JP2010114214A - 面発光型半導体レーザ素子、面発光型半導体レーザ素子の製造方法、および光送信装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】VCSEL10は、下部DBR22には、AlAs等の第1の被酸化Al含有層40が形成され、上部DBR26には、AlAs等の第2の被酸化Al含有層50が形成され、第1の被酸化Al含有層40は、第2の被酸化Al含有層50よりも活性領域から離れた位置にある。第1の被酸化Al含有層40第1の非酸化領域44の大きさは、第2の被酸化Al含有層50の第2の非酸化領域54の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、かつ第1の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより小さく、第2の非酸化領域の大きさは、第2の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、第1の非酸化領域の大きさは、第2の非酸化領域の大きさと同等もしくはそれより大きい。
【選択図】図1
Description
請求項2において、第1導電型はn型であり、第2導電型はp型である。
請求項3に記載の面発光型半導体レーザ素子は、基板上に、高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、光を発する層を含む活性領域、高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡を備え、第2の半導体多層膜反射鏡から第1の半導体多層膜反射鏡の少なくとも一部に至るまでメサ構造もしくはトレンチ構造が形成され、第1の半導体多層膜反射鏡内部もしくは活性領域と第1の半導体多層膜反射鏡の間には、第1の半導体多層膜反射鏡の高Al屈折率層よりもAl組成が高い第1の被酸化Al含有層が形成され、第2の半導体多層膜反射鏡の内部には、第2の半導体多層膜反射鏡の高Al屈折率層よりもAl組成が高い第2の被酸化Al含有層が形成され、第2の被酸化Al含有層は、第1の被酸化Al含有層よりも活性領域から離れた位置に形成され、第1の被酸化Al含有層は、メサ側面から酸化された第1の酸化領域と当該第1の酸化領域によって囲まれた第1の非酸化領域を有し、第2の被酸化Al含有層は、メサ側面から酸化された第2の酸化領域と当該第2の酸化領域によって囲まれた第2の非酸化領域を有し、第1の非酸化領域の大きさは、第1の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、第2の非酸化領域の大きさは、第1の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、かつ第2の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより小さく、第2の非酸化領域の大きさは、第1の非酸化領域の大きさと同等もしくは大きい。
請求項4において、第1導電型はp型であり、第2導電型はn型である。
請求項5に記載の面発光型半導体レーザ素子は、基板上に、高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、光を発する層を含む活性領域、および高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡を備え、少なくとも第2の半導体多層膜反射鏡にメサ構造もしくはトレンチ構造が形成され、第2の半導体多層膜反射鏡の内部もしくは活性領域と第2の半導体多層膜反射鏡の間には、第2の半導体多層膜反射鏡の高Al屈折率層よりもAl組成が高い第1および第2の被酸化Al含有層が形成され、第1の被酸化Al含有層は、第2の被酸化Al含有層よりも活性領域から離れた位置に形成され、第1の被酸化Al含有層は、メサ側面から酸化された第1の酸化領域と当該第1の酸化領域によって囲まれた第1の非酸化領域を有し、第2の被酸化Al含有層は、メサ側面から酸化された第2の酸化領域と当該第2の酸化領域によって囲まれた第2の非酸化領域を有し、第1の非酸化領域の大きさは、第2の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、かつ第1の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより小さく、第2の非酸化領域の大きさは、第2の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きい。
請求項6において、第1導電型はn型であり、第2導電型はp型である。
請求項7に記載の面発光型半導体レーザ素子は、基板上に、高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、光を発する層を含む活性領域、高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡を備え、第2の半導体多層膜反射鏡から第1の半導体多層膜反射鏡の少なくとも一部に至るまでメサ構造もしくはトレンチ構造が形成され、第1の半導体多層膜反射鏡の内部もしくは活性領域と第1の半導体多層膜反射鏡の間には、第1の半導体多層膜反射鏡の高Al屈折率層よりもAl組成が高い第1および第2の被酸化Al含有層が形成され、第2の被酸化Al含有層は、第1の被酸化Al含有層よりも活性領域から離れた位置に形成され、第1の被酸化Al含有層は、メサ側面から酸化された第1の酸化領域と当該第1の酸化領域によって囲まれた第1の非酸化領域を有し、第2の被酸化Al含有層は、メサ側面から酸化された第2の酸化領域と当該第2の酸化領域によって囲まれた第2の非酸化領域を有し、第1の非酸化領域の大きさは、第1の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、第2の非酸化領域の大きさは、第1の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、かつ第2の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより小さい。
請求項8において、第1導電型はp型であり、第2導電型はn型である。
請求項9に記載の面発光型半導体レーザ素子は、基板上に、高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、光を発する層を含む活性領域、高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第1導電型の第2の半導体多層膜反射鏡を備え、第2の半導体多層膜反射鏡から第1の半導体多層膜反射鏡の少なくとも一部に至るまでメサ構造もしくはトレンチ構造が形成され、第1の半導体多層膜反射鏡の内部には、第1の半導体多層膜反射鏡の高Al屈折率層よりもAl組成が高い被酸化Al含有層が形成され、第1の半導体多層膜反射鏡の内部もしくは活性領域と第1の半導体多層膜反射鏡の間にはトンネル接合領域が形成され、被酸化Al含有層は、トンネル接合領域よりも活性領域から離れた位置に形成され、被酸化Al含有層は、メサ側面から酸化された酸化領域と当該酸化領域によって囲まれた非酸化領域を有し、非酸化領域の大きさは、非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより小さい。
請求項10に記載の面発光型半導体レーザ素子は、基板上に、高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、光を発する層を含む活性領域、高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第1導電型の第2の半導体多層膜反射鏡を備え、少なくとも第2の半導体多層膜反射鏡にメサ構造もしくはトレンチ構造が形成され、第2の半導体多層膜反射鏡の内部には、第2の半導体多層膜反射鏡の高Al屈折率層よりもAl組成が高い被酸化Al含有層が形成され、第2の半導体多層膜反射鏡の内部もしくは活性領域と第2の半導体多層膜反射鏡の間にはトンネル接合領域が形成され、被酸化Al含有層は、トンネル接合領域よりも活性領域から離れた位置に形成され、被酸化Al含有層は、メサ側面から酸化された酸化領域と当該酸化領域によって囲まれた非酸化領域を有し、非酸化領域の大きさは、非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより小さい。
請求項11において、第1導電型はn型であり、トンネル接合領域は、不純物濃度が高いn型のトンネル層と不純物濃度が高いp型のトンネル層を含む。
請求項12に記載の面発光型半導体レーザ素子の製造方法は、基板上に、高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、活性領域、および高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡を形成し、かつ、第1および第2の半導体多層膜反射鏡の高Al屈折率層よりもAl組成が高く、膜厚および組成が同一の第1および第2の被酸化Al含有層を、第1の被酸化Al含有層が第2のAl含有層よりも活性領域から離れた位置になるように基板上に形成するステップと、少なくとも第1および第2の被酸化Al含有層の側面が露出するように基板上にメサ構造もしくはトレンチ構造を形成するステップと、第1および第2の被酸化Al含有層をメサ側面から酸化させ、第1および第2の被酸化Al含有層内に第1および第2の非酸化領域を形成するステップとを含み、第2の非酸化領域の大きさは、第2の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、第1の非酸化領域の大きさは、第2の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、かつ第1の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより小さく、第1の非酸化領域の大きさは、第2の非酸化領域の大きさと同等もしくはそれより大きい。
請求項13に記載の光伝送装置は、請求項1ないし11いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ素子と、面発光型半導体レーザ素子の出射面に形成された電極と電気的に接続される接続部材と、面発光型半導体レーザ素子の出射面に対向するように入射面が配置され、入射面から入射された光を伝送する光ファイバとを有するものであって、面発光型半導体レーザ素子の出射面の開口径をD、面発光型半導体レーザ素子の出射面と光ファイバの入射面の距離をh、面発光型半導体レーザ素子の出射光の最大の広がり角を2θ、光ファイバのコア径をdとしたとき、d>D+(2×h×tanθ)の関係が成立する。
請求項2によれば、本構成を有しない場合と比べ素子の低抵抗化を図ることができる。
請求項3によれば、2つの非酸化領域を備えた構成において、本構成を有しない場合と比べ、光出力、生産性、静電放電耐圧を向上することができる。
請求項4によれば、本構成を有しない場合と比べ素子の低抵抗化を図ることができる。
請求項5によれば、2つの非酸化領域を備えた構成において、本構成を有しない場合と比べ、光出力、生産性、静電放電耐圧を向上することができる。
請求項6によれば、本構成を有しない場合と比べ素子の低抵抗化を図ることができる。
請求項7によれば、2つの非酸化領域を備えた構成において、本構成を有しない場合と比べ、光出力、生産性、静電放電耐圧を向上することができる。
請求項8によれば、本構成を有しない場合と比べ素子の低抵抗化を図ることができる。
請求項9によれば、非酸化領域およびトンネル接合領域を備えた構成において、本構成を有しない場合と比べ、光出力、生産性、静電放電耐圧を向上することができる。
請求項10によれば、非酸化領域およびトンネル接合領域を備えた構成において、本構成を有しない場合と比べ、光出力、生産性、静電放電耐圧を向上することができる。
請求項11によれば、本構成を有しない場合と比べ低抵抗化を図ることができる。
請求項12によれば、2つの非酸化領域を備えた構成において、本構成を有しない場合と比べ、生産性を向上することができる。
請求項13によれば、本構成を有しない場合と比べ、構造を簡素化することができる。
第1および第2の被酸化Al含有層40、50は、それぞれ膜厚および組成が等しいAlAs層であり、このAl組成は、下部DBRおよび上部DBRのAl組成よりも高いため、著しく酸化速度が速い。従って、第1および第2の被酸化Al含有層40、50は、メサ側面から内部に向けて同一の酸化が進行することになり、第1および第2の被酸化Al含有層40、50には、メサ形状を反映した酸化領域42、52が形成され、酸化領域42、52によって囲まれた非酸化領域44、54が形成される。なお、メサ構造Mが円錐状をしているので、非酸化領域54の径は、非酸化領域44の径よりも大きくなる。酸化工程が行われた状態を図11に示す。
d>D+(2×h×tanθ)
11:出射面
20:基板
22:下部DBR
24:活性領域
26:上部DBR
28:p側電極
30:n側電極
32:絶縁体
34:金属配線
40、40A、40B:第1の被酸化Al含有層
42、42A、42B:酸化領域
44、44A、44B:非酸化領域(酸化アパーチャー)
50、50A、50B:第2の被酸化Al含有層
52、52A、52B:酸化領域
54、54A、54B:非酸化領域(酸化アパーチャー)
60、60A:トンネル接合領域
66、66A、68、68A:トンネル層
120:光ファイバ
122:コア
126:入射面
Claims (13)
- 基板上に、高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、光を発する層を含む活性領域、および高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡を備え、
第2の半導体多層膜反射鏡から第1の半導体多層膜反射鏡の少なくとも一部に至るまでメサ構造もしくはトレンチ構造が形成され、
第1の半導体多層膜反射鏡の内部には、第1の半導体多層膜反射鏡の高Al屈折率層よりもAl組成が高い第1の被酸化Al含有層が形成され、
第2の半導体多層膜反射鏡の内部もしくは活性領域と第2の半導体多層膜反射鏡の間には、第2の半導体多層膜反射鏡の高Al屈折率層よりもAl組成が高い第2の被酸化Al含有層が形成され、
第1の被酸化Al含有層は、第2の被酸化Al含有層よりも活性領域から離れた位置に形成され、
第1の被酸化Al含有層は、メサ側面から酸化された第1の酸化領域と当該第1の酸化領域によって囲まれた第1の非酸化領域を有し、
第2の被酸化Al含有層は、メサ側面から酸化された第2の酸化領域と当該第2の酸化領域によって囲まれた第2の非酸化領域を有し、
第1の非酸化領域の大きさは、第2の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、かつ第1の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより小さく、
第2の非酸化領域の大きさは、第2の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、
第1の非酸化領域の大きさは、第2の非酸化領域の大きさと同等もしくはそれより大きい、面発光型半導体レーザ素子。 - 第1導電型はn型であり、第2導電型はp型である、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ素子。
- 基板上に、高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、光を発する層を含む活性領域、高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡を備え、
第2の半導体多層膜反射鏡から第1の半導体多層膜反射鏡の少なくとも一部に至るまでメサ構造もしくはトレンチ構造が形成され、
第1の半導体多層膜反射鏡内部もしくは活性領域と第1の半導体多層膜反射鏡の間には、第1の半導体多層膜反射鏡の高Al屈折率層よりもAl組成が高い第1の被酸化Al含有層が形成され、
第2の半導体多層膜反射鏡の内部には、第2の半導体多層膜反射鏡の高Al屈折率層よりもAl組成が高い第2の被酸化Al含有層が形成され、
第2の被酸化Al含有層は、第1の被酸化Al含有層よりも活性領域から離れた位置に形成され、
第1の被酸化Al含有層は、メサ側面から酸化された第1の酸化領域と当該第1の酸化領域によって囲まれた第1の非酸化領域を有し、
第2の被酸化Al含有層は、メサ側面から酸化された第2の酸化領域と当該第2の酸化領域によって囲まれた第2の非酸化領域を有し、
第1の非酸化領域の大きさは、第1の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、
第2の非酸化領域の大きさは、第1の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、かつ第2の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより小さく、
第2の非酸化領域の大きさは、第1の非酸化領域の大きさと同等もしくは大きい、面発光型半導体レーザ素子。 - 第1導電型はp型であり、第2導電型はn型である、請求項3に記載の面発光型半導体レーザ素子。
- 基板上に、高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、光を発する層を含む活性領域、および高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡を備え、
少なくとも第2の半導体多層膜反射鏡にメサ構造もしくはトレンチ構造が形成され、
第2の半導体多層膜反射鏡の内部もしくは活性領域と第2の半導体多層膜反射鏡の間には、第2の半導体多層膜反射鏡の高Al屈折率層よりもAl組成が高い第1および第2の被酸化Al含有層が形成され、
第1の被酸化Al含有層は、第2の被酸化Al含有層よりも活性領域から離れた位置に形成され、
第1の被酸化Al含有層は、メサ側面から酸化された第1の酸化領域と当該第1の酸化領域によって囲まれた第1の非酸化領域を有し、
第2の被酸化Al含有層は、メサ側面から酸化された第2の酸化領域と当該第2の酸化領域によって囲まれた第2の非酸化領域を有し、
第1の非酸化領域の大きさは、第2の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、かつ第1の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより小さく、
第2の非酸化領域の大きさは、第2の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きい、
面発光型半導体レーザ素子。 - 第1導電型はn型であり、第2導電型はp型である、請求項5に記載の面発光型半導体レーザ素子。
- 基板上に、高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、光を発する層を含む活性領域、高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡を備え、
第2の半導体多層膜反射鏡から第1の半導体多層膜反射鏡の少なくとも一部に至るまでメサ構造もしくはトレンチ構造が形成され、
第1の半導体多層膜反射鏡の内部もしくは活性領域と第1の半導体多層膜反射鏡の間には、第1の半導体多層膜反射鏡の高Al屈折率層よりもAl組成が高い第1および第2の被酸化Al含有層が形成され、
第2の被酸化Al含有層は、第1の被酸化Al含有層よりも活性領域から離れた位置に形成され、
第1の被酸化Al含有層は、メサ側面から酸化された第1の酸化領域と当該第1の酸化領域によって囲まれた第1の非酸化領域を有し、
第2の被酸化Al含有層は、メサ側面から酸化された第2の酸化領域と当該第2の酸化領域によって囲まれた第2の非酸化領域を有し、
第1の非酸化領域の大きさは、第1の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、
第2の非酸化領域の大きさは、第1の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、かつ第2の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより小さい、
面発光型半導体レーザ素子。 - 第1導電型はp型であり、第2導電型はn型である、請求項7に記載の面発光型半導体レーザ素子。
- 基板上に、高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、光を発する層を含む活性領域、高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第1導電型の第2の半導体多層膜反射鏡を備え、
第2の半導体多層膜反射鏡から第1の半導体多層膜反射鏡の少なくとも一部に至るまでメサ構造もしくはトレンチ構造が形成され、
第1の半導体多層膜反射鏡の内部には、第1の半導体多層膜反射鏡の高Al屈折率層よりもAl組成が高い被酸化Al含有層が形成され、
第1の半導体多層膜反射鏡の内部もしくは活性領域と第1の半導体多層膜反射鏡の間にはトンネル接合領域が形成され、
被酸化Al含有層は、トンネル接合領域よりも活性領域から離れた位置に形成され、
被酸化Al含有層は、メサ側面から酸化された酸化領域と当該酸化領域によって囲まれた非酸化領域を有し、
非酸化領域の大きさは、非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより小さい、面発光型半導体レーザ素子。 - 基板上に、高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、光を発する層を含む活性領域、高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第1導電型の第2の半導体多層膜反射鏡を備え、
少なくとも第2の半導体多層膜反射鏡にメサ構造もしくはトレンチ構造が形成され、
第2の半導体多層膜反射鏡の内部には、第2の半導体多層膜反射鏡の高Al屈折率層よりもAl組成が高い被酸化Al含有層が形成され、
第2の半導体多層膜反射鏡の内部もしくは活性領域と第2の半導体多層膜反射鏡の間にはトンネル接合領域が形成され、
被酸化Al含有層は、トンネル接合領域よりも活性領域から離れた位置に形成され、
被酸化Al含有層は、メサ側面から酸化された酸化領域と当該酸化領域によって囲まれた非酸化領域を有し、
非酸化領域の大きさは、非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより小さい、面発光型半導体レーザ素子。 - 第1導電型はn型であり、トンネル接合領域は、不純物濃度が高いn型のトンネル層と不純物濃度が高いp型のトンネル層を含む、請求項9または10に記載の面発光型半導体レーザ素子。
- 基板上に、高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、活性領域、および高いAl組成の高Al屈折率層と当該高Al屈折率層よりAl組成の低い低Al屈折率層の積層構造を含む第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡を形成し、かつ、第1および第2の半導体多層膜反射鏡の高Al屈折率層よりもAl組成が高く、膜厚および組成が同一の第1および第2の被酸化Al含有層を、第1の被酸化Al含有層が第2のAl含有層よりも活性領域から離れた位置になるように基板上に形成するステップと、
少なくとも第1および第2の被酸化Al含有層の側面が露出するように基板上にメサ構造もしくはトレンチ構造を形成するステップと、
第1および第2の被酸化Al含有層をメサ側面から酸化させ、第1および第2の被酸化Al含有層内に第1および第2の非酸化領域を形成するステップとを含み、
第2の非酸化領域の大きさは、第2の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、
第1の非酸化領域の大きさは、第2の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、かつ第1の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより小さく、
第1の非酸化領域の大きさは、第2の非酸化領域の大きさと同等もしくはそれより大きい、
面発光型半導体レーザ素子の製造方法。 - 請求項1ないし11いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ素子と、面発光型半導体レーザ素子の出射面に形成された電極と電気的に接続される接続部材と、面発光型半導体レーザ素子の出射面に対向するように入射面が配置され、入射面から入射された光を伝送する光ファイバとを有する光伝送装置であって、
面発光型半導体レーザ素子の出射面の開口径をD、面発光型半導体レーザ素子の出射面と光ファイバの入射面の距離をh、面発光型半導体レーザ素子の出射光の最大の広がり角を2θ、光ファイバのコア径をdとしたとき、
d>D+(2×h×tanθ)の関係が成立する、光伝送装置。
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