JP4973258B2 - 半導体レーザ素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4973258B2 JP4973258B2 JP2007068314A JP2007068314A JP4973258B2 JP 4973258 B2 JP4973258 B2 JP 4973258B2 JP 2007068314 A JP2007068314 A JP 2007068314A JP 2007068314 A JP2007068314 A JP 2007068314A JP 4973258 B2 JP4973258 B2 JP 4973258B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- ridge
- semiconductor layer
- electrode
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 218
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 33
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 180
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 144
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 28
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 24
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 14
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 4
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002647 laser therapy Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
特許文献1に記載された半導体発光素子は、基板を基準にしてn電極がp電極と同じ側に形成されている。一方、特許文献2に記載された半導体レーザは、基板を基準にしてn電極がp電極と反対側に形成されている。
また、半導体レーザ素子は、電極の上面で最も高い周縁部とリッジ直上部との間に、電極の上面で最も低いリッジ周辺部を設けたので、端面保護膜を形成する工程で端面保護膜が電極上面の周縁部に回りこむことを防止できる。
[半導体レーザ素子の構成]
図1は、本発明の実施形態に係る半導体レーザ素子の構成を模式的に示す断面図である。本実施形態に係る半導体レーザ素子1は、図1に示すように、主として、基板10と、基板10上に積層された窒化物半導体層20と、第1保護膜30と、第2保護膜40と、p電極50と、n電極60とからなる。
基板10は、窒化物半導体(例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN等)から構成される。なお、窒化物半導体と異なる異種基板を用いてもよい。異種基板としては、例えば、C面、R面およびA面のいずれかを主面とするサファイア、スピネル(MgA12O4)のような絶縁性基板、SiC(6H、4H、3Cを含む)、ZnS、ZnO、GaAs、Siおよび窒化物半導体と格子整合する酸化物基板等、窒化物半導体を成長させることが可能で、従来から知られている基板材料を用いることができる。この基板10は、主面及び/又は裏面にオフ角が形成された基板であることが好ましい。
窒化物半導体層20は、例えば、窒化ガリウム系化合物半導体(例えば、GaN、AlGaN、InGaN等)から成り、基板10側からn型半導体層21、活性層22およびp型半導体層23がこの順番に積層されて構成されている。また、前記窒化物半導体層20は、一般式がInxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で示される。n型半導体層21は、例えば、n型不純物としてSiやGe、O等を含むGaNから構成される。活性層22は、例えば、InGaNから構成される。p型半導体層23は、例えば、p型不純物としてMgを含むGaNから構成される。なお、本実施形態では、積層半導体層を窒化物半導体層20、第1導電型半導体層をn型半導体層21、第2導電型半導体層をp型半導体層23として説明する。
p型半導体層23の上面には、ストライプ状のリッジ23aが突出して形成されている。リッジ23aの幅(w2:図2(c)参照)は特に限定されるものではないが、0.5〜20μm程度が好ましく、さらに、シングルスポットの光源とする場合には1〜2μm程度が好ましい。リッジ23aの高さ(t2:図2(c)参照)は、p型半導体層23の膜厚に依存して適宜調整することができ、例えば、0.2〜2μm程度が好ましく、特に、0.3〜0.8μm程度が好ましい。
第1保護膜30は、p型半導体層23よりも屈折率が低く、p型半導体層23のリッジ23aから所定距離(W4:図2(d)参照)だけ離間したp型半導体層23の表面を被覆している。第1保護膜30は、絶縁膜からなるものであって、特に酸化膜からなるものが好ましい。第1保護膜30は、例えば、Zr酸化膜(ZrO2)やSiO2からなる。
第2保護膜40は、p型半導体層23よりも屈折率が低く、p型半導体層23のリッジ23aの側面と、p型半導体層23の表面と、第1保護膜30とを被覆している。図1に示す半導体レーザ素子1のp型半導体層23および活性層22の左右の側面は、第1保護膜30の端部で被覆されており、さらに、その上から第2保護膜40の端部が、第1保護膜30の端部を被覆している。
第2保護膜40は、第1保護膜30と同一材料で形成されている。ここで同一材量とは、例えば、第1保護膜30がZr酸化膜によって形成されているのであれば、第2保護膜40もZr酸化物によって形成されていることを意味し、その製造方法等によって、組成に若干の差異が生じることがあってもよい。
p電極50は、p型半導体層23のリッジ23aの上面に、電気的に接続されるように形成されている。p電極50は、p電極第1層51と、このp電極第1層51の上に積層されるp電極第2層52との少なくとも2層構造で構成されている。p電極第1層51は、p型半導体層23と直接接触するオーミック電極として機能する。p電極第2層52は、p電極の最上層であり、ワイヤがボンディングされるパッド電極として機能する。尚、前記p電極第1層51とp電極第2層52との間に他の層を積層した構造としてもよい。p電極50は、p型半導体層23のリッジ23aの上面に接続されると共に第2保護膜40を被覆する。p電極50の上面は、リッジ23a直上部分よりも、第1保護膜30上の第2保護膜40の直上部分の方が高く形成されている。
p電極第2層52は、例えば、金(Au)や、Ni−Ti−Au系の電極材料を用いることができる。
n電極60は、基板10の裏面に電気的に接続されるように形成されている。n電極60は、例えば、基板10の裏面側からTi/Al、Ti/Pt/Au、Ti/Al/Pt/Au、W/Pt/Au、V/Pt/Auのような複数の金属で構成される。なお、n電極60は、オーミック電極とパッド電極とから構成されるようにしてもよい。
図1に示した半導体レーザ素子の製造方法について、図2ないし図5を参照(適宜図1参照)して説明する。図2ないし図4は、図1に示した半導体レーザ素子の製造工程を模式的に示す断面図である。また、図5は、図1に示した半導体レーザ素子の製造工程を模式的に示す上面図である。まず、図2(a)に示すように、ウェハ形状の基板10の上に、n型半導体層21、活性層22、p型半導体層23をこの順番に積層し、窒化物半導体層20を形成する。
本発明の効果を確認するために本実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を用いて、半導体レーザ素子を製造した。具体的には、図2ないし図4に示した製造工程にしたがって半導体レーザ素子1を製造した。半導体レーザ素子1を製造するために、基板10として、ウェハ形状のGaN基板を用いた。そして、このGaN基板上に、窒化物半導体層20として以下の各層を積層した(図2(a)参照)。まずは、GaN基板上に、SiドープAlGaNからなるn型クラッド層、GaNからなるn型光ガイド層を成長させた。これにより、n型半導体層21を形成した。続いて、SiドープIn0.05Ga0.95Nからなる障壁層と、アンドープIn0.1Ga0.9Nからなる井戸層とを交互2回積層させ、その上に障壁層を積層させた多重量子井戸構造(Multiple-Quantum Well:MQW)の活性層22を成長させた。次いで、MgドープAlGaNからなるp型電子閉じ込め層、アンドープGaNからなるp型光ガイド層、アンドープAl0.16Ga0.84Nからなる層とMgドープGaNからなる層とを交互積層させた超格子層からなるp型クラッド層、Mgドープp型GaNからなるp型コンタクト層を成長させた。これによりp型半導体層23を形成した。その後、窒素雰囲気中でウェハを700℃でアニーリングして、p型半導体層23をさらに低抵抗化した。
そして、GaN基板の裏面を研磨して、その研磨面にn電極60を形成した。このn電極60は、基板10側から、厚さ100Åのバナジウム(V)、厚さ2000Åの白金(Pt)、厚さ3000Åの金(Au)の順に形成した(図3(c)参照)。
以上により得られる半導体レーザ素子は、周縁部50cにはミラーが回りこまないためリッジ上の電極に接続されるワイヤの剥がれを防止できると共に縦横の光閉じ込めが安定した半導体レーザ素子である。
リッジ23aを幅w2=7.0μmで形成する他は実施例1と同様とする。以上により得られる半導体レーザ素子は、実施例1と略同様にワイヤの剥がれ防止の効果を奏するものである。
p電極50のp電極第1層51を厚さ300Åのパラジウム(Pd)で形成し、p電極第2層52を厚さ5000Åの金(Au)で形成する他は実施例1と同様とする。以上により得られる半導体レーザ素子は、実施例1と略同様の効果を奏するものである。
p電極50のp電極第1層51を厚さ300Åのロジウム(Rh)で形成し、p電極第2層52を厚さ5000Åの金(Au)で形成する他は実施例1と同様とする。以上により得られる半導体レーザ素子は、実施例1と略同様の効果を奏するものである。
10 基板
20 窒化物半導体層
21 n型半導体層(第1導電型半導体層)
22 活性層
23 p型半導体層(第2導電型半導体層)
23a リッジ
30 第1保護膜
40 第2保護膜
50 p電極
50a リッジ直上部
50b リッジ周辺部
50c 周縁部
51 p電極第1層
52 p電極第2層
60 n電極
70 ワイヤ
80,90 スペーサ
Claims (6)
- 基板の表面に積層された第1導電型半導体層、活性層および第2導電型半導体層からなる積層半導体層の前記第2導電型半導体層の上面に突出して形成されたストライプ状のリッジを備え、電極にワイヤが接続されて使用される半導体レーザ素子であって、
前記第2導電型半導体層の上面は前記リッジ以外が平坦に形成されており、
前記第2導電型半導体層よりも屈折率が低く、前記リッジから所定距離だけ離間した前記第2導電型半導体層の表面を被覆する第1保護膜と、
前記第2導電型半導体層よりも屈折率が低く、前記リッジの側面と前記第2導電型半導体層の表面と前記第1保護膜とを被覆する第2保護膜と、
前記リッジの上面に接続されると共に前記第2保護膜を被覆する前記電極と、を備え、
前記電極の上面は、前記リッジ直上部分よりも、前記第1保護膜上の前記第2保護膜の直上部分の方が高く形成されており、
前記第2保護膜を被覆する電極は、
リッジ直上部の方が前記リッジを除く第2導電型半導体層の表面を直接覆う第2保護膜直上部であるリッジ周辺部よりも高く形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 前記第1保護膜と前記第2保護膜とが同一材料で構成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。
- 前記第2保護膜の端部は、第1保護膜の端部を被覆していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体レーザ素子。
- 前記リッジの上面は、前記第1保護膜の上面よりも高く形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子。
- 基板の表面に積層された第1導電型半導体層、活性層および第2導電型半導体層からなる積層半導体層の前記第2導電型半導体層の上面に突出して形成されたストライプ状のリッジを備える半導体レーザ素子の製造方法であって、
前記第2導電型半導体層の上面を前記リッジ以外が平坦になるように形成する工程と、
前記リッジから所定距離だけ離間した前記第2導電型半導体層の表面を、前記第2導電型半導体層よりも屈折率が低い第1保護膜で被覆する工程と、
前記リッジの側面と前記第2導電型半導体層の表面と前記第1保護膜とを、前記第2導電型半導体層よりも屈折率が低い第2保護膜で被覆する工程と、
前記第2保護膜と前記リッジの上面とを被覆する電極層を、前記リッジ直上部分よりも前記第1保護膜上の前記第2保護膜の直上部分の方が高くなるように積層して前記リッジの上面に第2電極を形成する工程と、
前記基板の裏面に第1電極を形成する工程と、
前記第1および第2電極を上下からスペーサで挟み込み、上側のスペーサを前記第2電極の上面の最も高い部位に当接させた状態で共振器端面にミラーを形成する工程と、
前記第2電極の上面において前記上側のスペーサを当接させた部位にワイヤを接続する工程とを有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記第1保護膜と前記第2保護膜とを同一材料で構成したことを特徴とする請求項5に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007068314A JP4973258B2 (ja) | 2007-03-16 | 2007-03-16 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007068314A JP4973258B2 (ja) | 2007-03-16 | 2007-03-16 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008235319A JP2008235319A (ja) | 2008-10-02 |
JP4973258B2 true JP4973258B2 (ja) | 2012-07-11 |
Family
ID=39907832
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007068314A Active JP4973258B2 (ja) | 2007-03-16 | 2007-03-16 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4973258B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100999756B1 (ko) | 2009-03-13 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
JP6705554B1 (ja) * | 2018-08-20 | 2020-06-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
JP6981492B2 (ja) * | 2018-08-20 | 2021-12-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4816990B2 (ja) * | 2000-08-21 | 2011-11-16 | ソニー株式会社 | 発光素子および半導体素子ならびにそれらの製造方法 |
JP4313628B2 (ja) * | 2003-08-18 | 2009-08-12 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JP4885434B2 (ja) * | 2003-11-27 | 2012-02-29 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子、光ディスク装置および光伝送システム |
JP2006080275A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Toshiba Corp | 半導体レーザ素子 |
JP4956928B2 (ja) * | 2004-09-28 | 2012-06-20 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置 |
JP2006324427A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
-
2007
- 2007-03-16 JP JP2007068314A patent/JP4973258B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008235319A (ja) | 2008-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5521478B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法及び窒化物半導体発光素子 | |
JP5493252B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP4940987B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
JP4272239B2 (ja) | 半導体光素子の製造方法 | |
US9196803B2 (en) | Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same | |
US20060251137A1 (en) | Semiconductor laser diode and method for manufacturing the same | |
JP6094632B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2010067858A (ja) | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 | |
JP5098135B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2008311434A (ja) | 半導体光素子の製造方法 | |
JP4814538B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
JP4529372B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
US7440482B2 (en) | Nitride semiconductor laser element and method for manufacturing the same | |
JP4952184B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
JP4973258B2 (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
JP2008016629A (ja) | 3族窒化物系発光ダイオード素子の製造方法 | |
JP2004281432A (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
JP5391804B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
JP4640752B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体レーザ及びその製造方法 | |
JP5150581B2 (ja) | 発光素子、発光装置及び発光素子の製造方法 | |
JP4474887B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP4983398B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP4670151B2 (ja) | 面発光型発光素子及びその製造方法 | |
JP5402222B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JP2010067868A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120313 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120326 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4973258 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150420 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150420 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |