JP2007019348A - 面発光レーザ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光出射部20周辺に、光出射部20及びその近傍の盛り上がり部分22を保護するための保護用壁30を設ける。保護用壁の形状はリング状、分割リング状、矩形状など多様な形状がありうる。またその内壁の位置を活性層を含む柱状部分の外側に取ることにより、外部からの衝撃が柱状部分に伝わり難くくなる。
【選択図】 図2
Description
本願発明の第1実施形態の面発光レーザの構造例を図2に断面図で示す。図2において、図1と同様な要素には同じ符号を付してある。
次に、本願発明の第2実施形態の面発光レーザについて述べる。図8は、第2実施形態の面発光レーザの断面図である。
次に、本願発明の第3実施形態の面発光レーザについて述べる。図9は、第3実施形態の面発光レーザの断面図である。
[第4実施形態]
次に、本願発明の第4実施形態の面発光レーザについて述べる。図10及び図11は、第4実施形態の面発光レーザの断面図である。
以上の本実施形態の面発光レーザでは、保護用壁30を上記とおりの構造とすることにより、上記各実施形態の利点に加え、メサ部内の電流狭窄層16への衝撃を効果的に防ぐことができるという利点がある。
11 基板
12 下部反射鏡構造
13 下部クラッド層
14 活性層
15 上部クラッド層
16 電流狭窄層
17 上部反射鏡構造
18 絶縁膜
19 上部電極
20 光出射部
21 出射光(レーザ光)
22 盛り上がり部分
30 保護用壁
31 傾斜部
32 ファイバガイド兼保護用壁
33 保護壁部
34 ファイバガイド部
40 光ファイバ
41 コア
42 クラッド
Claims (5)
- 光出射部周辺に、光出射部及びその近傍の盛り上がり部分を保護するための保護用壁を設けたことを特徴とする面発光レーザ。
- 前記保護用壁の壁面に、光出射部から出射する光の出射角に対応した傾斜を付けたことを特徴とする請求項1記載の面発光レーザ。
- 前記保護用壁が、光ファイバの端部をガイドするファイバガイド部と一体に形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の面発光レーザ。
- 前記保護用壁が感光性樹脂により形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の面発光レーザ。
- 前記保護用壁が、メサ部の外側に設けられていることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の面発光レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005200915A JP4859404B2 (ja) | 2005-07-08 | 2005-07-08 | 面発光レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005200915A JP4859404B2 (ja) | 2005-07-08 | 2005-07-08 | 面発光レーザ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007019348A true JP2007019348A (ja) | 2007-01-25 |
JP4859404B2 JP4859404B2 (ja) | 2012-01-25 |
Family
ID=37756218
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005200915A Expired - Fee Related JP4859404B2 (ja) | 2005-07-08 | 2005-07-08 | 面発光レーザ |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4859404B2 (ja) |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A521 | Written amendment |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110217 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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