JP6020560B2 - 垂直共振面発光レーザ素子の実装方法、垂直共振面発光レーザアレイ素子の実装方法、垂直共振面発光レーザ素子、垂直共振面発光レーザアレイ素子 - Google Patents
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Description
また、この発明の垂直共振面発光レーザ素子の実装方法では、ベース基板は、表面側から視て、互いに直交する第1方向と第2方向とを有する形状であり、第2方向の長さは第1方向の長さよりも短く、平コレットの吸着面の外径は、第2方向の長さ以下であることが好ましい。
また、この発明は、次の構成であることが好ましい。垂直共振面発光レーザ素子は、ベース基板の表面に形成され、発光領域多層部のアノード用電極に接続するアノード用パッド電極と、ベース基板の表面に形成され、発光領域多層部のカソード用電極に接続するカソード用パッド電極と、を備える。アノード用パッド電極とカソード用パッド電極は、第2方向に沿って、発光領域多層部に対して同じ側に配置されている。アノード用パッド電極とカソード用パッド電極を、それぞれワイヤボンディングによって、第2方向におけるアノード用パッド電極とカソード用パッド電極を基準にした発光領域多層部と反対側において外部回路基板に接続する工程を、有する。
また、この発明は、ベース基板と、ベース基板の表面側から見て、ベース基板よりも面積が小さく、表面に直交する方向にレーザ光を発光する第1発光領域多層部および第2発光領域多層部と、を備えた垂直共振面発光レーザアレイ素子の実装方法に関するものである。ベース基板は、表面側から視て、互いに直交する第1方向と第2方向とを有する形状であり、第2方向の長さは第1方向の長さよりも短い。第1発光領域多層部と第2発光領域多層部とは、第1方向に沿って、離間して配置されている。ベース基板の表面における第1発光領域多層部と第2発光領域多層部との間を、平コレットで吸着する工程と、平コレットで吸着した前記ベース基板を、外部回路基板の所定位置に実装する工程と、を有する。
また、この発明の垂直共振面発光レーザアレイ素子の実装方法では、平コレットの吸着面の外径は、第2方向の長さ以下であることが好ましい。
また、この発明は、次の構成であることが好ましい。垂直共振面発光レーザアレイ素子は、ベース基板の表面に形成され、第1発光領域多層部のアノード用電極に接続する第1アノード用パッド電極と、ベース基板の表面に形成され、第1発光領域多層部のカソード用電極に接続する第1カソード用パッド電極と、ベース基板の表面に形成され、第2発光領域多層部のアノード用電極に接続する第2アノード用パッド電極と、ベース基板の表面に形成され、第2発光領域多層部のカソード用電極に接続する第2カソード用パッド電極と、を備える。第1アノード用パッド電極、および、第1カソード用パッド電極は、第2方向に沿って、第1発光領域多層部に対して同じ側に配置されている。第2アノード用パッド電極、および、第2カソード用パッド電極は、第2方向に沿って、第2発光領域多層部に対して同じ側に配置されている。第1アノード用パッド電極、および、第1カソード用パッド電極を、それぞれワイヤボンディングによって、第2方向における第1アノード用パッド電極、および、第1カソード用パッド電極を基準にした第1発光領域多層部と反対側において外部回路基板に接続する工程と、第2アノード用パッド電極、および、第2カソード用パッド電極を、それぞれワイヤボンディングによって、第2方向における第2アノード用パッド電極、および、第2カソード用パッド電極を基準にした第2発光領域多層部と反対側において外部回路基板に接続する工程と、を有する。
また、この発明は、次の構成であることが好ましい。垂直共振面発光レーザアレイ素子は、ベース基板の表面に形成され、第1発光領域多層部のアノード用電極に接続する第1アノード用パッド電極と、ベース基板の表面に形成され、第1発光領域多層部のカソード用電極に接続する第1カソード用パッド電極と、ベース基板の表面に形成され、第2発光領域多層部のアノード用電極に接続する第2アノード用パッド電極と、ベース基板の表面に形成され、第2発光領域多層部のカソード用電極に接続する第2カソード用パッド電極と、を備える。第1アノード用パッド電極の中心、第1カソード用パッド電極の中心、第2アノード用パッド電極の中心、および、第2カソード用パッド電極の中心は、第1方向に沿って、第1発光領域多層部と第2発光領域多層部との間に配置されている。第1アノード用パッド電極、第1カソード用パッド電極、第2アノード用パッド電極、および、第2カソード用パッド電極を、それぞれ第2方向にワイヤが延びるワイヤボンディングによって、外部回路基板に接続する工程を、有する。
また、この発明の垂直共振面発光レーザ素子は、ベース基板と、ベース基板の表面側から見て、ベース基板よりも面積が小さく、表面に直交する方向にレーザ光を発光する発光領域多層部と、を備える。ベース基板は、表面側から視て、互いに直交する第1方向と第2方向とを有する形状であり、第2方向の長さは第1方向の長さよりも短い。発光領域多層部は、ベース基板の表面における第1方向の中心よりも第1方向の一方端側で、且つ、第2方向の中心よりも第2方向の一方端側に配置されている。
また、この発明は次の構成であることが好ましい。垂直共振面発光レーザ素子は、ベース基板の表面に形成され、発光領域多層部のアノード用電極に接続するアノード用パッド電極と、ベース基板の表面に形成され、発光領域多層部のカソード用電極に接続するカソード用パッド電極と、を備える。ベース基板の表面における発光領域多層部およびアノード用電極を除く部分は、電極パターンの厚みの範囲内で略平坦である。
また、この発明の垂直共振面発光レーザでは、アノード用パッド電極とカソード用パッド電極は、第2方向に沿って、発光領域多層部に対して同じ側に配置されていることが好ましい。
また、この発明の垂直共振面発光レーザでは、アノード用パッド電極とカソード用パッド電極は、第1方向に沿って配列して配置されていることが好ましい。
また、この発明の垂直共振面発光レーザでは、アノード用パッド電極とカソード用パッド電極との第1方向に沿った間隔は、一定であることが好ましい。
また、この発明の垂直共振面発光レーザアレイ素子は、上述のいずれかの垂直共振面発光レーザ素子を複数備え、各垂直共振面発光レーザ素子の各発光領域多層部はそれぞれ所定距離で離間して配置されている。
また、この発明の垂直共振面発光レーザアレイ素子は、ベース基板と、ベース基板の表面側から見て、ベース基板よりも面積が小さく、表面に直交する方向にレーザ光を発光する第1発光領域多層部および第2発光領域多層部と、を備える。垂直共振面発光レーザアレイ素子は、ベース基板の表面に形成され、第1発光領域多層部のアノード用電極に接続する第1アノード用パッド電極と、ベース基板の表面に形成され、第1発光領域多層部のカソード用電極に接続する第1カソード用パッド電極と、ベース基板の表面に形成され、第2発光領域多層部のアノード用電極に接続する第2アノード用パッド電極と、ベース基板の表面に形成され、第2発光領域多層部のカソード用電極に接続する第2カソード用パッド電極と、を備える。ベース基板は、表面側から視て、互いに直交する第1方向と第2方向とを有する形状であり、第2方向の長さは第1方向の長さよりも短い。第1発光領域多層部と第2発光領域多層部とは、第1方向に沿って、離間して配置されている。第1アノード用パッド電極、および、第1カソード用パッド電極は、第2方向に沿って、第1発光領域多層部に対して同じ側に配置されている。第2アノード用パッド電極、および、第2カソード用パッド電極は、第2方向に沿って、第2発光領域多層部に対して同じ側に配置されている。
また、この発明の垂直共振面発光レーザアレイ素子は、ベース基板と、ベース基板の表面側から見て、ベース基板よりも面積が小さく、表面に直交する方向にレーザ光を発光する第1発光領域多層部および第2発光領域多層部と、を備える。垂直共振面発光レーザアレイ素子は、ベース基板の表面に形成され、第1発光領域多層部のアノード用電極に接続する第1アノード用パッド電極と、ベース基板の表面に形成され、第1発光領域多層部のカソード用電極に接続する第1カソード用パッド電極と、ベース基板の表面に形成され、第2発光領域多層部のアノード用電極に接続する第2アノード用パッド電極と、ベース基板の表面に形成され、第2発光領域多層部のカソード用電極に接続する第2カソード用パッド電極と、を備える。第1アノード用パッド電極の中心、第1カソード用パッド電極の中心、第2アノード用パッド電極の中心、および、第2カソード用パッド電極の中心は、第1方向に沿って、第1発光領域多層部と第2発光領域多層部との間に配置されている。
10,10A1,10A2,10B1,10B2,10C1,10C2,10D1,10D2:垂直共振面発光レーザ素子、
11:ベース基板、
21:N型半導体コンタクト層、
22:N型DBR(多層分布ブラッグ反射器)層、
23:P型半導体DBR層、
24:P型コンタクト層、
31:N型半導体クラッド層、
32:P型半導体クラッド層、
40:活性層、
50:酸化狭窄層、
60:絶縁膜、
700,701A,702A,701B,702B,701C,702C,701D,702D:発光領域、
800,800A,800B,800C,800D:吸着領域、
911A,911B,9111,9112,9311,9312,9511,9512,9571,9712:カソード用電極、
921,9211,9212,9411,9412,9611,9612,9811,9812:アノード用電極、
912A,912B,912A1,912B1,912A2,912B2,932A1,932B1,932A2,932B2,952A1,952B1,952A2,952B2,972A1,972B1,972A2,972B2:カソード用パッド電極、
922,9221,9222,9421,9422,9621,9622,9821,9822:アノード用パッド電極、
913A,913B,913A1,913B1,913A2,913B2,933A1,933B1,933A2,933B2,953A1,953B1,953A2,953B2,973A1,973B1,973A2,973B2:カソード配線電極、
923,9231,9232,9431,9432,9631,9632,9831,9832:アノード用配線電極
Claims (15)
- ベース基板と、前記ベース基板の表面側から見て、前記ベース基板よりも面積が小さく、前記表面に直交する方向にレーザ光を発光する発光領域多層部と、を備えた垂直共振面発光レーザ素子の実装方法であって、
前記ベース基板の表面側における前記発光領域多層部と異なる部分に形成されている絶縁膜の表面を、平コレットで吸着する工程と、
前記平コレットで吸着した前記ベース基板を、吸着面と反対側の面が外部回路基板側となるように前記外部回路基板の所定位置に実装する工程と、を有する、
垂直共振面発光レーザ素子の実装方法。 - 前記ベース基板は、前記表面側から視て、互いに直交する第1方向と第2方向とを有する形状であり、前記第2方向の長さは前記第1方向の長さよりも短く、
前記平コレットの吸着面の外径は、前記第2方向の長さ以下である、
請求項1に記載の垂直共振面発光レーザ素子の実装方法。 - 前記垂直共振面発光レーザ素子は、
前記ベース基板の表面側の前記絶縁膜の表面に形成され、前記発光領域多層部のアノード用電極に接続するアノード用パッド電極と、
前記ベース基板の表面側の前記絶縁膜の表面に形成され、前記発光領域多層部のカソード用電極に接続するカソード用パッド電極と、を備え、
前記アノード用パッド電極と前記カソード用パッド電極は、前記第2方向に沿って、前記発光領域多層部に対して同じ側に配置されており、
前記アノード用パッド電極と前記カソード用パッド電極を、それぞれワイヤボンディングによって、前記第2方向における前記アノード用パッド電極と前記カソード用パッド電極を基準にした前記発光領域多層部と反対側において前記外部回路基板に接続する工程を、有する、
請求項1または請求項2に記載の垂直共振面発光レーザ素子の実装方法。 - ベース基板と、前記ベース基板の表面側から見て、前記ベース基板よりも面積が小さく、前記表面に直交する方向にレーザ光を発光する第1発光領域多層部および第2発光領域多層部と、を備えた垂直共振面発光レーザアレイ素子の実装方法であって、
前記ベース基板は、前記表面側から視て、互いに直交する第1方向と第2方向とを有する形状であり、前記第2方向の長さは前記第1方向の長さよりも短く、
前記第1発光領域多層部と前記第2発光領域多層部とは、前記第1方向に沿って、離間して配置されており、
前記ベース基板の表面側における前記第1発光領域多層部と前記第2発光領域多層部との間に形成されている絶縁膜の表面を、平コレットで吸着する工程と、
前記平コレットで吸着した前記ベース基板を、吸着面と反対側の面が外部回路基板側となるように外部回路基板の所定位置に実装する工程と、を有する、
垂直共振面発光レーザアレイ素子の実装方法。 - 前記平コレットの吸着面の外径は、前記第2方向の長さ以下である、請求項4に記載の垂直共振面発光レーザアレイ素子の実装方法。
- 前記垂直共振面発光レーザアレイ素子は、
前記ベース基板の表面側の前記絶縁膜の表面に形成され、前記第1発光領域多層部のアノード用電極に接続する第1アノード用パッド電極と、
前記ベース基板の表面側の前記絶縁膜の表面に形成され、前記第1発光領域多層部のカソード用電極に接続する第1カソード用パッド電極と、
前記ベース基板の表面側の前記絶縁膜の表面に形成され、前記第2発光領域多層部のアノード用電極に接続する第2アノード用パッド電極と、
前記ベース基板の表面側の前記絶縁膜の表面に形成され、前記第2発光領域多層部のカソード用電極に接続する第2カソード用パッド電極と、を備え、
前記第1アノード用パッド電極、および、前記第1カソード用パッド電極は、前記第2方向に沿って、前記第1発光領域多層部に対して同じ側に配置されており、
前記第2アノード用パッド電極、および、前記第2カソード用パッド電極は、前記第2方向に沿って、前記第2発光領域多層部に対して同じ側に配置されており、
前記第1アノード用パッド電極、および、前記第1カソード用パッド電極を、それぞれワイヤボンディングによって、前記第2方向における前記第1アノード用パッド電極、および、前記第1カソード用パッド電極を基準にした前記第1発光領域多層部と反対側において前記外部回路基板に接続する工程と、
前記第2アノード用パッド電極、および、前記第2カソード用パッド電極を、それぞれワイヤボンディングによって、前記第2方向における前記第2アノード用パッド電極、および、前記第2カソード用パッド電極を基準にした前記第2発光領域多層部と反対側において前記外部回路基板に接続する工程と、
を有する、
請求項4または請求項5に記載の垂直共振面発光レーザ素子の実装方法。 - 前記垂直共振面発光レーザアレイ素子は、
前記ベース基板の表面側の前記絶縁膜の表面に形成され、前記第1発光領域多層部のアノード用電極に接続する第1アノード用パッド電極と、
前記ベース基板の表面側の前記絶縁膜の表面に形成され、前記第1発光領域多層部のカソード用電極に接続する第1カソード用パッド電極と、
前記ベース基板の表面側の前記絶縁膜の表面に形成され、前記第2発光領域多層部のアノード用電極に接続する第2アノード用パッド電極と、
前記ベース基板の表面側の前記絶縁膜の表面に形成され、前記第2発光領域多層部のカソード用電極に接続する第2カソード用パッド電極と、を備え、
前記第1アノード用パッド電極の中心、前記第1カソード用パッド電極の中心、前記第2アノード用パッド電極の中心、および、前記第2カソード用パッド電極の中心は、前記第1方向に沿って、前記第1発光領域多層部と前記第2発光領域多層部との間に配置されており、
前記第1アノード用パッド電極、前記第1カソード用パッド電極、前記第2アノード用パッド電極、および、前記第2カソード用パッド電極を、それぞれ前記第2方向にワイヤが延びるワイヤボンディングによって、前記外部回路基板に接続する工程を、有する、
請求項4または請求項5に記載の垂直共振面発光レーザ素子の実装方法。 - ベース基板と、
前記ベース基板の表面側から見て、前記ベース基板よりも面積が小さく、前記表面に直交する方向にレーザ光を発光する発光領域多層部と、
を備えた垂直共振面発光レーザ素子であって、
前記ベース基板は、前記表面側から視て、互いに直交する第1方向と第2方向とを有する形状であり、前記第2方向の長さは前記第1方向の長さよりも短く、
前記発光領域多層部は、前記ベース基板の表面における前記第1方向の中心よりも前記第1方向の一方端側で、且つ、前記第2方向の中心よりも前記第2方向の一方端側で、前記ベース基板の前記第2方向の長さを外形する円の領域に重なり合わない位置に配置されている、
垂直共振面発光レーザ素子。 - 前記ベース基板の表面側の前記絶縁膜の表面に形成され、前記発光領域多層部のアノード用電極に接続するアノード用パッド電極と、
前記ベース基板の表面側の前記絶縁膜の表面に形成され、前記発光領域多層部のカソード用電極に接続するカソード用パッド電極と、を備え、
前記ベース基板の表面側の前記絶縁膜の表面における前記発光領域多層部および前記アノード用電極を除く部分は、電極パターンの厚みの範囲内で略平坦である、
請求項8に記載の垂直共振面発光レーザ素子。 - 前記アノード用パッド電極と前記カソード用パッド電極は、前記第2方向に沿って、前記発光領域多層部に対して同じ側に配置されている、請求項9に記載の垂直共振面発光レーザ素子。
- 前記アノード用パッド電極と前記カソード用パッド電極は、前記第1方向に沿って配列して配置されている、請求項10に記載の垂直共振面発光レーザ素子。
- 前記アノード用パッド電極と前記カソード用パッド電極との第1方向に沿った間隔は、一定である、請求項11に記載の垂直共振面発光レーザ素子。
- 請求項8乃至請求項12のいずれかに記載の垂直共振面発光レーザ素子を複数備え、各垂直共振面発光レーザ素子の各発光領域多層部がそれぞれ所定距離で離間して配置されている垂直共振面発光レーザアレイ素子。
- ベース基板と、
前記ベース基板の表面側から見て、前記ベース基板よりも面積が小さく、前記表面に直交する方向にレーザ光を発光する第1発光領域多層部および第2発光領域多層部と、
を備えた垂直共振面発光レーザアレイ素子であって、
前記ベース基板の表面側の絶縁膜の表面に形成され、前記第1発光領域多層部のアノード用電極に接続する第1アノード用パッド電極と、
前記ベース基板の表面側の前記絶縁膜の表面に形成され、前記第1発光領域多層部のカソード用電極に接続する第1カソード用パッド電極と、
前記ベース基板の表面側の前記絶縁膜の表面に形成され、前記第2発光領域多層部のアノード用電極に接続する第2アノード用パッド電極と、
前記ベース基板の表面側の前記絶縁膜の表面に形成され、前記第2発光領域多層部のカソード用電極に接続する第2カソード用パッド電極と、
を備え、
前記ベース基板は、前記表面側から視て、互いに直交する第1方向と第2方向とを有する形状であり、前記第2方向の長さは前記第1方向の長さよりも短く、
前記第1発光領域多層部と前記第2発光領域多層部とは、前記第1方向に沿って、離間して配置されており、
前記第1アノード用パッド電極、および、前記第1カソード用パッド電極は、前記第2方向に沿って、前記第1発光領域多層部に対して同じ側に配置されており、
前記第2アノード用パッド電極、および、前記第2カソード用パッド電極は、前記第2方向に沿って、前記第2発光領域多層部に対して同じ側に配置されている、
垂直共振面発光レーザアレイ素子。 - ベース基板と、
前記ベース基板の表面側から見て、前記ベース基板よりも面積が小さく、前記表面に直交する方向にレーザ光を発光する第1発光領域多層部および第2発光領域多層部と、
を備えた垂直共振面発光レーザアレイ素子であって、
前記ベース基板の表面側の絶縁膜の表面に形成され、前記第1発光領域多層部のアノード用電極に接続する第1アノード用パッド電極と、
前記ベース基板の表面側の前記絶縁膜の表面に形成され、前記第1発光領域多層部のカソード用電極に接続する第1カソード用パッド電極と、
前記ベース基板の表面側の前記絶縁膜の表面に形成され、前記第2発光領域多層部のアノード用電極に接続する第2アノード用パッド電極と、
前記ベース基板の表面側の前記絶縁膜の表面に形成され、前記第2発光領域多層部のカソード用電極に接続する第2カソード用パッド電極と、
を備え、
前記第1アノード用パッド電極の中心、前記第1カソード用パッド電極の中心、前記第2アノード用パッド電極の中心、および、前記第2カソード用パッド電極の中心は、前記第1方向に沿って、前記第1発光領域多層部と前記第2発光領域多層部との間に配置されている、
垂直共振面発光レーザアレイ素子。
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