JP2015035541A - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】光の散乱を最小限に抑えることができ、しかも、接触抵抗の上昇を抑制し得る発光素子を提供する。【解決手段】発光素子は、第１面２１ａ及び第２面２１ｂを有する第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２化合物半導体層２２が積層されて成る積層構造体２０、第１化合物半導体層２１の第１面２１ａに形成された第１電極３１、及び、第１化合物半導体層２１の第１面２１ａに形成された多層膜から成る第１光反射層４１、並びに、第２化合物半導体層２２の上に形成された第２電極３２及び多層膜から成る第２光反射層４２を備えており、第１化合物半導体層２１の第１面２１ａは、平坦領域２１Ａ、及び、平坦領域２１Ａよりも粗い粗面領域２１Ｂを有しており、第１光反射層４１は、少なくとも平坦領域２１Ａに形成されており、第１電極３１は、少なくとも粗面領域２１Ｂに形成されている。【選択図】 図１

Description

本開示は、発光素子及びその製造方法に関する。

窒化物半導体から構成された面発光レーザ素子（垂直共振器レーザ、ＶＣＳＥＬ）が、例えば、特開２０１０−１２３９２１から周知である。この特許公開公報に開示された面発光レーザ素子は、
基板上に、第２導電型層、発光層及び第１導電型層をこの順に積層した窒化物半導体の積層体を形成し、
第１導電型層上に誘電体多層膜から成る第１ブラッグ反射器を形成し、
第１ブラッグ反射器上に第１導電型層と電気的に接続された第１電極を形成し、
第１ブラッグ反射器及び第１電極を介して、積層体を支持基板に接合し、
積層体から基板を除去して第２導電型層を露出させ、
第２導電型層の露出した面に、第２電極と、誘電体多層膜から成り、第１ブラッグ反射器と対向するように配置された第２ブラッグ反射器とを形成することで製造される。

ここで、積層体から基板の一部又は全てを除去して第２導電型層を露出させるが、基板の除去は、レーザリフトオフ法、研磨、エッチング等を利用している。また、露出した第２導電型層の表面を、適当な研磨剤を用いたＣＭＰ法（化学的／機械的研磨法）、適当なエッチャントを用いたエッチング方法等に基づき鏡面仕上げすることで、第２導電型層表面での光の散乱を最小限に抑える。そして、鏡面仕上げされた第２導電型層の表面の上に、第２電極と第２ブラッグ反射器とを任意の順序で形成する。

特開２０１０−１２３９２１

ところで、鏡面仕上げされた第２導電型層の表面に第２電極を形成すると、第２導電型層と第２電極との間の接触抵抗が上昇し易いといった問題がある。

従って、本開示の目的は、ＧａＮ系化合物半導体層上に光反射層及び電極が形成された発光素子であって、ＧａＮ系化合物半導体層表面での光の散乱を最小限に抑えることができ、しかも、ＧａＮ系化合物半導体層と電極との間の接触抵抗の上昇を抑制し得る構成、構造を有する発光素子、及び、その製造方法を提供することにある。

上記の目的を達成するための本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る発光素子は、
（Ａ）ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
が積層されて成る積層構造体、
（Ｂ）第１化合物半導体層の第１面上に形成された第１電極、及び、第１化合物半導体層の第１面上に形成された多層膜から成る第１光反射層、並びに、
（Ｃ）第２化合物半導体層の第２面上に形成された第２電極及び多層膜から成る第２光反射層、
を備えている。

そして、本開示の第１の態様に係る発光素子にあっては、
第１化合物半導体層の第１面は、平坦領域、及び、平坦領域よりも粗い粗面領域を有しており、
第１光反射層は、少なくとも平坦領域に形成されており、
第１電極は、少なくとも粗面領域に形成されている。

また、本開示の第２の態様に係る発光素子にあっては、
第１化合物半導体層の第１面には、段差部が形成されており、
少なくとも段差部の内側には、第１光反射層が形成されており、
少なくとも段差部の外側には、第１電極が形成されている。

上記の目的を達成するための本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、
（ａ）発光素子製造用基板上に、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
が積層されて成る積層構造体を形成した後、
（ｂ）第２化合物半導体層の第２面上に第２電極及び多層膜から成る第２光反射層を形成し、次いで、
（ｃ）第２光反射層を支持基板に固定した後、
（ｄ）発光素子製造用基板を除去して、第１化合物半導体層の第１面を露出させる。尚、発光素子の性能面において、発光素子製造用基板が厚さ方向に若干残っていても問題が無ければ、発光素子製造用基板を除去した後に発光素子製造用基板が厚さ方向に若干残っている形態も、第１化合物半導体層の第１面を露出させる形態に包含される。以下においても同様である。

そして、本開示の第１の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、上記工程（ｄ）に次いで、
（ｅ）第１化合物半導体層の第１面に粗面領域を形成し、少なくとも、粗面領域によって囲まれた第１化合物半導体層の第１面の部分である平坦領域に、多層膜から成る第１光反射層を形成し、少なくとも粗面領域に第１電極を形成する工程を備えている。また、本開示の第２の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、上記工程（ｄ）に次いで、
（ｅ）第１化合物半導体層の第１面に段差部を形成し、少なくとも段差部の内側に多層膜から成る第１光反射層を形成し、少なくとも段差部の外側に第１電極を形成する工程を備えている。

本開示の第１の態様に係る発光素子において、第１化合物半導体層の第１面は平坦領域及び粗面領域を有しており、第１光反射層が少なくとも平坦領域に形成されており、第１電極が少なくとも粗面領域に形成されている。それ故、第１化合物半導体層表面での光の散乱を最小限に抑えることができ、しかも、第１化合物半導体層と第１電極との間の接触抵抗の上昇を抑制することができる。

本開示の第２の態様に係る発光素子において、第１化合物半導体層の第１面には段差部が形成されており、少なくとも段差部の内側には第１光反射層が形成されており、少なくとも段差部の外側には第１電極が形成されている。ここで、段差部の内側に位置する第１化合物半導体層の第１面の領域は平坦な状態が保持され、段差部の外側に位置する第１化合物半導体層の第１面の領域は、段差部の形成によって粗面化される。それ故、第１化合物半導体層表面での光の散乱を最小限に抑えることができ、しかも、第１化合物半導体層と第１電極との間の接触抵抗の上昇を抑制することができる。

本開示の第１の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、発光素子製造用基板を除去して第１化合物半導体層の第１面を露出させた後、第１化合物半導体層の第１面に粗面領域を形成し、少なくとも、粗面領域によって囲まれた第１化合物半導体層の第１面の部分である平坦領域に、多層膜から成る第１光反射層を形成し、少なくとも粗面領域に第１電極を形成する。それ故、第１化合物半導体層表面での光の散乱を最小限に抑えることができ、しかも、第１化合物半導体層と第１電極との間の接触抵抗の上昇を抑制することができる。

本開示の第２の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、発光素子製造用基板を除去して第１化合物半導体層の第１面を露出させた後、第１化合物半導体層の第１面に段差部を形成し、少なくとも段差部の内側に多層膜から成る第１光反射層を形成し、少なくとも段差部の外側に第１電極を形成するが、段差部の内側に位置する第１化合物半導体層の第１面の領域は平坦な状態が保持され、段差部の外側に位置する第１化合物半導体層の第１面の領域は、段差部の形成によって粗面化される。それ故、第１化合物半導体層表面での光の散乱を最小限に抑えることができ、しかも、第１化合物半導体層と第１電極との間の接触抵抗の上昇を抑制することができる。

また、発光素子製造用基板を除去して、第１化合物半導体層の第１面を露出させることで、更には、必要に応じて、露出した第１化合物半導体層を厚さ方向に部分的に除去することで、第１光反射層と、積層構造体と、第１光反射層に対向して配置された第２光反射層とから成る共振器の長さを最適な長さとすることができる。尚、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また、付加的な効果があってもよい。

図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ、実施例１の発光素子及びその変形例の模式的な一部端面図である。 図２Ａ及び図２Ｂは、それぞれ、実施例１の発光素子の変形例の模式的な一部端面図である。 図３Ａ及び図３Ｂは、それぞれ、実施例１の発光素子の変形例の模式的な一部端面図である。 図４Ａ及び図４Ｂは、それぞれ、実施例１の発光素子の変形例の模式的な一部端面図である。 図５Ａ及び図５Ｂは、それぞれ、実施例１の発光素子の変形例の模式的な一部端面図である。 図６Ａ及び図６Ｂは、それぞれ、実施例１の発光素子の変形例の模式的な一部端面図である。 図７Ａ及び図７Ｂは、それぞれ、実施例２の発光素子及びその変形例の模式的な一部端面図である。 図８Ａ及び図８Ｂは、それぞれ、実施例２の発光素子の変形例の模式的な一部端面図である。 図９Ａ及び図９Ｂは、それぞれ、実施例２の発光素子の変形例の模式的な一部端面図である。 図１０Ａ及び図１０Ｂは、それぞれ、実施例２の発光素子の変形例の模式的な一部端面図である。 図１１Ａ及び図１１Ｂは、それぞれ、実施例２の発光素子の変形例の模式的な一部端面図である。 図１２Ａ、図１２Ｂ及び図１２Ｃは、実施例１の発光素子の製造方法を説明するための積層構造体等の模式的な一部端面図である。 図１３Ａ及び図１３Ｂは、図１２Ｃに引き続き、実施例１の発光素子の製造方法を説明するための積層構造体等の模式的な一部端面図である。 図１４は、図１３Ｂに引き続き、実施例１の発光素子の製造方法を説明するための積層構造体等の模式的な一部端面図である。 図１５Ａ及び図１５Ｂは、ＲＩＥ法に基づきエッチングする前の第１化合物半導体層の状態、及び、エッチングした後の第１化合物半導体層の状態をＡＦＭによって観察した結果を示す図である。 図１６Ａ及び図１６Ｂは、ＲＩＥ法に基づきエッチングする前の第１化合物半導体層、及び、エッチングした後の第１化合物半導体層の表面粗さＲａの分析結果を示す図である。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の第１の態様及び第２の態様に係る発光素子、本開示の第１の態様及び第２の態様に係る発光素子の製造方法、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の第１の態様及び第２の態様に係る発光素子、並びに、本開示の第１の態様及び第２の態様に係る発光素子の製造方法）
３．実施例２（実施例１の変形）、その他

［本開示の第１の態様及び第２の態様に係る発光素子、本開示の第１の態様及び第２の態様に係る発光素子の製造方法、全般に関する説明］
本開示の第１の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、前記工程（ｄ）における第１化合物半導体層の第１面の露出を（即ち、発光素子製造用基板の除去を）、化学的／機械的研磨法（ＣＭＰ法）に基づき行い、前記工程（ｅ）における粗面領域の形成を、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）に基づき形成する形態とすることができる。また、本開示の第２の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、前記工程（ｄ）における第１化合物半導体層の第１面の露出を（即ち、発光素子製造用基板の除去を）、化学的／機械的研磨法に基づき行い、前記工程（ｅ）における段差部の形成を、反応性イオンエッチング法に基づき形成する形態とすることができる。尚、先ず、水酸化ナトリウム水溶液や水酸化カリウム水溶液等のアルカリ水溶液、アンモニア溶液＋過酸化水素水、硫酸溶液＋過酸化水素水、塩酸溶液＋過酸化水素水、リン酸溶液＋過酸化水素水等を用いたウェットエッチング法や、ドライエッチング法、レーザを用いたリフトオフ法、機械研磨法等によって、あるいは、これらの組合せによって、発光素子製造用基板の除去を行い、あるいは、発光素子製造用基板の厚さを薄くし、次いで、化学的／機械的研磨法を実行することで、第１化合物半導体層の第１面を露出させる。反応性イオンエッチング法の代わりに、反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）法、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）エッチング法、イオンビームエッチング法等とすることもできる。エッチング用ガスとして、ＣＦ₄等のフッ素系ガス、Ｃｌ₂、ＣＣｌ₄、ＳｉＣｌ₄等の塩素系ガス、ＨＩ等のヨウ素系ガスを挙げることができ、これらのエッチング用ガスを単独で使用してもよいし、混合して使用してもよい。第１化合物半導体層の第１面の露出処理には、露出した第１化合物半導体層を厚さ方向に部分的に除去する処理が含まれ、また、第１化合物半導体層の第１面に対する鏡面仕上げ処理も含まれる。第１化合物半導体層の第１面の露出処理によって、第１光反射層と、積層構造体と、第１光反射層に対向して配置された第２光反射層とから成る共振器の長さが決定される。

本開示の第１の態様に係る発光素子、あるいは、上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る発光素子の製造方法によって製造された発光素子を、以下、便宜上、『本開示の第１の態様に係る発光素子等』と呼ぶ場合がある。また、本開示の第２の態様に係る発光素子、あるいは、上記の好ましい形態を含む本開示の第２の態様に係る発光素子の製造方法によって製造された発光素子を、以下、便宜上、『本開示の第２の態様に係る発光素子等』と呼ぶ場合がある。

本開示の第１の態様に係る発光素子において、粗面領域は平坦領域を囲んでいる形態とすることができる。

上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る発光素子等において、平坦領域の表面粗さＲａの値は３×１０^-9ｍ以下であり、粗面領域の表面粗さＲａの値は平坦領域の表面粗さＲａの値を超えることが好ましい。尚、表面粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ−６１０：２００１に規定されている。平坦領域及び粗面領域の表面粗さＲａは、具体的には、ＡＦＭや断面ＴＥＭに基づく観察に基づき測定することができる。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る発光素子等において、平坦領域における接触抵抗値をＲ₁、粗面領域における接触抵抗値をＲ₂としたとき、
Ｒ₂／Ｒ₁≦１
を満足することが望ましい。

本開示の第２の態様に係る発光素子等において、段差部は単純閉曲線から構成されている形態とすることができる。尚、単純閉曲線（ジョルダン閉曲線とも呼ばれる）には、曲線だけでなく、線分の組合せ、曲線と線分の組合せも包含される。

更には、上記の好ましい形態を含む本開示の第２の態様に係る発光素子等において、第１光反射層は、第１化合物半導体層の第１面の凸部に形成されており、第１電極は、第１化合物半導体層の第１面の凹部に形成されている形態とすることができるし、これとは逆に、第１光反射層は、第１化合物半導体層の第１面の凹部に形成されており、第１電極は、第１化合物半導体層の第１面の凸部に形成されている形態とすることもできる。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第２の態様に係る発光素子等において、段差部の高さは、第１化合物半導体層の厚さ未満である形態とすることができるし、あるいは又、段差部の高さは、１×１０^-8ｍ以上、１×１０^-5ｍ以下である形態とすることができる。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第２の態様に係る発光素子等において、段差部の内側における第１化合物半導体層の第１面の表面粗さＲａの値は３×１０^-9ｍ以下であり、段差部の外側における第１化合物半導体層の第１面の表面粗さＲａの値は、段差部の内側における第１化合物半導体層の第１面の表面粗さＲａの値を超えることが好ましい。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第２の態様に係る発光素子等において、段差部の内側における第１化合物半導体層の第１面の接触抵抗値をＲ₁、段差部の外側における第１化合物半導体層の第１面の接触抵抗値をＲ₂としたとき、
Ｒ₂／Ｒ₁≦１
を満足することが望ましい。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る発光素子等において、第１光反射層と第１電極とは接している形態とすることができる。あるいは又、第１光反射層と第１電極とは離間しており、即ち、オフセットを有しており、離間距離は１ｍｍ以内である形態とすることができる。第１光反射層内に位置する素子領域（後述する）と第１電極とが離れると、電流は、第１化合物半導体層中を長い距離、流れることになる。それ故、この電流経路において生ずる電気抵抗を低く抑えるために、離間距離は１ｍｍ以内であることが好ましい。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る発光素子等において、第１光反射層から第２光反射層まで距離は、０．１５μｍ以上、５０μｍ以下であることが好ましい。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る発光素子において、第２光反射層は支持基板に固定されている形態とすることができる。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る発光素子等にあっては、活性層において生成した光は、第１光反射層を介して外部に出射される形態とすることができる。そして、この場合、第１化合物半導体層の第１面と接する第１光反射層の部分（第２光反射層と対向する第１光反射層の部分）の面積をＳ₁、第２化合物半導体層の第２面に対向する第２光反射層の部分（第１光反射層と対向する第２光反射層の部分）の面積をＳ₂としたとき、
Ｓ₁＞Ｓ₂
を満足することが望ましい。

本開示の第１の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、工程（ｅ）において、第１化合物半導体層の第１面に粗面領域を形成し、少なくとも、粗面領域によって囲まれた第１化合物半導体層の第１面の部分である平坦領域に、多層膜から成る第１光反射層を形成し、少なくとも粗面領域に第１電極を形成するが、具体的には、以下の形成順序を挙げることができる。
（ｅ−１）第１光反射層の形成、第１化合物半導体層の第１面における粗面領域の形成、第１電極の形成
（ｅ−２）第１化合物半導体層の第１面における粗面領域の形成、第１電極の形成、第１光反射層の形成
（ｅ−３）第１化合物半導体層の第１面における粗面領域の形成、第１光反射層の形成、第１電極の形成

また、本開示の第２の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、工程（ｅ）において、第１化合物半導体層の第１面に段差部を形成し、少なくとも段差部の内側に多層膜から成る第１光反射層を形成し、少なくとも段差部の外側に第１電極を形成するが、具体的には、以下の形成順序を挙げることができる。
（ｅ−１）第１光反射層の形成、第１化合物半導体層の第１面における段差部の形成、第１電極の形成
（ｅ−２）第１化合物半導体層の第１面における段差部の形成、第１電極の形成、第１光反射層の形成
（ｅ−３）第１化合物半導体層の第１面における段差部の形成、第１光反射層の形成、第１電極の形成

第１化合物半導体層の第１面における第１光反射層と第１電極の配置状態として、上述したとおり、第１光反射層と第１電極とが接している状態を挙げることができるし、あるいは又、第１光反射層と第１電極とが離間している状態を挙げることができるし、場合によっては、第１光反射層の縁部の上にまで第１電極が形成されている状態、第１電極の縁部の上にまで第１光反射層が形成されている状態を挙げることもできる。ここで、第１電極の縁部の上にまで第１光反射層が形成されている状態とする場合、第１電極は、レーザ発振の基本モード光を出来る限り吸収しないように、或る程度の大きさの開口部を有する必要がある。開口部の大きさは、基本モードの波長や横方向（第１化合物半導体層の面内方向）の光閉じ込め構造によって変化するので、限定するものではないが、おおよそ発振波長λの数倍のオーダーであることが好ましい。

以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る発光素子等において、第１電極は金属又は合金から成る形態とすることができるし、第２電極は透明導電性材料から成る形態とすることができる。第２電極を透明導電性材料から構成することで、電流を横方向（第２化合物半導体層の面内方向）に広げることができ、効率良く、素子領域（次に述べる）に電流を供給することができる。第２電極は第２化合物半導体層の第２面上に形成されており、第２光反射層は第２電極上に形成されていることが好ましい。

ここで、「素子領域」とは、狭窄された電流が注入される領域、あるいは又、屈折率差等により光が閉じ込められる領域、あるいは又、第１光反射層と第２光反射層で挟まれた領域の内、レーザ発振が生じる領域、あるいは又、第１光反射層と第２光反射層で挟まれた領域の内、実際にレーザ発振に寄与する領域を指す。

発光素子は、上述したとおり、第１化合物半導体層の頂面から第１光反射層を介して光を出射する面発光レーザ素子（垂直共振器レーザ、ＶＣＳＥＬ）から成る構成とすることができるし、あるいは又、第２化合物半導体層の頂面から第２光反射層を介して光を出射する面発光レーザ素子から成る構成とすることもできる。

以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る発光素子、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る発光素子の製造方法（以下、これらを総称して、単に、『本開示』と呼ぶ場合がある）において、積層構造体は、具体的には、ＡｌＧａＩｎＮ系化合物半導体から成る構成とすることができる。ここで、ＡｌＧａＩｎＮ系化合物半導体として、より具体的には、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮ、ＡｌＧａＩｎＮを挙げることができる。更には、これらの化合物半導体に、所望に応じて、ホウ素（Ｂ）原子やタリウム（Ｔｌ）原子、ヒ素（Ａｓ）原子、リン（Ｐ）原子、アンチモン（Ｓｂ）原子が含まれていてもよい。活性層は、量子井戸構造を有することが望ましい。具体的には、単一量子井戸構造（ＱＷ構造）を有していてもよいし、多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を有していてもよい。量子井戸構造を有する活性層は、井戸層及び障壁層が、少なくとも１層、積層された構造を有するが、（井戸層を構成する化合物半導体，障壁層を構成する化合物半導体）の組合せとして、（Ｉｎ_yＧａ_(1-y)Ｎ，ＧａＮ）、（Ｉｎ_yＧａ_(1-y)Ｎ，Ｉｎ_zＧａ_(1-z)Ｎ）［但し、ｙ＞ｚ］、（Ｉｎ_yＧａ_(1-y)Ｎ，ＡｌＧａＮ）を例示することができる。第１化合物半導体層を第１導電型（例えば、ｎ型）の化合物半導体から構成し、第２化合物半導体層を第１導電型とは異なる第２導電型（例えば、ｐ型）の化合物半導体から構成することができる。第１化合物半導体層、第２化合物半導体層は、第１クラッド層、第２クラッド層とも呼ばれる。第２電極と第２化合物半導体層との間に、電流狭窄構造が形成されていることが好ましい。第１化合物半導体層、第２化合物半導体層は、単一構造の層であってもよいし、多層構造の層であってもよいし、超格子構造の層であってもよい。更には、組成傾斜層、濃度傾斜層を備えた層とすることもできる。

電流狭窄構造を得るためには、第２電極と第２化合物半導体層との間に絶縁材料（例えば、ＳｉＯ₂やＳｉＮ、Ａｌ₂Ｏ₃）から成る電流狭窄層を形成してもよいし、あるいは又、第２化合物半導体層をＲＩＥ法等によりエッチングしてメサ構造を形成してもよいし、あるいは又、積層された第２化合物半導体層の一部の層を横方向から部分的に酸化して電流狭窄領域を形成してもよいし、第２化合物半導体層に不純物をイオン注入して導電性が低下した領域を形成してもよいし、あるいは、これらを、適宜、組み合わせてもよい。但し、第２電極は、電流狭窄により電流が流れる第２化合物半導体層の部分と電気的に接続されている必要がある。

発光素子製造用基板として、ＧａＮ基板、サファイア基板、ＧａＡｓ基板、ＳｉＣ基板、アルミナ基板、ＺｎＳ基板、ＺｎＯ基板、ＡｌＮ基板、ＬｉＭｇＯ基板、ＬｉＧａＯ₂基板、ＭｇＡｌ₂Ｏ₄基板、ＩｎＰ基板、Ｓｉ基板、これらの基板の表面（主面）に下地層やバッファ層が形成されたものを挙げることができる。ＧａＮ系化合物半導体層を基板に形成する場合、ＧａＮ基板の使用が欠陥密度の少ないことから好ましい。ＧａＮ基板は成長面によって、極性／無極性／半極性と特性が変わることが知られているが、ＧａＮ基板のいずれの主面も化合物半導体層の形成に使用することができる。また、これらの基板の主面に関して、結晶構造（例えば、立方晶型や六方晶型等）によっては、所謂Ａ面、Ｂ面、Ｃ面、Ｒ面、Ｍ面、Ｎ面、Ｓ面等の名称で呼ばれる結晶方位面、あるいは、これらを特定方向にオフさせた面等を用いることもできる。発光素子を構成する各種の化合物半導体層の形成方法として、有機金属化学的気相成長法（ＭＯＣＶＤ法，ＭＯＶＰＥ法）や分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）、ハロゲンが輸送あるいは反応に寄与するハイドライド気相成長法等を挙げることができる。

ここで、ＭＯＣＶＤ法における有機ガリウム源ガスとして、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガスやトリエチルガリウム（ＴＥＧ）ガスを挙げることができるし、窒素源ガスとして、アンモニアガスやヒドラジンガスを挙げることができる。ｎ型の導電型を有するＧａＮ系化合物半導体層の形成においては、例えば、ｎ型不純物（ｎ型ドーパント）としてケイ素（Ｓｉ）を添加すればよいし、ｐ型の導電型を有するＧａＮ系化合物半導体層の形成においては、例えば、ｐ型不純物（ｐ型ドーパント）としてマグネシウム（Ｍｇ）を添加すればよい。ＧａＮ系化合物半導体層の構成原子としてアルミニウム（Ａｌ）あるいはインジウム（Ｉｎ）が含まれる場合、Ａｌ源としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）ガスを用いればよいし、Ｉｎ源としてトリメチルインジウム（ＴＭＩ）ガスを用いればよい。更には、Ｓｉ源としてモノシランガス（ＳｉＨ₄ガス）を用いればよいし、Ｍｇ源としてシクロペンタジエニルマグネシウムガスやメチルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ₂Ｍｇ）を用いればよい。尚、ｎ型不純物（ｎ型ドーパント）として、Ｓｉ以外に、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｃ、Ｔｅ、Ｓ、Ｏ、Ｐｄ、Ｐｏを挙げることができるし、ｐ型不純物（ｐ型ドーパント）として、Ｍｇ以外に、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｂａ、Ｃ、Ｈｇ、Ｓｒを挙げることができる。

支持基板は、例えば、発光素子製造用基板として例示した各種の基板から構成すればよいし、あるいは又、ＡｌＮ等から成る絶縁性基板、Ｓｉ、ＳｉＣ、Ｇｅ等から成る半導体基板、金属製基板や合金製基板から構成することもできるが、導電性を有する基板を用いることが好ましく、あるいは又、機械的特性、弾性変形、塑性変形性、放熱性等の観点から金属製基板や合金製基板を用いることが好ましい。支持基板の厚さとして、例えば、０．０５ｍｍ乃至０．５ｍｍを例示することができる。第２光反射層の支持基板への固定方法として、半田接合法、常温接合法、粘着テープを用いた接合法、ワックス接合を用いた接合法等、既知の方法を用いることができるが、導電性の確保という観点からは半田接合法あるいは常温接合法を採用することが望ましい。例えば導電性基板であるシリコン半導体基板を支持基板として使用する場合、熱膨張係数の違いによる反りを抑制するために、４００゜Ｃ以下の低温で接合可能な方法を採用することが望ましい。支持基板としてＧａＮ基板を使用する場合、接合温度が４００゜Ｃ以上であってもよい。

第１電極は、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、Ｔｉ（チタン）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ｚｎ（亜鉛）、錫（Ｓｎ）及びインジウム（Ｉｎ）から成る群から選択された少なくとも１種類の金属（合金を含む）を含む、単層構成又は多層構成を有することが望ましく、具体的には、例えば、Ｔｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｌ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔ、Ｎｉ／Ｐｔ、Ｐｄ／Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄを例示することができる。尚、多層構成における「／」の前の層ほど、より活性層側に位置する。以下の説明においても同様である。第１電極は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法等のＰＶＤ法にて成膜することができる。

第２電極を構成する透明導電性材料として、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ，Indium Tin Oxide，ＳｎドープのＩｎ₂Ｏ₃、結晶性ＩＴＯ及びアモルファスＩＴＯを含む）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ，Indium Zinc Oxide）、ＩＦＯ（ＦドープのＩｎ₂Ｏ₃）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、ＡＴＯ（ＳｂドープのＳｎＯ₂）、ＦＴＯ（ＦドープのＳｎＯ₂）、酸化亜鉛（ＺｎＯ、ＡｌドープのＺｎＯやＢドープのＺｎＯを含む）を例示することができる。あるいは又、第２電極として、ガリウム酸化物、チタン酸化物、ニオブ酸化物、ニッケル酸化物等を母層とする透明導電膜を挙げることができる。但し、第２電極を構成する材料として、第２光反射層と第２電極との配置状態に依存するが、透明導電性材料に限定するものではなく、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）等の金属を用いることもできる。第２電極は、これらの材料の少なくとも１種類から構成すればよい。第２電極は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法等のＰＶＤ法にて成膜することができる。

第１電極や第２電極上に、外部の電極あるいは回路と電気的に接続するために、パッド電極を設けてもよい。パッド電極は、Ｔｉ（チタン）、アルミニウム（Ａｌ）、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｄ（パラジウム）から成る群から選択された少なくとも１種類の金属を含む、単層構成又は多層構成を有することが望ましい。あるいは又、パッド電極を、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの多層構成、Ｔｉ／Ａｕの多層構成、Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｕの多層構成、Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｕの多層構成、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕの多層構成、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ／Ｃｒ／Ａｕの多層構成に例示される多層構成とすることもできる。第１電極をＡｇ層あるいはＡｇ／Ｐｄ層から構成する場合、第１電極の表面に、例えば、Ｎｉ／ＴｉＷ／Ｐｄ／ＴｉＷ／Ｎｉから成るカバーメタル層を形成し、カバーメタル層の上に、例えば、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕの多層構成あるいはＴｉ／Ｎｉ／Ａｕ／Ｃｒ／Ａｕの多層構成から成るパッド電極を形成することが好ましい。

光反射層（分布ブラッグ反射鏡層、Distributed Bragg Reflector 層、ＤＢＲ層）は、例えば、半導体多層膜や誘電体多層膜から構成される。誘電体材料としては、例えば、Ｓｉ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｃ、Ｔａ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｙ、Ｂ、Ｔｉ等の酸化物、窒化物（例えば、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＢＮ等）、又は、フッ化物等を挙げることができる。具体的には、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、ＺｒＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＺｎＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＨｆＯ₂、ＡｌＮ等を例示することができる。そして、これらの誘電体材料の内、屈折率が異なる誘電体材料から成る２種類以上の誘電体膜を交互に積層することにより、光反射層を得ることができる。例えば、ＳｉＯ₂／ＳｉＮ、ＳｉＯ₂／Ｎｂ₂Ｏ₅、ＳｉＯ₂／ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂／ＡｌＮ等の多層膜が好ましい。所望の反射率を得るために、各誘電体膜を構成する材料、膜厚、積層数等を、適宜、選択すればよい。各誘電体膜の厚さは、用いる材料等により、適宜、調整することができ、発振波長λ、用いる材料の発振波長λでの屈折率ｎによって決定される。具体的には、λ／（４ｎ）の奇数倍とすることが好ましい。例えば、発振波長λが４１０ｎｍの発光素子において、光反射層をＳｉＯ₂／Ｎｂ₂Ｏ₅から構成する場合、４０ｎｍ乃至７０ｎｍ程度を例示することができる。積層数は、２以上、好ましくは５乃至２０程度を例示することができる。光反射層全体の厚さとして、例えば、０．６μｍ乃至１．７μｍ程度を例示することができる。

光反射層は、素子領域を覆う限り、大きさ及び形状は特に限定されない。素子領域、第１光反射層、第２光反射層、電流狭窄層に設けられた開口の平面形状として、同様に、具体的には、円形、楕円形、矩形、多角形（三角形、四角形、六角形等）を挙げることができる。また、第１電極の平面形状として環状を挙げることができる。素子領域、第１光反射層、第２光反射層、流狭窄層に設けられた開口の平面形状、環状の第１電極の内側環部の平面形状は、相似形であることが望ましい。円形の場合、直径２μｍ乃至７０μｍ程度であることが好ましい。

光反射層は、周知の方法に基づき形成することができ、具体的には、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＥＣＲプラズマスパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームアシスト蒸着法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法等のＰＶＤ法；各種ＣＶＤ法；スプレー法、スピンコート法、ディップ法等の塗布法；これらの方法の２種以上を組み合わせる方法；これらの方法と、全体又は部分的な前処理、不活性ガス（Ａｒ、Ｈｅ、Ｘｅ等）又はプラズマの照射、酸素ガスやオゾンガス、プラズマの照射、酸化処理（熱処理）、露光処理のいずれか１種以上とを組み合わせる方法等を挙げることができる。

また、積層構造体の側面や露出面を絶縁膜で被覆してもよい。絶縁膜の形成は、周知の方法に基づき行うことができる。絶縁膜を構成する材料の屈折率は、積層構造体を構成する材料の屈折率よりも小さいことが好ましい。絶縁膜を構成する材料として、ＳｉＯ₂を含むＳｉＯ_X系材料、ＳｉＮ_Y系材料、ＳｉＯ_XＮ_Y系材料、Ｔａ₂Ｏ₅、ＺｒＯ₂、ＡｌＮ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｇａ₂Ｏ₃を例示することができるし、あるいは又、ポリイミド樹脂等の有機材料を挙げることもできる。絶縁膜の形成方法として、例えば真空蒸着法やスパッタリング法といったＰＶＤ法、あるいは、ＣＶＤ法を挙げることができるし、塗布法に基づき形成することもできる。

実施例１は、本開示の第１の態様及び第２の態様に係る発光素子、本開示の第１の態様及び第２の態様に係る発光素子の製造方法に関する。

模式的な一部端面図を図１Ａに示す実施例１の発光素子は、
（Ａ）ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面２１ａ、及び、第１面２１ａと対向する第２面２１ｂを有する第１化合物半導体層２１、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層２１の第２面２１ｂと接する活性層（発光層）２３、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面２２ａ、及び、第１面２２ａと対向する第２面２２ｂを有し、第１面２２ａが活性層２３と接する第２化合物半導体層２２、
が積層されて成る積層構造体２０、
（Ｂ）第１化合物半導体層２１の第１面２１ａ上に形成された第１電極３１、及び、第１化合物半導体層２１の第１面２１ａ上に形成された多層膜から成る第１光反射層４１、並びに、
（Ｃ）第２化合物半導体層２２の第２面２２ｂ上に形成された第２電極３２及び多層膜から成る第２光反射層４２、
を備えている。

実施例１の発光素子は、具体的には、第１化合物半導体層２１の頂面から第１光反射層４１を介して光を出射する面発光レーザ素子（垂直共振器レーザ、ＶＣＳＥＬ）から成る。

そして、第１化合物半導体層２１の第１面２１ａは、平坦領域２１Ａ、及び、平坦領域２１Ａよりも粗い粗面領域２１Ｂを有しており、第１光反射層４１は、少なくとも平坦領域２１Ａに形成されており、第１電極３１は、少なくとも粗面領域２１Ｂに形成されている。ここで、粗面領域２１Ｂは平坦領域２１Ａを囲んでいる。

あるいは又、第１化合物半導体層２１の第１面２１ａには、段差部２１Ｃが形成されており、少なくとも段差部２１Ｃの内側２１Ｄには、第１光反射層４１が形成されており、少なくとも段差部２１Ｃの外側２１Ｅには、第１電極３１が形成されている。ここで、段差部２１Ｃは単純閉曲線から構成されている。また、第１光反射層４１は、第１化合物半導体層２１の第１面２１ａの凸部に形成されており、第１電極３１は、第１化合物半導体層２１の第１面２１ａの凹部に形成されている。段差部２１Ｃの高さは、第１化合物半導体層２１の厚さ未満であるし、段差部２１Ｃの高さは、１×１０^-8ｍ以上、１×１０^-5ｍ以下、具体的には、例えば、２×１０^-6ｍである。また、第１光反射層４１から第２光反射層４２まで距離は、０．１５μｍ以上、５０μｍ以下であり、具体的には、例えば、１０μｍである。

実施例１の発光素子においては、第２電極３２と第２化合物半導体層２２との間に、ＳｉＯ₂といった絶縁材料から成る電流狭窄層２４が形成されている。電流狭窄層２４には円形の開口２４Ａが形成されており、この開口２４Ａの底部に第２化合物半導体層２２が露出している。第２電極３２は、第２化合物半導体層２２の第２面２２ｂ上から電流狭窄層２４上に亙り形成されており、第２光反射層４２は第２電極３２上に形成されている。更には、第２電極３２の縁部の上には、外部の電極あるいは回路と電気的に接続するためのパッド電極３３が接続されている。素子領域の平面形状は円形であり、第１光反射層４１、第２光反射層４２、電流狭窄層２４に設けられた開口２４Ａの平面形状も円形である。一方、第１電極３１の平面形状は環状（リング状）である。尚、第１光反射層４１及び第２光反射層４２は多層構造を有するが、図面の簡素化のため、１層で表している。尚、電流狭窄層２４の形成は、必須ではない。

実施例１の発光素子にあっては、第１光反射層４１と第１電極３１とは離間しており、即ち、オフセットを有しており、離間距離は１ｍｍ以内、具体的には、例えば、平均０．０５ｍｍである。

実施例１の発光素子において、第２光反射層４２は、金（Ａｕ）層あるいは錫（Ｓｎ）を含む半田層から成る接合層２５を介して、シリコン半導体基板から構成された支持基板２６に半田接合法に基づき固定されている。

そして、実施例１の発光素子にあっては、活性層２３において生成した光は、第１光反射層４１を介して外部に出射される。第１化合物半導体層２１の第１面２１ａと接する第１光反射層４１の部分（第２光反射層４２と対向する第１光反射層４１の部分）の面積をＳ₁、第２化合物半導体層２２の第２面に対向する第２光反射層４２の部分（第１光反射層４１と対向する第２光反射層４２の部分）の面積をＳ₂としたとき、
Ｓ₁＞Ｓ₂
を満足する。

第１化合物半導体層２１はｎ−ＧａＮ層から成り、活性層２３はＩｎ_0.04Ｇａ_0.96Ｎ層（障壁層）とＩｎ_0.16Ｇａ_0.84Ｎ層（井戸層）とが積層された５重の多重量子井戸構から成り、第２化合物半導体層２２はｐ−ＧａＮ層から成る。また、第１電極３１はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕから成り、第２電極３２は、透明導電性材料、具体的には、ＩＴＯから成り、パッド電極３３はＴｉ／Ｐｄ／Ａｕ又はＴｉ／Ｐｄ／Ａｕから成り、第１光反射層４１及び第２光反射層４２は、ＳｉＮ層とＳｉＯ₂層の積層構造（誘電体膜の積層総数：２０層）から成る。

以下、積層構造体等の模式的な一部端面図である図１２Ａ、図１２Ｂ、図１２Ｃ、図１３Ａ、図１３Ｂ、図１４を参照して、実施例１の発光素子の製造方法を説明する。

［工程−１００］
先ず、ＧａＮ基板から成る発光素子製造用基板１１上に、ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面２１ａ、及び、第１面２１ａと対向する第２面を有する第１化合物半導体層２１、ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層２１の第２面２１ｂと接する活性層２３、及び、ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面２２ａ、及び、第１面２２ａと対向する第２面２２ｂを有し、第１面２２ａが活性層２３と接する第２化合物半導体層２２が積層されて成る積層構造体２０を、周知のＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。次いで、第２化合物半導体層２２の上に、周知の方法に基づき、開口２４Ａを有する電流狭窄層２４を形成する。こうして、図１２Ａに示す構造を得ることができる。

［工程−１１０］
次に、第２化合物半導体層２２の第２面２２ｂ上に第２電極３２及び多層膜から成る第２光反射層４２を形成する。具体的には、例えば、リフトオフ法に基づき、第２化合物半導体層２２の第２面２２ｂの上から電流狭窄層２４の上に亙り、第２電極３２を形成し、更に、第２電極３２の上から電流狭窄層２４の上に亙り、周知の方法に基づきパッド電極３３を形成する。こうして、図１２Ｂに示す構造を得ることができる。その後、第２電極３２の上からパッド電極３３の上に亙り、周知の方法に基づき第２光反射層４２を形成する。こうして、図１２Ｃに示す構造を得ることができる。

［工程−１２０］
その後、第２光反射層４２を、接合層２５を介して支持基板２６に固定する。こうして、図１３Ａに示す構造を得ることができる。

［工程−１３０］
次いで、発光素子製造用基板１１を除去して、第１化合物半導体層２１の第１面２１ａを露出させる。具体的には、先ず、機械研磨法に基づき、発光素子製造用基板１１の厚さを薄くし、次いで、ＣＭＰ法に基づき、発光素子製造用基板１１の残部を除去し、更に、露出した第１化合物半導体層２１を厚さ方向に部分的に除去し、第１化合物半導体層２１の第１面２１ａに対する鏡面仕上げ処理を行う。こうして、図１３Ｂに示す構造を得ることができる。

［工程−１４０］
その後、第１化合物半導体層２１の第１面２１ａに粗面領域２１Ｂを形成し、少なくとも、粗面領域２１Ｂによって囲まれた第１化合物半導体層２１の第１面２１ａの部分である平坦領域２１Ａに多層膜から成る第１光反射層４１を形成し、少なくとも粗面領域２１Ｂに第１電極３１を形成する。あるいは又、その後、第１化合物半導体層２１の第１面２１ａに段差部２１Ｃを形成し、少なくとも段差部２１Ｃの内側２１Ｄに多層膜から成る第１光反射層４１を形成し、少なくとも段差部２１Ｃの外側２１Ｅに第１電極３１を形成する。

具体的には、平坦領域２１Ａとすべき第１化合物半導体層２１の領域、あるいは、段差部２１Ｃの内側２１Ｄに相当する第１化合物半導体層２１の領域の上に、周知の方法に基づき、エッチング用レジスト層を形成した後、露出した第１化合物半導体層２１の領域を、ＲＩＥ法に基づきエッチングすることで、粗面領域２１Ｂを形成し、あるいは又、段差部２１Ｃを形成する。こうして、図１４に示す構造を得ることができる。

ここで、平坦領域２１Ａの表面粗さＲａの値は３×１０^-9ｍ以下であり、粗面領域２１Ｂの表面粗さＲａの値は、平坦領域２１Ａの表面粗さＲａの値を超える。具体的には、平坦領域２１Ａの表面粗さＲａの値は０．２ｎｍであり、粗面領域２１Ｂの表面粗さＲａの値は３．１ｎｍであった。ＲＩＥ法に基づきエッチングする前の第１化合物半導体層２１の状態、エッチングした後の第１化合物半導体層２１の状態をＡＦＭによって観察した。その結果を、図１５Ａ（エッチング前）及び図１５Ｂ（エッチング後）に示し、表面粗さＲａの分析結果を図１６Ａ（エッチング前）及び図１６Ｂ（エッチング後）に示す。

また、平坦領域２１Ａにおける接触抵抗値をＲ₁、粗面領域２１Ｂにおける接触抵抗値をＲ₂としたとき、
Ｒ₂／Ｒ₁≦１
を満足する。具体的には、平坦領域２１ＡにおけるＩＶカーブはショットキー型であり、粗面領域２１ＢにおけるＩＶカーブはオーミック型であった。

次いで、第１化合物半導体層２１の平坦領域２１Ａ、あるいは、段差部２１Ｃの内側２１Ｄに、周知の方法に基づき第１光反射層４１を形成する。その後、第１化合物半導体層２１の粗面領域２１Ｂ、あるいは、段差部２１Ｃの外側２１Ｅに、周知の方法に基づき第１電極３１を形成する。こうして、図１Ａに示す構造を有する実施例１の発光素子を得ることができる。

第１化合物半導体層２１の第１面２１ａにおける粗面領域２１Ｂ（段差部２１Ｃ）の形成、第１光反射層４１の形成、第１電極３１の形成の順序は、第１光反射層４１の形成、第１化合物半導体層２１の第１面２１ａにおける粗面領域２１Ｂ（段差部２１Ｃ）の形成、第１電極の形成４１といった、以上に説明した順序に限定されず、
第１光反射層４１の形成、第１化合物半導体層２１の第１面２１ａにおける粗面領域２１Ｂ（段差部２１Ｃ）の形成、第１電極３１の形成の順
としてもよいし、
第１化合物半導体層２１の第１面２１ａにおける粗面領域２１Ｂ（段差部２１Ｃ）の形成、第１電極３１の形成、第１光反射層４１の形成の順
としてもよい。また、第１光反射層層４１を、［工程−１４０］におけるエッチング用レジスト層の代わりとすることもできる。

［工程−１５０］
その後、所謂素子分離を行うことで発光素子を分離し、積層構造体の側面や露出面を、例えば、ＳｉＯ₂から成る絶縁膜で被覆する。その後、第１電極３１やパッド電極３３を外部の回路等に接続するために端子等を周知の方法に基づき形成し、パッケージや封止することで、実施例１の発光素子を完成させる。

実施例１の発光素子において、第１化合物半導体層の第１面は平坦領域及び粗面領域を有しており、第１光反射層が少なくとも平坦領域に形成されており、第１電極が少なくとも粗面領域に形成されている。あるいは又、第１化合物半導体層の第１面には段差部が形成されており、少なくとも段差部の内側には第１光反射層が形成されており、少なくとも段差部の外側には第１電極が形成されている。それ故、第１化合物半導体層表面での光の散乱を最小限に抑えることができ、しかも、第１化合物半導体層と第１電極との間の接触抵抗の上昇を抑制することができる。

また、実施例１の発光素子の製造方法にあっては、発光素子製造用基板を除去して第１化合物半導体層の第１面を露出させた後、第１化合物半導体層の第１面に粗面領域を形成し、少なくとも、粗面領域によって囲まれた第１化合物半導体層の第１面の部分である平坦領域に、多層膜から成る第１光反射層を形成し、少なくとも粗面領域に第１電極を形成する。あるいは又、発光素子製造用基板を除去して第１化合物半導体層の第１面を露出させた後、第１化合物半導体層の第１面に段差部を形成し、少なくとも段差部の内側に多層膜から成る第１光反射層を形成し、少なくとも段差部の外側に第１電極を形成するが、段差部の内側に位置する第１化合物半導体層の第１面の領域は平坦な状態が保持され、段差部の外側に位置する第１化合物半導体層の第１面の領域は、段差部の形成によって粗面化される。それ故、第１化合物半導体層表面での光の散乱を最小限に抑えることができ、しかも、第１化合物半導体層と第１電極との間の接触抵抗の上昇を抑制することができる。

図１Ａに示した発光素子の例では、第１光反射層４１は、平坦領域２１Ａあるいは段差部２１Ｃの内側２１Ｄの全てを占めており、第１電極３１の端部は段差部２１Ｃから離間している。一方、図１Ｂに示す発光素子の例では、第１光反射層４１は、平坦領域２１Ａあるいは段差部２１Ｃの内側２１Ｄの全てを占めており、第１電極３１の端部は段差部２１Ｃと接している。また、図２Ａ及び図２Ｂに示す発光素子の例では、第１光反射層４１は、平坦領域２１Ａあるいは段差部２１Ｃの内側２１Ｄの一部を占めている。そして、第１電極３１の端部は段差部２１Ｃから離間しており（図２Ａ参照）、あるいは又、第１電極３１の端部は段差部２１Ｃと接している（図２Ｂ参照）。

図３Ａに示す発光素子の例では、第１光反射層４１は、平坦領域２１Ａあるいは段差部２１Ｃの内側２１Ｄの全てを占めており、第１電極３１の端部は、段差部２１Ｃから第１光反射層４１の縁部の上に亙り形成されている。即ち、第１光反射層４１と第１電極３１とは接している。また、図３Ｂ及び図４Ａに示す発光素子の例では、第１光反射層４１は、平坦領域２１Ａあるいは段差部２１Ｃの内側２１Ｄの一部を占めている。そして、第１電極３１は、段差部２１Ｃから平坦領域２１Ａの縁部まで延在しており（図３Ｂ参照）、第１光反射層４１と第１電極３１とは接している。あるいは又、第１電極３１は、段差部２１Ｃから平坦領域２１Ａの縁部、更には、第１光反射層４１の縁部の上まで延在しており（図４Ａ参照）、第１光反射層４１と第１電極３１とは接している。第１電極３１が第１光反射層４１の縁部の上まで延在している場合、第１電極３１には、レーザ発振の基本モード光を出来る限り吸収しないような開口部３１Ａ、例えば、直径５μｍ乃至５０μｍの開口部３１Ａが形成されている。以下の説明においても同様である。

図４Ｂ、図５Ａ、図５Ｂ、図６Ａ、図６Ｂに示す発光素子の例では、第１光反射層４１は、平坦領域２１Ａあるいは段差部２１Ｃの内側２１Ｄの全てを占めており、更に、粗面領域２１Ｂあるいは段差部２１Ｃの外側２１Ｅにまで延在している。そして、第１電極３１の端部は第１光反射層４１から離間している（図４Ｂ参照）。あるいは又、第１電極３１の端部は第１光反射層４１と接している（図５Ａ参照）。あるいは又、第１光反射層４１は第１電極３１の端部の上に形成されており、第１電極３１は段差部２１Ｃと接している（図５Ｂ参照）。あるいは又、第１光反射層４１は第１電極３１の端部の上に形成されており、第１電極３１は段差部２１Ｃと離間している（図６Ａ参照）。あるいは又、第１電極３１は、第１光反射層４１の縁部の上まで延在している（図６Ｂ参照）。

実施例２は、実施例１の変形である。実施例２の発光素子において、第１光反射層４１は、第１化合物半導体層２１の第１面２１ａの凹部に形成されており、第１電極３１は、第１化合物半導体層２１の第１面２１ａの凸部に形成されている。

図７Ａ及び図７Ｂに示す発光素子の例では、第１光反射層４１は、平坦領域２１Ａあるいは段差部２１Ｃの内側２１Ｄの一部を占めており、第１電極３１の端部は段差部２１Ｃから離間しており（図７Ａ参照）、あるいは又、第１電極３１の端部は段差部２１Ｃまで延びている（図７Ｂ参照）。図８Ａ、図８Ｂ、図９Ａに示す発光素子の例では、第１光反射層４１は、平坦領域２１Ａあるいは段差部２１Ｃの内側２１Ｄの全てを占めており、第１電極３１の端部は段差部２１Ｃから離間している（図８Ａ参照）。あるいは又、第１電極３１の端部は段差部２１Ｃまで延びており、第１電極３１の端部は第１光反射層４１と接している（図８Ｂ参照）。あるいは又、第１電極３１の端部は第１光反射層４１の縁部の上まで延在している（図９Ａ参照）。

図９Ｂ、図１０Ａ、図１０Ｂ、図１１Ａ、図１１Ｂに示す発光素子の例では、第１光反射層４１は、平坦領域２１Ａあるいは段差部２１Ｃの内側２１Ｄの全てを占めており、更に、粗面領域２１Ｂあるいは段差部２１Ｃの外側２１Ｅにまで延在している。そして、第１電極３１は第１光反射層４１と離間して形成されている（図９Ｂ参照）。あるいは又、第１電極３１は第１光反射層４１と接している（図１０Ａ参照）。あるいは又、第１光反射層４１は第１電極３１の上に延在しており、第１電極３１の端部は段差部２１Ｃまで延びている（図１０Ｂ参照）。あるいは又、第１光反射層４１は第１電極３１の上に延在しており、第１電極３１の端部は段差部２１Ｃと離間している（図１１Ａ参照）。あるいは又、第１電極３１は、第１光反射層４１の縁部の上まで延在している（図１１Ｂ参照）。

以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定するものではない。実施例において説明した発光素子の構成、構造は例示であり、適宜、変更することができるし、実施例の発光素子の製造方法も、適宜、変更することができる。場合によっては、接合層や支持基板を適切に選択することで、第２化合物半導体層の頂面から第２光反射層を介して光を出射する面発光レーザ素子とすることができる。あるいは又、［工程−１４０］において、第１光反射層及び第１電極を形成した後、支持基板を除去することで、第２化合物半導体層の頂面から第２光反射層を介して光を出射する面発光レーザ素子を完成させることもできるし、あるいは又、［工程−１４０］の後、第１光反射層を第２の支持基板に固定し、その後、支持基板を除去して第２光反射層を露出させることで、第２化合物半導体層の頂面から第２光反射層を介して光を出射する面発光レーザ素子を完成させることもできる。

尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《発光素子・・・第１の態様》
（Ａ）ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
が積層されて成る積層構造体、
（Ｂ）第１化合物半導体層の第１面上に形成された第１電極、及び、第１化合物半導体層の第１面上に形成された多層膜から成る第１光反射層、並びに、
（Ｃ）第２化合物半導体層の第２面上に形成された第２電極及び多層膜から成る第２光反射層、
を備えており、
第１化合物半導体層の第１面は、平坦領域、及び、平坦領域よりも粗い粗面領域を有しており、
第１光反射層は、少なくとも平坦領域に形成されており、
第１電極は、少なくとも粗面領域に形成されている発光素子。
［Ａ０２］粗面領域は平坦領域を囲んでいる［Ａ０１］に記載の発光素子。
［Ａ０３］平坦領域の表面粗さＲａの値は３×１０^-9ｍ以下であり、粗面領域の表面粗さＲａの値は平坦領域の表面粗さＲａの値を超える［Ａ０１］又は［Ａ０２］に記載の発光素子。
［Ａ０４］平坦領域における接触抵抗値をＲ₁、粗面領域における接触抵抗値をＲ₂としたとき、
Ｒ₂／Ｒ₁≦１
を満足する［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０５］第１光反射層と第１電極とは接している［Ａ０１］乃至［Ａ０４］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０６］第１光反射層と第１電極とは離間しており、離間距離は１ｍｍ以内である［Ａ０１］乃至［Ａ０４］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０７］第１光反射層から第２光反射層まで距離は、０．１５μｍ以上、５０μｍ以下である［Ａ０１］乃至［Ａ０６］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０８］第２光反射層は支持基板に固定されている［Ａ０１］乃至［Ａ０７］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０９］活性層において生成した光は、第１光反射層を介して外部に出射される［Ａ０１］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１０］第１化合物半導体層の第１面と接する第１光反射層の部分の面積をＳ₁、第２化合物半導体層の第２面に対向する第２光反射層の部分の面積をＳ₂としたとき、
Ｓ₁＞Ｓ₂
を満足する［Ａ０９］に記載の発光素子。
［Ａ１１］第１電極は、金属又は合金から成る［Ａ０１］乃至［Ａ１０］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１２］第２電極は、透明導電材料から成る［Ａ０１］乃至［Ａ１１］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１３］面発光レーザ素子から成る［Ａ０１］乃至［Ａ１２］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ０１］《発光素子・・・第２の態様》
（Ａ）ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
が積層されて成る積層構造体、
（Ｂ）第１化合物半導体層の第１面上に形成された第１電極、及び、第１化合物半導体層の第１面上に形成された多層膜から成る第１光反射層、並びに、
（Ｃ）第２化合物半導体層の第２面上に形成された第２電極及び多層膜から成る第２光反射層、
を備えており、
第１化合物半導体層の第１面には、段差部が形成されており、
少なくとも段差部の内側には、第１光反射層が形成されており、
少なくとも段差部の外側には、第１電極が形成されている発光素子。
［Ｂ０２］段差部は単純閉曲線から構成されている［Ｂ０１］に記載の発光素子。
［Ｂ０３］第１光反射層は、第１化合物半導体層の第１面の凸部に形成されており、
第１電極は、第１化合物半導体層の第１面の凹部に形成されている［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の発光素子。
［Ｂ０４］第１光反射層は、第１化合物半導体層の第１面の凹部に形成されており、
第１電極は、第１化合物半導体層の第１面の凸部に形成されている［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の発光素子。
［Ｂ０５］段差部の高さは、第１化合物半導体層の厚さ未満である［Ｂ０１］乃至［Ｂ０４］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ０６］段差部の高さは、１×１０^-8ｍ以上、１×１０^-5ｍ以下である［Ｂ０１］乃至［Ｂ０４］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ０７］段差部の内側における第１化合物半導体層の第１面の表面粗さＲａの値は３×１０^-9ｍ以下であり、段差部の外側における第１化合物半導体層の第１面の表面粗さＲａの値は、段差部の内側における第１化合物半導体層の第１面の表面粗さＲａの値を超える［Ｂ０１］乃至［Ｂ０６］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ０８］段差部の内側における第１化合物半導体層の第１面の接触抵抗値をＲ₁、段差部の外側における第１化合物半導体層の第１面の接触抵抗値をＲ₂としたとき、
Ｒ₂／Ｒ₁≦１
を満足する［Ｂ０１］乃至［Ｂ０７］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ０９］第１光反射層と第１電極とは接している［Ｂ０１］乃至［Ｂ０８］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ１０］第１光反射層と第１電極とは離間しており、離間距離は１ｍｍ以内である［Ｂ０１］乃至［Ｂ０８］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ１１］第１光反射層から第２光反射層まで距離は、０．１５μｍ以上、５０μｍ以下である［Ｂ０１］乃至［Ｂ１０］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ１２］第２光反射層は支持基板に固定されている［Ｂ０１］乃至［Ｂ１１］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ１３］活性層において生成した光は、第１光反射層を介して外部に出射される［Ｂ０１］乃至［Ｂ１２］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ１４］第１化合物半導体層の第１面と接する第１光反射層の部分の面積をＳ₁、第２化合物半導体層の第２面に対向する第２光反射層の部分の面積をＳ₂としたとき、
Ｓ₁＞Ｓ₂
を満足する［Ｂ１３］に記載の発光素子。
［Ｂ１５］第１電極は、金属又は合金から成る［Ｂ０１］乃至［Ｂ１４］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ１６］第２電極は、透明導電材料から成る［Ｂ０１］乃至［Ｂ１５］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ１７］面発光レーザ素子から成る［Ｂ０１］乃至［Ｂ１６］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ０１］《発光素子の製造方法・・・第１の態様》
（ａ）発光素子製造用基板上に、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
が積層されて成る積層構造体を形成した後、
（ｂ）第２化合物半導体層の第２面上に第２電極及び多層膜から成る第２光反射層を形成し、次いで、
（ｃ）第２光反射層を支持基板に固定した後、
（ｄ）発光素子製造用基板を除去して、第１化合物半導体層の第１面を露出させ、次いで、
（ｅ）第１化合物半導体層の第１面に粗面領域を形成し、少なくとも、粗面領域によって囲まれた第１化合物半導体層の第１面の部分である平坦領域に、多層膜から成る第１光反射層を形成し、少なくとも粗面領域に第１電極を形成する、
各工程を備えている発光素子の製造方法。
［Ｃ０２］前記工程（ｄ）における第１化合物半導体層の第１面の露出を、化学的／機械的研磨法に基づき行い、
前記工程（ｅ）における粗面領域の形成を、反応性イオンエッチング法に基づき形成する［Ｃ０１］に記載の発光素子の製造方法。
［Ｃ０３］平坦領域の表面粗さＲａの値は３×１０^-9ｍ以下であり、粗面領域の表面粗さＲａの値は平坦領域の表面粗さＲａの値を超える［Ｃ０１］又は［Ｃ０２］に記載の発光素子の製造方法。
［Ｃ０４］平坦領域における接触抵抗値をＲ₁、粗面領域における接触抵抗値をＲ₂としたとき、
Ｒ₂／Ｒ₁≦１
を満足する［Ｃ０１］乃至［Ｃ０３］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｃ０５］第１光反射層と第１電極とは接している［Ｃ０１］乃至［Ｃ０４］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｃ０６］第１光反射層と第１電極とは離間しており、離間距離は１ｍｍ以内である［Ｃ０１］乃至［Ｃ０４］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｃ０７］第１光反射層から第２光反射層まで距離は、０．１５μｍ以上、５０μｍ以下である［Ｃ０１］乃至［Ｃ０６］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｃ０８］活性層において生成した光は、第１光反射層を介して外部に出射される［Ｃ０１］乃至［Ｃ０７］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｃ０９］第１化合物半導体層の第１面と接する第１光反射層の部分の面積をＳ₁、第２化合物半導体層の第２面に対向する第２光反射層の部分の面積をＳ₂としたとき、
Ｓ₁＞Ｓ₂
を満足する［Ｃ０８］に記載の発光素子の製造方法。
［Ｃ１０］第１電極は、金属又は合金から成る［Ｃ０１］乃至［Ｃ０９］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｃ１１］第２電極は、透明導電材料から成る［Ｃ０１］乃至［Ｃ１０］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｃ１２］面発光レーザ素子から成る［Ｃ０１］乃至［Ｃ１１］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ０１］《発光素子の製造方法・・・第２の態様》
（ａ）発光素子製造用基板上に、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
が積層されて成る積層構造体を形成した後、
（ｂ）第２化合物半導体層の第２面上に第２電極及び多層膜から成る第２光反射層を形成し、次いで、
（ｃ）第２光反射層を支持基板に固定した後、
（ｄ）発光素子製造用基板を除去して、第１化合物半導体層の第１面を露出させ、次いで、
（ｅ）第１化合物半導体層の第１面に段差部を形成し、少なくとも段差部の内側に多層膜から成る第１光反射層を形成し、少なくとも段差部の外側に第１電極を形成する、
各工程を備えている発光素子の製造方法。
［Ｄ０２］前記工程（ｄ）における第１化合物半導体層の第１面の露出を、化学的／機械的研磨法に基づき行い、
前記工程（ｅ）における段差部の形成を、反応性イオンエッチング法に基づき形成する［Ｄ０１］に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ０３］段差部は単純閉曲線から構成されている［Ｄ０１］又は［Ｄ０２］に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ０４］第１光反射層は、第１化合物半導体層の第１面の凸部に形成されており、
第１電極は、第１化合物半導体層の第１面の凹部に形成されている［Ｄ０１］乃至［Ｄ０３］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｄ０５］第１光反射層は、第１化合物半導体層の第１面の凹部に形成されており、
第１電極は、第１化合物半導体層の第１面の凸部に形成されている［Ｄ０１］乃至［Ｄ０３］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｄ０６］段差部の高さは、第１化合物半導体層の厚さ未満である［Ｄ０１］乃至［Ｄ０５］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ０７］段差部の高さは、１×１０^-8ｍ以上、１×１０^-5ｍ以下である［Ｄ０１］乃至又求項Ｃ０４のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ０８］段差部の内側における第１化合物半導体層の第１面の表面粗さＲａの値は３×１０^-9ｍ以下であり、段差部の外側における第１化合物半導体層の第１面の表面粗さＲａの値は、段差部の内側における第１化合物半導体層の第１面の表面粗さＲａの値を超える［Ｄ０１］乃至［Ｄ０７］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ０９］段差部の内側における第１化合物半導体層の第１面の接触抵抗値をＲ₁、段差部の外側における第１化合物半導体層の第１面の接触抵抗値をＲ₂としたとき、
Ｒ₂／Ｒ₁≦１
を満足する［Ｄ０１］乃至［Ｄ０８］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ１０］第１光反射層と第１電極とは接している［Ｄ０１］乃至［Ｄ０９］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ１１］第１光反射層と第１電極とは離間しており、離間距離は１ｍｍ以内である［Ｄ０１］乃至［Ｄ０９］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ１２］第１光反射層から第２光反射層まで距離は、０．１５μｍ以上、５０μｍ以下である［Ｄ０１］乃至［Ｄ１１］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ１３］活性層において生成した光は、第１光反射層を介して外部に出射される［Ｄ０１］乃至［Ｄ１２］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ１４］第１化合物半導体層の第１面と接する第１光反射層の部分の面積をＳ₁、第２化合物半導体層の第２面に対向する第２光反射層の部分の面積をＳ₂としたとき、
Ｓ₁＞Ｓ₂
を満足する［Ｄ１３］に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ１５］第１電極は、金属又は合金から成る［Ｄ０１］乃至［Ｄ１４］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ１６］第２電極は、透明導電材料から成る［Ｄ０１］乃至［Ｄ１５］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
［Ｄ１７］面発光レーザ素子から成る［Ｄ０１］乃至［Ｄ１６］のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。

１１・・・発光素子製造用基板、２０・・・積層構造体、２１・・・第１化合物半導体層、２１ａ・・・第１化合物半導体層の第１面、２１ｂ・・・第１化合物半導体層の第２面、２１Ａ・・・平坦領域、２１Ｂ・・・粗面領域、２１Ｃ・・・段差部、２１Ｄ・・・段差部の内側、２１Ｅ・・・段差部の外側、２２・・・第２化合物半導体層、２２ａ・・・第２化合物半導体層の第１面、２２ｂ・・・第２化合物半導体層の第２面、２３・・・活性層（発光層）、２４・・・電流狭窄層、２４Ａ・・・電流狭窄層に設けられた開口、２５・・・接合層、２６・・・支持基板、３１・・・第１電極、３２・・・第２電極、３３・・・パッド電極、４１・・・第１光反射層、４２・・・第２光反射層

Claims (20)

1. （Ａ）ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
   ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
   ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
   が積層されて成る積層構造体、
   （Ｂ）第１化合物半導体層の第１面上に形成された第１電極、及び、第１化合物半導体層の第１面上に形成された多層膜から成る第１光反射層、並びに、
   （Ｃ）第２化合物半導体層の第２面上に形成された第２電極及び多層膜から成る第２光反射層、
   を備えており、
   第１化合物半導体層の第１面は、平坦領域、及び、平坦領域よりも粗い粗面領域を有しており、
   第１光反射層は、少なくとも平坦領域に形成されており、
   第１電極は、少なくとも粗面領域に形成されている発光素子。
2. 粗面領域は平坦領域を囲んでいる請求項１に記載の発光素子。
3. 平坦領域の表面粗さＲａの値は３×１０^-9ｍ以下であり、粗面領域の表面粗さＲａの値は平坦領域の表面粗さＲａの値を超える請求項１に記載の発光素子。
4. 平坦領域における接触抵抗値をＲ₁、粗面領域における接触抵抗値をＲ₂としたとき、
   Ｒ₂／Ｒ₁≦１
   を満足する請求項１に記載の発光素子。
5. （Ａ）ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
   ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
   ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
   が積層されて成る積層構造体、
   （Ｂ）第１化合物半導体層の第１面上に形成された第１電極、及び、第１化合物半導体層の第１面上に形成された多層膜から成る第１光反射層、並びに、
   （Ｃ）第２化合物半導体層の第２面上に形成された第２電極及び多層膜から成る第２光反射層、
   を備えており、
   第１化合物半導体層の第１面には、段差部が形成されており、
   少なくとも段差部の内側には、第１光反射層が形成されており、
   少なくとも段差部の外側には、第１電極が形成されている発光素子。
6. 段差部は単純閉曲線から構成されている請求項５に記載の発光素子。
7. 第１光反射層は、第１化合物半導体層の第１面の凸部に形成されており、
   第１電極は、第１化合物半導体層の第１面の凹部に形成されている請求項５に記載の発光素子。
8. 第１光反射層は、第１化合物半導体層の第１面の凹部に形成されており、
   第１電極は、第１化合物半導体層の第１面の凸部に形成されている請求項５に記載の発光素子。
9. 段差部の高さは、第１化合物半導体層の厚さ未満である請求項５に記載の発光素子。
10. 段差部の高さは、１×１０^-8ｍ以上、１×１０^-5ｍ以下である請求項５に記載の発光素子。
11. 段差部の内側における第１化合物半導体層の第１面の表面粗さＲａの値は３×１０^-9ｍ以下であり、段差部の外側における第１化合物半導体層の第１面の表面粗さＲａの値は、段差部の内側における第１化合物半導体層の第１面の表面粗さＲａの値を超える請求項５に記載の発光素子。
12. 段差部の内側における第１化合物半導体層の第１面の接触抵抗値をＲ₁、段差部の外側における第１化合物半導体層の第１面の接触抵抗値をＲ₂としたとき、
    Ｒ₂／Ｒ₁≦１
    を満足する請求項５に記載の発光素子。
13. 第１光反射層と第１電極とは接している請求項１又は請求項５に記載の発光素子。
14. 第１光反射層と第１電極とは離間しており、離間距離は１ｍｍ以内である請求項１又は請求項５に記載の発光素子。
15. 第１光反射層から第２光反射層まで距離は、０．１５μｍ以上、５０μｍ以下である請求項１又は請求項５に記載の発光素子。
16. 第２光反射層は支持基板に固定されている請求項１又は請求項５に記載の発光素子。
17. 活性層において生成した光は、第１光反射層を介して外部に出射される請求項１又は請求項５に記載の発光素子。
18. 第１化合物半導体層の第１面と接する第１光反射層の部分の面積をＳ₁、第２化合物半導体層の第２面に対向する第２光反射層の部分の面積をＳ₂としたとき、
    Ｓ₁＞Ｓ₂
    を満足する請求項１７に記載の発光素子。
19. （ａ）発光素子製造用基板上に、
    ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
    ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
    ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
    が積層されて成る積層構造体を形成した後、
    （ｂ）第２化合物半導体層の第２面上に第２電極及び多層膜から成る第２光反射層を形成し、次いで、
    （ｃ）第２光反射層を支持基板に固定した後、
    （ｄ）発光素子製造用基板を除去して、第１化合物半導体層の第１面を露出させ、次いで、
    （ｅ）第１化合物半導体層の第１面に粗面領域を形成し、少なくとも、粗面領域によって囲まれた第１化合物半導体層の第１面の部分である平坦領域に、多層膜から成る第１光反射層を形成し、少なくとも粗面領域に第１電極を形成する、
    各工程を備えている発光素子の製造方法。
20. （ａ）発光素子製造用基板上に、
    ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有する第１化合物半導体層、
    ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１化合物半導体層の第２面と接する活性層、及び、
    ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１面、及び、第１面と対向する第２面を有し、第１面が活性層と接する第２化合物半導体層、
    が積層されて成る積層構造体を形成した後、
    （ｂ）第２化合物半導体層の第２面上に第２電極及び多層膜から成る第２光反射層を形成し、次いで、
    （ｃ）第２光反射層を支持基板に固定した後、
    （ｄ）発光素子製造用基板を除去して、第１化合物半導体層の第１面を露出させ、次いで、
    （ｅ）第１化合物半導体層の第１面に段差部を形成し、少なくとも段差部の内側に多層膜から成る第１光反射層を形成し、少なくとも段差部の外側に第１電極を形成する、
    各工程を備えている発光素子の製造方法。