JPS627186A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS627186A JPS627186A JP60146036A JP14603685A JPS627186A JP S627186 A JPS627186 A JP S627186A JP 60146036 A JP60146036 A JP 60146036A JP 14603685 A JP14603685 A JP 14603685A JP S627186 A JPS627186 A JP S627186A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体レーザと光検出器を集積化した半導
体レーザ装置に関する。
体レーザ装置に関する。
通常、半導体レーザ素子を光学的情報処理用光源として
使用する場合、半導体レーザ素子の共振器面の一方から
射出された光を目的とする外部光学系に提供し、共振器
面の他方から射出された光は半導体レーザの光出力強度
を監視するために、光検出器によって電気信号に変えら
れる。
使用する場合、半導体レーザ素子の共振器面の一方から
射出された光を目的とする外部光学系に提供し、共振器
面の他方から射出された光は半導体レーザの光出力強度
を監視するために、光検出器によって電気信号に変えら
れる。
一般的には、発振波長に合せてシリコン、ゲルマニウム
等の光検出器を半導体レーザの共振器面に、近接、対向
する位置に設置することが行われている。
等の光検出器を半導体レーザの共振器面に、近接、対向
する位置に設置することが行われている。
しかしながら、多数のレーザ発振器を並列に集積した場
合、半導体レーザのし゛−デ発振光は半値全角で５〜４
０°程度に広がって射出するため、光軸上に対向し九位
置の光検出器のみならず、隣シの光検出器にも起電力を
生じ、正確な光出力と電気信号の変換が行われない。
合、半導体レーザのし゛−デ発振光は半値全角で５〜４
０°程度に広がって射出するため、光軸上に対向し九位
置の光検出器のみならず、隣シの光検出器にも起電力を
生じ、正確な光出力と電気信号の変換が行われない。
そこで、上記欠点を解決するために、第６図に縦断面で
示す半導体レーザと光検出器の集積化が提案されている
（ Ｋ、 Ｉｇａ、 Ｂ、 １． Ｍｉｌｌ＠ｒａｎｄ
Ｌ、Ａ、 Ｃｏ１ｄｒｅｎ、 Ｔｏｐｉｃａｌ Ｍｓ
ｅｔｉｎｇ ｏｎＩｎｔｅｇｒａｔｅｄ ａｎｄ Ｇｕ
ｉｄｅｄ Ｗａｖｅ Ｏｐｔｉｃｍ、 Ｉｎｃｌｉｎｅ
Ｖｏ、１ａｇｏ、Ｐｏ５ｔ−Ｄ＠ａｄｌｉｔ＋ａ ｐ
ａｐ＠ｒｓ、ＰＤ３．ｌ ９ｇＱ。）即ち、先ずｎ−Ｉ
ｎＰからなる半導体基板１１上に、ｎ−ＩｎＰからなる
第１クラッド層１１畠、ＧａＩｕＡｓＰからなる活性層
１２ 、１２１ 、Ｐ−ＩｔｔＰからなる第２クラッド
層１３を液相エピタキシャル法によって順次成長し、レ
ーザ用電極１４、光検出器用電極１５、ｎ側電極１０を
形成する。
示す半導体レーザと光検出器の集積化が提案されている
（ Ｋ、 Ｉｇａ、 Ｂ、 １． Ｍｉｌｌ＠ｒａｎｄ
Ｌ、Ａ、 Ｃｏ１ｄｒｅｎ、 Ｔｏｐｉｃａｌ Ｍｓ
ｅｔｉｎｇ ｏｎＩｎｔｅｇｒａｔｅｄ ａｎｄ Ｇｕ
ｉｄｅｄ Ｗａｖｅ Ｏｐｔｉｃｍ、 Ｉｎｃｌｉｎｅ
Ｖｏ、１ａｇｏ、Ｐｏ５ｔ−Ｄ＠ａｄｌｉｔ＋ａ ｐ
ａｐ＠ｒｓ、ＰＤ３．ｌ ９ｇＱ。）即ち、先ずｎ−Ｉ
ｎＰからなる半導体基板１１上に、ｎ−ＩｎＰからなる
第１クラッド層１１畠、ＧａＩｕＡｓＰからなる活性層
１２ 、１２１ 、Ｐ−ＩｔｔＰからなる第２クラッド
層１３を液相エピタキシャル法によって順次成長し、レ
ーザ用電極１４、光検出器用電極１５、ｎ側電極１０を
形成する。
更に、活性層１２．１２ｍは中央部をエツチング除去さ
れて、共振器面はへき開による（、）とエツチングによ
る（ｂ）の２箇所に位置する。この素子に、レーザ用電
極１４にｎ側電極１０に対して正のバイアス電圧を印加
した場合、活性層１２畠へ電流の注入がなされ、レーザ
発振を行ない、外部光学系へは、共振器面（、）から射
出したレーザ発振光が提供される。他方、光検出器用電
極１５直下の活性層１２は、逆方向にバイアス電圧を印
加され、共振器面（ｂ）より射出した光を端面（Ｃ）よ
シ取り入れ、吸収し、レーザ発振光の強度に応じた電流
を提供する。
れて、共振器面はへき開による（、）とエツチングによ
る（ｂ）の２箇所に位置する。この素子に、レーザ用電
極１４にｎ側電極１０に対して正のバイアス電圧を印加
した場合、活性層１２畠へ電流の注入がなされ、レーザ
発振を行ない、外部光学系へは、共振器面（、）から射
出したレーザ発振光が提供される。他方、光検出器用電
極１５直下の活性層１２は、逆方向にバイアス電圧を印
加され、共振器面（ｂ）より射出した光を端面（Ｃ）よ
シ取り入れ、吸収し、レーザ発振光の強度に応じた電流
を提供する。
又、レーザ用電極１４と光検出器用電極１５０間には、
Ｐ−ｎ−Ｐ接合があるため、レーザ用電極１４から注入
された電流が、光検出器用電極１５に漏れることもない
。
Ｐ−ｎ−Ｐ接合があるため、レーザ用電極１４から注入
された電流が、光検出器用電極１５に漏れることもない
。
しかしながら、上記構造では共振器面（ｂ）から射出し
たレーザ発振光の全てを光検出器に導波できないため、
光検出の効率が低下することが問題となる。
たレーザ発振光の全てを光検出器に導波できないため、
光検出の効率が低下することが問題となる。
そこで、上記欠点を解決するために、第７図に縦断面で
示す半導体レーザと光検出器の集積化が提案されている
（ Ｃｈ、 Ｈａｒｄｅｒ、 Ｋｍ Ｙ＊ Ｌａｕ。
示す半導体レーザと光検出器の集積化が提案されている
（ Ｃｈ、 Ｈａｒｄｅｒ、 Ｋｍ Ｙ＊ Ｌａｕ。
ａｎｄ Ａ、 ｙａｒｉｖ、 ” Ｂ１５ｔａｂｉｌｌ
ｔｙ ａｎｄ Ｐｕ１ｓａｔｉｏｎ１ｎ Ｓｅｍ５ｃｏ
ｕｄｕｃｔｏｒ Ｌａ５ｅｒｓ ｗｉｔｈ Ｉｎ
ｈｏｍＯｇｅｎ＠ｏｕｓＣｕｒｒａｔｓｔ １ｔｓｊ
・ｃｔｌｏｎ ’ 、ＩＥｇＥ Ｊ、Ｑｕａｎｔｕｍ
Ｅｌ＠ｃｔｒｏｎ、、ｖｏｌ、ＱＥ−１８ａ Ｎｏ、９
１ ８ＩＰ、１９８２）。
ｔｙ ａｎｄ Ｐｕ１ｓａｔｉｏｎ１ｎ Ｓｅｍ５ｃｏ
ｕｄｕｃｔｏｒ Ｌａ５ｅｒｓ ｗｉｔｈ Ｉｎ
ｈｏｍＯｇｅｎ＠ｏｕｓＣｕｒｒａｔｓｔ １ｔｓｊ
・ｃｔｌｏｎ ’ 、ＩＥｇＥ Ｊ、Ｑｕａｎｔｕｍ
Ｅｌ＠ｃｔｒｏｎ、、ｖｏｌ、ＱＥ−１８ａ Ｎｏ、９
１ ８ＩＰ、１９８２）。
即ち、先ずｎ−ＧａＡ■からなる半導体基板６１上Ｋ
ｎ−ＡｔＧａＡｍからなる第１クラッド層°６２、Ａｔ
ＧａＡｓからなる活性層６３、Ｐ−Ａ圧ａＡｓからなる
第２クラッド層６４を積層し【なシ、ｎ側電極６０．レ
ーザ用ｐ側電極６６、光検出器用ｐ側電極６５を形成し
である。そして、レーザ発振は、レーザ用ｐ側電極６６
にｎ側電極６０に対して正のバイアス電圧を印加して利
得を得、へき開面の・共振器面（ｇ） 、 （ｈ）の間
で生じ、共振器面（ｇ）から射出したレーザ発振光を外
部光学系へ提供する。
ｎ−ＡｔＧａＡｍからなる第１クラッド層°６２、Ａｔ
ＧａＡｓからなる活性層６３、Ｐ−Ａ圧ａＡｓからなる
第２クラッド層６４を積層し【なシ、ｎ側電極６０．レ
ーザ用ｐ側電極６６、光検出器用ｐ側電極６５を形成し
である。そして、レーザ発振は、レーザ用ｐ側電極６６
にｎ側電極６０に対して正のバイアス電圧を印加して利
得を得、へき開面の・共振器面（ｇ） 、 （ｈ）の間
で生じ、共振器面（ｇ）から射出したレーザ発振光を外
部光学系へ提供する。
他方、光検出器用ｐ側電極６５からは、直下の活性層６
３で吸収し九レーザ発振光に対応した電流が提供される
。
３で吸収し九レーザ発振光に対応した電流が提供される
。
しかしながら、上記構造では、光検出器用ｐ側電極６５
にｎ側電極６０に対して逆・ぐイアスミ圧を印加した場
合、レーザ用ｐ側電極６６と光検出器用ｐ側電極６５０
間にはｐ型半導体のみしかない九め、レーザ用ｐ側電極
６６から注入された電流が、光検出器用ｐ側電極６５に
も流れ込み、暗電流の上昇を招く。更に、共振器面（ｈ
）からは、レーザ発振光が漏れるため、レーザ発振のし
きい電流値が増大するのみならず、光検出の効率も低下
する欠点を有しズいる。
にｎ側電極６０に対して逆・ぐイアスミ圧を印加した場
合、レーザ用ｐ側電極６６と光検出器用ｐ側電極６５０
間にはｐ型半導体のみしかない九め、レーザ用ｐ側電極
６６から注入された電流が、光検出器用ｐ側電極６５に
も流れ込み、暗電流の上昇を招く。更に、共振器面（ｈ
）からは、レーザ発振光が漏れるため、レーザ発振のし
きい電流値が増大するのみならず、光検出の効率も低下
する欠点を有しズいる。
〔発明の目的〕。
この発明は、半導体レーザと光検出器をモノリシックに
集積し、かつ両者を光学的には高効率に結合し、電気的
には分離した半導体レーザ装置を提供することである。
集積し、かつ両者を光学的には高効率に結合し、電気的
には分離した半導体レーザ装置を提供することである。
一般的に半導体レーザは、活性層とそれを挾むクラッド
層からなるダブルヘテロ接合と、２面の光学的共振器面
を有している。又、レーザ発振の光強度は、上記共振器
面から射出された光の一部を光検出器に導入して電気信
号として得る。そこで、この発明は、共振器の内側にレ
ーザ発振を行なうための利得領域と、レーザ発振光を吸
収して電気信号に変換する吸収領域と。
層からなるダブルヘテロ接合と、２面の光学的共振器面
を有している。又、レーザ発振の光強度は、上記共振器
面から射出された光の一部を光検出器に導入して電気信
号として得る。そこで、この発明は、共振器の内側にレ
ーザ発振を行なうための利得領域と、レーザ発振光を吸
収して電気信号に変換する吸収領域と。
両領域を電気的に分離するために両領域の電極から見て
ｎ−ｐ−ｎ接合もしくはｐ−ｎ−ｐ接合となる半導体層
が、同一光学軸上に設置してあり、かつ吸収領域の側の
共振器面に高反射膜が形成してあることを特徴とする半
導体レーザ装置である。
ｎ−ｐ−ｎ接合もしくはｐ−ｎ−ｐ接合となる半導体層
が、同一光学軸上に設置してあり、かつ吸収領域の側の
共振器面に高反射膜が形成してあることを特徴とする半
導体レーザ装置である。
以下、図面を参照して説明するが、この実施例では、Ａ
ｔＧａＡｓ系、内部ストライプ展半導体レーザを採用し
ている。
ｔＧａＡｓ系、内部ストライプ展半導体レーザを採用し
ている。
即ち、この発明の半導体レーザ装置は第１図に示すよう
に構成され、（１０Ｇ ） ｐ−ＧａＡｓ基板２上に第
１クラッド層３が形成されている。この第１クラッド層
３上には、利得領域である活性層４ｍ、吸収領域である
活性層４ｂ、分離領域である導波路４Ｃが形成されてい
る。そして、この活性層４１、活性層４ｂ、導波路４Ｃ
上には、第２クラッド層５、オーば、り層６が順次形成
され、このオーミック層６上には利得領域用電極８と吸
収領域用電極７が形成されている。
に構成され、（１０Ｇ ） ｐ−ＧａＡｓ基板２上に第
１クラッド層３が形成されている。この第１クラッド層
３上には、利得領域である活性層４ｍ、吸収領域である
活性層４ｂ、分離領域である導波路４Ｃが形成されてい
る。そして、この活性層４１、活性層４ｂ、導波路４Ｃ
上には、第２クラッド層５、オーば、り層６が順次形成
され、このオーミック層６上には利得領域用電極８と吸
収領域用電極７が形成されている。
尚、図中、９は分離領域、５０は高反射膜である。
次に、この半導体レーザ装置の製造方法について、説明
すること゛にする。
すること゛にする。
先ず、第２図に示すように、 （１００） ｐ−ＧａＡ
ｓ基板２上に、ｎ−ＧａＡｓからなる電流阻止層３０を
エピタキシャル成長し、更にこの電流阻止層３０を貫通
する幅約３μｍのストライプ溝３１を形成し、更Ｋ ｐ
−ＡｔＧａＡａからなる第１クラッド層３、ＡｔＧａＡ
ｓからなる活性層４、ｎ−ＡｔＧａＡｓからなる第２ク
ラッド層５、ｎ−ＧａＡｓからなるオーずツク層６を液
相成長法によシ順次成長する。
ｓ基板２上に、ｎ−ＧａＡｓからなる電流阻止層３０を
エピタキシャル成長し、更にこの電流阻止層３０を貫通
する幅約３μｍのストライプ溝３１を形成し、更Ｋ ｐ
−ＡｔＧａＡａからなる第１クラッド層３、ＡｔＧａＡ
ｓからなる活性層４、ｎ−ＡｔＧａＡｓからなる第２ク
ラッド層５、ｎ−ＧａＡｓからなるオーずツク層６を液
相成長法によシ順次成長する。
以下、上記半導体多層膜を光軸である第２図のＡ −Ａ
’線断面である第３図について説明する。
’線断面である第３図について説明する。
即ち、半導体多層膜上ＫＳｉｓＮ４膜２０をプラズマＣ
ＶＤ法によシ形成し、フォトリングラフィ工程で、分離
領域９直上の８１５Ｎ４膜２０を除去し、第３図に示す
縦断面を得る。この実施例、では、図中、左側が利得領
域で長さは２５０μｍ１分離領域９は３μｍ、右側の吸
収領域の長さは２５μｍである。
ＶＤ法によシ形成し、フォトリングラフィ工程で、分離
領域９直上の８１５Ｎ４膜２０を除去し、第３図に示す
縦断面を得る。この実施例、では、図中、左側が利得領
域で長さは２５０μｍ１分離領域９は３μｍ、右側の吸
収領域の長さは２５μｍである。
次に、分離領域９直上のオーば、り層６を、ＧａＡｓの
み工、テング可能なＣＣｔ２Ｆ２ガスを用いたりアクテ
ィブイオンエツチング法で除去する。
み工、テング可能なＣＣｔ２Ｆ２ガスを用いたりアクテ
ィブイオンエツチング法で除去する。
更に５１３Ｎ４膜２０をマスクとして拡散した領域を、
ｐ型半導体に変える亜鉛（Ｚｎ）を、少なくとも第１ク
ラッド層３に達するまで拡散し、分離領域９を形成し、
第４図に示す縦断面を得る。
ｐ型半導体に変える亜鉛（Ｚｎ）を、少なくとも第１ク
ラッド層３に達するまで拡散し、分離領域９を形成し、
第４図に示す縦断面を得る。
次ＫＳｌｓＮ４膜２０を除去し、ｐ側電極１、利得領域
用電極８２、吸収領域用電極７を形成する。
用電極８２、吸収領域用電極７を形成する。
更に、吸収領域側の共振器面（ｆ）にはｓ ｋＬ２０ｓ
ＦＩＸとアモルファスシリコン膜よシ々る高反射膜５
０を形成して、第１図の縦断面を得る。
ＦＩＸとアモルファスシリコン膜よシ々る高反射膜５
０を形成して、第１図の縦断面を得る。
尚、第２図中Ｂ −Ｂ’縦断面である第５図は光軸外の
縦断面であり、利得領域用電極８と吸収領域用電極７の
間には、ｎ−ｐ−ｔｉ接合、ｎ−ｐ−ｎ−ｐ−ｎ接合、
ｎ−ｐ−ａ−ｐ −ｎ−ｐ−ｎ接合のいずれかが存在す
るために、両電極間は動作範囲で、利得領域用電極８か
ら注入された電流は、吸収領域用電極２へ漏れない。
縦断面であり、利得領域用電極８と吸収領域用電極７の
間には、ｎ−ｐ−ｔｉ接合、ｎ−ｐ−ｎ−ｐ−ｎ接合、
ｎ−ｐ−ａ−ｐ −ｎ−ｐ−ｎ接合のいずれかが存在す
るために、両電極間は動作範囲で、利得領域用電極８か
ら注入された電流は、吸収領域用電極２へ漏れない。
この発明によれば、利得領域である活性層４ａで発光し
たレーザ発振光は分離領域である導波路４Ｃ″ｆ：通り
、吸収領域である活性層４ｂに全て結合し、又、高反射
膜５０によシ無駄に外部に射出されず、共振器内部へ戻
されるため、半導体レーザと光検出器は、光学的に高い
効率で結合されておシ、かつ、しきい電流値も増大しな
い。更に、分離領域９があるために半導体レーザへの注
入電流が光検出器に漏れることもなく暗電流の少ない集
積型の光検出器を得ることが出来る。
たレーザ発振光は分離領域である導波路４Ｃ″ｆ：通り
、吸収領域である活性層４ｂに全て結合し、又、高反射
膜５０によシ無駄に外部に射出されず、共振器内部へ戻
されるため、半導体レーザと光検出器は、光学的に高い
効率で結合されておシ、かつ、しきい電流値も増大しな
い。更に、分離領域９があるために半導体レーザへの注
入電流が光検出器に漏れることもなく暗電流の少ない集
積型の光検出器を得ることが出来る。
〔発明９変形例〕
上記実施例においては、内部ストライプ型半導体レーザ
装置について説明してきたが、この発明は、埋め込み型
半導体レーザ装置等の他の構造の半導体レーザ装置にも
、適用することが出来る。
装置について説明してきたが、この発明は、埋め込み型
半導体レーザ装置等の他の構造の半導体レーザ装置にも
、適用することが出来る。
又、上記実施例においては、高反射膜５０をＡｚ２ｏ５
Ｍとアモルファスシリコン膜の誘電体多層膜で説明し
てきたが、この発明は他の反射膜、５ｔｏ２とＡｕ等の
組合せでも可能である。
Ｍとアモルファスシリコン膜の誘電体多層膜で説明し
てきたが、この発明は他の反射膜、５ｔｏ２とＡｕ等の
組合せでも可能である。
更に、上記実施例では、ＧａＡｓ 、 ＡｔＧａＡｓを
用いた半導体レーザ素子装置で説明したが、この発明は
Ｇａ Ｉ ｎＡｍＰ等の他の半導体を用いた半導体レー
ザ装置にも、適用することが出来る。
用いた半導体レーザ素子装置で説明したが、この発明は
Ｇａ Ｉ ｎＡｍＰ等の他の半導体を用いた半導体レー
ザ装置にも、適用することが出来る。
第１図はこの発明の一実施例に係る半導体レーザ装置を
示す断面図、第２図及び第３図はこの発明の半導体レー
ザ装置の製造方法を示す斜視図と断面図、第４図は第２
図のＡ −Ａ’線に沿って切断した断面図、第５図は第
２図のＢ −Ｂ’線に沿りて切断した断面図、第６図及
び第７図は従来の半導体レーザ装置を示す断面図である
。 Ｉ・・・Ｐ側電極、２・・・Ｐ−ＧａＡｓ基板、３・・
・第１クラッド層、４ａ・・・活性層、４ｂ・・・活性
層、４ｃ・・・導波路、５・・・第２クラッド層、６・
・・オーず。 り層、７・・・吸収領域用電極、８・・・利得領域用電
極、９・・・分離領域、５０・・・高反射膜。 第１図 第２図 第３５１ 第４１１
示す断面図、第２図及び第３図はこの発明の半導体レー
ザ装置の製造方法を示す斜視図と断面図、第４図は第２
図のＡ −Ａ’線に沿って切断した断面図、第５図は第
２図のＢ −Ｂ’線に沿りて切断した断面図、第６図及
び第７図は従来の半導体レーザ装置を示す断面図である
。 Ｉ・・・Ｐ側電極、２・・・Ｐ−ＧａＡｓ基板、３・・
・第１クラッド層、４ａ・・・活性層、４ｂ・・・活性
層、４ｃ・・・導波路、５・・・第２クラッド層、６・
・・オーず。 り層、７・・・吸収領域用電極、８・・・利得領域用電
極、９・・・分離領域、５０・・・高反射膜。 第１図 第２図 第３５１ 第４１１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 活性層、第１の伝導型のクラッド層、第２の伝導型のク
ラッド層よりなるダブルヘテロ接合を有し、かつ２面の
光学的共振器面を有し、この共振器面の間で発振を行な
う半導体レーザ装置において、 上記共振器の内側に、ダブルヘテロ接合に対して順方向
に電圧を印加して電流を注入し、レーザ発振を行なうた
めの利得領域、及び利得領域電極、ダブルヘテロ接合に
対して逆方向の電圧を印加しレーザ発振光を共振器内で
吸収し電気信号に変換する吸収領域、及び吸収領域電極
、上記両領域の間に位置し上記利得領域電極及び吸収領
域電極が直下で接しているクラッド層と異種の伝導型の
半導体層、が同一光学軸上に設置してあり、かつ上記吸
収領域の側の共振器面に高反射膜が形成してあることを
特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60146036A JPS627186A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60146036A JPS627186A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS627186A true JPS627186A (ja) | 1987-01-14 |
Family
ID=15398655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60146036A Pending JPS627186A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS627186A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01260642A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ヘッド |
| JP2017156715A (ja) * | 2016-03-04 | 2017-09-07 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光集積素子 |
| WO2020065744A1 (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ、半導体レーザアレイおよび半導体レーザの製造方法 |
-
1985
- 1985-07-03 JP JP60146036A patent/JPS627186A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01260642A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ヘッド |
| JP2017156715A (ja) * | 2016-03-04 | 2017-09-07 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光集積素子 |
| WO2020065744A1 (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ、半導体レーザアレイおよび半導体レーザの製造方法 |
| JPWO2020065744A1 (ja) * | 2018-09-26 | 2021-08-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ、半導体レーザアレイおよび半導体レーザの製造方法 |
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