JP4859404B2 - 面発光レーザ - Google Patents
面発光レーザ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4859404B2 JP4859404B2 JP2005200915A JP2005200915A JP4859404B2 JP 4859404 B2 JP4859404 B2 JP 4859404B2 JP 2005200915 A JP2005200915 A JP 2005200915A JP 2005200915 A JP2005200915 A JP 2005200915A JP 4859404 B2 JP4859404 B2 JP 4859404B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting laser
- surface emitting
- protective wall
- wall
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
本願発明の第1参考形態の面発光レーザの構造例を図2に断面図で示す。図2において、図1と同様な要素には同じ符号を付してある。
次に、本願発明の第2参考形態の面発光レーザについて述べる。図8は、第2参考形態の面発光レーザの断面図である。
次に、本願発明の第3参考形態の面発光レーザについて述べる。図9は、第3参考形態の面発光レーザの断面図である。
次に、本願発明の実施形態の面発光レーザについて述べる。図10及び図11は、実施形態の面発光レーザの断面図である。
11 基板
12 下部反射鏡構造
13 下部クラッド層
14 活性層
15 上部クラッド層
16 電流狭窄層
17 上部反射鏡構造
18 絶縁膜
19 上部電極
20 光出射部
21 出射光(レーザ光)
22 盛り上がり部分
30 保護用壁
31 傾斜部
32 ファイバガイド兼保護用壁
33 保護壁部
34 ファイバガイド部
40 光ファイバ
41 コア
42 クラッド
Claims (4)
- 基板上にメサ状部分を含む半導体構造を備え、前記メサ状部分以外の部分に絶縁膜及び上部電極が形成され、光出射部とその近傍に前記絶縁膜及び前記上部電極の盛り上がり部分とを有する面発光レーザにおいて、
前記光出射部及び前記盛り上がり部分を取り囲むように保護用壁が前記メサ状部分の外側の前記上部電極上に設けられ、前記保護用壁の底部の内側であって前記メサ状部分よりも外側に位置する部分が前記盛り上がり部分の一部に乗るように設けられ、前記保護用壁の上端に光ファイバの端部と接触する上端面を備え、且つ前記保護用壁が光ファイバの端部をガイドするファイバガイド部と一体化されていることを特徴とする面発光レーザ。 - 前記保護用壁の前記光出射部及びその近傍の盛り上がり部分を保護する壁面が環状であることを特徴とする請求項1記載の面発光レーザ。
- 前記保護用壁の壁面に、前記光出射部から出射する光の出射角に対応した傾斜を付けたことを特徴とする請求項1又は2記載の面発光レーザ。
- 前記保護用壁が感光性樹脂により形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の面発光レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005200915A JP4859404B2 (ja) | 2005-07-08 | 2005-07-08 | 面発光レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005200915A JP4859404B2 (ja) | 2005-07-08 | 2005-07-08 | 面発光レーザ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007019348A JP2007019348A (ja) | 2007-01-25 |
JP4859404B2 true JP4859404B2 (ja) | 2012-01-25 |
Family
ID=37756218
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005200915A Expired - Fee Related JP4859404B2 (ja) | 2005-07-08 | 2005-07-08 | 面発光レーザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4859404B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5549104B2 (ja) | 2008-05-29 | 2014-07-16 | 株式会社リコー | 発光装置、光走査装置及び画像形成装置 |
WO2015033633A1 (ja) * | 2013-09-03 | 2015-03-12 | 株式会社村田製作所 | 垂直共振面発光レーザ素子、それを備えた半導体ウエハおよび発光モジュール、ならびに垂直共振面発光レーザ素子の製造方法 |
JP6226782B2 (ja) * | 2014-03-13 | 2017-11-08 | オリンパス株式会社 | 光伝送モジュールおよび光伝送モジュールの製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6444088A (en) * | 1987-08-12 | 1989-02-16 | Seiko Epson Corp | Semiconductor laser |
JPH02239678A (ja) * | 1989-03-13 | 1990-09-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH09113767A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-05-02 | Motorola Inc | 光伝送構造を整合するための電子部品 |
JP2000068591A (ja) * | 1998-08-24 | 2000-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP2000216472A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Nec Corp | 半導体レ―ザ製造方法及び半導体レ―ザ装置 |
JP4816990B2 (ja) * | 2000-08-21 | 2011-11-16 | ソニー株式会社 | 発光素子および半導体素子ならびにそれらの製造方法 |
JP2002252417A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Ricoh Co Ltd | 面発光型半導体レーザ素子チップ及び光通信システム |
JP4515654B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2010-08-04 | ローム株式会社 | 光通信用モジュール |
JP2003298190A (ja) * | 2002-04-02 | 2003-10-17 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP4561042B2 (ja) * | 2003-04-11 | 2010-10-13 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
JP4113578B2 (ja) * | 2003-09-22 | 2008-07-09 | 株式会社リコー | 光モジュールの製造方法 |
JP4686967B2 (ja) * | 2003-10-14 | 2011-05-25 | セイコーエプソン株式会社 | 光素子の製造方法 |
JP4731167B2 (ja) * | 2005-01-05 | 2011-07-20 | 株式会社リコー | 面発光レーザー素子 |
-
2005
- 2005-07-08 JP JP2005200915A patent/JP4859404B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007019348A (ja) | 2007-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5055717B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
JP5260958B2 (ja) | 面発光レーザ素子アレイ | |
JP4747516B2 (ja) | 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置 | |
JP4815812B2 (ja) | 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置 | |
JP4892940B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
US20050169336A1 (en) | Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser | |
JP4948012B2 (ja) | 面発光レーザ素子および面発光レーザ素子の製造方法 | |
JP2013026487A (ja) | 面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP2018026478A (ja) | 発光素子、発光素子アレイ、及び光伝送装置 | |
JP2008251718A (ja) | 面発光レーザ素子および面発光レーザ素子の製造方法 | |
JP2011029339A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
KR100668329B1 (ko) | 변조기 내장형 광펌핑 반도체 레이저 장치 | |
CN112152072A (zh) | 面发射激光器 | |
CN113574751A (zh) | 垂直腔面发射激光器件 | |
US6982182B2 (en) | Moisture passivated planar index-guided VCSEL | |
JP4859404B2 (ja) | 面発光レーザ | |
JP4892941B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JP2008027949A (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
JP2018113360A (ja) | 面発光レーザ素子、光学装置 | |
US6839369B2 (en) | Surface emitting semiconductor laser device | |
JP4934399B2 (ja) | 面発光レーザ素子および面発光レーザ素子アレイ | |
US6819697B2 (en) | Moisture passivated planar index-guided VCSEL | |
JP6237075B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
US6636543B2 (en) | Semiconductor device and surface emitting semiconductor laser device | |
JP2007329193A (ja) | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080702 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080818 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080818 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101221 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111011 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111101 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141111 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |