JP2690951B2 - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JP2690951B2 JP2690951B2 JP17157888A JP17157888A JP2690951B2 JP 2690951 B2 JP2690951 B2 JP 2690951B2 JP 17157888 A JP17157888 A JP 17157888A JP 17157888 A JP17157888 A JP 17157888A JP 2690951 B2 JP2690951 B2 JP 2690951B2
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- Japan
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- semiconductor laser
- type
- clad layer
- substrate
- active layer
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Description
【発明の詳細な説明】 『産業上の利用分野』 本発明は基板面と垂直な方向より光を取り出す面発光
型の半導体レーザに関する。
型の半導体レーザに関する。
『従来の技術』 面発光型からなる半導体レーザの一例として、特開昭
62-40790号公報に記載されたものが公知である。
62-40790号公報に記載されたものが公知である。
かかる公知例の場合は、第４図に示すごとく、基板11
の一部に設けられた段12の側面に、活性層14が形成さ
れ、かつ、当該段12の上下方向に共振鏡16、17が形成さ
れており、これとともにクラッド13、15、18、電極19、
20、高抵抗領域21などが形成されている。
の一部に設けられた段12の側面に、活性層14が形成さ
れ、かつ、当該段12の上下方向に共振鏡16、17が形成さ
れており、これとともにクラッド13、15、18、電極19、
20、高抵抗領域21などが形成されている。
『発明が解決しようとする課題』 上述した公知例の半導体レーザでは、一方の共振鏡17
として、基板（結晶）11の下面が利用されている。
として、基板（結晶）11の下面が利用されている。
かかる構成において、効率よくレーザ発振させるに
は、活性層14の下端から共振鏡17までの距離（寸法）ｄ
を十分に小さくしなければならず、このｄが大きい場合
は、半導体の光吸収損失、光の広がりによる損失など、
当該ｄ部において各損失が大きくなる。
は、活性層14の下端から共振鏡17までの距離（寸法）ｄ
を十分に小さくしなければならず、このｄが大きい場合
は、半導体の光吸収損失、光の広がりによる損失など、
当該ｄ部において各損失が大きくなる。
その反面、上記ｄを小さくした場合は、構造が複雑化
するばかりか、半導体の熱容量が小さくなるために熱特
性が劣化し、集積化困難、閾値電流密度の増加などの不
都合も生じる。
するばかりか、半導体の熱容量が小さくなるために熱特
性が劣化し、集積化困難、閾値電流密度の増加などの不
都合も生じる。
本発明は上述した課題に鑑み、簡潔構造、良好な熱特
性、集積易度、閾値電流密度の低減などをはかることの
できる半導体レーザを提供しようとするものである。
性、集積易度、閾値電流密度の低減などをはかることの
できる半導体レーザを提供しようとするものである。
『課題を解決するための手段』 本発明に係る半導体レーザは、所期の目的を達成する
ため、基板の一部に設けられた段の側面に、活性層を含
むヘテロ構造が形成されているとともに、当該段の上下
方向に対をなす共振鏡が形成されている半導体レーザに
おいて、上記段の上面、下面にそれぞれ共振鏡が形成さ
れ、これら共振鏡の少なくとも一方が、半導体多層膜か
らなることを特徴とする。
ため、基板の一部に設けられた段の側面に、活性層を含
むヘテロ構造が形成されているとともに、当該段の上下
方向に対をなす共振鏡が形成されている半導体レーザに
おいて、上記段の上面、下面にそれぞれ共振鏡が形成さ
れ、これら共振鏡の少なくとも一方が、半導体多層膜か
らなることを特徴とする。
『実施例』 本発明に係る半導体レーザの実施例につき、図面を参
照して説明する。
照して説明する。
第１図において、InP系の結晶からなる基板31には、
その上部一角を切欠してなる段32が形成されている。
その上部一角を切欠してなる段32が形成されている。
かかる段32は、直角に折れ曲がって連続した上面33、
側面34、下面35を有する。
側面34、下面35を有する。
上述した基板31には、その段32を主体にして、活性層
を含むヘテロ構造、共振鏡などが、以下のようにして設
けられている。
を含むヘテロ構造、共振鏡などが、以下のようにして設
けられている。
すなわち、基板31の上面から段32の上面33、側面34、
下面35にわたり、半導体多層膜による高反射膜36が形成
されており、その高反射膜36の上には、ｎ型のクラッド
層37が形成されている。
下面35にわたり、半導体多層膜による高反射膜36が形成
されており、その高反射膜36の上には、ｎ型のクラッド
層37が形成されている。
段32の側面34には、クラッド層37の上に活性層38、ｐ
型の第１クラッド層39が順次形成されているとともに、
段32の上面33、側面34、下面にわたり、クラッド層37の
一部と活性層38、第１クラッド層39とを覆うｐ型の第２
クラッド層40が形成されている。
型の第１クラッド層39が順次形成されているとともに、
段32の上面33、側面34、下面にわたり、クラッド層37の
一部と活性層38、第１クラッド層39とを覆うｐ型の第２
クラッド層40が形成されている。
さらに、基板31の上面におけるクラッド層37上には、
ｎ型の電極41が形成されており、段32の下面35における
第２クラッド層40上には、ｐ型の電極42が形成されてい
る。
ｎ型の電極41が形成されており、段32の下面35における
第２クラッド層40上には、ｐ型の電極42が形成されてい
る。
本発明に係る半導体レーザの場合、上述した実施例に
おいて、段32の下面35には、半導体多層膜たる高反射膜
36を利用した共振鏡43が形成され、段32の上面33には、
誘電体多層膜たる第２クラッド層40を利用した共振鏡44
が形成される。
おいて、段32の下面35には、半導体多層膜たる高反射膜
36を利用した共振鏡43が形成され、段32の上面33には、
誘電体多層膜たる第２クラッド層40を利用した共振鏡44
が形成される。
なお、これら共振鏡43、44は、少なくとも一方が半導
体多層膜からなるを要する。
体多層膜からなるを要する。
このような条件を満足させる実施態様として、一方の
共振鏡43に代えて他方の共振鏡44が半導体多層膜により
形成されることがあり、さらには、両方の共振鏡43、44
とも、半導体多層膜により形成されることがある。
共振鏡43に代えて他方の共振鏡44が半導体多層膜により
形成されることがあり、さらには、両方の共振鏡43、44
とも、半導体多層膜により形成されることがある。
次に、本発明に係る半導体レーザを製造する際の一例
につき、第２図、第３図を参照して説明する。
につき、第２図、第３図を参照して説明する。
第２図において、はじめ、InP基板31の上部一角に
は、ケミカルエッチング手段を介してを段32が形成され
る。
は、ケミカルエッチング手段を介してを段32が形成され
る。
つぎに、基板31の所定部には、MOCVD法を介して、半
導体多層膜による高反射膜36、ｎ型クラッド層37、活性
層38が順次形成され、続いて、エッチング時の活性層保
護を目的とした第１クラッド層39が形成される。
導体多層膜による高反射膜36、ｎ型クラッド層37、活性
層38が順次形成され、続いて、エッチング時の活性層保
護を目的とした第１クラッド層39が形成される。
その後、第３図のごとく、反応性イオンビームエッチ
ング手段を介して、活性層38、第１クラッド層39の不要
部分が除去される。
ング手段を介して、活性層38、第１クラッド層39の不要
部分が除去される。
さらに、その後、MOCVD法を介して、クラッド層37の
一部と活性層38、第１クラッド層39とを覆うためのｐ型
の第２クラッド層40が形成される。
一部と活性層38、第１クラッド層39とを覆うためのｐ型
の第２クラッド層40が形成される。
以下、クラッド層37上にｎ型電極41が、第２クラッド
層40上にｐ型電極42がそれぞれ形成され、かくて、第１
図の半導体レーザが得られる。
層40上にｐ型電極42がそれぞれ形成され、かくて、第１
図の半導体レーザが得られる。
本発明に係る半導体レーザの場合、ｎ型、ｐ型の両電
極41、42を介して、ｐ型第２クラッド層40→ｐ型第１ク
ラッド層39→活性層38→ｎ型クラッド層37のように、基
板面と平行する方向に電流を流すと、段32の側面34にあ
る活性層38が発光し、その発光状態が段32の上面33、下
面35にある共振鏡43、44により反射かつ増幅されてレー
ザ作用が起こり、基板面と直交する方向へ光を誘導放出
することができる。
極41、42を介して、ｐ型第２クラッド層40→ｐ型第１ク
ラッド層39→活性層38→ｎ型クラッド層37のように、基
板面と平行する方向に電流を流すと、段32の側面34にあ
る活性層38が発光し、その発光状態が段32の上面33、下
面35にある共振鏡43、44により反射かつ増幅されてレー
ザ作用が起こり、基板面と直交する方向へ光を誘導放出
することができる。
この場合、ｐ型第１クラッド層39、活性層38を通らず
に、ｐ型第２クラッド層40からｎ型クラッド層37へと流
れる漏れ電流が考えられるが、かかる漏れ電流は、ヘテ
ロ接合と比べ、ホモ接合の順方向の立ち上がり電圧が高
いので、上記の方向へ漏れ電流が流れることがない。
に、ｐ型第２クラッド層40からｎ型クラッド層37へと流
れる漏れ電流が考えられるが、かかる漏れ電流は、ヘテ
ロ接合と比べ、ホモ接合の順方向の立ち上がり電圧が高
いので、上記の方向へ漏れ電流が流れることがない。
上述した本発明の技術は、GaAs系、AlGaAs系など、こ
れら半導体材料に関する技術分野にも応用できる。
れら半導体材料に関する技術分野にも応用できる。
『発明の効果』 以上説明した通り、本発明に係る半導体レーザは、基
板における段の上面、下面にそれぞれ共振鏡が形成され
ているから、活性層下端から下部共振鏡までの距離（寸
法）が十分に小さくなり、したがって、基板の厚さを減
じてまで、当該寸法を小さくする必要がない。
板における段の上面、下面にそれぞれ共振鏡が形成され
ているから、活性層下端から下部共振鏡までの距離（寸
法）が十分に小さくなり、したがって、基板の厚さを減
じてまで、当該寸法を小さくする必要がない。
その結果、各損失を抑制し、熱特性の劣化を防止する
ことができる同時に、集積易度、構造の簡潔化をも達成
することができる。
ことができる同時に、集積易度、構造の簡潔化をも達成
することができる。
しかも、上記両共振鏡の少なくとも一方が、半導体多
層膜による高反射鏡からなるので、その高度の反射特性
に基づいて、閾値電流密度を低減することができる。
層膜による高反射鏡からなるので、その高度の反射特性
に基づいて、閾値電流密度を低減することができる。
第１図は本発明に係る半導体レーザの一実施例を略示し
た要部断面図、第２図、第３図は本発明に係る半導体レ
ーザの製造過程を示した要部断面図、第４図は公知の半
導体レーザを示した説明図である。 31……基板 32……段 33……段の上面 34……段の側面 35……段の下面 36……高反射膜 37……ｎ型のクラッド層 38……活性層 39……ｐ型の第１クラッド層 40……ｐ型の第２クラッド層 41……ｎ型の電極 42……ｐ型の電極 43、44……共振鏡
た要部断面図、第２図、第３図は本発明に係る半導体レ
ーザの製造過程を示した要部断面図、第４図は公知の半
導体レーザを示した説明図である。 31……基板 32……段 33……段の上面 34……段の側面 35……段の下面 36……高反射膜 37……ｎ型のクラッド層 38……活性層 39……ｐ型の第１クラッド層 40……ｐ型の第２クラッド層 41……ｎ型の電極 42……ｐ型の電極 43、44……共振鏡
Claims (1)
- 【請求項１】基板の一部に設けられた段の側面に、活性
層を含むヘテロ構造が形成されているとともに、当該段
の上下方向に対をなす共振鏡が形成されている半導体レ
ーザにおいて、上記段の上面、下面にそれぞれ共振鏡が
形成され、これらの共振鏡の少なくとも一方が、半導体
多層膜からなることを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17157888A JP2690951B2 (ja) | 1988-07-09 | 1988-07-09 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17157888A JP2690951B2 (ja) | 1988-07-09 | 1988-07-09 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0221686A JPH0221686A (ja) | 1990-01-24 |
| JP2690951B2 true JP2690951B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=15925749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17157888A Expired - Lifetime JP2690951B2 (ja) | 1988-07-09 | 1988-07-09 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2690951B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9014396B2 (en) | 2008-01-31 | 2015-04-21 | Qualcomm Incorporated | System and method of reducing click and pop noise in audio playback devices |
-
1988
- 1988-07-09 JP JP17157888A patent/JP2690951B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0221686A (ja) | 1990-01-24 |
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