｎＰ層、１５…ｎ側電極、
１６…レーザ光、１７…誘電体多層膜反射鏡、１８…ｎ
型ＩｎＰ層、１９…ｐ型ＩｎＰ層、２０…拡散領域、２
１…ｐ側電極、２２…半透過型反射鏡、２３…出力端
子、２４…ＰＩＮフォトダイオード、９１…ステム、９
２…サブマウント、９３…フォトダイオード、９４…レ
ーザダイオード、９５…レーザ光、９６…キャップ、９
７…リード線、９８…金線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高岡 圭児 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体基板上に形成された第１の反射鏡
    と、 この第１の反射鏡上に形成された活性層と、 この活性層上に形成された第２の反射鏡と、 この第２の反射鏡上に前記活性層と同心的に形成される
    と共に、中心部に前記活性層の幅より狭い開口部を有
    し、且つ前記活性層の出射光のうち２次以上の共振モー
    ドの自然放出光が入射されない幅を有する受光素子とを
    具備してなることを特徴とする受光素子付き面発光型半
    導体レーザ装置。
JP24362592A 1992-09-11 1992-09-11 受光素子付き面発光型半導体レーザ装置 Expired - Fee Related JP3099921B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24362592A JP3099921B2 (ja) 1992-09-11 1992-09-11 受光素子付き面発光型半導体レーザ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24362592A JP3099921B2 (ja) 1992-09-11 1992-09-11 受光素子付き面発光型半導体レーザ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0697597A true JPH0697597A (ja) 1994-04-08
JP3099921B2 JP3099921B2 (ja) 2000-10-16

Family

ID=17106613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24362592A Expired - Fee Related JP3099921B2 (ja) 1992-09-11 1992-09-11 受光素子付き面発光型半導体レーザ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3099921B2 (ja)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0709940A2 (en) * 1994-10-31 1996-05-01 Hewlett-Packard Company Integration of surface emitting laser and photodiode for monitoring power output of surface emitting laser
EP0803943A2 (en) * 1996-04-25 1997-10-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Surface laser diode package having an optical power monitoring function
EP0840380A2 (en) * 1996-10-29 1998-05-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting apparatus
WO1999046837A1 (fr) * 1998-03-11 1999-09-16 Seiko Epson Corporation Laser a emission par la surface dote d'un dispositif de controle et son procede de fabrication
JP2000252584A (ja) * 1999-02-02 2000-09-14 Agilent Technol Inc 半導体レーザ及びその製造方法
JP2002504754A (ja) * 1998-02-18 2002-02-12 インフィネオン・テクノロジーズ・アーゲー 光送信機及び光受信機を有するコンポーネント
EP1496582A1 (en) * 2003-07-10 2005-01-12 Seiko Epson Corporation Surface light emitting element, optical module, light transmission device
JP2005217147A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Seiko Epson Corp 受発光素子アレイ、光モジュール、および光伝達装置
JP2006060204A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Agilent Technol Inc 自己監視式発光装置
JP2007013227A (ja) * 2006-10-23 2007-01-18 Fuji Xerox Co Ltd 面発光型半導体レーザ及び面発光型半導体レーザアレイ
CN1315234C (zh) * 2004-02-17 2007-05-09 长春理工大学 垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法
US7248800B2 (en) 2003-05-30 2007-07-24 Canon Kabushiki Kaisha Optical receiver, optical transmitter and optical transceiver
JP2007207845A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Sony Corp 半導体発光装置
CN100456584C (zh) * 2006-08-02 2009-01-28 长春理工大学 大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构
JP2022515280A (ja) * 2018-12-25 2022-02-17 フォグレイン テクノロジー （シェンゼン）カンパニー リミテッド 光電チップ、その製造方法及び実装方法

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5838708A (en) * 1994-10-31 1998-11-17 Hewlett-Packard Company Integration of surface emitting laser and photodiode for monitoring power output of surface emitting laser
EP0709940A3 (ja) * 1994-10-31 1996-06-12 Hewlett Packard Co
EP0709940A2 (en) * 1994-10-31 1996-05-01 Hewlett-Packard Company Integration of surface emitting laser and photodiode for monitoring power output of surface emitting laser
EP0803943A3 (en) * 1996-04-25 1998-04-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Surface laser diode package having an optical power monitoring function
US6034981A (en) * 1996-04-25 2000-03-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Surface laser diode package having an optical power monitoring function
CN1083600C (zh) * 1996-04-25 2002-04-24 三星电子株式会社 具有光功率监测功能的平面型激光二极管封装件
EP0803943A2 (en) * 1996-04-25 1997-10-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Surface laser diode package having an optical power monitoring function
EP0840380A2 (en) * 1996-10-29 1998-05-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting apparatus
EP0840380A3 (en) * 1996-10-29 1998-07-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting apparatus
JP2002504754A (ja) * 1998-02-18 2002-02-12 インフィネオン・テクノロジーズ・アーゲー 光送信機及び光受信機を有するコンポーネント
WO1999046837A1 (fr) * 1998-03-11 1999-09-16 Seiko Epson Corporation Laser a emission par la surface dote d'un dispositif de controle et son procede de fabrication
JP2000252584A (ja) * 1999-02-02 2000-09-14 Agilent Technol Inc 半導体レーザ及びその製造方法
JP4673951B2 (ja) * 1999-02-02 2011-04-20 アバゴ・テクノロジーズ・ファイバー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 半導体レーザ及びその製造方法
US7248800B2 (en) 2003-05-30 2007-07-24 Canon Kabushiki Kaisha Optical receiver, optical transmitter and optical transceiver
US7509052B2 (en) 2003-05-30 2009-03-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical receiver, optical transmitter and optical transceiver
EP1496582A1 (en) * 2003-07-10 2005-01-12 Seiko Epson Corporation Surface light emitting element, optical module, light transmission device
CN100370660C (zh) * 2003-07-10 2008-02-20 精工爱普生株式会社 表面发光型发光元件、光模块、光传输装置
US7339970B2 (en) 2003-07-10 2008-03-04 Seiko Epson Corporation Surface light emitting element, optical module, light transmission device
JP2005217147A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Seiko Epson Corp 受発光素子アレイ、光モジュール、および光伝達装置
CN1315234C (zh) * 2004-02-17 2007-05-09 长春理工大学 垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法
JP2006060204A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Agilent Technol Inc 自己監視式発光装置
JP2007207845A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Sony Corp 半導体発光装置
CN100456584C (zh) * 2006-08-02 2009-01-28 长春理工大学 大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构
JP2007013227A (ja) * 2006-10-23 2007-01-18 Fuji Xerox Co Ltd 面発光型半導体レーザ及び面発光型半導体レーザアレイ
JP2022515280A (ja) * 2018-12-25 2022-02-17 フォグレイン テクノロジー （シェンゼン）カンパニー リミテッド 光電チップ、その製造方法及び実装方法
US11894471B2 (en) 2018-12-25 2024-02-06 Phograin Technology (shenzhen) Co., Ltd. Photoelectric chip, manufacturing method and installation method

Also Published As

Publication number Publication date
JP3099921B2 (ja) 2000-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6424669B1 (en) Integrated optically pumped vertical cavity surface emitting laser
JP4090402B2 (ja) 半導体光増幅器及びそれを用いた光モジュ−ル
JP3099921B2 (ja) 受光素子付き面発光型半導体レーザ装置
US20050083982A1 (en) Surface emitting and receiving photonic device
JPH07105574B2 (ja) 半導体装置の試験方法
EP1508946A1 (en) Long wavelength vertical cavity surface emitting laser with integrated photodetector
JP4634010B2 (ja) 半導体光素子
JP2000196189A (ja) 面発光型半導体レーザ
US20100183041A1 (en) Semiconductor laser element and semiconductor laser device
US8467427B2 (en) Light emitting and receiving device
EP0874425B1 (en) Ring cavity type surface emitting semiconductor laser
JP2539089B2 (ja) 半導体レ―ザ増幅器および半導体レ―ザ増幅装置
JPH0766995B2 (ja) 半導体レーザ装置
US6973113B2 (en) Optically pumped semiconductor laser device
US5914977A (en) Semiconductor laser having a high-reflectivity reflector on the laser facets thereof, an optical integrated device provided with the semiconductor laser, and a manufacturing method therefor
JPS5940592A (ja) 半導体レ−ザ素子
JP3061169B2 (ja) 半導体レーザ
JPH05167197A (ja) 光半導体装置
US20080198890A1 (en) Vertically emitting laser and method of making the same
JP2967757B2 (ja) 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2001352129A (ja) 半導体レーザ装置及びその製造方法
US20020186738A1 (en) Laser diode with an internal mirror
JPS627186A (ja) 半導体レ−ザ装置
JPH0644659B2 (ja) 光集積回路装置
JPS61290788A (ja) 半導体レ−ザ装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070818

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080818

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090818

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees