JPWO2018096850A1 - 面発光レーザおよび電子機器 - Google Patents
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-
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- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
Abstract
Description
1.第1の実施の形態(面発光レーザ)
ELO(Epitaxial Lateral Overgrowth)法により、
第1DBR層を埋め込む第1半導体層を形成した例
2.第2の実施の形態(面発光レーザ)
一般的なMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor
Deposition)法により、第1DBR層上に第1半導体層を形成した例
3.第3の実施の形態(面発光レーザ)
CMP(Chemical Mechanical Polishing)により、
基板を除去した上で第1DBR層を形成した例
4.第4の実施の形態(面発光レーザ)
凹面鏡型の第1DBR層を形成した例
5.各実施の形態に共通の変形例(面発光レーザ)
変形例A:電流狭窄領域を3つの不純物領域で構成した例
変形例B:電流狭窄領域を逆テーパー状の不純物領域で構成した例
6.第5の実施の形態(光通信装置)
光通信装置の光源に上記各実施の形態の面発光レーザを用いた例
7.第6の実施の形態(印刷装置)
印刷装置の光源に上記各実施の形態の面発光レーザを用いた例
8.第7の実施の形態(情報再生記録装置)
情報再生記録装置の光源に上記各実施の形態の面発光レーザを
用いた例
[構成]
本開示の第1の実施の形態に係る面発光レーザ10の構成について説明する。図1は、面発光レーザ10の断面構成例を表したものである。
次に、本実施の形態に係る面発光レーザ10の製造方法の一例について説明する。面発光レーザ10を製造するためには、例えば基板11上に、窒化物半導体を、例えばMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition :有機金属気相成長)法やELO法などのエピタキシャル結晶成長法により一括に形成する。この際、化合物半導体の原料としては、例えば、Gaの原料ガスとしては例えばトリメチルガリウム((CH3)3Ga)を用い、Alの原料ガスとしては例えばトリメチルアルミニウム((CH3)3Al)を用い、Inの原料ガスとしては例えばトリメチルインジウム((CH3)3In)を用いる。また、Nの原料ガスとしてはアンモニア(NH3)を用いる。
このような構成の面発光レーザ10では、第3電極層17Bと第1電極層19との間に所定の電圧が印加されると、開口部16Hを通して活性層14に電流が注入され、これにより電子と正孔の再結合による発光が生じる。この光は、一対の第1DBR層12および第2DBR層18により反射され、所定の発振波長λでレーザ発振が生じる。そして、第2DBR層18の上面から発振波長λのレーザ光が外部に出射される。
次に、本実施の形態に係る面発光レーザ10の効果について説明する。
次に、本開示の第2の実施の形態に係る面発光レーザ20について説明する。図3は、面発光レーザ20の断面構成例を表したものである。面発光レーザ20は、上記実施の形態の面発光レーザ10において、第1DBR層12の代わりに第1DBR層22を備え、第1半導体層13の代わりに第1半導体層23を備えたものである。従って、面発光レーザ20では、第1半導体層13の代わりに第1半導体層23を含む積層体20Aが設けられており、さらに、最表面10Bの代わりに最表面20Bが設けられている。
次に、本開示の第3の実施の形態に係る面発光レーザ30について説明する。図4は、面発光レーザ30の断面構成例を表したものである。面発光レーザ30は、上記第2の実施の形態の面発光レーザ20において、第1DBR層22を形成せずに第1半導体層23等を形成した後に基板11を除去して第1DBR層22の裏面を露出させ、その裏面に接する第1半導体層23および第1電極層39を設けたものである。面発光レーザ30は、さらに、上記第2の実施の形態の面発光レーザ20において、第2DBR層18および第3電極層17Bを覆う半田層33を介して積層体20Aを支持する支持基板34を備えたものである。つまり、面発光レーザ30は、発振波長λの光を第1DBR層22側から出射する裏面出射型の半導体レーザである。
次に、本開示の第4の実施の形態に係る面発光レーザ40について説明する。図5は、面発光レーザ40の断面構成例を表したものである。面発光レーザ40は、上記第3の実施の形態の面発光レーザ30において、第1半導体層23の代わりに、裏面に凸部41Aを有する第1半導体層41を備え、さらに、第1DBR層22の代わりに第1DBR層42を備えたものである。電流狭窄領域16は、活性層14に到達する程度の深さとなっていることが好ましいが、活性層14に到達しない程度の深さとなっていてもよい。半田層33および支持基板34は、省略されていてもよいし、設けられていてもよい。
次に、上記第1〜第4の実施の形態に共通の変形例について説明する。
図6Aは、図1、図3、図4、図5の電流狭窄領域16の断面構成の一変形例を表したものである。図6Bは、図6Aの電流狭窄領域16を模式的に表したものである。図6Cは、図6Bの電流狭窄領域16の上面構成例を表したものである。
図7Aは、図1、図3、図4、図5の電流狭窄領域16の断面構成の一変形例を模式的に表したものである。図7Bは、図7Aの電流狭窄領域16の上面構成例を表したものである。
上記各実施の形態およびそれらの変形例において、面発光レーザ10〜40は、GaAs系もしくはInP系の半導体レーザであってもよい。この場合、電流狭窄領域16を形成する不純物としては、例えば、水素、ホウ素、酸素、クロム、炭素、フッ素、アルミニウム、ニッケル、銅、マグネシウム、鉄などが挙げられる。
[構成]
次に、本開示の第5の実施の形態に係る光通信装置50について説明する。図8は、光通信装置50の断面構成の一例を表したものである。光通信装置50は、プリント配線基板51上に、2つのLSIチップ52,53が実装されたものである。一方のLSIチップ52の表面上には、発光素子54が配置されている。発光素子54は、上記各実施の形態およびそれらの変形例に係る面発光レーザ10〜40のいずれかである。LSIチップ52からの電気信号が発光素子54によって光信号に変換され、光信号が発光素子54から出力される。他方のLSIチップ53の表面上には、フォトダイオードなどの受光素子55が配置されている。受光素子55に入力された光信号が受光素子55で電気信号に変換され、電気信号がLSIチップ53に入力される。
[構成]
次に、本開示の第6の実施の形態に係る印刷装置60について説明する。図9は、印刷装置60の概略構成の一例を表したものである。印刷装置60は、例えば、光源61と、光源61からの光を反射させると共に反射光を走査させるポリゴンミラー62と、ポリゴンミラー62からの光を感光ドラム64に導くfθレンズ63と、fθレンズ63からの光を受けて静電潜像を形成する感光ドラム64と、感光ドラム64に静電潜像に応じたトナーを付着させるトナー供給器(図示せず)とを備えている。
[構成]
次に、本開示の第7の実施の形態に係る情報再生記録装置70について説明する。図10は、情報再生記録装置70の概略構成の一例を表したものである。情報再生記録装置70は、例えば、光装置71と、情報処理部72とを備えている。
(1)
活性層と、前記活性層を挟み込む第1半導体層および第2半導体層とを含む積層体と、
前記第2半導体層側から前記積層体内に注入された不純物によって形成された、開口部を有する電流狭窄領域と、
前記開口部と対向する位置において前記積層体を挟み込む、前記第1半導体層側の第1DBR層および前記第2半導体層側の第2DBR層と
を備え、
前記開口部において、前記第1DBR層寄りの開口径が、前記第2DBR層寄りの開口径よりも大きくなっている
面発光レーザ。
(2)
前記開口部において、前記第1DBR層寄りの開口径が、前記第2DBR層寄りの開口径よりも、λ/n以上大きくなっている
(1)に記載の面発光レーザ。
(3)
前記電流狭窄領域は、深さおよび開口径が互いに異なる同心円環状の第1不純物領域および第2不純物領域を含み、
前記第1不純物領域の深さは、前記第2不純物領域の深さよりも深くなっており、
前記第1不純物領域の開口径は、前記第2不純物領域の開口径よりも大きくなっている
(1)または(2)に記載の面発光レーザ。
(4)
前記電流狭窄領域は、深さおよび開口径が互いに異なる同心円環状の複数の不純物領域からなり、
相対的に深さの深い前記不純物領域の開口径が、相対的に深さの浅い前記不純物領域の開口径よりも大きくなっている
(1)または(2)に記載の面発光レーザ。
(5)
前記開口部の開口径は、前記第2DBR層側から前記第1DBR層側に向かって、連続的に、または、断続的に、大きくなっている
(1)ないし(4)のいずれか1つに記載の面発光レーザ。
(6)
前記第1不純物領域を形成する不純物と、前記第2不純物領域を形成する不純物とは、互いに異なっている
(3)に記載の面発光レーザ。
(7)
前記積層体は、窒化物半導体によって構成されており、
前記電流狭窄領域は、前記不純物として、酸素、ホウ素、塩素、炭素、フッ素、ボロン、アルミニウム、ニッケル、銅、マグネシウムおよび鉄のうち、少なくとも1つを含む
(1)ないし(6)のいずれか1つに記載の面発光レーザ。
(8)
前記積層体のうち、前記第2DBR層側の最表面に接する光透過性電極をさらに備え、
前記光透過性電極は、前記最表面のうち、少なくとも前記第2DBR層と対向する領域全体に接している
(1)ないし(7)のいずれか1つに記載の面発光レーザ。
(9)
面発光レーザを光源として備え、
前記面発光レーザは、
活性層と、前記活性層を挟み込む第1半導体層および第2半導体層とを含む積層体と、
前記第2半導体層側から前記積層体内に注入された不純物によって形成された、開口部を有する電流狭窄領域と、
前記開口部と対向する位置において前記積層体を挟み込む、前記第1半導体層側の第1DBR層および前記第2半導体層側の第2DBR層と
を有し、
前記開口部において、前記第1DBR層寄りの開口径が、前記第2DBR層寄りの開口径よりも大きくなっている
電子機器。
Claims (9)
- 活性層と、前記活性層を挟み込む第1半導体層および第2半導体層とを含む積層体と、
前記第2半導体層側から前記積層体内に注入された不純物によって形成された、開口部を有する電流狭窄領域と、
前記開口部と対向する位置において前記積層体を挟み込む、前記第1半導体層側の第1DBR(distributed Bragg reflector)層および前記第2半導体層側の第2DBR層と
を備え、
前記開口部において、前記第1DBR層寄りの開口径が、前記第2DBR層寄りの開口径よりも大きくなっている
面発光レーザ。 - 前記開口部において、前記第1DBR層寄りの開口径が、前記第2DBR層寄りの開口径よりも、λ/n(λは発振波長、nは前記積層体の屈折率)以上大きくなっている
請求項1に記載の面発光レーザ。 - 前記電流狭窄領域は、深さおよび開口径が互いに異なる同心円環状の第1不純物領域および第2不純物領域を含み、
前記第1不純物領域の深さは、前記第2不純物領域の深さよりも深くなっており、
前記第1不純物領域の開口径は、前記第2不純物領域の開口径よりも大きくなっている
請求項1に記載の面発光レーザ。 - 前記電流狭窄領域は、深さおよび開口径が互いに異なる同心円環状の複数の不純物領域からなり、
相対的に深さの深い前記不純物領域の開口径が、相対的に深さの浅い前記不純物領域の開口径よりも大きくなっている
請求項1に記載の面発光レーザ。 - 前記開口部の開口径は、前記第2DBR層側から前記第1DBR層側に向かって、連続的に、または、断続的に、大きくなっている
請求項1に記載の面発光レーザ。 - 前記第1不純物領域を形成する不純物と、前記第2不純物領域を形成する不純物とは、互いに異なっている
請求項3に記載の面発光レーザ。 - 前記積層体は、窒化物半導体によって構成されており、
前記電流狭窄領域は、前記不純物として、酸素、ホウ素、塩素、炭素、フッ素、ボロン、アルミニウム、ニッケル、銅、マグネシウムおよび鉄のうち、少なくとも1つを含む
請求項1に記載の面発光レーザ。 - 前記積層体のうち、前記第2DBR層側の最表面に接する光透過性電極をさらに備え、
前記光透過性電極は、前記最表面のうち、少なくとも前記第2DBR層と対向する領域全体に接している
請求項1に記載の面発光レーザ。 - 面発光レーザを光源として備え、
前記面発光レーザは、
活性層と、前記活性層を挟み込む第1半導体層および第2半導体層とを含む積層体と、
前記第2半導体層側から前記積層体内に注入された不純物によって形成された、開口部を有する電流狭窄領域と、
前記開口部と対向する位置において前記積層体を挟み込む、前記第1半導体層側の第1DBR(distributed Bragg reflector)層および前記第2半導体層側の第2DBR層と
を有し、
前記開口部において、前記第1DBR層寄りの開口径が、前記第2DBR層寄りの開口径よりも大きくなっている
電子機器。
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