CN112152072A - 面发射激光器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供在输送面发射激光器时，不会以倾斜的状态吸附于夹头的面发射激光器。面发射激光器具有基板(20)和基板(20)上的半导体层(21)，在利用俯视观察时通过基板(20)的中心(20a)的第一方向的直线(L1)和与第一方向正交的通过基板(20)的中心(20a)的第二方向的直线(L2)将基板(20)分为第一区域(111a)、第二区域(111b)、第三区域(111c)和第四区域(111d)的情况下，在第一区域(111a)设置有第一电极焊盘(43)，在第二区域(111b)设置有第二电极焊盘(53)，在第三区域(111c)设置有第一虚设焊盘(161)，在第四区域(111d)设置有第二虚设焊盘(162)。

Description

面发射激光器
技术领域
本发明涉及面发射激光器。
背景技术
被称为面发射激光器的垂直腔面发射激光器(VCSEL：Vertical Cavity SurfaceEmitting Laser：垂直腔面发射激光器)是在半导体基板上具有2个反射镜层和被反射镜层夹着的有源层并相对于半导体基板的基板面沿垂直方向射出光的激光器。在面发射激光器中，在有源层及反射镜层等形成台面，将台面的反射镜层的一部分选择性氧化而形成氧化层，由此形成电流限制构造(专利文献1等)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2019-33210号公报
发明内容
发明所要解决的课题
如上所述的面发射激光器通过对半导体基板的表面进行加工而制作，但由于在表面形成台面、电极焊盘，因此在面发射激光器的芯片的上表面具有凹凸。在这样的面发射激光器的芯片中，若上表面的高度存在偏差，则在输送面发射激光器的芯片时，会以倾斜的状态吸附于夹头，因此有时会损伤射出激光的部分或者无法正常地输送。
因此，要求在输送面发射激光器时，不会以倾斜的状态吸附于夹头的面发射激光器。
用于解决课题的技术方案
根据本实施方式的一个观点，面发射激光器具有：基板；半导体层，该半导体层在基板上依次层叠有下部接触层、下部反射镜层、有源层、上部反射镜层和上部接触层；光出射窗，从半导体层射出激光；第一电极焊盘，与上部接触层连接；第二电极焊盘，与下部接触层连接；第一虚设焊盘及第二虚设焊盘。另外，第一电极焊盘、第二电极焊盘、第一虚设焊盘和第二虚设焊盘设置在与光出射窗不同的区域的半导体层上。进一步地，利用俯视观察时通过基板的中心的第一方向的直线和与第一方向正交的通过基板的中心的第二方向的直线将基板分为第一区域、第二区域、第三区域和第四区域的情况下，在第一区域设置有第一电极焊盘，在第二区域设置有第二电极焊盘，在第三区域设置有第一虚设焊盘，在第四区域设置有第二虚设焊盘。
发明效果
根据本公开的面发射激光器，能够在输送面发射激光器时，防止以倾斜的状态吸附于夹头。
附图说明
图1是面发射激光器的芯片的俯视图。
图2是面发射激光器的示意性剖视图。
图3是输送面发射激光器的芯片时的说明图。
图4是面发射激光器的芯片和夹头的接触面的说明图。
图5是本公开的实施方式的面发射激光器的芯片的俯视图。
图6是本公开的实施方式的面发射激光器的示意性剖视图。
图7是输送本公开的实施方式的面发射激光器的芯片时的说明图。
图8是本公开的实施方式的面发射激光器的芯片和夹头的接触面的说明图。
图9是本公开的实施方式的面发射激光器的第一虚设焊盘的说明图。
图10是本公开的实施方式的面发射激光器的芯片和其他的夹头的接触面的说明图。
图11是本公开的实施方式的面发射激光器的剖视图。
图12是本公开的实施方式的面发射激光器的第一虚设焊盘的变形例1的说明图。
图13是本公开的实施方式的面发射激光器的第一虚设焊盘的变形例2的说明图。
图14是本公开的实施方式的面发射激光器的第一虚设焊盘的变形例3的说明图。
标号说明
10 面发射激光器的芯片
20 基板
20a 基板的中心
20b 基板的X1侧的端部
20c 基板的Y2侧的端部
21 半导体层
22 绝缘膜
30 台面
31 光出射窗
32 槽
41p 电极
42 配线
43p 电极焊盘
51n 电极
52 配线
53n 电极焊盘
70 夹头
71 接触面
110 面发射激光器的芯片
111a 第一区域
111b 第二区域
111c 第三区域
111d 第四区域
121 第一下部DBR层
122 下部接触层
123 第二下部DBR层
124 有源层
125 上部DBR层
126 电流限制构造
126a 氧化区域
126b 孔径区域
127 上部接触层
161 第一虚设焊盘
161a X1 侧的端部
161b Y2 侧的端部
162 第二虚设焊盘
163 芯片编号
164 第一虚设焊盘
具体实施方式
以下对用于实施的方式进行说明。
[本公开的实施方式的说明]
首先列记本公开的实施方式而进行说明。在以下的说明中，对同一或者对应的要素附以同一符号，不再对其重复相同的说明。
〔1〕本公开的一种方式的面发射激光器具有：基板；半导体层，该半导体层在上述基板上依次层叠有下部接触层、下部反射镜层、有源层、上部反射镜层和上部接触层；光出射窗，从上述半导体层射出激光；第一电极焊盘，与上述上部接触层连接；第二电极焊盘，与上述下部接触层连接；第一虚设焊盘及第二虚设焊盘，上述第一电极焊盘、上述第二电极焊盘、上述第一虚设焊盘和上述第二虚设焊盘设置在与上述光出射窗不同的区域的上述半导体层上，在利用俯视观察时通过上述基板的中心的第一方向的直线和与上述第一方向正交的通过上述基板的中心的第二方向的直线将上述基板分为第一区域、第二区域、第三区域和第四区域的情况下，在上述第一区域设置有上述第一电极焊盘，在上述第二区域设置有上述第二电极焊盘，在上述第三区域设置有上述第一虚设焊盘，在上述第四区域设置有上述第二虚设焊盘。
由此，能够在输送面发射激光器时，防止以倾斜的状态吸附于夹头的情况。
〔2〕本公开的一种方式的面发射激光器具有：基板；半导体层，该半导体层在上述基板上依次层叠有下部接触层、下部反射镜层、有源层、上部反射镜层和上部接触层；光出射窗，从上述半导体层射出激光；第一电极焊盘，与上述上部接触层连接；第二电极焊盘，与上述下部接触层连接；第一虚设焊盘及第二虚设焊盘，上述第一电极焊盘、上述第二电极焊盘、上述第一虚设焊盘和上述第二虚设焊盘设置在与上述光出射窗不同的区域的上述半导体层上，上述光出射窗位于上述第一虚设焊盘与上述第二虚设焊盘之间。
由此，能够在输送面发射激光器时，防止以倾斜的状态吸附于夹头的情况。
〔3〕上述第一虚设焊盘及上述第二虚设焊盘的形状为长方形，上述长方形的短边的宽度为5μm以上且40μm以下，上述长方形的长边的宽度为80μm以上且100μm以下。
由此，能够使第一虚设焊盘及第二虚设焊盘与夹头的吸附面接触，能够防止以倾斜的状态吸附于夹头的情况。
〔4〕上述第一虚设焊盘设置有多个，上述第一虚设焊盘的第一方向的宽度为20μm～40μm，多个上述第一虚设焊盘沿与上述第一方向正交的第二方向配置。
由此，能够防止以倾斜的状态吸附于夹头的情况。
〔5〕从上述基板的端部到最接近上述基板的端部的第一虚设焊盘的端部为止的长度为20μm以上且50μm以下。
由此，能够防止以倾斜的状态吸附于夹头的情况。
[本公开的实施方式的详细内容]
以下，对本公开的一种实施方式详细地进行说明，但是本实施方式不限定于此。另外，在本申请中，设X1-X2方向、Y1-Y2方向、Z1-Z2方向为相互正交的方向。另外，将包含X1-X2方向及Y1-Y2方向的面记载为XY面，将包含Y1-Y2方向及Z1-Z2方向的面记载为YZ面，将包含Z1-Z2方向及X1-X2方向的面记载为ZX面。
首先，基于在图1及图2中示出的面发射激光器的芯片10，对在输送面发射激光器的芯片时，以倾斜的状态吸附于夹头的情况进行说明。需要说明的是，图1是面发射激光器的芯片10的俯视图，图2是方便起见示意性地示出的面发射激光器的芯片10的剖视图。
该面发射激光器的芯片10在由GaAs形成的基板20上形成有半导体层21，通过对半导体层21进行加工，形成有半导体层21的台面30。在半导体层21上、台面30的侧面等形成有绝缘膜22。虽未图示，在这样形成的台面30形成有下部DBR、有源层、上部DBR，在台面30的上表面的光出射窗31的周围形成有环状的p电极41，在台面30的周围形成有弧状的n电极51。该面发射激光器通过在p电极41与n电极51之间流过电流，从台面30的上表面的光出射窗31如虚线箭头所示，向相对于基板20面垂直的方向射出激光。
p电极41经由配线42与p电极焊盘43连接，n电极51经由配线52与n电极焊盘53连接。由于p电极焊盘43及n电极焊盘53是通过引线接合等被连接的部分，因此需要一定程度的大小，以厚度为1.7μm的方式形成。
然而，这样的面发射激光器的芯片10例如在如图2所示的情况下，与设置有n电极焊盘53的右侧相比，未设置n电极焊盘53等的左侧的高度更低。因此，在将面发射激光器的芯片10吸附于夹头70并将要输送的情况下，如图3所示，以相对于夹头70的接触面71倾斜的状态吸附面发射激光器的芯片10。在该情况下，若面发射激光器的芯片10的吸附位置相对于夹头70的接触面71偏移，则会损伤面发射激光器的芯片10的上表面的光出射窗31，或者无法正常地输送面发射激光器的芯片10。此外，图4示出输送面发射激光器的芯片10时的夹头70为圆型夹头的情况，夹头70的接触面71是用双点划线示出的内侧的圆与外侧的圆之间的区域。另外，在图3中，为了方面起见，省略了面发射激光器的芯片10的详细的构造。
因此，要求在输送面发射激光器的芯片时，不会以倾斜的状态吸附于夹头的面发射激光器。
(面发射激光器)
接下来，基于图5及图6对本实施方式中的面发射激光器进行说明。此外，图5是本实施方式中的面发射激光器的芯片110的俯视图，图6是为了说明的方便示意性地示出的面发射激光器的芯片110的剖视图。
本实施方式中的面发射激光器的芯片110在由GaAs形成的基板20上形成有半导体层21，通过对半导体层21进行加工，形成有半导体层21的台面30。半导体层21如后述那样由形成在基板20上的第一下部DBR层、下部接触层、第二下部DBR层、有源层、上部DBR层和上部接触层形成。在本申请中存在将第二下部DBR层或者第一下部DBR层及第二下部DBR层记载为下部反射镜层，将上部DBR层记载为上部反射镜层的情况。
在半导体层21上、台面30的侧面等形成有绝缘膜22。在图6中虽未图示，在这样形成的台面30形成有下部DBR、有源层、上部DBR，在台面30的上表面的光出射窗31的周围形成有环状的p电极41，在台面30的周围形成有弧状的n电极51。该面发射激光器通过在p电极41与n电极51之间流过电流，从台面30的上表面的光出射窗31如虚线箭头所示向相对于基板20面垂直的方向射出激光。
p电极41经由配线42与p电极焊盘43连接，n电极51经由配线52与n电极焊盘53连接。在台面30的周围形成有槽，将槽的外侧的半导体层21称为半导体层21的平台。在平台上形成有p电极焊盘43及n电极焊盘53。p电极焊盘43及n电极焊盘53由于是通过引线接合等而被连接的部分，因此需要一定程度的大小，例如，是直径为100μm的圆形，以距离平台的半导体层21的上表面的高度为1～4μm，优选为1.4μm～1.7μm的方式形成。在本申请中存在将p电极焊盘43记载为第一电极焊盘，将n电极焊盘53记载为第二电极焊盘的情况。
在本实施方式中的面发射激光器中具有第一虚设焊盘161和第二虚设焊盘162。第一虚设焊盘161和第二虚设焊盘162距离平台的半导体层21的上表面的高度为1～4μm，优选为1.4μm～1.7μm，与p电极焊盘43及n电极焊盘53等的厚度大致相同。
p电极焊盘43、n电极焊盘53、第一虚设焊盘161、第二虚设焊盘162经由绝缘膜形成在半导体层21上，但是形成于与光出射窗31不同的部分。
距离平台的半导体层21的上表面的p电极焊盘43的上表面的高度比p电极41的上表面的高度高0.5μm以上。同样地，n电极焊盘53、第一虚设焊盘161、第二虚设焊盘162的上表面的高度以平台的半导体层21的上表面为基准，与p电极41的上表面的高度相比，高0.5μm以上。这样，通过使电极焊盘、虚设焊盘的上表面的高度比p电极41高，在面发射激光器吸附于夹头时，能够防止光出射窗31、p电极41与夹头接触。另外，通过这样防止接触，能够防止损伤光出射窗31、p电极41。
优选p电极焊盘43、n电极焊盘53、第一虚设焊盘161及第二虚设焊盘162的各自的上表面的高度的差为3μm以下。由此，能够使第一虚设焊盘161及第二虚设焊盘162与夹头的吸附面接触，能够防止以倾斜的状态吸附于夹头的情况。优选第一虚设焊盘161及第二虚设焊盘162为形成于绝缘膜22上的厚度为1μm以上的金属层。由此，能够防止因夹头与虚设焊盘接触时的冲击而绝缘膜22破损的情况。
形成本实施方式中的面发射激光器的芯片110的基板20为正方形或者长方形的形状。例如，形成面发射激光器的芯片110的基板20是一边的长度为200μm～300μm的正方形的形状。在此，如图5所示，考虑利用俯视观察时通过基板20的中心20a的直线L1和与直线L1正交的通过基板20的中心20a的直线L2将基板20分割为4个区域的情况。此外，直线L1是X1-X2方向的直线，直线L2是Y1-Y2方向的直线。因此，在本申请中，存在将X1-X2方向记载为第一方向，将Y1-Y2方向记载为第二方向的情况。另外，存在将直线L1记载为第一方向的直线，将直线L2记载为第二方向的直线的情况。
被分割为4个区域的各个区域以右上的区域为第一区域111a，按照逆时针方向的依次设为第二区域111b、第三区域111c、第四区域111d。在本实施方式中，在面发射激光器的芯片110的表面，在第一区域111a设置有p电极焊盘43，在第二区域111b设置有n电极焊盘53。另外，在第三区域111c设置有第一虚设焊盘161，在第四区域111d设置有第二虚设焊盘162。在此，俯视是指从上表面观察基板20或者面发射激光器的芯片110的含义。
另外，台面30及光出射窗31位于第三区域111c与第四区域111d之间，因此，台面30及光出射窗31存在于第一虚设焊盘161与第二虚设焊盘162之间。第一虚设焊盘161及第二虚设焊盘162以Y1-Y2方向为长度方向、X1-X2方向为宽度方向的方式形成。
本实施方式中的面发射激光器的芯片110例如在图6中示出的情况下，在右侧设置有n电极焊盘53，在左侧设置有与n电极焊盘53大致相同高度的第一虚设焊盘161。因此，在将面发射激光器的芯片110吸附于夹头70并将要输送的情况下，如图7所示，不会相对于夹头70的接触面71倾斜，并能够吸附面发射激光器的芯片110。因此，不会因夹头70的接触面71而损伤面发射激光器的芯片110的上表面的光出射窗31，并能够正常地输送面发射激光器的芯片110。此外，在图7中，方便起见，省略了本实施方式的面发射激光器的芯片110的详细的构造。另外，图8示出了在输送本实施方式的面发射激光器的芯片110时，夹头70使用了圆型夹头的情况，夹头70的接触面71为利用双点划线示出的内侧的圆和外侧的圆之间的区域。在图8中示出的圆型夹头的接触面71中，内侧是内径为50μm～100μm的圆，外形是外径为280μm～330μm的圆。
如图8所示，第一虚设焊盘161在整体的一半以上的区域与接触面71接触，第二虚设焊盘162在整个区域与接触面71接触。此外，第二虚设焊盘162也具有使芯片编号163的朝向可知的功能，形成于芯片编号163的下侧。
如图5所示，第一虚设焊盘161以X1-X2方向上的宽度Wx1约为20μm，Y1-Y2方向上的宽度Wy1为100μm的长方形的形状形成。第二虚设焊盘162以X1-X2方向上的宽度Wx2约为5μm，Y1-Y2方向上的宽度Wy2为80μm的长方形的形状形成。
在本实施方式中，优选作为长方形的短边的宽度Wx1及宽度Wx2为5μm以上且40μm以下。因为若宽度Wx1及宽度Wx2过窄，在与夹头70接触时，则存在第一虚设焊盘161与第二虚设焊盘162破损的情况。另外，由于在第一虚设焊盘161的X2侧、第二虚设焊盘162的X1侧存在台面30，因此拓宽是有限的。
另外，优选作为长方形的长边的宽度Wy1及宽度Wy2为80μm以上且100μm以下。因为若宽度Wy1及宽度Wy2过窄，则在夹头的吸附位置偏离的情况下夹头可能不会与虚设焊盘正常地接触。另外，由于在第一虚设焊盘161的Y1侧存在有n电极焊盘53，在第二虚设焊盘162的Y1侧存在有p电极焊盘43，因此拓宽是有限的。
另外，如图9所示，在本实施方式中优选从作为面发射激光器的芯片110的端部的基板20的端部到最接近基板20的端部的第一虚设焊盘161的端部为止的长度为20μm以上且50μm以下。具体而言，优选从基板20的X1侧的端部20b到第一虚设焊盘161的X1侧的端部161a为止的长度Lx为20μm以上且50μm以下。另外，优选从基板20的Y2侧的端部20c到第一虚设焊盘161的Y2侧的端部161b为止的长度Ly为20μm以上且50μm以下。因为若长度Lx及Ly过窄，则在将芯片单片化时的切割、劈开过程中，发生绝缘膜的剥离等的不良情况的可能性升高。另外，因为若长度Lx及Ly过宽，则存在第一虚设焊盘161等与夹头70的接触面71的接触面积变窄的情况，从而存在面发射激光器的芯片110的吸附变得不稳定的情况。
图10示出了在输送本实施方式的面发射激光器的芯片110时，使用了方型夹头的情况，方型夹头的接触面72是利用双点划线示出的内侧的正方形与外侧的正方形之间的区域。这样，本实施方式中的面发射激光器也能够适用于方型夹头。需要说明的是，方型夹头的接触面72的内侧的正方形的一边为50μm～100μm，外形的长方形的一边为280μm～330μm。
(面发射激光器的详细的构造)
接下来，对本实施方式中的面发射激光器的详细的构造进行说明。图11是本实施方式中的面发射激光器的剖视图。本实施方式的面发射激光器在基板20上依次形成有第一下部DBR(Distributed Bragg Reflector：分布式布拉格反射器)层121、下部接触层122、第二下部DBR层123、有源层124、上部DBR层125、上部接触层127。此外，在本实施方式中的面发射激光器中，通过第一下部DBR层121、下部接触层122、第二下部DBR层123、有源层124、上部DBR层125、上部接触层127形成在图6中示出的半导体层21。
在上部DBR层125中，通过对形成上部DBR层125的多个层中的一部分氧化，从而形成有氧化区域126a，通过形成氧化区域126a，未被氧化的区域成为孔径区域126b。因此，在面发射激光器中，电流限制构造126由氧化区域126a和孔径区域126b形成。氧化区域126a通过从台面30的周缘部进行氧化而形成。氧化区域126a含有例如氧化铝(Al2O3)，具有绝缘性，因此与孔径区域126b相比电流不易流过。因此，孔径区域126b与氧化区域126a相比电流容易流过，成为电流路径。因此，通过形成这样的电流限制构造126，能够进行高效的电流注入。在本实施方式中，孔径区域126b的直径例如为7.5μm。
基板20例如是由半绝缘性的砷化镓(GaAs)形成的半导体基板。在基板20与第一下部DBR层121之间也可以设置由GaAs及AlGaAs形成的缓冲层。
第一下部DBR层121、第二下部DBR层123、上部DBR层125例如是将AlxGa1-xAs(x＝0.90)和AlyGa1-yAs(y＝0.1)以光学膜厚为λ/4交替层叠而成的半导体多层膜。第一下部DBR层121是i型的半导体层，未掺杂杂质元素。第二下部DBR层123是n型的半导体层，例如，以7×1017cm-3以上且4×1018cm-3以下的浓度掺杂有硅(Si)作为杂质元素。上部DBR层125是p型的半导体层，例如，以1×1018cm-3以上且2×1019cm-3以下的浓度掺杂有锌(Zn)作为杂质元素。
下部接触层122例如由厚度为500nm的n型AlxGa1-xAs(x＝0.1)形成，以2×1018cm-3的浓度掺杂有Si作为杂质元素。上部接触层127例如由厚度为200nm的p型AlxGa1-xAs(x＝0.16)形成，以1×1019cm-3的浓度掺杂有Zn作为杂质元素。
有源层124例如具有交替层叠InyGa1-yAs层(y＝0.107)和AlxGa1-xAs层(x＝0.3)而成的多重量子阱(MQW：Multiple Quantum Well：多量子阱)构造，有光学增益。此外，基板20、第一下部DBR层121、下部接触层122、第二下部DBR层123、有源层124、上部DBR层125、上部接触层127也可以由除上述以外的化合物半导体形成。
台面30由第二下部DBR层123、有源层124、上部DBR层125、上部接触层127形成。具体而言，除去形成台面30的区域的周围的第二下部DBR层123、有源层124、上部DBR层125、上部接触层127，形成槽32，由此形成半导体层的台面30。台面30的高度例如为4.5μm以上且5.0μm以下，上表面的宽度例如为30μm。槽32的宽度例如为20μm。在台面30的中心部分形成有源层124、上部DBR层125、上部接触层127。
包含台面30的上表面及侧面在内，在半导体层上形成有绝缘膜130。绝缘膜130由氮化硅(SiN)或氮氧化硅(SiON)等形成。
p电极41形成在台面30的上表面的上部接触层127上，n电极51形成于在槽32的底面露出的下部接触层122上。在台面30的上表面的p电极41上设置有与p电极焊盘43连接的配线42，在槽32的底面的n电极51上设置有与n电极焊盘53连接的配线52。
p电极41例如由金-锌(AuZn)等形成，厚度约为150nm。n电极51例如由金(Au)、锗(Ge)及镍(Ni)的层叠膜形成，厚度例如约为200nm。配线42、配线52、p电极焊盘43、n电极焊盘53、第一虚设焊盘161及第二虚设焊盘162例如由Au等的金属形成。
在本实施方式中的面发射激光器中将未图示的接合线等连接于p电极焊盘43及n电极焊盘53，向面发射激光器注入电流。通过电流的注入从有源层124发出的光通过形成谐振器的第一下部DBR层121、第二下部DBR层123、上部DBR层125振荡，作为激光从光出射窗31向由虚线箭头示出的Z1方向射出。
(变形例)
接下来，对本实施方式的面发射激光器的变形例进行说明。如图12所示，本实施方式的面发射激光器也可以设置有多个第一虚设焊盘161。在该情况下，优选第一虚设焊盘161的Y1-Y2方向上的宽度为80μm以上且100μm以下，设置有2个第一虚设焊盘161的区域在X1-X2方向上处于20μm～40μm的范围内。
另外，如图13及图14所示，在本实施方式的面发射激光器中，第一虚设焊盘164也可以沿Y1-Y2方向设置有多个。具体而言，一边为20μm～40μm的正方形的第一虚设焊盘164也可以沿Y1-Y2方向设置有多个。在该情况下，在Y1-Y2方向上设置有第一虚设焊盘164的范围优选为80μm以上且100μm以下。需要说明的是，在图13中示出了沿Y1-Y2方向设置有4个第一虚设焊盘164，在图14中示出了沿Y1-Y2方向设置有3个第一虚设焊盘164。
以上，虽对实施方式进行了详细叙述，但不限定于特定的实施方式，在请求保护的范围记载的范围内可以进行多种变形及变更。

Claims (5)

1.一种面发射激光器，具有：
基板；
半导体层，该半导体层在所述基板上依次层叠有下部接触层、下部反射镜层、有源层、上部反射镜层和上部接触层；
光出射窗，从所述半导体层射出激光；
第一电极焊盘，与所述上部接触层连接；
第二电极焊盘，与所述下部接触层连接；
第一虚设焊盘；及
第二虚设焊盘，
所述第一电极焊盘、所述第二电极焊盘、所述第一虚设焊盘和所述第二虚设焊盘设置在与所述光出射窗不同的区域的所述半导体层上，
在利用俯视观察时通过所述基板的中心的第一方向的直线和与所述第一方向正交的通过所述基板的中心的第二方向的直线将所述基板分为第一区域、第二区域、第三区域和第四区域的情况下，
在所述第一区域设置有所述第一电极焊盘，
在所述第二区域设置有所述第二电极焊盘，
在所述第三区域设置有所述第一虚设焊盘，
在所述第四区域设置有所述第二虚设焊盘。
2.一种面发射激光器，具有：
基板；
半导体层，该半导体层在所述基板上依次层叠有下部接触层、下部反射镜层、有源层、上部反射镜层和上部接触层；
光出射窗，从所述半导体层射出激光；
第一电极焊盘，与所述上部接触层连接；
第二电极焊盘，与所述下部接触层连接；
第一虚设焊盘；及
第二虚设焊盘，
所述第一电极焊盘、所述第二电极焊盘、所述第一虚设焊盘和所述第二虚设焊盘设置在与所述光出射窗不同的区域的所述半导体层上，
所述光出射窗位于所述第一虚设焊盘与所述第二虚设焊盘之间。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的面发射激光器，其中，
所述第一虚设焊盘及所述第二虚设焊盘的形状为长方形，
所述长方形的短边的宽度为5μm以上且40μm以下，
所述长方形的长边的宽度为80μm以上且100μm以下。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的面发射激光器，其中，
所述第一虚设焊盘设置有多个，
所述第一虚设焊盘的第一方向的宽度为20μm～40μm，
多个所述第一虚设焊盘沿与所述第一方向正交的第二方向配置。
5.根据权利要求1～权利要求4中任一项所述的面发射激光器，其中，
从所述基板的端部到最接近所述基板的端部的第一虚设焊盘的端部为止的长度为20μm以上且50μm以下。
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