JP4816990B2 - 発光素子および半導体素子ならびにそれらの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に半導体層が積層された発光素子および半導体素子ならびにそれらの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
現在、半導体レーザ(laser diode ;LD)は、光ディスク装置、レーザビームプリンタあるいは複写機などの様々な装置において利用されている。図16は、従来の半導体レーザの一構成例を表すものである。この半導体レーザは、基板111にn型クラッド層113,活性層114,第1p型クラッド層115,エッチングストップ層116,第2p型クラッド層117およびp側コンタクト層118を順次積層し、活性層114の電流注入領域に対応して第2p型クラッド層117を帯状とすることにより電流狭窄するようにしたものである。よって、基板111と反対側の表面には、第2p型クラッド層117に対応して突出部123が形成されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図16に示した従来の半導体レーザでは、第2p型クラッド層117に対応して表面に突出部123が形成されているので、製造工程などにおいて治工具が突出部123およびその近傍に接触する回数が多く、突出部123およびその周辺、例えば第2p型クラッド層117および活性層114の電流注入領域がそれにより損傷を受けやすいという問題があった。例えば、半導体レーザを形成したのち吸着性の治工具を用いて測定機に搬送する場合など、治工具の形状を改良したり、あるいは治工具の吸着力を制御するなどの検討を行っても、損傷を効果的に防止することはできなかった。そのため、特性が低下してしまっていた。
【0004】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、治工具の接触による損傷を防止し、特性を向上させることができる発光素子および半導体素子ならびにそれらの製造方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明による発光素子は、基板に活性層を含む半導体層および電極がこの順に積層され、活性層は、電流が注入される電流注入領域を有しており、電極の表面には、電流注入領域に対応して突出部が設けられ、電極の上に、電流注入領域以外の領域に対応して突状の保護部が設けられ、この保護部は、先端面が突出部と同一面上にあるかあるいは突出部よりも突出しているものである。
【0006】
本発明による他の発光素子は、基板に活性層を含む半導体層および電極がこの順に積層され、活性層は、電流が注入される電流注入領域を有すると共に、半導体層は、電流注入領域に対応して電流狭窄用突部を有しており、電極の上には、電流注入領域以外の領域に対応して保護部が設けられ、この保護部は、先端面が電流注入領域に対応する電極の表面の領域と同一面上にあるか、あるいはそれよりも突出しているものである。
【0007】
本発明による半導体素子は、基板に半導体層および電極がこの順に積層され、電極の表面に突出部を有し、電極の上に、先端面が突出部と同一面上にあるかあるいは突出部よりも突出している突状の保護部を有するものである。
【0008】
本発明による発光素子の製造方法は、基板の上に活性層を含む半導体層を成長させる工程と、半導体層に活性層の電流注入領域に対応して電流狭窄用突部を形成したのち半導体層の上に電極を形成することにより、電極の表面に電流狭窄用突部に対応して突出部を形成する工程と、電極の上に、活性層の電流注入領域以外の領域に対応して、先端面が突出部と同一面上にあるかあるいは突出部よりも突出している突状の保護部を形成する工程とを含むものである。
【0009】
本発明による他の発光素子の製造方法は、基板の上に活性層を含む半導体層を成長させる工程と、半導体層に活性層の電流注入領域に対応して電流狭窄用突部を形成したのち半導体層の上に電極を形成する工程と、電極の上に、活性層の電流注入領域以外の領域に対応して、先端面が電流注入領域に対応する電極の表面の領域と同一面上にあるか、あるいはそれよりも突出している保護部を形成する工程とを含むものである。
【0010】
本発明による半導体素子の製造方法は、基板に半導体層を成長させる工程と、半導体層の上に電極を形成すると共に電極の表面に突出部を形成する工程と、電極の上に、先端面が突出部と同一面上にあるかあるいは突出部よりも突出している突状の保護部を形成する工程とを含むものである。
【0011】
本発明による発光素子および半導体素子では、電極の上に、先端面が突出部と同一面上にあるかあるいは突出部よりも突出している突状の保護部を有しているので、治工具による突出部への接触回数が削減され、突出部およびその周辺の損傷が防止される。
【0012】
本発明による他の発光素子では、電極の上に、先端面が電流注入領域に対応する電極の表面の領域と同一面上にあるか、あるいはそれよりも突出している保護部を有しているので、治工具による電流注入領域に対応する表面への接触回数が削減され、電流注入領域に対応する表面およびその周辺の損傷が防止される。
【0013】
本発明による発光素子の製造方法および半導体素子の製造方法では、電極の上に、先端面が突出部と同一面上にあるかあるいは突出部よりも突出している突状の保護部が形成される。
【0014】
本発明による他の発光素子の製造方法では、電極の上に、先端面が電流注入領域に対応する電極の表面の領域と同一面上にあるか、あるいはそれよりも突出している保護部が形成される。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【0016】
[第1の実施の形態]
図1は本発明の第1の実施の形態に係る発光素子である半導体レーザの構成を表すものである。この半導体レーザは、基板11の一面側に、半導体層であるバッファ層12,n型クラッド層13,活性層14,第1p型クラッド層15,エッチングストップ層16,第2p型クラッド層17およびp側コンタクト層18がこの順に積層されている。このうち、バッファ層12およびn型クラッド層13は第1導電型半導体層に対応するn型半導体層であり、第1p型クラッド層15,エッチングストップ層16,第2p型クラッド層17およびp側コンタクト層18は第2導電型半導体層に対応するp型半導体層である。
【0017】
基板11は、例えば、積層方向における厚さ(以下、単に厚さという)が100μmであり、ケイ素(Si)あるいはセレン(Se)などのn型不純物を添加したn型GaAsにより構成されている。バッファ層12は、例えば、厚さが1μmであり、ケイ素あるいはセレンなどのn型不純物を添加したn型Al0.3 Ga0.7 As混晶により構成されている。n型クラッド層13は、例えば、厚さが1μmであり、ケイ素あるいはセレンなどのn型不純物を添加したn型Al0.47Ga0.53As混晶により構成されている。
【0018】
活性層14は、例えば、厚さが80nmであり、不純物を添加しないnon-Al0.1 Ga0.9 As混晶により構成されている。この活性層14は、電流が注入される電流注入領域と、この電流注入領域以外の非電流注入領域とを有している。このうち電流注入領域は発光領域として機能する。
【0019】
第1p型クラッド層15は、例えば、厚さが0.3μmであり、亜鉛(Zn)などのp型不純物を添加したp型Al0.47Ga0.53As混晶により構成されている。エッチングストップ層16は、例えば、厚さが70nmであり、亜鉛などのp型不純物を添加したp型Al0.3 Ga0.7 As混晶により構成されている。第2p型クラッド層17は、例えば、厚さが1.2μmであり、亜鉛などのp型不純物を添加したp型Al0.47Ga0.53As混晶により構成されている。
【0020】
このうちエッチングストップ層16の少なくとも一部および第2p型クラッド層17は、細い帯状(図1においては紙面に対して垂直な方向に延長された帯状)とされており、電流狭窄用突部17aを構成している。この電流狭窄用突部17aは、活性層14の電流注入領域を制限するためのものであり、活性層14のうち電流狭窄用突部17aに対応する部分が電流注入領域となっている。電流狭窄用突部17aの両側には、活性層14の非電流注入領域に対応して、ケイ素あるいはセレンなどのn型不純物を添加したn型GaAsよりなる厚さ0.5μmの電流ストップ層19が形成されている。
【0021】
p側コンタクト層18は、例えば、亜鉛などのp型不純物を拡散することにより形成されたものであり、p型GaAsよりなる第1拡散領域18aと、p型Al0.47Ga0.53As混晶よりなる第2拡散領域18bとを有している。なお、第2拡散領域18bは、後述する製造方法において説明するように、第2p型クラッド層17の一部にp型不純物を拡散することにより形成された領域である。p側コンタクト層18の厚さは、例えば1μmである。
【0022】
また、この半導体レーザは、基板11の一面と対向する他面側に、n側電極21を有している。n側電極21は、例えば、金とゲルマニウム(Ge)との合金層,ニッケル(Ni)層および金(Au)層とを基板11の側から順に積層し、熱処理により合金化した構造を有しており、基板11を介してn型半導体層と電気的に接続されている。一方、p側コンタクト層18の上には、p側電極22が設けられている。p側電極22は、例えば、チタン(Ti)層,白金(Pt)層および金層をp側コンタクト層18の側から順に積層し、熱処理により合金化した構造を有しており、p型半導体層と電気的に接続されている。このp側電極22は、本発明の電極に対応している。
【0023】
p側電極22の表面、すなわち半導体レーザの基板11と反対側の表面には、活性層14の電流注入領域に対応して突出部23が形成されている。この突出部23は、電流狭窄用突部17aに対応して製造上形成されるものであり、電流狭窄用突部17aと同一方向に延長された帯状となっている。突出部23の表面はp側電極22により構成されている。なお、突出部23は、活性層14の電流注入領域と完全に一致して設けられていなくてもよい。例えば、図1に示したように、電流注入領域よりも若干広い領域に設けられていてもよく、逆に電流注入領域よりも若干狭い領域に設けられていてもよい。すなわち、電流注入領域との関係において設けられていればよい。
【0024】
p側電極22の表面、すなわち半導体レーザの基板11と反対側の表面には、また、活性層14の非電流注入領域に対応して突状の保護部24が形成されている。本実施の形態では、例えば、保護部24は突出部23と同一方向に延長されており、突出部23の両側に形成されている。この保護部24は、例えば、金(Au)などの金属、または二酸化ケイ素(SiO2 )あるいは窒化ケイ素(Si3 N4 )などの絶縁材料により構成されている。保護部24の先端面は、突出部23の先端面と同一面上にあるかあるいは突出部23よりも突出されており、突出部23に治工具などが接触するのを防止するようになっている。なお、保護部24は、活性層14の非電流注入領域と完全に一致して設けられている必要はない。例えば、図1に示したように、非電流注入領域に対応する領域内の一部に設けられていてもよく、逆に非電流注入領域よりも若干広い領域に設けられていてもよい。すなわち、非電流注入領域との関係において設けられていればよい。
【0025】
更に、この半導体レーザは、第2p型クラッド層17の延長方向において対向する一対の側面が共振器端面となっており、この一対の共振器端面には図示しない一対の反射鏡膜がそれぞれ形成されている。一対の反射鏡膜のうちの一方は、例えば酸化アルミニウム(Al2 O3 )により構成され、低反射率となるように調整されている。これに対して他方の反射鏡膜は、例えば酸化アルミニウム層と非晶質ケイ素(アモルファスシリコン)層とを交互に積層して構成されており、高反射率となるように調整されている。これにより、活性層14において発生した光は一対の反射鏡膜の間を往復して増幅され、低反射率側の反射鏡膜からレーザビームとして射出されるようになっている。
【0026】
このような構成を有する半導体レーザは、次のようにして製造することができる。
【0027】
図2ないし図5は本実施の形態に係る半導体レーザの製造方法を工程順に表わすものである。まず、図2(A)に示したように、例えば、厚さ450μmのn型GaAsよりなる基板11の一面に、MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition;有機金属化学気相成長)法により、n型Al0.3 Ga0.7 As混晶よりなるバッファ層12,n型Al0.47Ga0.53As混晶よりなるn型クラッド層13,non-Al0.1 Ga0.9 As混晶よりなる活性層14,p型Al0.47Ga0.53As混晶よりなる第1p型クラッド層15,p型Al0.3 Ga0.7 As混晶よりなるエッチングストップ層16およびp型Al0.47Ga0.53As混晶よりなる第2p型クラッド層17を順次成長させる。
【0028】
次いで、図2(B)に示したように、例えば、第2p型クラッド層17の上に図示しないマスク層を形成し、反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching;RIE)法により、エッチングストップ層16を利用して第2p型クラッド層17を選択的に除去する。これにより、活性層14の電流注入領域に対応して、第2p型クラッド層17およびエッチングストップ層16の少なくとも一部を細い帯状とし、電流狭窄用突部17aを形成する。そののち、図示しないマスク層を除去する。
【0029】
続いて、図3(A)に示したように、例えば、第1p型クラッド層15および電流狭窄用突部17aの上に、MOCVD法によりn型GaAsよりなる電流ストップ層19を成長させる。その際、成長させる電流ストップ層19の厚さは、後述する工程で電流ストップ層19の一部にp型不純物を拡散してp側コンタクト層18を形成する分も含めた十分な厚さとする。そののち、例えば、リソグラフィー技術を用い、RIE法により、成長させた電流ストップ層19のうち電流狭窄用突部17aに対応して突出している部分の上側一部19aを選択的に除去する。
【0030】
電流ストップ層19を選択的に除去したのち、図3(B)に示したように、例えば、電流ストップ層19の上側一部および第2p型クラッド層17の上側一部に亜鉛などのp型不純物を拡散する。これにより、電流ストップ層19の上側一部にp側コンタクト層18の第1拡散領域18aを形成すると共に、第2p型クラッド層17の上側一部にp側コンタクト層18の第2拡散領域18bを形成する。
【0031】
p側コンタクト層18を形成したのち、図4(A)に示したように、例えば、基板11の他面側をラッピングして基板11の厚さを100μmとし、その他面側に金とゲルマニウムとの合金層,ニッケル層および金層を順次蒸着し、熱処理を行ってn側電極21を形成する。また、p側コンタクト層18の上に、例えばチタン層,白金層および金層を順次蒸着し、熱処理を行って、p側電極22を形成する。その際、p側コンタクト層18の表面には電流狭窄用突部17aに対応して突出部が形成されているので、p側電極22の表面にも電流狭窄用突部17aに対応して突出部23が形成される。
【0032】
n側電極21およびp側電極22を形成したのち、図4(B)に示したように、例えば、p側電極22の上にレジスト膜31を塗布し、図示しないマスクを利用してレジスト膜31を露光し、現像して所定のパターンを形成する。これにより、突出部23をレジスト膜31により覆う。
【0033】
そののち、図5に示したように、p側電極22の上に、例えばレジスト膜31を利用して蒸着法により金属あるいは絶縁材料よりなる保護部24を選択的に形成する。その際、保護部24の先端面が突出部23の先端面と同一面上にあるかあるいは突出部23よりも突出するようにする。保護部24を形成したのち、例えば、有機溶剤によりレジスト膜31を除去し、保護部24を形成する際にレジスト膜31の上に堆積された堆積層32も同時に除去する。そののち、基板11を所定の大きさに整え、電流狭窄用突部17aの延長方向において対向する一対の共振器端面に図示しない反射鏡膜を形成する。これにより、図1に示した半導体レーザが形成される。
【0034】
この半導体レーザは、次のように作用する。
【0035】
この半導体レーザでは、n側電極21とp側電極22との間に所定の電圧が印加されると、電流狭窄用突部17aにより電流狭窄され、活性層14の電流注入領域に電流が注入されて、電子−正孔再結合により発光が起こる。この光は、図示しない一対の反射鏡膜により反射され、その間を往復してレーザ発振を生じ、レーザビームとして外部に射出される。ここでは、活性層14の非電流注入領域に対応して保護部24が形成され、保護部24の先端面が突出部23と同一面上にあるかあるいは突出部23よりも突出しているので、製造の際に治工具が突出部23およびその近傍に接触する回数が少なく、突出部23およびその周辺、例えば電流狭窄用突部17aおよび活性層14の電流注入領域などの損傷が防止される。よって、特性が向上し、品質が改善される。
【0036】
このように本実施の形態によれば、基板11と反対側の表面に、先端面が突出部23と同一面上にあるかあるいは突出部23よりも突出された保護部24を形成するようにしたので、製造の際に治工具が突出部23およびその近傍に接触する回数を削減することができる。よって、突出部23およびその周辺、例えば電流狭窄用突部17aおよび活性層14の電流注入領域などが損傷されることを防止することができる。従って、特性を向上させることができ、品質の改善を図ることができる。また、外観歩留りを向上させることができる。
【0037】
[第2の実施の形態]
図6は本発明の第2の実施の形態に係る半導体レーザの構成を表すものである。この半導体レーザは、保護部44の構成が異なることを除き、他は第1の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有している。よって、ここでは第1の実施の形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【0038】
この半導体レーザは、電流狭窄用突部17aの両側に、電流ストップ層19を介して第2p型クラッド層17およびエッチングストップ層16よりなる保護用突部47bを有している。保護用突部47bは、活性層14の非電流注入領域に対応して形成されており、例えば電流狭窄用突部17aと同一方向に延長されている。保護用突部47bとp側コンタクト層18の第1拡散領域18aとの間には電流ストップ層19が介在しており、保護用突部47bを介して電流が流れることを防止するようになっている。
【0039】
保護部44は保護用突部47bに対応して製造上形成されるものであり、本実施の形態では、保護部44の表面はp側電極22により構成されている。他は、第1の実施の形態の保護部24と同一である。
【0040】
このような構成を有する半導体レーザは、次のようにして製造することができる。
【0041】
図7ないし図11は本実施の形態に係る半導体レーザの製造方法を工程順に表すものである。まず、第1の実施の形態と同様にして、基板11の一面に、バッファ層12,n型クラッド層13,活性層14,第1p型クラッド層15,エッチングストップ層16および第2p型クラッド層17を順次成長させる(図2(A)参照)。次いで、図7(A)に示したように、例えば、RIE法により、エッチングストップ層16を利用して第2p型クラッド層17を選択的に除去し、電流狭窄用突部17aおよび保護用突部47bを同一工程により形成する。
【0042】
続いて、図7(B)に示したように、例えば、第1p型クラッド層15,電流狭窄用突部17aおよび保護用突部47bの上に、第1の実施の形態と同様にして、n型GaAsよりなる電流ストップ層19を成長させる。ここでも、第1の実施の形態と同様に、成長させる電流ストップ層19の厚さは、後述する工程で電流ストップ層19の一部にp型不純物を拡散してp側コンタクト層18を形成する分も含めた十分な厚さとする。電流ストップ層19を成長させたのち、例えば、図8に示したように、電流ストップ層19の上にレジスト膜33を塗布する。
【0043】
そののち、例えば、図9に示したように、マスク34を利用してレジスト膜33のうち電流狭窄用突部17aに対応して突出している部分を選択的に露光し、現像して、図10(A)に示したように、電流狭窄用突部17aに対応してレジスト膜33に開口33aを形成する。レジスト膜33に開口33aを形成したのち、図10(B)に示したように、例えば、レジスト膜33をマスクとして、RIE法により、電流ストップ層19のうち電流狭窄用突部17aに対応して突出している部分の上側一部を選択的に除去する。
【0044】
電流ストップ層19を選択的に除去したのち、図11に示したように、例えば、電流ストップ層19の上側一部および電流狭窄用突部17aの上側一部に亜鉛などのp型不純物を拡散する。これにより、電流ストップ層19の上側一部にp側コンタクト層18の第1拡散領域18aを形成すると共に、電流狭窄用突部17aの上側一部にp側コンタクト層18の第2拡散領域18bを形成する。
【0045】
p側コンタクト層18を形成したのち、例えば、第1の実施の形態と同様にして、基板11の他面側をラッピングしてn側電極21を形成すると共に、p側コンタクト層18の上にp側電極22を形成する。なお、p側コンタクト層18の表面には電流狭窄用突部17aおよび保護用突部47bに対応して突出部がそれぞれ形成されているので、p側電極22の表面には電流狭窄用突部17aに対応して突出部23が形成され、保護用突部47bに対応して突状の保護部44が形成される。本実施の形態では、図10(B)に示したように、電流狭窄用突部17aに対応して電流ストップ層19の上側一部を除去しているので、保護部44の先端面は突出部23よりも突出して形成される。
【0046】
そののち、基板11を所定の大きさに整え、電流狭窄用突部17aの延長方向において対向する一対の共振器端面に図示しない反射鏡膜を形成する。これにより、図6に示した半導体レーザが形成される。
【0047】
[第3の実施の形態]
図12は本発明の第3の実施の形態に係る半導体レーザの構成を表すものである。この半導体レーザは、基板11を共通とし、分離溝51を介して配列された複数(ここでは4個)のレーザ発振部50a,50b,50c,50dをそれぞれ備えている。レーザ発振部50a,50b,50c,50dは、保護部54を除き、他はそれぞれ第1の実施の形態の半導体レーザとほぼ同一の構成を有している。すなわち、基板11の一面側には、バッファ層12,n型クラッド層13,活性層14,第1p型クラッド層15,エッチングストップ層16,第2p型クラッド層17およびp側コンタクト層18がこの順に積層され、第2p型クラッド層17は細い帯状とされて電流狭窄用突部17aを構成しており、電流狭窄用突部17aの両側には電流ストップ層19が形成されている。また、基板51の他面側にはレーザ発振部50a,50b,50c,50dに共通のn側電極21が形成されており、p側コンタクト層58の上にはレーザ発振部50a,50b,50c,50dにより個別のp側電極22がそれぞれ形成されている。よって、ここでは第1の実施の形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【0048】
分離溝51には、例えば絶縁材料よりなる埋め込み層52がそれぞれ形成されている。この埋め込み層52の上には、例えば絶縁材料よりなる保護部54が形成されている。また、両端に位置するレーザ発振部50a,50dのp側電極22の表面にも、活性層14の非電流注入領域のうち外側に位置する方に対応して保護部54が形成されている。すなわち、保護部54は、活性層14の非電流注入領域に限定されることなく、活性層14の電流注入領域以外の領域に対応して設けられていればよい。保護部54の他の構成は第1の実施の形態の保護部24と同一である。なお、保護部54は、埋め込み層52の上にのみ形成するようにしてもよい。
【0049】
このような構成を有する半導体レーザは、第1の実施の形態と同様にして製造することができ、同様に作用し、同様の効果を有する。なお、本実施の形態では、レーザ発振部50a,50b,50c,50dが第1の実施の形態の半導体レーザとほぼ同一の構成を有する場合について説明したが、レーザ発振部の構成を第2の実施の形態の半導体レーザとほぼ同一とし、分離溝の上にも保護部を形成するようにしてもよい。
【0050】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態では、p側電極22の表面、すなわち基板11と反対側の表面に、活性層14の電流注入領域に対応して突出部23を有する場合について説明したが、必ずしも突出部23を有している必要はない。例えば図13に示したように、保護部44が広い範囲にわたって設けられることにより、電流狭窄用突部17aに対応して表面に突出部が形成されない場合もある。この場合には、保護部44の先端面が活性層14の電流注入領域に対応する表面の領域と同一面上にあるか、あるいはそれよりも突出して形成されることにより、上記実施の形態と同一の効果を得ることができる。
【0051】
また、例えば図14または図15に示したように、発光素子の構造によっては、電流狭窄用突部17aに対応して表面に突出部が形成されない場合もある。なお、電流狭窄用突部17aというのは、例えば、基板11さらにはp型半導体層の平坦面(図14および図15では第1p型クラッド層15の平坦面)に対して、基板11と反対側に突出していればよい。この場合も、保護部24の先端面を活性層14の電流注入領域に対応する表面の領域と同一面上にあるか、あるいはそれよりも突出させることにより、上記実施の形態と同様の効果を得ることができ、信頼性を高めることができる。
【0052】
更に、上記実施の形態では、保護部24,44が突出部23と同一方向に延長され、突出部23の両側に設けられている場合について説明したが、保護部はどの様な形状でもよく、突出部23の一方の側にのみ設けられていてもよい。
【0053】
加えて、上記実施の形態では、半導体レーザの構成について具体的に例を挙げて説明したが、本発明は、他の構造を有する半導体レーザについても同様に適用することができる。また、上記実施の形態では、第1導電型をn型とし第2導電型をp型とする場合について説明したが、第1導電型をp型とし第2導電型をn型とする場合についても同様に適用することができる。
【0054】
更にまた、上記実施の形態では、半導体レーザを構成する材料について具体的に例を挙げて説明したが、本発明は、他のIII−V族化合物半導体,窒化物系III−V族化合物半導体あるいはII−VI族化合物半導体などの他の半導体材料を用いる場合についても広く適用することができる。
【0055】
加えてまた、上記実施の形態では、MOCVD法により半導体層を成長させる場合について説明したが、分子線エピタキシー(Molecular Beam Epitaxy;MBE)法などの他の方法により成長させるようにしてもよい。
【0056】
更にまた、上記実施の形態では、半導体レーザについて具体的に説明したが、本発明は、発光ダイオード(light emitting diode;LED)などの他の発光素子についても適用することができる。また、基板に半導体層が積層され、基板と反対側の表面に突出部が形成された半導体素子についても適用することができる。例えば、基板と反対側の表面に、先端面が突出部と同一面上にあるかあるいは突出部よりも突出している突状の保護部を備えるようにすれば、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。具体的には、HEMT(high electron mobility transistor )などのFET(field effect transistor )において、基板と反対側の表面にゲート電極により突出部が形成されている場合に、ゲート電極を間に挟むようにして、先端面がゲート電極と同一面上にあるかあるいはゲート電極よりも突出している突状の保護部を設けるようにしてもよい。
【0057】
【発明の効果】
以上説明したように請求項1ないし請求項4のいずれか1に記載の発光素子、または請求項6ないし8のいずれか1に記載の発光素子の製造方法によれば、電極の上に、先端面が突出部と同一面上にあるかあるいは突出部よりも突出された保護部を設けるようにしたので、または先端面が電流注入領域に対応する電極の表面の領域と同一面上にあるかあるいはそれよりも突出された保護部を設けるようにしたので、製造の際に治工具が突出部およびその近傍、または電流注入領域に対応する電極の表面の領域およびその近傍に接触する回数を削減することができる。よって、突出部およびその周辺、または電流注入領域に対応する電極の表面の領域およびその周辺、特に電流注入領域が損傷されることを防止することができる。従って、特性を向上させることができ、品質の改善を図ることができるという効果を奏する。また、外観歩留りを向上させることができるという効果も奏する。
【0058】
また、請求項5記載の半導体素子、または請求項9記載の半導体素子の製造方法によれば、電極の上に、先端面が突出部と同一面上にあるかあるいは突出部よりも突出している保護部を設けるようにしたので、突出部およびその近傍に治工具が接触する回数を削減することができる。よって、突出部およびその周辺が損傷されることを防止することができ、突出部の周辺が特性に関係する場合など、特に特性の向上を図ることができるという効果を奏する。また、外観歩留りを向上させることができるという効果も奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る半導体レーザの構成を表す断面図である。
【図2】図1に示した半導体レーザの製造工程を表す断面図である。
【図3】図2に続く製造工程を表す断面図である。
【図4】図3に続く製造工程を表す断面図である。
【図5】図4に続く製造工程を表す断面図である。
【図6】本発明の第2の実施の形態に係る半導体レーザの構成を表す断面図である。
【図7】図6に示した半導体レーザの製造工程を表す断面図である。
【図8】図7に続く製造工程を表す断面図である。
【図9】図8に続く製造工程を表す断面図である。
【図10】図9に続く製造工程を表す断面図である。
【図11】図10に続く製造工程を表す断面図である。
【図12】本発明の第3の実施の形態に係る半導体レーザの構成を表す断面図である。
【図13】本発明の変形例を表す断面図である。
【図14】本発明の他の変形例を表す断面図である。
【図15】本発明の他の変形例を表す断面図である。
【図16】従来の半導体レーザの構成を表す断面図である。
【符号の説明】
11…基板、12…バッファ層、13…n型クラッド層、14…活性層、15…第1p型クラッド層、16…エッチングストップ層、17…第2p型クラッド層、17a…電流狭窄用突部、18…p側コンタクト層、18a…第1拡散領域、18b…第2拡散領域、19…電流ストップ層、21…n側電極、22…p側電極、23…突出部、24,44,54…保護部、31,33…レジスト膜、32…堆積層、34…マスク、47b…保護用突部、50a,50b,50c,50d…レーザ発振部、51…分離溝、52…埋め込み層。
Claims (9)
- 基板に活性層を含む半導体層および電極がこの順に積層され、
前記活性層は、電流が注入される電流注入領域を有しており、
前記電極の表面には、前記電流注入領域に対応して突出部が設けられ、
前記電極の上に、前記電流注入領域以外の領域に対応して突状の保護部が設けられ、
この保護部は、先端面が前記突出部と同一面上にあるかあるいは前記突出部よりも突出している
発光素子。 - 前記半導体層は、前記電流注入領域に対応して電流狭窄用突部を有する請求項1記載の発光素子。
- 前記保護部は、金属または絶縁材料よりなる請求項1記載の発光素子。
- 基板に活性層を含む半導体層および電極がこの順に積層され、
前記活性層は、電流が注入される電流注入領域を有すると共に、
前記半導体層は、前記電流注入領域に対応して電流狭窄用突部を有しており、
前記電極の上には、前記電流注入領域以外の領域に対応して保護部が設けられ、
この保護部は、先端面が前記電流注入領域に対応する前記電極の表面の領域と同一面上にあるか、あるいはそれよりも突出している
発光素子。 - 基板に半導体層および電極がこの順に積層され、
前記電極の表面に突出部を有し、前記電極の上に、先端面が前記突出部と同一面上にあるかあるいは前記突出部よりも突出している突状の保護部を有する半導体素子。 - 基板の上に活性層を含む半導体層を成長させる工程と、
前記半導体層に前記活性層の電流注入領域に対応して電流狭窄用突部を形成したのち前記半導体層の上に電極を形成することにより、前記電極の表面に電流狭窄用突部に対応して突出部を形成する工程と、
前記電極の上に、前記活性層の電流注入領域以外の領域に対応して、先端面が前記突出部と同一面上にあるかあるいは前記突出部よりも突出している突状の保護部を形成する工程と
を含む発光素子の製造方法。 - 前記保護部を、金属または絶縁材料により形成する請求項6記載の発光素子の製造方法。
- 基板の上に活性層を含む半導体層を成長させる工程と、
前記半導体層に前記活性層の電流注入領域に対応して電流狭窄用突部を形成したのち前記半導体層の上に電極を形成する工程と、
前記電極の上に、前記活性層の電流注入領域以外の領域に対応して、先端面が前記電流注入領域に対応する前記電極の表面の領域と同一面上にあるか、あるいはそれよりも突出している保護部を形成する工程と
を含む発光素子の製造方法。 - 基板に半導体層を成長させる工程と、
前記半導体層の上に電極を形成すると共に前記電極の表面に突出部を形成する工程と、
前記電極の上に、先端面が前記突出部と同一面上にあるかあるいは前記突出部よりも突出している突状の保護部を形成する工程と
を含む半導体素子の製造方法。
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