JP2013175712A - 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】面発光型半導体レーザ10は、基板100と、n型の下部DBR102と、活性領域104と、p型の上部DBR106とを有する。下部DBR102内には、活性領域で発生された光を閉じ込める第1の酸化狭窄層110が形成され、上部DBR106内には、活性領域104に流れる電流を狭窄する第2の酸化狭窄層120が形成され、上部DBR106の光出射口には、周辺部の反射率を中心部よりも小さくした反射率調整部材150が形成される。第1の酸化狭窄層110の非酸化領域110Bの径Do、第2の酸化狭窄層120の非酸化領域120Bの径幅Do2、反射率調整部材150の中心部の径Dnとしたとき、Do1<D02、かつ、Dn<Do2の関係である。
【選択図】図1
Description
請求項2は、Do1≦Dn<Do2である、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項3は、前記光学的損失手段は、前記第2の半導体多層膜反射鏡上の光出射領域に形成される、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項4は、前記狭窄手段および前記光閉じ込め手段は、それぞれ半導体層を選択酸化することにより構成される、請求項1ないし3いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項5は、前記狭窄手段は、半導体層にイオンを注入することにより構成され、前記光閉じ込め手段は、半導体層を選択酸化することにより構成される、請求項1ないし3いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項6は、前記狭窄手段は、トンネル接合領域を含んで構成され、前記光閉じ込め手段は、半導体層を選択酸化することにより構成される、請求項1ないし3いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項7は、前記光学的損失手段は、前記中心部よりも前記周辺部における反射率を低下させる、請求項1ないし6いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項8は、前記光学的損失手段は、前記第2の半導体多層膜反射鏡上に形成される少なくとも1つの誘電体膜を有する、請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項9は、前記光学的損失手段は、前記第2の半導体多層膜反射鏡の少なくとも最上層をエッチングすることにより構成される、請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項10は、前記光学的損失手段は、前記第2の半導体多層膜反射鏡上に形成された金属膜を含む、請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項11は、前記基板上に柱状構造が形成され、前記狭窄手段および前記光閉じ込め手段は、前記柱状構造内に形成され、前記光学的損失手段は、前記柱状構造の頂部に形成される、請求項1ないし10いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項12は、前記第2の半導体多層膜反射鏡から前記第1の半導体多層膜反射鏡に至る複数の穴が形成され、前記狭窄手段および前記光閉じ込め手段は、前記穴を介して選択的に酸化された酸化領域を含んで構成される、請求項1ないし10いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項13は、前記基板上に、前記第2の半導体多層膜反射鏡を除去することにより柱状構造が形成され、さらに前記柱状構造によって露出された前記第1の半導体多層膜反射鏡には複数の穴が形成され、前記狭窄手段は、前記柱状構造により露出された側面から選択的に酸化された酸化領域を含み、前記光閉じ込め手段は、前記穴を介して選択的に酸化された酸化領域を含む、請求項1ないし10いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項14は、前記光閉じ込め手段は、前記第1の半導体多層膜反射鏡内に形成され、前記狭窄手段は、前記第2の半導体多層膜反射鏡内に形成され、前記活性領域からの前記光閉じ込め手段までの距離は、前記活性領域からの前記狭窄手段までの距離よりも大きい、請求項1ないし13いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項15は、前記光閉じ込め手段の幅Do1は、基本横モード発振させるための大きさである、請求項1ないし14いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項16は、請求項1ないし15いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、前記面発光型半導体レーザからの光を入射する光学部材と、を備えた面発光型半導体レーザ装置。
請求項17は、請求項16に記載された面発光型半導体レーザ装置と、前記面発光型半導体レーザ装置から発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段と、を備えた光伝送装置。
請求項18は、請求項1ないし15いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、前記面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構と、を有する情報処理装置。
請求項19は、基板と、前記基板上に形成された第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡と、前記第1の半導体多層膜反射鏡上に形成された活性領域と、前記活性領域上に形成された第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡とを含む面発光型半導体レーザの製造方法であって、前記第2の半導体多層膜反射鏡上に環状の電極を形成する工程と、前記電極の開口部を覆う第1の誘電体膜を形成する工程と、前記第1の誘電体膜を覆う第2の誘電体膜を形成する工程と、前記第2の誘電体膜をエッチングし、前記第2の半導体多層膜反射鏡を露出する第1の開口と前記第1の誘電体膜を露出する第2の開口とを前記第2の誘電体膜に形成する工程と、少なくとも前記第1の開口を規定する前記第2の誘電体膜をマスクに用いて少なくとも前記第2の半導体多層膜反射鏡をエッチングし、前記基板上に柱状構造を形成する工程と、前記第2の半導体多層膜反射鏡の半導体層を前記柱状構造の側面から選択的に酸化し、前記活性領域に流れる電流を狭窄する電流狭窄層を形成する工程と、前記第1の半導体多層膜反射鏡内に前記活性領域で発生された光を閉じ込める光閉じ込め層を形成する工程とを有し、前記光閉じ込め層は、閉じ込め領域の任意に定められた方向の幅Do1を有し、前記電流狭窄層は、狭窄領域の任意に定められた方向の幅Do2を有し、第1の誘電体膜が第2の誘電体膜によって覆われた領域の反射率は、第1の誘電体膜が第2の誘電体膜によって覆われていない領域の反射率よりも低く、かつ前記第2の開口の任意に定められた方向の幅Dnを有し、Do1<D02、かつ、Dn<Do2である、面発光型半導体レーザの製造方法。
請求項20は、前記光閉じ込め層を形成する工程は、前記第1の半導体多層膜反射鏡に複数の穴を形成する工程と、前記複数の穴を介して前記第1の半導体多層膜反射鏡内に選択的に酸化された前記光閉じ込め層を形成する工程とを含み、前記光閉じ込め層と前記電流狭窄層とは同時に形成される、請求項19に記載の製造方法。
請求項3によれば、高次モード発振を抑制することができる。
請求項4によれば、長寿命化の面発光型半導体レーザを提供することができる。
請求項5、6によれば、狭窄手段および光閉じ込め手段の形成を容易化することができる。
請求項7によれば、周辺部における高次モード発振を抑制することができる。
請求項8、9、10によれば、光学的損失の形成を容易化することができる。
請求項11、12、13によれば、生産性に優れた面発光型半導体レーザを提供することができる。
請求項14によれば、低抵抗化を図ることができる。
請求項15によれば、高次モードを抑制した単一モード発振を得ることができる。
請求項16ないし18によれば、高光出力および長寿命化の面発光型半導体レーザを利用した面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置を提供することができる。
請求項19、20によれば、高光出力の面発光型半導体レーザを提供することができる。
中心部の反射率が周辺部の反射率よりも高くなるように、コンタクト層106Aの膜厚および溝の深さが選択される。
100:基板
101:バッファ層
102:下部DBR
104:活性領域
106:上部DBR
106A:コンタクト層
110:第1の酸化狭窄層
110A:酸化領域
110B:非酸化領域
120:第2の酸化狭窄層
120A:酸化領域
120B:非酸化領域
130:層間絶縁膜
140:p側電極
140A:上部電極
142:n側電極
150、150A〜150F:反射率変調部材
152:中心部
160:第1の反射率調整材料
162:第2の反射率調整材料
180、190、200:穴
182、192、202:連結部
184、194:高抵抗化領域
Lf:高次モード発振
P、P1:電流経路
Claims (20)
- 基板と、
前記基板上に形成された第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡と、
前記第1の半導体多層膜反射鏡上に形成された活性領域と、
前記活性領域上に形成された第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡と、
前記活性領域に流れる電流を狭窄する狭窄手段と、
前記活性領域で発生された光を閉じ込める光閉じ込め手段と、
前記狭窄手段および前記光閉じ込め手段とは別に、任意に定められた方向に中心部とその周辺部とを含み、前記中心部よりも前記周辺部に大きな光学的損失を与える光学的損失手段とを有し、
前記光閉じ込め手段は、光を閉じ込める領域の任意に定められた方向の幅Do1を有し、
前記狭窄手段は、電流を狭窄する領域の任意に定められた方向の幅Do2を有し、
前記光学的損失手段は、前記中心部の任意に定められた方向の幅Dnを有し、
Do1<D02、かつ、Dn<Do2である、面発光型半導体レーザ。 - Do1≦Dn<Do2である、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記光学的損失手段は、前記第2の半導体多層膜反射鏡上の光出射領域に形成される、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記狭窄手段および前記光閉じ込め手段は、それぞれ半導体層を選択酸化することにより構成される、請求項1ないし3いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記狭窄手段は、半導体層にイオンを注入することにより構成され、前記光閉じ込め手段は、半導体層を選択酸化することにより構成される、請求項1ないし3いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記狭窄手段は、トンネル接合領域を含んで構成され、前記光閉じ込め手段は、半導体層を選択酸化することにより構成される、請求項1ないし3いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記光学的損失手段は、前記中心部よりも前記周辺部における反射率を低下させる、請求項1ないし6いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記光学的損失手段は、前記第2の半導体多層膜反射鏡上に形成される少なくとも1つの誘電体膜を有する、請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記光学的損失手段は、前記第2の半導体多層膜反射鏡の少なくとも最上層をエッチングすることにより構成される、請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記光学的損失手段は、前記第2の半導体多層膜反射鏡上に形成された金属膜を含む、請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記基板上に柱状構造が形成され、前記狭窄手段および前記光閉じ込め手段は、前記柱状構造内に形成され、前記光学的損失手段は、前記柱状構造の頂部に形成される、請求項1ないし10いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記第2の半導体多層膜反射鏡から前記第1の半導体多層膜反射鏡に至る複数の穴が形成され、前記狭窄手段および前記光閉じ込め手段は、前記穴を介して選択的に酸化された酸化領域を含んで構成される、請求項1ないし10いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記基板上に、前記第2の半導体多層膜反射鏡を除去することにより柱状構造が形成され、さらに前記柱状構造によって露出された前記第1の半導体多層膜反射鏡には複数の穴が形成され、
前記狭窄手段は、前記柱状構造により露出された側面から選択的に酸化された酸化領域を含み、
前記光閉じ込め手段は、前記穴を介して選択的に酸化された酸化領域を含む、請求項1ないし10いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。 - 前記光閉じ込め手段は、前記第1の半導体多層膜反射鏡内に形成され、前記狭窄手段は、前記第2の半導体多層膜反射鏡内に形成され、前記活性領域からの前記光閉じ込め手段までの距離は、前記活性領域からの前記狭窄手段までの距離よりも大きい、請求項1ないし13いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記光閉じ込め手段の幅Do1は、基本横モード発振させるための大きさである、請求項1ないし14いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 請求項1ないし15いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、
前記面発光型半導体レーザからの光を入射する光学部材と、
を備えた面発光型半導体レーザ装置。 - 請求項16に記載された面発光型半導体レーザ装置と、
前記面発光型半導体レーザ装置から発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段と、
を備えた光伝送装置。 - 請求項1ないし15いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、
前記面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、
前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構と、
を有する情報処理装置。 - 基板と、前記基板上に形成された第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡と、前記第1の半導体多層膜反射鏡上に形成された活性領域と、前記活性領域上に形成された第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡とを含む面発光型半導体レーザの製造方法であって、
前記第2の半導体多層膜反射鏡上に環状の電極を形成する工程と、
前記電極の開口部を覆う第1の誘電体膜を形成する工程と、
前記第1の誘電体膜を覆う第2の誘電体膜を形成する工程と、
前記第2の誘電体膜をエッチングし、前記第2の半導体多層膜反射鏡を露出する第1の開口と前記第1の誘電体膜を露出する第2の開口とを前記第2の誘電体膜に形成する工程と、
少なくとも前記第1の開口を規定する前記第2の誘電体膜をマスクに用いて少なくとも前記第2の半導体多層膜反射鏡をエッチングし、前記基板上に柱状構造を形成する工程と、
前記第2の半導体多層膜反射鏡の半導体層を前記柱状構造の側面から選択的に酸化し、前記活性領域に流れる電流を狭窄する電流狭窄層を形成する工程と、
前記第1の半導体多層膜反射鏡内に前記活性領域で発生された光を閉じ込める光閉じ込め層を形成する工程とを有し、
前記光閉じ込め層は、閉じ込め領域の任意に定められた方向の幅Do1を有し、
前記電流狭窄層は、狭窄領域の任意に定められた方向の幅Do2を有し、
第1の誘電体膜が第2の誘電体膜によって覆われた領域の反射率は、第1の誘電体膜が第2の誘電体膜によって覆われていない領域の反射率よりも低く、かつ前記第2の開口の任意に定められた方向の幅Dnを有し、Do1<D02、かつ、Dn<Do2である、面発光型半導体レーザの製造方法。 - 前記光閉じ込め層を形成する工程は、前記第1の半導体多層膜反射鏡に複数の穴を形成する工程と、前記複数の穴を介して前記第1の半導体多層膜反射鏡内に選択的に酸化された前記光閉じ込め層を形成する工程とを含み、前記光閉じ込め層と前記電流狭窄層とは同時に形成される、請求項19に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013009314A JP5983423B2 (ja) | 2012-01-24 | 2013-01-22 | 面発光型半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012011724 | 2012-01-24 | ||
JP2012011724 | 2012-01-24 | ||
JP2013009314A JP5983423B2 (ja) | 2012-01-24 | 2013-01-22 | 面発光型半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013175712A true JP2013175712A (ja) | 2013-09-05 |
JP5983423B2 JP5983423B2 (ja) | 2016-08-31 |
Family
ID=48797159
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013009314A Active JP5983423B2 (ja) | 2012-01-24 | 2013-01-22 | 面発光型半導体レーザの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8731012B2 (ja) |
JP (1) | JP5983423B2 (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150306 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20160225 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160718 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5983423 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |